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1、第三章 靜電場(chǎng) 自學(xué)練習(xí)題一、選擇題:5-1電荷面密度均為+的兩塊“無(wú)限大”均勻帶電的平行平板如圖放置,其周圍空間各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度(設(shè)向右為正)隨位置坐標(biāo)x變化的關(guān)系為:( )(A) (B)(C) (D)【提示:帶的 “無(wú)限大”均勻帶電平板在其空間產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為,則兩塊平板之間的場(chǎng)強(qiáng)為零,外面為】5-2下列說(shuō)法正確的是:( )(A)閉合曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都為零時(shí),曲面內(nèi)一定沒(méi)有電荷;(B)閉合曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都為零時(shí),曲面內(nèi)電荷的代數(shù)和必定為零;(C)閉合曲面的電通量為零時(shí),曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度必定為零;(D)閉合曲面的電通量不為零時(shí),曲面上任意一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都不可能為零?!咎崾荆河门袛唷?-3下列
2、說(shuō)法正確的是:( )(A)電場(chǎng)強(qiáng)度為零的點(diǎn),電勢(shì)也一定為零;(B)電場(chǎng)強(qiáng)度不為零的點(diǎn),電勢(shì)也一定不為零;(C)電勢(shì)為零的點(diǎn),電場(chǎng)強(qiáng)度也一定為零;(D)電勢(shì)在某一區(qū)域內(nèi)為常量,則電場(chǎng)強(qiáng)度在該區(qū)域內(nèi)必定為零?!咎崾荆弘妶?chǎng)等于電勢(shì)梯度的負(fù)值為場(chǎng)強(qiáng)】5-1兩塊金屬板的面積均為S,相距為d(d很?。?,分別帶電荷與,兩板為真空,則兩板之間的作用力為:( )(A); (B); (C); (D)?!咎崾荆簬У?“無(wú)限大”均勻帶電平板在其空間產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為,則另一板受到的力為,即】5-2有一電場(chǎng)強(qiáng)度為的均勻電場(chǎng),的方向與O x軸正方向平行,則穿過(guò)如圖所示的半球面的電通量為:( )(A); (B); (C); (D
3、)。【提示:穿入半球面的電通量與穿出的電通量相等,所以穿過(guò)半球面的電通量為零】5-3 關(guān)于高斯定理的理解有下面幾種說(shuō)法,其中正確的是 ( )(A)如果高斯面上處處為零,則該高斯面內(nèi)必?zé)o電荷;(B)如果穿過(guò)高斯面上電通量為零,則該高斯面上的電場(chǎng)強(qiáng)度一定處處為零;(C)如果高斯面內(nèi)有凈電荷,則通過(guò)該高斯面的電通量必不為零;(D)高斯面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度僅由高斯面內(nèi)的電荷提供?!咎崾荆河门袛唷?如圖所示,a、b、c是電場(chǎng)中某條電場(chǎng)線上的三個(gè)點(diǎn),由此可知 ( )abc(A) EaEbEc ; (B) EaEbUbUc ; (D) UaUbUc 。【提示:順著電場(chǎng)線的方向,電勢(shì)是逐步降低的】8在邊長(zhǎng)為a的
4、正立方體中心有一個(gè)電量為q的點(diǎn)電荷,則通過(guò)該立方體任一面的電通量為 ( )(A) ; (B) ; (C) ; (D) ?!咎崾荆洪]合面穿出的總通量為:。而立方體其中一個(gè)面的面積是總表面積的六分之一】5-15如圖所示,邊長(zhǎng)為a、的立方體其表面分別平行于、和,正方體的一個(gè)頂點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)。如果立方體處于的非均勻電場(chǎng)中,則立方體的與平行的表面(見圖中陰影部分)的電通量為:( )(A); (B); (C); (D)。【提示:圖中陰影部分的面積為,則】立方體閉合面的總通量為:( )(A); (B); (C); (D)?!咎崾荆簣D中上表面積為,則,同理,下表面的;圖中左側(cè)面為,則,同理,右側(cè)面的;圖中外表面
