東莞靶材生產建設項目可行性研究報告模板

1、泓域咨詢/東莞靶材生產建設項目可行性研究報告東莞靶材生產建設項目可行性研究報告泓域咨詢機構摘要靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產業(yè)在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜

2、系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。該靶材項目計劃總投資21258.01萬元，其中：固定資產投資15518.95萬元，占項目總投資的73.00%；流動資金5739.06萬元，占項目總投資的27.00%。達產年營業(yè)收入47392.00萬元，總成本費用35583.38萬元，稅金及附加408.44萬元，利潤總額11808.62萬元，利稅總額13845.84萬元，稅后凈利潤8856.47萬元，達產年納稅總額4989.38萬元；達產年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，提供就業(yè)職位973個。重視環(huán)境保護的原則。使投資項目建設達到環(huán)境保護的要求

3、，同時，嚴格執(zhí)行國家有關企業(yè)安全衛(wèi)生的各項法律、法規(guī)，并做到環(huán)境保護“三廢”治理措施以及工程建設“三同時”的要求，使企業(yè)達到安全、整潔、文明生產的目的。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。報告主要內容：總論、項目背景及必要性、產業(yè)研究分析、建設內容、項目選址科學性分析、項目工程方案、工藝方案說明、環(huán)境保護可行性、項目安全保護、項目風險評估、節(jié)能情況分析、實施安排方案、投資計劃方案、經濟效益、項目綜合評價等。東莞靶材生產建設項目可行性研究報告目錄第一章 總論第二章 項目背景及必要性第三章 產業(yè)研究分析第四章 建設內容第五章 項目選址科

4、學性分析第六章 項目工程方案第七章 工藝方案說明第八章 環(huán)境保護可行性第九章 項目安全保護第十章 項目風險評估第十一章 節(jié)能情況分析第十二章 實施安排方案第十三章 投資計劃方案第十四章 經濟效益第十五章 項目招投標方案第十六章 項目綜合評價第一章 總論一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx科技公司（二）公司簡介公司是全球領先的產品提供商。我們在續(xù)為客戶創(chuàng)造價值，堅持圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新，加大基礎研究投入，厚積薄發(fā)，合作共贏。公司是一家集研發(fā)、生產、銷售為一體的高新技術企業(yè)，專注于產品，致力于產品的設計與開發(fā)，各種生產流水線工藝的自動化智能化改造，為客戶設計開發(fā)各種產品生產線。公司基于業(yè)務

5、優(yōu)化提升客戶體驗與滿意度，通過關鍵業(yè)務優(yōu)化改善產業(yè)相關流程；并結合大數據等技術實現(xiàn)智能化管理，推動業(yè)務體系提升。公司經過長時間的生產實踐，培養(yǎng)和造就了一批管理水平高、綜合素質優(yōu)秀的職工隊伍，操作技能經驗豐富，積累了先進的生產項目產品的管理經驗，并擁有一批過硬的產品研制開發(fā)和經營人員，因此，項目承辦單位具備較強的新產品開發(fā)能力和新技術應用能力，為實施項目提供了有力的技術支撐和技術人才資源保障。公司將繼續(xù)堅持以客戶需求為導向，以產品開發(fā)與服務創(chuàng)新為根本，以持續(xù)研發(fā)投入為保障，以規(guī)范管理為基礎，繼續(xù)在細分領域內穩(wěn)步發(fā)展，做大做強，不斷推出符合客戶需求的產品和服務，保持企業(yè)行業(yè)領先地位和較快速發(fā)展勢頭

6、。公司堅守企業(yè)契約精神，專業(yè)為客戶提供優(yōu)質產品，致力成為行業(yè)領先企業(yè)，創(chuàng)造價值，履行社會責任。（三）公司經濟效益分析上一年度，xxx集團實現(xiàn)營業(yè)收入22717.79萬元，同比增長30.83%（5353.79萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務靶材生產及銷售收入為18656.59萬元，占營業(yè)總收入的82.12%。上年度主要經濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入4770.746360.985906.635679.4522717.792主營業(yè)務收入3917.885223.854850.714664.1518656.592.1靶材(A)1292.901723.871600.741539.1

