年產(chǎn)500噸多晶硅、16千噸三氯氫硅項(xiàng)目可行性研究報(bào)告

1、500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項(xiàng)目可行性研究報(bào)告目 錄目 錄I1總 論11.1 概述11.2 項(xiàng)目提出的背景、投資必要性和經(jīng)濟(jì)意義41.3 項(xiàng)目概況61.4 研究范圍61.5 研究結(jié)論61.6 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)72市場(chǎng)預(yù)測(cè)102.1 產(chǎn)品主要性能用途102.2 國(guó)內(nèi)外內(nèi)生產(chǎn)情況及市場(chǎng)預(yù)測(cè)102.3價(jià)格分析113建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案133.1 建設(shè)規(guī)模133.2 產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)133.3 包裝、運(yùn)輸及儲(chǔ)存153.4 建設(shè)工程組成154工藝技術(shù)方案174.1 工藝技術(shù)方案174.2 原材料消耗定額及年消耗量244.3 自控方案254.4 主要設(shè)備一覽表275原材料、燃料及動(dòng)力的供應(yīng)315.1

2、 主要原材料、燃料及動(dòng)力的需求315.2 原料供應(yīng)來(lái)源315.3 公用工程規(guī)格及供應(yīng)316建廠條件和廠址方案336.1 建廠條件336.2 廠址方案367總圖運(yùn)輸與公用輔助工程387.1 總圖運(yùn)輸387.2 供電437.3 給排水487.4 儲(chǔ)運(yùn)507.5 供熱517.6 通風(fēng)517.7 維修517.8 分析517.9 土建527.10 冷凍、制氮、空壓558節(jié)能598.1 建設(shè)項(xiàng)目節(jié)能綜述598.2 節(jié)能措施598.3 節(jié)水措施608.4 能耗指標(biāo)分析609環(huán)境影響評(píng)價(jià)619.1 廠址環(huán)境條件619.2 項(xiàng)目建設(shè)和生產(chǎn)對(duì)環(huán)境的影響及三廢處理6210勞動(dòng)安全衛(wèi)生與消防6710.1 設(shè)計(jì)依據(jù)及標(biāo)

3、準(zhǔn)規(guī)范6710.2 主要危險(xiǎn)、有害因素分析6810.3 重大危險(xiǎn)源辨識(shí)6810.4 主要危險(xiǎn)化學(xué)品的危險(xiǎn)、有害特性7010.5 工藝過(guò)程中的危險(xiǎn)、有害因素分析7810.6 安全措施8110.7 消防設(shè)施8511項(xiàng)目實(shí)施管理、勞動(dòng)定員及人員培訓(xùn)8811.1 項(xiàng)目實(shí)施管理8811.2 工程招投標(biāo)8811.3 勞動(dòng)定員及人員培訓(xùn)8812建設(shè)工期和進(jìn)度安排9012.1 建設(shè)工期9012.2 實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃9013建設(shè)投資估算及資金籌措9113.1 投資估算依據(jù)9113.2 投資估算9113.3 資金籌措9314經(jīng)濟(jì)效益分析9414.1 編制依據(jù)9414.2 基礎(chǔ)數(shù)據(jù)9414.3 測(cè)算結(jié)果9415研究結(jié)論

4、與建議9715.1 研究結(jié)論9715.2 建議981總 論1.1 概述1.1.1 項(xiàng)目名稱、建設(shè)單位、企業(yè)性質(zhì)及法人項(xiàng)目名稱：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項(xiàng)目。建設(shè)單位：*通能硅材料有限公司企業(yè)性質(zhì)：中外合資法人代表：*1.1.2 企業(yè)概況*通能硅材料有限公司是由美國(guó)通用硅材料有限公司與南昌贛宇有機(jī)硅有限公司合資組建的中外合資企業(yè)。*通能硅材料有限公司在*鹽化化工基地?cái)M征地280畝作為建設(shè)用地，并利用*化工有限公司氯氣和氫氣的原料優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)三氯氫硅、多晶硅。公司總投資27600.05萬(wàn)元，擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項(xiàng)目。項(xiàng)目建成后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷售收入7.592億元，

