ICP刻蝕工藝要點(diǎn)講解

1、ICP考試題庫(kù)，選擇題。B）RPMB 32000D 18000）時(shí)，設(shè)備能夠正常工作1、ICP刻蝕機(jī)的分子泵正常運(yùn)行時(shí)的轉(zhuǎn)速大約在（A 20000C 400002、北微ICP本底真空和漏率指標(biāo)為（AB2.5mT0.5mT2.5mT/minA0 0.1mT1mT/minC 0.3-0.5mT1.0mT/min3、NMC刻蝕機(jī)當(dāng)前SRF時(shí)間為（ C ）時(shí)，要求對(duì)設(shè)備進(jìn)行開腔清潔A 50HB 100HC 200HD 2000H4、 SLR ICP托盤、螺絲等清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程（ABC）A：用DI水噴淋托盤（底盤和蓋子）、耐高溫橡皮條（7根）、螺絲B:用N2吹干C:螺絲使用一次后清洗；托盤和橡皮條使用三

2、次后清洗；當(dāng)天全部聲波清洗5、 ELEDE ICP鋁盤、石英蓋、密封圈清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程（ABCD ）A. 用DI水浸泡石英托盤 20minB. 用DI水沖洗一遍C. 用N2吹干D. 用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程（ABC ）A. 用專用螺絲刀把托盤的螺絲擰松，用手?jǐn)Q開，放回固定位置B. 用手輕輕地取出石英蓋C. 用專用鑷子將晶片夾放到相應(yīng)的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工藝步驟（ABC ）A. 用小起子將鋁蓋輕輕翹開B. 移開鋁板C. 用真空吸筆將蝕刻片吸到相應(yīng)的盒子里 二，填空題。1. 蝕刻好的晶片測(cè)得的高度是1.75um底徑是2.74um那么需要進(jìn)行補(bǔ)刻大

3、約 300S2. 蝕刻時(shí)一般設(shè)置氦氣的壓力是4Torr當(dāng)實(shí)際壓力超過 5.2Torr會(huì)報(bào)警氦漏3. NMC機(jī)臺(tái)正常工作時(shí)分子泵的轉(zhuǎn)速是32000 RPM4. 在NMC工作中氮?dú)獾淖饔檬谴祾咔惑w氦氣的作用時(shí)冷卻晶片（托盤） 氧氣的作用是 清潔腔室三氯化硼的作用是蝕刻晶片5. 1 Torr = 133 P a6. 清洗晶片時(shí)丙酮的作用是清洗有機(jī)物 異丙醇的作用是清洗 丙酮7曝光使光刻膠有選擇性，正膠 光照 地方,負(fù)膠 未被光照 地方,光刻膠被顯影液反應(yīng)掉8.ICP的清潔沒有做好會(huì)造成晶片死區(qū)盲區(qū) 等缺陷9. 造成馬賽克的因素有晶片的平整度,勻膠的均勻性，曝光臺(tái)的清潔度10. NMC機(jī)臺(tái)連續(xù)工作_5

4、小時(shí)需要做Dryclean11. 每周五檢查冷凍機(jī)冷凍液剩余情況，低于第一個(gè)金屬環(huán)時(shí)應(yīng)添加異丙醇 12. 當(dāng)機(jī)臺(tái)閑置2小時(shí)以上再生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行一次預(yù)熱動(dòng)作13作業(yè)過程中，杜絕晶片放錯(cuò)片盒，以工藝記錄本的刻號(hào)為準(zhǔn)14. 實(shí)驗(yàn)時(shí)裝片要仔細(xì)查看晶片，避免把好晶片當(dāng)成廢片作為陪片刻蝕15. 實(shí)驗(yàn)片刻蝕完放回原來的盒子中，不可另外單獨(dú)存放16. 每蝕刻完一個(gè) RUN抽取兩片進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)數(shù)據(jù)如有異常，立即報(bào)告工藝人員17. 拿晶片測(cè)量數(shù)據(jù)時(shí)，不可用手觸摸晶片表面，避免晶片污染導(dǎo)致測(cè)量誤差18. 每班下班前保證有三盒有膠廢片，用過的廢片滿一盒后要及時(shí)送往清洗站19. 蝕刻前進(jìn)行晶片的挑選，凡有馬賽克

5、、污染、針孔等缺陷超過0.2mm的不能蝕刻，收集到返工盒里，待滿一盒，流到清洗站清洗20. 每次做完P(guān)M后連續(xù)做5個(gè)SEASONS著做4片實(shí)驗(yàn)，若實(shí)驗(yàn)片數(shù)據(jù)和外觀 0K就正常生產(chǎn)， 負(fù)責(zé)在做3個(gè)SEASONS 4片實(shí)驗(yàn)，直到能夠生產(chǎn)為止三，判斷題：1, ICP 刻蝕的工藝氣體是三氟甲烷 (X )2, Corial冷凍機(jī)里面裝的是 ACE ( X )3, ICP石英托盤用ACE清潔 (X )4, 真空吸筆頭容易脫落，吸片前檢查一遍吸筆頭是否穩(wěn)固 (V )5, 每次生產(chǎn)時(shí)用無塵布加IPA擦拭片盒和 CM腔室 (V )6, 操作員可更改ICP生產(chǎn)程序 (X )四，問答題：1. 在檢測(cè)發(fā)現(xiàn)有很多的廢片