7、76156.672.2靶材(B)901.111201.481115.661072.754291.022.3靶材(C)666.04888.05824.62792.913171.622.4靶材(D)470.15626.86582.09559.702238.792.5靶材(E)313.43417.91388.06373.131492.532.6靶材(F)195.89261.19242.54233.21932.832.7靶材(.)78.36104.4897.0193.28373.133其他業(yè)務收入852.851137.141055.911015.304061.20根據初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額67

8、92.72萬元，較去年同期相比增長1278.73萬元，增長率23.19%；實現(xiàn)凈利潤5094.54萬元，較去年同期相比增長548.28萬元，增長率12.06%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元22717.79完成主營業(yè)務收入萬元18656.59主營業(yè)務收入占比82.12%營業(yè)收入增長率（同比）30.83%營業(yè)收入增長量（同比）萬元5353.79利潤總額萬元6792.72利潤總額增長率23.19%利潤總額增長量萬元1278.73凈利潤萬元5094.54凈利潤增長率12.06%凈利潤增長量萬元548.28投資利潤率61.10%投資回報率45.83%財務內部收益率21.05%企業(yè)總資產

9、萬元39538.70流動資產總額占比萬元32.82%流動資產總額萬元12975.98資產負債率20.85%二、項目建設符合性（一）產業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx科技公司承辦的“東莞靶材生產建設項目”主要從事靶材項目投資經營，其不屬于國家發(fā)展改革委產業(yè)結構調整指導目錄（2011年本）（2013年修正）有關條款限制類及淘汰類項目。（二）項目選址與用地規(guī)劃相容性東莞靶材生產建設項目選址于xxx產業(yè)園區(qū)，項目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項目建設前后，未改變項目建設區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實該項目提出的各項污染防治措施后，可確保污染物達標排放，滿足xxx產業(yè)園區(qū)環(huán)境保護規(guī)劃要求。因此，建設

10、項目符合項目建設區(qū)域用地規(guī)劃、產業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護紅線：東莞靶材生產建設項目用地性質為建設用地，不在主導生態(tài)功能區(qū)范圍內，且不在當地飲用水水源區(qū)、風景區(qū)、自然保護區(qū)等生態(tài)保護區(qū)內，符合生態(tài)保護紅線要求。2、環(huán)境質量底線：該項目建設區(qū)域環(huán)境質量不低于項目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質量底線要求。3、資源利用上線：項目營運過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準入負面清單：該項目所在地無環(huán)境準入負面清單，項目采取環(huán)境保護措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達標排放，固體廢物能夠得到

11、合理處置，不會產生二次污染。三、項目概況（一）項目名稱東莞靶材生產建設項目超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規(guī)模化生

12、產能力的企業(yè)數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。（二）項目選址xxx產業(yè)園區(qū)東莞，是廣東省地級市、國務院批復確定的中國珠江三角洲東岸中心城市。截至2018年，全市下轄4個街道、28個鎮(zhèn)，總面積2465平方千米，建成區(qū)面積958.86平方千米，常住人口839.22萬人，城鎮(zhèn)人口763.86萬人，城鎮(zhèn)化率91.02%。東莞地處中國華南地區(qū)、廣東省中南部、珠江口東岸，西北接廣州市，南接深圳市，東北接惠州市，是珠三角中心城市之一、粵港澳大灣區(qū)城市之一，為廣東四小虎之首，號稱世界工廠，是廣東重要的交通樞紐和外貿口岸，也是全國4個不設區(qū)的地級市之一，新一線城市之一。東莞是廣府文化的代表城市之

13、一，是嶺南文化的重要發(fā)源地，中國近代史的開篇地和改革開放的先行地，廣東重要的交通樞紐和外貿口岸，被列為第一批國家新型城鎮(zhèn)化綜合試點地區(qū)和廣東歷史文化名城。東莞有港澳同胞約120萬人，海外華僑約30萬人，是著名的華僑之鄉(xiāng)、粵劇之鄉(xiāng)，曾獲得國家森林城市、國際花園城市、全國文明城市、全國籃球城市等稱號。2019年8月，中國海關總署主辦的中國海關雜志公布了2018年中國外貿百強城市排名，東莞排名第3。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積53246.61平方米（折合約79.83畝）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數73.04%，建筑容積率1.17，建設區(qū)域綠化覆蓋率6.75%，固定資產投資強度194

