半導(dǎo)體器件(附答案).doc

第一章、半導(dǎo)體器件（附答案）一、選擇題 1PN 結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將 _A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬2設(shè)二極管的端電壓為 u ，則二極管的電流方程是 _A. B. C. 3穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓是其工作在 _A. 正向?qū)?B. 反向截止 C. 反向擊穿區(qū)4時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 _A. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 B. 增強(qiáng)型 MOS 管 C. 耗盡型 MOS 管5對(duì)PN結(jié)增加反向電壓時(shí)，參與導(dǎo)電的是 _A. 多數(shù)載流子 B. 少數(shù)載流子 C. 既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子6當(dāng)溫度增加時(shí)，本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)量 _A. 增加 B. 減少 C. 不變7用萬(wàn)用表的 R 100 檔和 R 1K 檔分別測(cè)量一個(gè)正常二極管的正向電阻，兩次測(cè)量結(jié)果 _A. 相同 B. 第一次測(cè)量植比第二次大 C. 第一次測(cè)量植比第二次小8面接觸型二極管適用于 _A. 高頻檢波電路 B. 工頻整流電路 9下列型號(hào)的二極管中可用于檢波電路的鍺二極管是： _A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 D.2AP610當(dāng)溫度為20時(shí)測(cè)得某二極管的在路電壓為。若其他參數(shù)不變，當(dāng)溫度上升到40，則的大小將 _A. 等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于 0.7V11當(dāng)兩個(gè)穩(wěn)壓值不同的穩(wěn)壓二極管用不同的方式串聯(lián)起來，可組成的穩(wěn)壓值有 _A. 兩種 B. 三種 C. 四種12在圖中，穩(wěn)壓管和的穩(wěn)壓值分別為6V和7V，且工作在穩(wěn)壓狀態(tài)，由此可知輸出電壓為 _ A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V13將一只穩(wěn)壓管和一只普通二極管串聯(lián)后，可得到的穩(wěn)壓值是（ ）A. 兩種 B. 三種 C. 四種14在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于 _（1）_，而少數(shù)載流子的濃度與 _（2）_有很大關(guān)系。（1）A. 溫度 B. 摻雜工藝 C. 雜質(zhì)濃度 D. 晶體缺陷（2）A. 溫度 B. 摻雜工藝 C. 雜質(zhì)濃度 D. 晶體缺陷15當(dāng) PN 結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流_（1）_漂移電流，耗盡層_（2）_，當(dāng) PN 結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 _（3）_漂移電流，耗盡層 _（4）_。（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變16甲、乙、丙三個(gè)二極管的正、反向特性如表 1.6 所示，你認(rèn)為哪一個(gè)二極管的性能最好？ 表 1.6管號(hào) 加 0.5V 正向 電壓時(shí)的電流 加反向電壓 時(shí)的電流 哪個(gè)性能好？ 甲 0.5mA 1uA （）乙 5 Ma 0.1 uA （）丙 2 mA 5 uA （）A. 甲 B. 乙 C. 丙17. 一個(gè)硅二極管在正向電壓時(shí)，正向電流。若增大到0.66V （即增加10%），則電流_A. 約為11mA（也增加10%） B. 約為20mA（增大1倍） C. 約為100mA（增大到原先的10倍） D. 仍為10 mA（基本不變）18. 在如下圖所示的電路中，當(dāng)電源V1=5V時(shí)，測(cè)得I=1mA 。若把電源電壓調(diào)整V1=10V，則電流的大小將V1=5V是 _。A. I =2mA B. I2mA C. I2mA21. 在P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是 _（1）_，在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是 _（2）（1）A. 正離子 B. 自由電子 C. 負(fù)離子 D. 空穴（1）A. 正離子 B. 自由電子 C. 負(fù)離子 D. 空穴23. 本征半導(dǎo)體溫度升高以后，自由電子和空穴的變化情況是_。A. 自由電子數(shù)目增加，空穴數(shù)目不變 B. 空穴數(shù)目增加，自由電子數(shù)目不變 C. 自由電子和空穴數(shù)目等量增加24. N 型半導(dǎo)體_（1）_， P 型半導(dǎo)體_（2）_。（1）A. 帶正電 B. 帶負(fù)電 C. 呈電中性（2）A. 帶正電 B. 帶負(fù)電 C. 呈電中性26. PN 結(jié)外加反向電壓時(shí)，其內(nèi)電場(chǎng)_。A. 減弱 B. 不變 C. 增強(qiáng)27. PN 結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴(kuò)散電流_漂移電流。A. 大于 B. 小于 C. 等于28. 在本征半導(dǎo)體中加入_（1）_ 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入_（2）_ 元素可形成P型半導(dǎo)體。（1） A. 五價(jià) B. 四價(jià) C. 三價(jià)（2） A. 五價(jià) B. 四價(jià) C. 三價(jià)29. 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 _A. 增大 B. 不變 C. 