5、積為,則,內(nèi)表面的面積為,則;總通量為:】10真空中有一個(gè)半徑為R的均勻帶電球體,電荷體密度為,球外無(wú)電荷,則空間電場(chǎng)的分布為: ( )(A); (B); (C); (D)?!咎崾荆寒?dāng)時(shí),由有,得;當(dāng)時(shí),有,得】11兩個(gè)均勻帶電的同心球面,半徑分別為R1、R2(R1R2),小球帶電Q,大球帶電-Q,下列各圖中哪一個(gè)正確表示了電場(chǎng)的分布 ( ) (A) (B) (C) (D)【提示:當(dāng)時(shí),有;當(dāng)時(shí),有,得;當(dāng)時(shí),有,得】12如圖所示,在點(diǎn)電荷的電場(chǎng)中,若選取圖中為電勢(shì)零點(diǎn),則點(diǎn)的電勢(shì)為:( )(A);(B) ;(C) ;(D) 。【提示:當(dāng)選取P為電勢(shì)零點(diǎn)時(shí),M處的電勢(shì)為】5-22如圖所示,有三
6、個(gè)點(diǎn)電荷,沿一直線等距分布,且頭尾兩個(gè)點(diǎn)電荷是固定的。那么,要將推到無(wú)窮遠(yuǎn)時(shí),電場(chǎng)力需作功為:( )(A);(B) ;(C) ;(D) ?!咎崾荆狐c(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電勢(shì)為。則兩個(gè)點(diǎn)電荷Q在處產(chǎn)生的電勢(shì)為,考慮到無(wú)窮遠(yuǎn)處的電勢(shì)為零,則電勢(shì)差為;利用有】14電荷分布在有限空間內(nèi),則任意兩點(diǎn)P1、P2之間的電勢(shì)差取決于 ( )(A) 從P1移到P2的試探電荷電量的大小; (B) P1和P2處電場(chǎng)強(qiáng)度的大小;(C) 試探電荷由P1移到P2的路徑; (D) 由P1移到P2電場(chǎng)力對(duì)單位正電荷所作的功?!咎崾荆翰榭措妱?shì)差的定義】15半徑為R的均勻帶電球體的靜電場(chǎng)中各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小E與球心的距離的關(guān)系曲線為下
7、圖的那一個(gè)? ( )【提示:當(dāng)時(shí),有,得,與成正比;當(dāng)時(shí),有,得,與成反比】5-27兩個(gè)均勻帶電的同心球面,半徑分別為R1、R2(R1R2),小球帶電Q1,大球帶電Q2,則在電場(chǎng)空間內(nèi): ( )(A)R1內(nèi)的電勢(shì)分布為;(B)R1、R2間的電勢(shì)分布為; (C)R2外的電勢(shì)分布為;(D)R1、R2間電勢(shì)差為?!井?dāng)時(shí),有;當(dāng)時(shí),有,得;當(dāng)時(shí),有,。當(dāng)時(shí),有;當(dāng)時(shí),有;當(dāng)時(shí),有】二、填空題:5-7有一帶電球體,其電荷的體密度為,其中k為常數(shù),r為球內(nèi)任一處的半徑。球面內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為 ?!井?dāng)時(shí),所包圍的電荷為:,由高斯定理有:得】2 如圖所示,邊長(zhǎng)分別為a和b的矩形,其A、B、C三個(gè)頂點(diǎn)上
8、分別放置三個(gè)電量均為q的點(diǎn)電荷,則中心O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為 ,方向 ?!咎崾荆嚎衫么鷥敺?,將沒(méi)有電荷的D點(diǎn)看成同時(shí)放置了的電荷,再考慮對(duì)稱性。則中心O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為;方向由O指向D】3一均勻帶電球面,總電量為Q,半徑為R,在rR的區(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)大小為 ?!咎崾荆呵蛎鎺щ?,在區(qū)域內(nèi)沒(méi)有電荷,場(chǎng)強(qiáng)為;在區(qū)域內(nèi)高斯面包圍的電荷為,場(chǎng)強(qiáng)為】4 內(nèi)、外半徑分別為R1、R2的均勻帶電厚球殼,電荷體密度為。