14、.40萬元/畝。（五）土建工程指標項目凈用地面積53246.61平方米，建筑物基底占地面積38891.32平方米，總建筑面積62298.53平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程41117.72平方米，項目規(guī)劃綠化面積4206.70平方米。（六）設備選型方案項目計劃購置設備共計120臺（套），設備購置費6696.02萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量645557.84千瓦時，折合79.34噸標準煤。2、項目年總用水量40281.68立方米，折合3.44噸標準煤。3、“東莞靶材生產建設項目投資建設項目”，年用電量645557.84千瓦時，年總用水量40281.68立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）8

15、2.78噸標準煤/年。達產年綜合節(jié)能量26.14噸標準煤/年，項目總節(jié)能率21.41%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合xxx產業(yè)園區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合xxx產業(yè)園區(qū)產業(yè)結構調整規(guī)劃和國家的產業(yè)發(fā)展政策；對產生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資21258.01萬元，其中：固定資產投資15518.95萬元，占項目總投資的73.00%；流動資金5739.06萬元，占項目總投資的27.00%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預期經濟效益規(guī)劃目標預期達產年

16、營業(yè)收入47392.00萬元，總成本費用35583.38萬元，稅金及附加408.44萬元，利潤總額11808.62萬元，利稅總額13845.84萬元，稅后凈利潤8856.47萬元，達產年納稅總額4989.38萬元；達產年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，提供就業(yè)職位973個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。項目承辦單位要在技術準備、人員配備、施工機械、材料供應等方面給予充分保證。對于難以預見的因素導致施工進度趕不上計劃要求時及時研究，項目建設單位要認真制定和安排趕工計劃并及時付諸實施。四、項目評價1、本期工程項目

17、符合國家產業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合xxx產業(yè)園區(qū)及xxx產業(yè)園區(qū)靶材行業(yè)布局和結構調整政策；項目的建設對促進xxx產業(yè)園區(qū)靶材產業(yè)結構、技術結構、組織結構、產品結構的調整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx集團為適應國內外市場需求，擬建“東莞靶材生產建設項目”，本期工程項目的建設能夠有力促進xxx產業(yè)園區(qū)經濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位973個，達產年納稅總額4989.38萬元，可以促進xxx產業(yè)園區(qū)區(qū)域經濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產年投資利潤率55.55%，投資利稅率65.13%，全部投資回報率41.66%，全部投資回收期3.90年，固定資產投資回收期3.9

18、0年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。4、從經濟的貢獻看，截至2017年底，我國民營企業(yè)的數量超過2700萬家，個體工商戶超過了6500萬戶，注冊資本超過165萬億元，民營經濟占GDP的比重超過了60%，撐起了我國經濟的“半壁江山”。作為中國經濟最具活力的部分，民營經濟未來將繼續(xù)穩(wěn)步發(fā)展壯大，為促進我國經濟社會持續(xù)健康發(fā)展發(fā)揮更大作用。綜上所述，項目的建設和實施無論是經濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清潔生產都是積極可行的。五、主要經濟指標主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米53246.6179.83畝1.1容積率1.171.2建筑系數73.04%1.3投資強度

19、萬元/畝194.401.4基底面積平方米38891.321.5總建筑面積平方米62298.531.6綠化面積平方米4206.70綠化率6.75%2總投資萬元21258.012.1固定資產投資萬元15518.952.1.1土建工程投資萬元4999.022.1.1.1土建工程投資占比萬元23.52%2.1.2設備投資萬元6696.022.1.2.1設備投資占比31.50%2.1.3其它投資萬元3823.912.1.3.1其它投資占比17.99%2.1.4固定資產投資占比73.00%2.2流動資金萬元5739.062.2.1流動資金占比27.00%3收入萬元47392.004總成本萬元35583.3

20、85利潤總額萬元11808.626凈利潤萬元8856.477所得稅萬元1.178增值稅萬元1628.789稅金及附加萬元408.4410納稅總額萬元4989.3811利稅總額萬元13845.8412投資利潤率55.55%13投資利稅率65.13%14投資回報率41.66%15回收期年3.9016設備數量臺（套）12017年用電量千瓦時645557.8418年用水量立方米40281.6819總能耗噸標準煤82.7820節(jié)能率21.41%21節(jié)能量噸標準煤26.1422員工數量人973第二章 項目背景及必要性一、靶材項目背景分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于