5、年稅后利潤(rùn)34073.36萬(wàn)元，可解決217人就業(yè)。1.1.3 可行性研究報(bào)告編制的依據(jù)和原則1.1.3.1 編制依據(jù)（1）*通能硅材料有限公司與*工程有限公司簽訂的委托咨詢合同。（2）國(guó)家、省、市有關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)范、規(guī)定。（3）*通能硅材料有限公司提供的基礎(chǔ)資料和要求。1.1.3.2 編制原則（1）本可研報(bào)告編制嚴(yán)格按照以下有關(guān)安全技術(shù)、規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行編制：工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50187-1993建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范 GB50016-2006低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-199510KV及以下變電所設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50053-1994供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50052-1995建筑物防雷設(shè)計(jì)

6、規(guī)范 GB50057-2000石油化工靜電接地設(shè)計(jì)規(guī)范 SH3097-2000 電力工程電纜設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50217-1994 爆炸和火實(shí)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范GB50058-1992 電力工程電纜設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50217-1994 建設(shè)項(xiàng)目（工程）勞動(dòng)安全衛(wèi)生監(jiān)察規(guī)定勞動(dòng)部第3號(hào)令漏電保護(hù)器安全監(jiān)察規(guī)定勞動(dòng)部1990年化工企業(yè)安全衛(wèi)生設(shè)計(jì)規(guī)定 HG20571-1995生產(chǎn)過(guò)程安全衛(wèi)生要求總則 GB12801-1991工業(yè)企業(yè)采光設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50033-1991工業(yè)企業(yè)照明設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50034-1992工業(yè)企業(yè)噪聲衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) GB3096-1982工業(yè)企業(yè)勞動(dòng)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) GB1171911

7、726-1989衛(wèi)生飲用水衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) GB5749-1985建筑物防雷設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50057-2000職業(yè)性接觸毒物危害程度分級(jí) GB5044-1985生產(chǎn)設(shè)備安全衛(wèi)生設(shè)計(jì)總則 GB5083-1999建筑滅火器配置設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50140-2005建筑給水排水設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50015-2003室外給水設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50013-2006 室外排水設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50014-2006 污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn) GB8928-1996工業(yè)循環(huán)水設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50050-1995混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50010-2002砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范 GB5003-2001建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范 GB50009-2001建筑抗震

8、設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50011-2001建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范 GB5007-2002化工建設(shè)項(xiàng)目噪聲控制設(shè)計(jì)規(guī)定 HG20503-1992工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計(jì)規(guī)范 GBJ87-1985重大危險(xiǎn)源辨識(shí) GB18218-2000石油化工企業(yè)可燃?xì)怏w和有害氣體檢測(cè)報(bào)警設(shè)計(jì)規(guī)范SH3063-1999（2）按國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策、技術(shù)政策的要求，對(duì)本項(xiàng)目的建設(shè)條件、技術(shù)路線、經(jīng)濟(jì)效益、工程建設(shè)、生產(chǎn)管理以及對(duì)環(huán)境的影響等各個(gè)方面進(jìn)行分析，力求全面、客觀地反映實(shí)際情況。（3）生產(chǎn)裝置及配套的公用工程、輔助設(shè)施都要充分注意技術(shù)的先進(jìn)性。技術(shù)的先進(jìn)性不僅體現(xiàn)在工藝流程、技術(shù)裝備和控制水平上，而且同樣體現(xiàn)在環(huán)境保護(hù)和工業(yè)收到

9、生等各個(gè)方面。在注重技術(shù)先進(jìn)性的同時(shí)，還要充分注意技術(shù)的適用性，根據(jù)企業(yè)目前的綜合能力選取適用的先進(jìn)技術(shù)。（4）利用高效節(jié)能、易于管理、技術(shù)先進(jìn)、穩(wěn)妥可靠的工藝在節(jié)省能源、資源和降低成本方面采取具體措施以提高企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。（5）遵循可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略觀念，注重采取環(huán)境保護(hù)努力避免產(chǎn)生新的污染源，環(huán)保工程與工藝裝置同步設(shè)計(jì)、同步施工和同步投產(chǎn)?？刂茖?duì)環(huán)境的污染、節(jié)約能源。（6）根據(jù)裝置的特點(diǎn)，搞好各裝置的銜接、配套專業(yè)的設(shè)計(jì)、優(yōu)化設(shè)計(jì)方案、科學(xué)論證、實(shí)事求是提出研究結(jié)論。1.2 項(xiàng)目提出的背景、投資必要性和經(jīng)濟(jì)意義1.2.1 項(xiàng)目提出的背景多晶硅可用以生產(chǎn)硅基微鈉電子材料，國(guó)家“十一五”將重點(diǎn)發(fā)

