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文檔簡介

SiliconVLSITechnology 硅基大規(guī)模集成電路制作技術(shù) 集成電路的發(fā)展 單個(gè)器件的尺寸越來越小晶片的尺寸越來越大 器件變小 減小光刻的特征線寬 Lateralfeaturesize 從設(shè)計(jì)上縮小器件的尺寸設(shè)計(jì)功能強(qiáng)大 集成度更高的器件 晶片變大 硅晶的生產(chǎn)工藝提高 可以生成更大直徑的晶體薄膜生長 光刻 蝕刻等制作工藝的性能提高制作生產(chǎn)線的改進(jìn) Moore sLaw 半導(dǎo)體材料 硅 1960年以前 Ge和GaAs占半導(dǎo)體的主導(dǎo)地位 1953年 Brattain和Bardeen發(fā)現(xiàn)可以利用氧氣 水等使半導(dǎo)體表面氧化 1960年 高質(zhì)量的SiO2直接生長在Si表面1947年 第一個(gè)點(diǎn)接觸式半導(dǎo)體器件 復(fù)合鍺晶體 誕生 兩年后基于單晶硅的器件產(chǎn)生硅還具有其它良好特性 自此以后成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)者 IntelCPU的發(fā)展 例 SiliconIC 關(guān)鍵步驟或工藝 晶體生長光刻氧化擴(kuò)散離子注入蝕刻薄膜生長后道工藝 光刻 掩膜和套刻 Photolithography 氧化 薄膜生長 薄膜外延生長 刻蝕 離子注入 CMOS工藝 固體物理知識 半導(dǎo)體摻雜 PNJunction 二極管 MOS電容 nMOSFET

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