21、半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規(guī)模化生產能力的企業(yè)數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)。中國濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)，受益于國家戰(zhàn)略的支持，已經開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。靶材全球市場預計16-19復合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預測2016-2019年均復合增長率達13%，到

22、2019年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的下游結構中，半導體占比10%、平板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業(yè)產業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，主導高端的半導體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)擅長磁記錄及光學薄膜領域，原料多從國外進口；中國靶材產業(yè)正處于起步階段

23、，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預計2018-2020年國內顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀80年代開始進入液晶顯示領域，在政府政策導向和產業(yè)扶植下，我國大陸液晶顯示產業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國平板顯示器件產業(yè)整體規(guī)模達到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內LCD國產替代進程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預計2018-2020年國內平板顯示產業(yè)增速將至少維持在20-25%；對應到國內顯示靶材的需求也將相應增加。靶材應用

24、的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導體增速有望超預期，17年國內半導體增速24.81%。半導體靶材性能要求位居各類應用之首。半導體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導體產業(yè)超預期增速21.62%，從下游需求結構看，17年增長主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器，增速達到61.49%，增量來源于人工智能、大數據、汽車電子等領域對高性能芯片需求快速提升。從15年開始國內半導體產業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導體產業(yè)從臺灣向國內轉移的趨勢比較確定，國內政策、資金、

25、稅收等各方面也在扶持半導體產業(yè)。國家集成電路產業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動省市地方基金共4,651億元，拉動國內企業(yè)內生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續(xù)拉動國內半導體產業(yè)增長。2011-2016全球半導體用靶材年復合增長率3.17%，預計2018-2020國內半導體靶材需求增速在20%左右。國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)全球半導體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規(guī)模

26、約14億元，年增速達20%。供給端，隨著國產濺射靶材技術成熟，尤其是國產濺射靶材具備一定性價比優(yōu)勢，并且符合濺射靶材國產化的政策導向；需求端，半導體產業(yè)向國內轉移的趨勢已基本確立，國內半導體產業(yè)崛起將推動國內半導體靶材需求的提升。預計2018-2020年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴大，復合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產業(yè)的快速發(fā)展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規(guī)模增速一直保持

27、在20%以上。國內靶材需求和供給反差懸殊，國產替代進程加速。2015國內靶材需求全球占比近25%，年速約20%；但國內靶材企業(yè)市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內濺射靶材技術的成熟和高純鋁生產技術的提高，我國靶材生產成本優(yōu)勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內進出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進口靶材免稅期結束，國內靶材企業(yè)優(yōu)勢更加突出。預計2018-2020年國內靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進一步擴大。二、靶材項目建設必要性分析靶材材料的技術發(fā)展趨勢與下游應用產業(yè)的薄膜技術發(fā)展趨勢息息相關，隨著應用產業(yè)在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材

28、是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件

29、發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業(yè)中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區(qū)，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了

30、越來越多制造薄膜元件或產品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產技術，國內一線生產制造靶材的品牌已經達到國外最頂尖的技術水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內持續(xù)增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子

31、材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學鍍膜等產業(yè)上，用以濺射用于尖端技術的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應用產業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計資料，則是平均化后的結果。在所有應用產業(yè)中，半導體產業(yè)對靶材濺射薄膜的品質要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細

32、晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直

33、流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產ITO靶材，利用LIRF反應濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優(yōu)點l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在

34、進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度?；阪N銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據

35、為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。第三章 產業(yè)研究分析一、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內靶材產業(yè)發(fā)展，增強產業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，帶動傳統(tǒng)產業(yè)改造和產品升級換代，我國制定了一系列靶材行業(yè)相關支持政策。靶材行業(yè)產業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個靶材

36、產業(yè)鏈中的關鍵環(huán)節(jié)。靶材產業(yè)下游包括半導體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領域。其中，在靶材應用領域中，半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產品。因此，半導體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。目前晶圓的制造正朝

37、著更小的制程方向發(fā)展，銅導線工藝的應用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20

38、%和10%。目前，國內靶材廠商主要聚焦在低端產品領域，在半導體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內的巨大市場潛力和利好的產業(yè)政策，以及產品價格優(yōu)勢，它們已經在國內市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細分領域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了一系列產業(yè)政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應的本土化進程，推動國產靶材在多個應用領域實現(xiàn)從無到有的跨越。這些都從國家戰(zhàn)略高度扶植并推動著濺射靶材產業(yè)的發(fā)展壯大。二、靶材市場分析預測超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是

