LED襯底材料的選用

1、對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需 要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：藍(lán)寶石（AI2O3）硅（Si）碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底通常，GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍(lán)寶石襯底上。藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點：首先，藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能 夠運用在高溫生長過程中；最后，藍(lán)寶石的機械強度高，易于處理和清洗。因此，大多數(shù)工 藝一般都以藍(lán)寶石作為襯底。圖1示例了使用藍(lán)寶石襯底做成的LED芯片。NiSil透明導(dǎo)也層H槪電極 LiGaNGaN發(fā)光層耳帶GaN接植*低袒口亦井延

2、層S5寶石蔓板（h） LED結(jié)構(gòu)團(tuán)opt cwn圖1藍(lán)寶石作為襯底的 LED芯片使用藍(lán)寶石作為襯底也存在一些問題，例如晶格失配和熱應(yīng)力失配，這會在外延層中產(chǎn)生大量缺陷，同時給后續(xù)的器件加工工藝造成困難。藍(lán)寶石是一種絕緣體， 常溫下的電阻率大于ioiicm在這種情況下無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件；通常只在外延層上表面 制作n型和p型電極（如圖1所示）。在上表面制作兩個電極，造成了有效發(fā)光面積減少， 同時增加了器件制造中的光刻和刻蝕工藝過程，結(jié)果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN摻雜困難，當(dāng)前普遍采用在 p型GaN上制備金屬透明電極的方法，使電流擴散，以達(dá)到均勻發(fā)光的目的。但是金屬透

3、明電極一般要吸收約30%40%勺光，同時GaN基材料的化學(xué)性能穩(wěn)定、機械強度較高，不容易對其進(jìn)行刻蝕， 因此在刻蝕過程中需要較好的設(shè)備， 這將 會增加生產(chǎn)成本。藍(lán)寶石的硬度非常高，在自然材料中其硬度僅次于金剛石，但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進(jìn)行減薄和切割 （從400nm減到100nm左右）。添置完成減薄和切割工 藝的設(shè)備又要增加一筆較大的投資。藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性能不是很好（在100C約為25W/（mK）。因此在使用 LED器件時，會傳導(dǎo)出大量的熱量；特別是對面積較大的大功率器件，導(dǎo)熱性能是一個非常重要的考慮因素。為了克服以上困難，很多人試圖將GaN光電器件直接生長在硅襯底上，從而改善導(dǎo)熱

4、和導(dǎo)電性能。硅襯底目前有部分LED芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是L接觸（Laterial-contact,水平接觸）和 V接觸（Vertical-contact ，垂直接觸），以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式，LED芯片內(nèi)部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由于電流可以縱向流動，因此增大了LED的發(fā)光面積，從而提高了 LED的出光效率。因為硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。碳化硅襯底碳化硅襯底（美國的 CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片電極是L 型電極，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作

5、的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。采用碳化硅襯底的LED芯片如圖2所示。圖2采用藍(lán)寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片碳化硅襯底的導(dǎo)熱性能（碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為 490W/（mK）要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。藍(lán)寶石本身是熱的不良導(dǎo)體，并且在制作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。 使用碳化硅襯底的芯片電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產(chǎn)生的熱量可以通過電極直接導(dǎo)出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。 但是相對于藍(lán)寶石襯底而言，碳化硅制造成本較高，實現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。三種襯底的性能比較前面的內(nèi)容介紹的就是制作LED芯片常用的三種襯底材料。這三種襯底材料的綜合性能比較可參見表 1。表1三種襯底材料的性能比較專鴨蹊敗* w/（m * K）*；-Q定性成本ESC11 AIjO 丨461咅般般it