減小30. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)從12A增大22 A時(shí)，從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 _A. 83 B. 91 C. 10031. 硅二極管上外加正向電壓很低時(shí)，正向電流幾乎為零，只有在外加電壓達(dá)到約_V 時(shí)，正向電流才明顯增加，這個(gè)電壓稱為硅二極管的死區(qū)電壓。與硅二極管一樣，只有在鍺三極管上外加正向電壓達(dá)到約_V 時(shí)，正向電流才明顯增加。這個(gè)電壓稱為鍺二極管的死區(qū)電壓。（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V二、判斷題(正確的選“Y”，錯(cuò)誤的選“N”)1. P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。（Y） （N）2. 在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三價(jià)雜質(zhì)改型為P型半導(dǎo)體。（Y） （N）3. P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（Y） （N）4. PN結(jié)內(nèi)的擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（Y） （N）5. 漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的。（Y） （N）6. 由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以，當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí)就有電流流過。（Y） （N）7. PN結(jié)方程可以描述 PN結(jié)的正向、特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向擊穿特性。（Y） （N）8N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，因此N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（Y） （N）11在外電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中同時(shí)出現(xiàn)電子電流和空穴電流。（Y） （N）12當(dāng)外加反向電壓增加時(shí)， PN 結(jié)的結(jié)電容將會(huì)增大。（Y） （N）13通常的 BJT 管在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。（Y） （N）14通常的 JEFT 管在漏極和源極互換使用時(shí)，仍有正常的放大作用。 （Y） （N）15當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，本征半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)量增加，而空穴的數(shù)量基本不變。（Y） （N）16當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，本征半導(dǎo)體中空穴和自由電子的數(shù)量都增加，且它們?cè)黾拥臄?shù)量相等。（Y） （N）17 P 型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子都是空穴，因此， P 型半導(dǎo)體帶正電。（Y） （N）18 PN 結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正，負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。（Y） （N）19 半導(dǎo)體二極管是根據(jù) PN 結(jié)單向?qū)щ姷奶匦灾瞥?。因此，半?dǎo)體二極管也具有單向?qū)щ娦?。（Y） （N）21 當(dāng)二極管兩端加正向電壓時(shí)，二極管中有很大的正向電流通過。這個(gè)正向電流是由 P 型和 N 型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。（Y） （N）22 用萬(wàn)用表判斷二極管的極性，若測(cè)得二極管的電阻很小，那么，與萬(wàn)用表的紅表筆相接的電極是二極管的負(fù)極，與黑表筆相接的是二極管的正極。（Y） （N）24用萬(wàn)用表歐姆擋測(cè)量二極管的正相電阻，用 R 1 檔測(cè)出的電阻值和用 R 100 擋測(cè)出的電阻值不相同，說明這個(gè)二極管的性能不穩(wěn)定。（Y） （N）25漂移電流是少數(shù)載流子形成的。（Y） （N）26當(dāng)晶體二極管加反向電壓時(shí)，將有很小的反向電流通過，這個(gè)反向電流是由 P 型和 N 型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的。（Y） （N）27. 普通二極管反向擊穿后立即損壞，因?yàn)閾舸┒际遣豢赡娴?。（Y） （N）28. 正偏時(shí)二極管的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻隨著流過二極管的正向電流的增加而減小。（Y） （N）29. 發(fā)光二極管內(nèi)部仍有一個(gè)PN結(jié)，因而他同普通二極管一樣導(dǎo)通后的正向壓降為0.3V或0.7V 。（Y） （N）30. 發(fā)光二極管的發(fā)光顏色是由采用的半導(dǎo)體的材料決定的。（Y） （N）31. 穩(wěn)壓二極管只要加上反向電壓就能起到穩(wěn)壓作用。（Y） （N）32. 整流二極管一般都采用面接觸型或平面型硅二極管。（Y） （N）33. 硅二極管存在一個(gè)結(jié)電容，這僅是由引腳和殼體形成的。（Y） （N）34. P 型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而得到。（Y） （N）35. N 型半導(dǎo)體可以通過在本征半導(dǎo)體正摻入三價(jià)銦元素而得到。