39、制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝

40、進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產品，因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴；相較于半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料

41、是生產高純?yōu)R射靶材的基礎，以半導體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，嚴重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質，需要將化學提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產加工過程中對金屬成份、尺

42、寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據下游應用領域的性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產業(yè)鏈條中對生產設備及技術工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質對下游產品的質量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺

43、專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主要設備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業(yè)內知名企業(yè)。終端應用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產品，包括汽車電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電子產品。通常情況下，在半導體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進行芯片封裝。封裝是指將電路用導線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質對芯片電路造成腐蝕而損害導電性能。此外，終端應用也包括制備太陽能電池、光學鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品

44、等，此環(huán)節(jié)技術面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內，濺射靶材產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術門檻高、設備投資大，具有規(guī)?；a能力的企業(yè)數量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時開展金屬提純業(yè)務，將產業(yè)鏈延伸到上游領域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應。濺射靶材最高端的應用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領域，這個領域只有美國和日本的少數公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關業(yè)務，是一個被跨國公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a能力的企業(yè)數量相對較多，但質量參差不齊，美國、歐

45、洲、日本、韓國等知名企業(yè)居于技術領先地位，品牌知名度高、市場影響力大，通常會將產業(yè)鏈擴展至下游應用領域，利用技術先導優(yōu)勢和高端品牌迅速占領終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應用環(huán)節(jié)是整個產業(yè)鏈中規(guī)模最大的領域，其產品的開發(fā)與生產分散在各個行業(yè)領域，同時，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動密集性特點，參與企業(yè)數量最多，機器設備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產工廠向人力成本低的國家和地區(qū)轉移。濺射靶材產業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國、日本跨國集團產業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a能力，在掌握先進技術以后實施壟斷和封鎖，主導

46、著技術革新和產業(yè)發(fā)展；韓國、新加坡及中國臺灣地區(qū)在磁記錄及光學薄膜領域有所特長。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產業(yè)發(fā)展較早，促使服務分工明確，可以為產業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務，將上游基礎材料和下游終端應用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的產品開發(fā)和市場擴展。但是上述地區(qū)的靶材服務廠商缺少核心技術及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術領域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴展產能。從全球來看

47、，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國大陸轉移趨勢愈演愈烈，中國正在迎來這一領域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產品性能要求高、專業(yè)應用性強，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產主要集中在美國、日本少數幾家公司，產業(yè)集中度相當高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產商較早涉足該領域，經過幾十年的技術積淀，憑借其雄厚的技術力量、精細的生產控制和過硬的產品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位，占據絕大部分市場份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時

48、不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權，并引領著全球濺射靶材行業(yè)的技術進步。受到發(fā)展歷史和技術限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產技術還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域，全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國濺射靶材生產企業(yè)只有不斷進行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強的產品開發(fā)能力，研制出適用不同應用領域的濺射靶材產品，才能在全球

49、濺射靶材市場中占得一席之地。半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游工業(yè)對產品的品質和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴格控制產品質量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應商時，供應商資格認證壁壘較高，且認證周期較長。我國高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業(yè)協(xié)會為高純?yōu)R射靶材設置的行業(yè)性質量管理體系標準，例如，應用于汽車電子的半導體廠商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過ISO/TS16949質量管理體系認證，應用于電器設備的濺射靶材生產商需要滿足歐盟制定的RoHS強制性標準；其次，半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認證體系，在高純?yōu)R射靶

50、材供應商滿足行業(yè)性質量管理體系認證的基礎上，下游客戶往往還會根據自身的質量管理要求再對供應商進行合格供應商認證。認證過程主要包括技術評審、產品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產等幾個階段，認證過程相當苛刻，從新產品開發(fā)到實現(xiàn)大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應商開發(fā)與維護成本，保證產品質量的持續(xù)性，濺射靶材供應商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應商保持長期穩(wěn)定的合作關系，不會輕易更換供應商，并在技術合作、供貨份額等方面向優(yōu)質供應商傾斜。近年來，受益于國家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應用推廣，我國國內開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產的企