6、如滿天星；邊不對(duì)稱；刮花等，試分析一下造成這些廢片的原因。答：造成滿天星的因素可能是 1晶片曝光過程中光刻板污染、顯影過程中脫膠等，但是刻蝕 前沒有鏡檢，2裝完片沒有進(jìn)行吹掃有顆粒落在晶片上，3機(jī)臺(tái)長(zhǎng)久沒有做PM有顆粒掉在晶片上。邊不對(duì)稱：1裝片時(shí)沒有調(diào)整好，2蓋石英蓋時(shí)造成晶片移位。刮花：1裝片調(diào)整時(shí)鑷子刮到晶片，2目檢時(shí)遺漏了刮花缺陷，3擰螺絲時(shí)手指衣袖等碰到晶片。2. NMC機(jī)臺(tái)在進(jìn)行手動(dòng)操作時(shí)，機(jī)臺(tái)里只有一個(gè)托盤，托盤真正的位置在機(jī)械手臂上，但 是系統(tǒng)顯示托盤位置為未知狀態(tài)，此時(shí)該如何操作？答：點(diǎn)擊手動(dòng)模式再點(diǎn)擊托盤同步，在“設(shè)置托盤存在狀態(tài)下”設(shè)置腔室的選項(xiàng)為托盤不存在，機(jī)械手臂為托

7、盤存在托盤1,2,3,4,5 的位置都設(shè)置為托盤不存在然后點(diǎn)擊“與系統(tǒng) 記錄同步”點(diǎn)擊“與設(shè)備信號(hào)同步”此時(shí)機(jī)械手臂上會(huì)顯示有托盤，其他地方都沒有托盤， 這樣就可以進(jìn)行接下來的操作了。3. 什么叫做選擇比？如果晶片上光刻膠的厚度是2.5um,要刻出高度約為 1.55um的產(chǎn)品， 那么理想的選擇比應(yīng)該是多少？答：選擇比就是蝕刻藍(lán)寶石襯底的速度與蝕刻光刻膠的速度的比值。要刻出高度為1.55um的晶片理想的選擇比應(yīng)該是 0.62以上選擇比=1.55 / 2.5=0.624.下圖是一張簡(jiǎn)化的 NMC機(jī)臺(tái)的工藝配方，描述一下各個(gè)參數(shù)的含義。參數(shù)Stable1Etch1Stable2Etch2Stabl

8、e3Etch3flowPressure(mTorr)33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060Pen vlvPositi on DelayTime0000001000SRFReflectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoi nt40404040404040答：Pressu

9、re(mTorr) 工藝腔室壓力， SRFPower(W)上電極加載功率，BRFPower下電極加載功率，HeliumPressure(Torr)氦氣壓力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蝕刻時(shí)間，PenvlvPositionDelayTimePV擺閥位置，SRFReflectPower(W)上電極反射功率，BRFReflectPower(W)下電極反射功率，C5SetPoint等離子體密度。5.簡(jiǎn)述CORIAL ICP作業(yè)流程圖6.簡(jiǎn)述CORIAL ICP裝片工藝步驟1.裝備好材料，包括石英托盤、帶密封圈的鋁蓋、藍(lán)寶石晶片；2.用無塵布蘸IPA擦拭石英托盤、鋁

10、蓋；3.將密圭寸圈均勻內(nèi)陷于鋁板小槽中；4.石英托盤背面朝上， 用真空吸筆吸取晶片背面，按一定順序放在晶片位置上，晶片平邊對(duì)準(zhǔn)托盤平邊；5.將鋁蓋放在晶片頂部，并輕壓，使鋁板嵌入托盤小槽中；6.裝好后，用無塵布蘸些許 IPA擦拭托盤背面，將托盤翻轉(zhuǎn)，輕輕擦拭托盤邊緣，小心碰到晶片表面。7.簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗托盤作業(yè)流程圖8. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖9. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP托盤清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 用DI水浸泡石英托盤20min ;B. 用DI水沖洗一遍；C. 用N2吹干；D. 用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清