則,在rR1的區(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)大小為 ,在R1rR2的區(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)大小為 ?!咎崾荆豪酶咚苟ɡ砜汕蟮迷趨^(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)為;在區(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)為;在區(qū)域內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)為】5 在場(chǎng)強(qiáng)為E的均勻電場(chǎng)中取一半球面,其半徑為R,電場(chǎng)強(qiáng)度的方向與半球面的對(duì)
9、稱軸平行。則通過(guò)這個(gè)半球面的電通量為 ,若用半徑為R的圓面將半球面封閉,則通過(guò)這個(gè)封閉的半球面的電通量為 。【提示:由通量定義知前者為;后者是閉合面,為】6如圖所示,一個(gè)點(diǎn)電荷放在處,三點(diǎn)距離該點(diǎn)電荷分別為,和,若選圖中處為電勢(shì)零點(diǎn),那么點(diǎn)的電勢(shì)為: ,點(diǎn)的電勢(shì)為: 。【提示:由電勢(shì)定義知前者為;后者為】7如圖所示,已知正方形頂點(diǎn)有四個(gè)點(diǎn)電荷,正方形頂點(diǎn)到中心處的距離為,以無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),則正方形中心處的電勢(shì)為 ?!咎崾荆豪命c(diǎn)電荷在空間產(chǎn)生電勢(shì)的定義式知四個(gè)點(diǎn)電荷在O點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為,代入數(shù)值可求得伏特】8 邊長(zhǎng)為a的正六邊形每個(gè)頂點(diǎn)處有一個(gè)點(diǎn)電荷+q,取無(wú)限遠(yuǎn)處作為參考點(diǎn),則O點(diǎn)電勢(shì)為
10、,O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為 。【提示:六邊形到中心的距離與其邊長(zhǎng)相等。利用知6個(gè)點(diǎn)電荷在O點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為;但場(chǎng)強(qiáng)是矢量,6個(gè)點(diǎn)電荷在O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)相互抵消,為】9一個(gè)半徑為R的均勻帶電半圓環(huán),帶電量為,以無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),則圓盤圓心處的電勢(shì) ?!咎崾荆豪?,取微元積分可求O點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為】10一個(gè)半徑為R的均勻帶電圓盤,電荷面密度為,則圓盤軸線上距離圓心遠(yuǎn)處點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)的大小為 ;若以無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),則點(diǎn)的電勢(shì) ;圓盤盤心處的電勢(shì) ?!咎崾荆豪冒霃綖榈膱A環(huán)在軸線上產(chǎn)生電勢(shì)可得圓盤上的一個(gè)圓環(huán)微元在軸線上產(chǎn)生電勢(shì):,有;將代入上式,可得盤心處的電勢(shì):;場(chǎng)強(qiáng)可用梯度的概念求出,利用有:,則場(chǎng)強(qiáng)大小為】