（Y） （N）36. N 型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三價(jià)元素，可以改變?yōu)?P 型半導(dǎo)體。（Y） （N）37漂移電流是在內(nèi)電場(chǎng)作用先形成的。（Y） （N）38導(dǎo)體的價(jià)電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運(yùn)動(dòng)。（Y） （N）39導(dǎo)體中的空穴的移動(dòng)是借助于相鄰價(jià)電子于空穴復(fù)合而移動(dòng)的。（Y） （N）40施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。（Y） （N）41受主雜質(zhì)成為離子后是負(fù)離子。（Y） （N）43極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的擊穿特性。（Y） （N） 題目系太原電力高等專科學(xué)校精品課程電子技術(shù)基礎(chǔ)4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp其中缺少題號(hào)的題目是與已有的題目重復(fù)，故沒有寫出。答案是本人參考各資料整理，旨在學(xué)習(xí)交流，如有錯(cuò)誤，敬請(qǐng)指正。liuyj_答案：選擇題：15. ACCAB 610. ACBDC 第9題中，2表示二極管，三極管則為3，A、B表示材料鍺，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示穩(wěn)壓，Z表示整流，后面阿拉伯?dāng)?shù)字表示序號(hào)。1115. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11題中兩個(gè)穩(wěn)壓管D1和D2，穩(wěn)定電壓分別是V1和V2，正向?qū)妷憾际?.7V，當(dāng)D1和D2都反接即工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)定電壓為V1+V2，若都正接即導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)定電壓為07V+0.7V1.4V，若一個(gè)反接一個(gè)正接，則為V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4個(gè)穩(wěn)壓值。13題中，穩(wěn)壓管D1和普通二極管D2，D1的穩(wěn)定電壓是V1，二者的正向?qū)妷憾际?.7V，當(dāng)二者都反接時(shí)，則輸出電壓為輸入電壓；若D1反接，D2正接，則穩(wěn)壓值為V1+0.7V，當(dāng)二者都正接，則穩(wěn)壓值為0.7+0.71.4V，若D1正接，D2反接，則輸出仍為輸入電壓。故只有兩種穩(wěn)壓值。16.B 17.C 18.C 17題中，正向電流與正向電壓的關(guān)系為第2題C中的公式，電流隨電壓按指數(shù)形式增加。 18題中，原題無(wú)圖，故從別的資料中找到的一幅圖，序號(hào)不相對(duì)應(yīng)。21.（1）D（2）B 23.C 24.（1）C（2）C 26.C 27.A 28.（1）A（2）C 29.A 30.C31.（1）C（2）B注意：鍺二極管和硅二極管的正向壓降、死區(qū)電壓和反向飽和電流的取值范圍如下所示：二極管正向壓降/V死區(qū)電壓/V反向飽和電流鍺0.2大，uA級(jí)硅0.6小，nA級(jí)一般典型值鍺管，硅管，此處選項(xiàng)只有0.2V，故第（2）選B。判斷題：15. NYNYY 68. NNN 11.N 12.N 13.N 14.N 15.N11題與選擇題第5題類似，對(duì)PN結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的擴(kuò)散電流所決定；對(duì)PN結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)大于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，PN結(jié)內(nèi)的電流便由起支配地位的漂移電流所決定。12題中PN結(jié)的結(jié)電容是勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的總效果，結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，正向電阻很小，結(jié)電容較大，主要取決于擴(kuò)散電容；當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，反向電阻很大，結(jié)電容較小，主要取決于勢(shì)壘電容。當(dāng)反向電壓增加時(shí)，PN結(jié)厚度增大，PN結(jié)厚度跟勢(shì)壘電容的關(guān)系，類似平板電容器跟極間距離成反比的關(guān)系。故PN結(jié)的結(jié)電容應(yīng)該是減小。 16.Y 17.N 18.N 19.Y 18題半導(dǎo)體的電導(dǎo)率很高，但摻入微量雜質(zhì)后，電阻率會(huì)發(fā)生很大的變化，導(dǎo)電能力可增加幾十萬(wàn)乃至幾百萬(wàn)倍。21.Y 22.N 24.N 25.Y 2630.YNYNY29題中二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。1. 直插超亮發(fā)光二極管壓降主要有三種顏色，然而三種發(fā)光二極管的壓降都不相同，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0-2.2V黃色發(fā)光二極管的壓降為1.82.0V綠色發(fā)光二極管的壓降為3.03.2V正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。2. 貼片LED壓降 紅色的壓降為1.82-1.88V，電流5-8mA 綠色的壓降為1.75-1.82V，電流3-5mA 橙色的壓降為1.7-1.8V，電流3-5mA 蘭色的壓降為3.1-3.3V，電流8-10mA 白色的壓降為3-3.2V，電流10-15mA.LED壓降及電流1 黃綠(565-575nm)黃(585-595nm)紅(600-650nm) led的壓降在1.8-2.4v(平均2.0v) 工作電流20ma = (5.0-2.