10、展的17類新材料中，排在首位的就是硅基微鈉電子材料，多晶硅又是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的主要原料，而我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展導(dǎo)致多晶硅的需求大增，因此多晶硅的需求將會(huì)持續(xù)發(fā)展。多晶硅是制造太陽(yáng)能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料。隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)和太陽(yáng)能電池的快速增長(zhǎng)，對(duì)多晶硅的需求隨之快速增長(zhǎng)。我國(guó)在“十一五”期間，半導(dǎo)體集成電路年均增長(zhǎng)速度保持在20%左右。預(yù)計(jì)到2010年多晶硅需求量將達(dá)到6200噸，其中半導(dǎo)體用量為2000噸，光伏用量為4200噸。而我國(guó)多晶硅的產(chǎn)能在2005年僅為300噸，僅太陽(yáng)能用多晶硅缺口就達(dá)97%。1.2.2 項(xiàng)目實(shí)施的必要性及經(jīng)濟(jì)意義世界多晶

11、硅生產(chǎn)主要由美、日、德三國(guó)壟斷。由于全球原油價(jià)格上漲，歐美地區(qū)對(duì)新能源的需求上升，這些國(guó)家都采取了鼓勵(lì)太陽(yáng)能發(fā)展的措施，這促使太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，從而導(dǎo)致多晶硅需求猛增。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2005年全世界多晶硅產(chǎn)量28750噸，其中半導(dǎo)體用多晶硅20250噸，太陽(yáng)能電池用多晶硅8500噸，而太陽(yáng)能級(jí)的實(shí)際需求量為15000噸，出現(xiàn)嚴(yán)重供不應(yīng)求的局面，半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Χ嗑Ч璧男枨蠼窈笠矊⒈３謴?qiáng)勁增長(zhǎng)。WSTS（全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)）預(yù)計(jì)2006年和2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模增長(zhǎng)分別為8%和10.6%。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Χ嗑Ч璧男枨?007年超過(guò)25000噸，加上太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的需求，2007年對(duì)多晶硅材

12、料的總需求將達(dá)到45000噸，供應(yīng)缺口在900011000噸。據(jù)專家預(yù)測(cè)，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達(dá)到7萬(wàn)噸，同時(shí)，我國(guó)周邊地區(qū)的俄羅斯、韓國(guó)、新加坡、馬來(lái)西亞等國(guó)均無(wú)多晶硅生產(chǎn)條件和能力，對(duì)多晶硅有巨大的市場(chǎng)需求。全球主要多晶硅生產(chǎn)廠家有：德山雪達(dá)（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進(jìn)硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業(yè)。日本是亞洲最大的多晶硅生產(chǎn)國(guó)，但其產(chǎn)量仍不能滿足本國(guó)需求，不僅日本，亞太地區(qū)特別是臺(tái)灣、新加坡、韓國(guó)等地，都是多晶硅的主要需求地。由于近年來(lái)國(guó)際多晶硅市場(chǎng)需求旺盛，而總體產(chǎn)能增長(zhǎng)不足，導(dǎo)致多晶硅價(jià)格暴漲，其價(jià)格由2003年的23

13、美元/公斤漲至2005年的90美元/公斤、2006年的130美元/公斤、2007年的1500元/公斤。國(guó)內(nèi)多晶硅的價(jià)格亦受國(guó)際市場(chǎng)的影響，因全球多晶硅主要生產(chǎn)廠商只有七家，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能極小，主要依靠進(jìn)口，因此預(yù)計(jì)2008年以后多晶硅的價(jià)格為17001800元/公斤。因此項(xiàng)目的實(shí)施可以促進(jìn)半導(dǎo)體、光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。同時(shí)擬建項(xiàng)目同時(shí)增加了就業(yè)機(jī)會(huì)，具有一定的社會(huì)效益。1.3 項(xiàng)目概況1.3.1 擬建地點(diǎn)：*市鹽化基地。1.3.2 建設(shè)規(guī)模與目標(biāo)現(xiàn)根據(jù)*通能硅材料有限公司規(guī)劃，以及擬建場(chǎng)地的條件，確定項(xiàng)目產(chǎn)品方案和規(guī)模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為600