11、11一個(gè)半徑為R的均勻帶電的薄圓盤,電荷面密度為。在圓盤上挖去一個(gè)半徑為r的同心圓盤,則圓心處的電勢(shì)為 ?!咎崾荆嚎衫么鷥敺?,將沒(méi)有電荷的空心處看成同時(shí)放置了電荷的小圓盤,再考慮對(duì)稱性。則半徑為R的大盤在中心O點(diǎn)的電勢(shì)為,小圓盤在中心O點(diǎn)的電勢(shì)為,相減有】12如圖所示,已知、和,求單位正電荷沿移至,電場(chǎng)力所作的功為: ;將單位負(fù)電荷由到點(diǎn)電場(chǎng)力所作的功為: 。【提示:?jiǎn)挝徽姾伤鞯墓σ馕吨髢牲c(diǎn)的電勢(shì)差。在O點(diǎn),由于正負(fù)電荷等值且同距,所以;C點(diǎn)的電勢(shì)為:,即。處的電勢(shì)也為,則,有】13 真空中一個(gè)半徑為R的球面均勻帶電,面電荷密度為,在球心處有一個(gè)帶電量為的點(diǎn)電荷。取無(wú)限遠(yuǎn)處作為參考點(diǎn)
12、,則球內(nèi)距球心的點(diǎn)處的電勢(shì)為 ?!咎崾荆河筛咚苟ɡ砜傻脠?chǎng)強(qiáng)分布:當(dāng)時(shí),;當(dāng)時(shí),;利用 有有】14 半徑為的均勻帶電球面S1,帶電量為,其外有一同心的半徑為的均勻帶電球面S2,帶電量為,則兩球面間的電勢(shì)差為 ?!咎崾荆河筛咚苟ɡ砜傻脙汕蛎骈g的場(chǎng)強(qiáng)為:,有】15兩段形狀相同的圓弧如圖所示對(duì)稱放置,圓弧半徑為R,圓心角為,均勻帶電,線密度分別為和,則圓心O點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為 。電勢(shì)為 。【提示:一段圓弧在圓心O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為:(見計(jì)算題第二題),上下兩段在圓心O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)方向相同,有;上下兩段在圓心O點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)互為正負(fù),有】三、計(jì)算題1長(zhǎng)的直導(dǎo)線AB上均勻地分布著線密度為的電荷。求在導(dǎo)線的延長(zhǎng)線上與
13、導(dǎo)線一端B相距d=5cm處P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)。2一個(gè)半徑為的均勻帶電圓弧,圓心角為,電荷線密度為,求(1)弧心處的場(chǎng)強(qiáng);(2)弧心處的。5-21半徑為和()的兩無(wú)限長(zhǎng)同軸圓柱面,單位長(zhǎng)度分別帶有電量,試求:(1);(2);(3)處各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)。5-19在半徑為,電荷體密度為的均勻帶電球內(nèi),若保持電荷分布不變,在該球體中挖去半徑為的一個(gè)小球體,球心為,若兩球心間用矢量表示,證明:空腔中任意點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為。5. 電荷量Q均勻分布在半徑為R的球體內(nèi),試求:離球心r處(rR)的電勢(shì)。5-25一個(gè)球形雨滴半徑為R,帶有q的電荷,其表面的電勢(shì)多大??jī)蓚€(gè)這樣的雨滴合并為較大的雨滴,其表面的電勢(shì)又為多大?靜電場(chǎng)部分解答
14、一、選擇題:1.D 2.B 3.D 4.A 5.D 6.C 7.C 8.D 9.C 、D 10.D 11.D 12.D 13.B 14.D 15.B 16C 三、計(jì)算題1解:建立如圖所示的坐標(biāo)系,在導(dǎo)線上取電荷元。電荷元在P點(diǎn)所激發(fā)的場(chǎng)強(qiáng)方向如圖所示,場(chǎng)強(qiáng)大小為:導(dǎo)線上電荷在P點(diǎn)所激發(fā)的總場(chǎng)強(qiáng)方向沿軸正方向,大小為2解:將圓弧的對(duì)稱線令為x軸,作圖分析。(1)電荷元dq在O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)為:;根據(jù)對(duì)稱性有:,則:,方向沿軸正向。即:。(2)電荷元dq在O點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為:;則:。3解:利用高斯定律:。(1)時(shí),高斯面內(nèi)不包括電荷,所以:;(2)時(shí),利用高斯定律及對(duì)稱性,有:,則:;(3)時(shí),利用高斯定律及對(duì)稱性,有:,則:。4解:利用代償法,將沒(méi)有電荷的小球看成同時(shí)放置了的電荷
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