51、業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應高端應用領域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場化條件。通過將濺射靶材研發(fā)成果產業(yè)化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產企業(yè)在技術和市場方面都取得了長足的進步，改變了高純?yōu)R射靶材長期依賴進口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在內的一些國內企業(yè)已經掌握了高純?yōu)R射靶材生產的關鍵技術，積累了較為豐富的產業(yè)經驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認可。第四章 建設內容一、產品規(guī)劃項目主要產品為靶材，根據市場情況，預計年產值47392.00萬元。項目產品的市場需求是投資項目存在和發(fā)展的基礎，市場需要量是根據分析項目產品市場容量、

52、產品產量及其技術發(fā)展來進行預測；目前，我國各行業(yè)及各個領域對項目產品需求量很大，由于此類產品具有市場需求多樣化、升級換代快的特點，所以項目產品的生產量滿足不了市場要求，每年還需大量從外埠調入或國外進口，商品市場需求高于產品制造發(fā)展速度，因此，項目產品具有廣闊的潛在市場。二、建設規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積53246.61平方米（折合約79.83畝），其中：凈用地面積53246.61平方米（紅線范圍折合約79.83畝）。項目規(guī)劃總建筑面積62298.53平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程41117.72平方米，計容建筑面積62298.53平方米；預計建筑工程投資4999.02萬元。（二）設備購

53、置項目計劃購置設備共計120臺（套），設備購置費6696.02萬元。（三）產能規(guī)模項目計劃總投資21258.01萬元；預計年實現(xiàn)營業(yè)收入47392.00萬元。第五章 項目選址科學性分析一、項目選址原則節(jié)約土地資源，充分利用空閑地、非耕地或荒地，盡可能不占良田或少占耕地；應充分利用天然地形，選擇土地綜合利用率高、征地費用少的場址。所選場址應避開自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、生活飲用水源地和其他特別需要保護的環(huán)境敏感性目標。項目建設區(qū)域地理條件較好，基礎設施等配套較為完善，并且具有足夠的發(fā)展?jié)摿?。二、項目選址該項目選址位于xxx產業(yè)園區(qū)。東莞，是廣東省地級市、國務院批復確定的中國珠江三角洲東岸中心城市。

54、截至2018年，全市下轄4個街道、28個鎮(zhèn)，總面積2465平方千米，建成區(qū)面積958.86平方千米，常住人口839.22萬人，城鎮(zhèn)人口763.86萬人，城鎮(zhèn)化率91.02%。東莞地處中國華南地區(qū)、廣東省中南部、珠江口東岸，西北接廣州市，南接深圳市，東北接惠州市，是珠三角中心城市之一、粵港澳大灣區(qū)城市之一，為廣東四小虎之首，號稱世界工廠，是廣東重要的交通樞紐和外貿口岸，也是全國4個不設區(qū)的地級市之一，新一線城市之一。東莞是廣府文化的代表城市之一，是嶺南文化的重要發(fā)源地，中國近代史的開篇地和改革開放的先行地，廣東重要的交通樞紐和外貿口岸，被列為第一批國家新型城鎮(zhèn)化綜合試點地區(qū)和廣東歷史文化名城。東

55、莞有港澳同胞約120萬人，海外華僑約30萬人，是著名的華僑之鄉(xiāng)、粵劇之鄉(xiāng)，曾獲得國家森林城市、國際花園城市、全國文明城市、全國籃球城市等稱號。2019年8月，中國海關總署主辦的中國海關雜志公布了2018年中國外貿百強城市排名，東莞排名第3。園區(qū)加快建設“互聯(lián)網+政務服務”示范區(qū)。優(yōu)化服務流程，創(chuàng)新服務方式，推進數據共享。全面梳理編制政務服務事項目錄，逐步做到“同一事項、同一標準、同一編碼”。優(yōu)化網上申請、受理、審查、決定、送達等服務流程，做到“應上盡上、全程在線”，凡是能實現(xiàn)網上辦理的事項，不得強制要求到現(xiàn)場辦理。全面公開與政務服務事項相關的服務信息，除辦事指南明確的條件外，不得自行增加辦事要求。完善網絡基礎設施，加強網絡和信息安全保護，切實加大對涉及國家機密、商業(yè)秘密、個人隱私等重要數據的保護力度。推行網上審批、網上執(zhí)法、網上服務、網上交易、網上監(jiān)管、網上辦公、網上督查、網上公開、網上信訪，最大程度利企便民，提升政務服務智慧化水平。