14、0t/a），副產(chǎn)品四氯化硅1000t/a。1.4 研究范圍本可行性研究范圍包括下述內(nèi)容：（1）市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2）產(chǎn)品方案和生產(chǎn)規(guī)模（3）工藝技術(shù)方案（4）與工藝裝置配套的公用工程及輔助設(shè)施（5）環(huán)境保護(hù)及治理措施（6）勞動(dòng)保護(hù)與安全生產(chǎn)（7）投資估算及資金籌措（8）經(jīng)濟(jì)效益初步評(píng)介1.5 研究結(jié)論（1）*通能硅材料有限公司擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項(xiàng)目，項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和“十一五”發(fā)展規(guī)劃。（2）本項(xiàng)目技術(shù)成熟、工藝路線先進(jìn)。（3）本項(xiàng)目產(chǎn)生的“三廢”少，處理措施切實(shí)可行。（4）項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理，是目前市場(chǎng)上緊缺產(chǎn)品，有極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，初步財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)表明該項(xiàng)目具有良好的經(jīng)濟(jì)效

15、益。（5）項(xiàng)目的實(shí)施可解決217人就業(yè)，具有一定的社會(huì)效益。（6）項(xiàng)目工程總投資為27600.05萬(wàn)元，其中固定資產(chǎn)投資24300.05萬(wàn)元，鋪底流動(dòng)資金3300.00萬(wàn)元。項(xiàng)目年銷售收入75920.00萬(wàn)元，年總成本費(fèi)用26692.85萬(wàn)元，年銷售稅金及附加3796.00萬(wàn)元，年利潤(rùn)總額45431.15萬(wàn)元，年所得稅11357.79萬(wàn)元，年稅后利潤(rùn)34073.36萬(wàn)元，投資利潤(rùn)率123.45%，投資利稅率178.36%，投資回收期(靜態(tài))0.81(不含建設(shè)期)，每年向當(dāng)?shù)睾蛧?guó)家繳納稅金15153.79萬(wàn)元，解決當(dāng)?shù)?17人就業(yè)。該項(xiàng)目具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益，項(xiàng)目實(shí)施單位具有完成本項(xiàng)目的

16、能力和良好條件。因此，本項(xiàng)目是可行的。1.6 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng) 目 名 稱單 位數(shù) 量備 注一生產(chǎn)規(guī)模1三氯氫硅t/a5002多晶硅t/a16000其中商品量6000 t/a二年操作時(shí)時(shí)/班/天8/3/300三主要原材料、動(dòng)力用量1硅粉（98%）t/a52802氫氣（99%、含氧量0.05%）Nm3/a32100003氯氣（98%）t/a16480四公用工程消耗1水：直流水m3/h年耗水量153.6萬(wàn)m3 循環(huán)水m3/h2電：裝機(jī)容量Kw8540使用容量Kw7820年耗電4512萬(wàn)Kwh3氮?dú)猓?9%）Nm3/a96000自產(chǎn)4蒸汽t/a10080五定員人217其中：工人人177管理人員

17、（含技術(shù)人員）人30六總運(yùn)輸量t/a12806.04其中：運(yùn)入量t/a5280運(yùn)出量t/a7526.04七工程用地畝240.4八工程建筑面積m253453含二期預(yù)留九綜合能耗總量標(biāo)煤t/a6957.14十項(xiàng)目總投資萬(wàn)元27600.05其中：固定資產(chǎn)投資萬(wàn)元24300.05鋪底流動(dòng)資金萬(wàn)元3300.00十一年銷售收入萬(wàn)元75920.00十二年總成本費(fèi)用萬(wàn)元26692.85十三年銷售稅金及附加萬(wàn)元3796.00十四年利潤(rùn)總額萬(wàn)元45431.15十五年所得稅萬(wàn)元11357.79十六年稅后利潤(rùn)萬(wàn)元34073.36十七稅費(fèi)總額萬(wàn)元15153.79十八財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)指標(biāo)18.1投資利潤(rùn)率%123.4518.2投