11、洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入 狀態(tài)，選擇 ;B. 點(diǎn)擊 顯示步驟，再點(diǎn)擊 ;C. 等待纟吉束，反應(yīng)室處于破真空狀態(tài)，擰掉反應(yīng)爐室上4顆鎖緊螺絲，打開反應(yīng)室；D. 拆下石英細(xì)管，先用無塵布蘸上DIW,擦洗反應(yīng)室內(nèi)壁和石英窗口，再用無塵布蘸上IPA擦洗。注意檢查下電極上的彈簧圈是否有損壞，如有損壞，請(qǐng)及時(shí)更換，最后清 潔完后，按照?qǐng)D示安裝石英細(xì)管；E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮條，再放置好；F. 在 狀態(tài)，選擇 ，將 清零， 自動(dòng)加 1 ；G. 結(jié)束后，蓋上反應(yīng)室，擰上螺絲，注意先不用擰緊，點(diǎn)擊EXIT mode出maintenance mode,，等機(jī)臺(tái)進(jìn)入 vacuum ready狀態(tài)，擰緊

12、反應(yīng)室上的螺絲 .。11. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP作業(yè)流程圖12. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A. 用無塵布蘸IPA擦拭鋁托盤表面（包括 O-ring ）；B. 用專用鑷子將晶片按照一定順序夾放到托盤的各個(gè)位置上（如上圖），以邊緣均勻蓋住密封圈為準(zhǔn)（除平邊），如左下圖（不含石英蓋）所示；C. 放置石英蓋時(shí)不能移動(dòng)晶片，對(duì)準(zhǔn)定位銷將石英蓋輕放至托盤上，以邊緣均勻蓋住密封 圈為準(zhǔn)（除平邊），如右下圖（含石英蓋）所示；D. 擰上螺絲（注意不擰緊，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E. 用力矩螺絲刀擰內(nèi)中外圈螺絲，每隔2個(gè)擰一次，分2次擰緊，1次檢查；F. 檢查一遍晶片是否放好，并用專用吹掃

13、工具吹掃一遍；G. 用無塵布蘸IPA擦拭鋁托盤底部，注意不可將IPA沾到晶片上；H. 將裝載托盤輕放至片盒上。13. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP蝕刻作業(yè)操作I, 打開傳輸腔室門，將片盒輕放在卡板上，剛好卡住定位銷，切忌左右移動(dòng)片盒;2,點(diǎn)擊 配方，打開 工藝配方 ，檢查所選配方的工藝參數(shù)；3，點(diǎn)擊 片盒配方 ，打開所選的片盒配方；若沒有要選擇的配方，則新建一個(gè);4，點(diǎn)擊 主界面 ，查看片盒配方詳細(xì)信息，確認(rèn)無誤，點(diǎn)擊開始工藝；5，待工藝結(jié)束后，打開傳輸腔室門，取出片盒及托盤，卸下晶片；14. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗石英蓋、鋁盤、螺絲作業(yè)流程圖15. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖1

14、6. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP螺絲清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 把螺絲裝在小燒杯里，倒入IPA覆蓋為宜，超聲波振動(dòng) 10min ;B. 用N2把螺絲吹干17. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP清洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入維護(hù)/工藝模塊，在腔室操作中點(diǎn)擊吹掃,至少吹掃100次；B. 吹掃完畢后，點(diǎn)擊吹大氣，進(jìn)行腔室破真空動(dòng)作；C. 按照正確的流程打開反應(yīng)室；D. 移走反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等）；E. 先用浸有DI水的無塵布擦拭反應(yīng)室內(nèi)壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的無塵布上看不到殘余物的顏色為止；F. 按照步驟E擦拭反應(yīng)室其余每個(gè)地方，特別是真空測(cè)量孔；G手動(dòng)把升降針升起，用浸有 IPA的無塵布擦

15、拭三針；H. 用浸有IPA的無塵布擦拭卡盤、聚焦環(huán)表面；I. 按照步驟E擦拭其他的部件（內(nèi)襯、壓環(huán)等）；J .安裝反應(yīng)室零部件（石英蓋、密封圈、內(nèi)襯、壓環(huán)等）；K 關(guān)閉反應(yīng)室；L.恢復(fù)反應(yīng)室狀態(tài)18. 簡(jiǎn)述SLR ICP作業(yè)流程圖19. 簡(jiǎn)述SLR ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A：用打圈圈的方式使橡皮條均勻分布在底盤的各個(gè)小槽上；B：判斷托盤的方向，以中間的區(qū)域?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)，若定位橫邊往下的，則托盤兩邊的兩個(gè)小孔 分別為左右兩孔；C:用專用鑷子將晶片夾放到托盤的各個(gè)位置上，并對(duì)準(zhǔn)位置；D:把螺絲放在蓋子的小孔里；E:以蓋子邊緣的一個(gè)小孔為左邊，對(duì)應(yīng)托盤的左邊位置，小心地放在底盤上；F:用內(nèi)六角起子對(duì)角地?cái)Q螺絲，分兩次擰。第一次擰的程度為7成緊，第二次力度相對(duì)均勻地稍微擰緊；G:用專用吹掃工具吹掃已裝好片的托盤一遍。20. 簡(jiǎn)述SLR