18、資利稅率%178.3618.3投資回收期（不含建設(shè)期）年0.81靜態(tài)、稅后2市場(chǎng)預(yù)測(cè)2.1 產(chǎn)品主要性能用途多晶硅材料是用三氯氫硅以氫氣作還原劑在高溫下還原并提純后達(dá)到一定純度的電子材料，是硅產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈中的一個(gè)極為重要的中間產(chǎn)品，是制造太陽(yáng)能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)的原材料。光伏發(fā)電是太陽(yáng)能的主要應(yīng)用領(lǐng)域，具有安全可靠、無(wú)噪聲、無(wú)污染、制約少、故障率低、維護(hù)簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。太陽(yáng)能光伏發(fā)電的最基本元件是太陽(yáng)能電池。目前多晶電池用量最大。全球太陽(yáng)能電池組件的年均增長(zhǎng)率高達(dá)30%以上，光伏產(chǎn)業(yè)成為發(fā)展最快的新興行業(yè)之一。隨著全球光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)對(duì)原料

19、多晶硅的需求與日俱增。2.2 國(guó)內(nèi)外內(nèi)生產(chǎn)情況及市場(chǎng)預(yù)測(cè)世界多晶硅主要由美、日、德三國(guó)壟斷。由于全球原油價(jià)格上漲，歐美地區(qū)對(duì)新能源的需求上升，這些國(guó)家都采取了鼓勵(lì)太陽(yáng)能發(fā)展的措施，這促使太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，從而導(dǎo)致多晶硅需求猛增。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2005年全世界多晶硅產(chǎn)量28750噸，其中半導(dǎo)體用多晶硅20250噸，太陽(yáng)能電池用多晶硅8500噸，而太陽(yáng)能級(jí)的實(shí)際需求量為15000噸，出現(xiàn)嚴(yán)重供不應(yīng)求的局面，半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Χ嗑Ч璧男枨蠼窈笠矊⒈３謴?qiáng)勁增長(zhǎng)。WSTS（全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)）預(yù)計(jì)2006年和2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模增長(zhǎng)分別為8%和10.6%。預(yù)計(jì)半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Χ嗑Ч璧男枨?007年超過(guò)

20、25000噸，加上太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的需求，2007年對(duì)多晶硅材料的總需求將達(dá)到45000噸，供應(yīng)缺口在9000-11000噸。據(jù)專家預(yù)測(cè)，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達(dá)到7萬(wàn)噸，同時(shí)，我國(guó)周邊地區(qū)的俄羅斯、韓國(guó)、新加坡、馬來(lái)西亞等國(guó)均無(wú)多晶硅生產(chǎn)條件和能力，對(duì)多晶硅有巨大市場(chǎng)需求。全球主要多晶硅生產(chǎn)廠家有：德山雪達(dá)（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進(jìn)硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業(yè)。日本是亞洲最大的多晶硅生產(chǎn)國(guó)，但其產(chǎn)量仍不能滿足本國(guó)需求，不僅日本，亞太地區(qū)特別是臺(tái)灣、新加坡、韓國(guó)等地，都是多晶硅的主要需求地。近年來(lái)，我國(guó)建起了多條太陽(yáng)能電池模塊封

21、裝線，使太陽(yáng)能電池的年生產(chǎn)量迅速增加，硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)能力已從三年前的十幾兆瓦發(fā)展到超過(guò)100兆瓦，制造太陽(yáng)能電池的上游原料多晶硅的需求隨之快速增長(zhǎng)：“十一五”期間，我國(guó)半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)將進(jìn)一步擴(kuò)大，年均增長(zhǎng)速度將保持在20%左右，太陽(yáng)能和半導(dǎo)體這兩大行業(yè)的迅猛發(fā)展導(dǎo)致基礎(chǔ)原材料多晶硅的市場(chǎng)需求不斷提高預(yù)計(jì)我國(guó)的多晶硅至2008年將有超過(guò)5000噸的缺口?！笆晃濉逼陂g，將是多晶硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的黃金時(shí)期，多晶硅來(lái)頭增長(zhǎng)的潛力巨大。目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)多晶硅的企業(yè)主要有河南洛陽(yáng)單晶硅廠、四川峨嵋半導(dǎo)體材料廠、上海棱光實(shí)業(yè)公司、四川重慶天原化工總廠，洛陽(yáng)中硅高科技有限公司等，年總產(chǎn)量不超過(guò)300噸。遠(yuǎn)

22、遠(yuǎn)不能滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求，97%的多晶硅依賴進(jìn)口，多晶硅短缺已成為制約我國(guó)太陽(yáng)能電池等行業(yè)發(fā)展的瓶頸。2.3價(jià)格分析由于近年來(lái)國(guó)際多晶硅市場(chǎng)需求的旺盛，而總體產(chǎn)能增長(zhǎng)不足，導(dǎo)致多晶硅價(jià)格暴漲，其價(jià)格由2003年的23美元/公斤 漲至2005年的90美元/公斤，2006年的130美元/公斤,2007年為1500元/公斤。國(guó)內(nèi)多晶硅的價(jià)格亦受國(guó)際市場(chǎng)的影響，因全球多晶硅主要生產(chǎn)廠商只有七家，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能極小主要依靠進(jìn)口，因此預(yù)計(jì)2008年以后多晶硅的價(jià)格為17001800元/公斤。本報(bào)告各種產(chǎn)品價(jià)格選用現(xiàn)市場(chǎng)價(jià)格，其中市場(chǎng)價(jià)格為多晶硅保守為130萬(wàn)元/t、三氯氫硅為1.80萬(wàn)元/t、四氯化硅為0.12

23、萬(wàn)元/t。3建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案3.1 建設(shè)規(guī)模生產(chǎn)規(guī)模的確定，要考慮市場(chǎng)需求、資金籌措、企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益以及廠址的建設(shè)條件等諸多方面的因素。根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)和原材料的供應(yīng)情況，以及*通能硅材料有限公司現(xiàn)有規(guī)劃，擬定本工程的產(chǎn)品方案及規(guī)模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為6000t/a），副產(chǎn)品四氯化硅1000t/a。3.2 產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)3.2.1 三氯氫硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)目前尚無(wú)三氯氫硅產(chǎn)品的國(guó)家標(biāo)注和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目產(chǎn)品三氯氫硅執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)參照美國(guó)聯(lián)合碳化公司（1983）執(zhí)行。美國(guó)聯(lián)合碳化公司（1983）三氯氫硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（表1）指 標(biāo) 名 稱指 標(biāo)三氯氫硅含量% 97.0一氯硅烷（液相）

24、含量% 3.0硼含量（液相）% 0.00003砷含量（液相）% 0.00003磷含量（液相）% 0.0003電阻率cm200比容m3/kg0.18沸點(diǎn)31.83.2.2 多晶硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量執(zhí)行GB/T12963-1996多晶硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。多晶硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12963-1996（表6）等級(jí)項(xiàng)目特級(jí)品一級(jí)品二級(jí)品三級(jí)品1表面及斷面狀態(tài)結(jié)晶致密，表面平整，斷而無(wú)夾層。結(jié)晶致密，表面平整，無(wú)氧化夾層。2直徑7257257257253基硼電阻率55554直徑允許偏差 45002600150010005N型少子壽命 5003001501006N型電阻率 450300150607含碳量個(gè)原子/

25、cm3 2105105108含氧量 1105105103.3 包裝、運(yùn)輸及儲(chǔ)存產(chǎn)品的標(biāo)志、標(biāo)簽、包裝、運(yùn)輸應(yīng)符合化學(xué)危險(xiǎn)安全管理?xiàng)l例、危險(xiǎn)化學(xué)品安全管理?xiàng)l例實(shí)施細(xì)則等國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)及GB12690-92的規(guī)定。3.3.1 三氯氫硅包裝、運(yùn)輸及儲(chǔ)存三氯氫硅為貯罐貯存，專用汽車槽車運(yùn)輸。3.3.2 多晶硅包裝、儲(chǔ)存及運(yùn)輸運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕卸，避免受潮、受熱和包裝破換。3.4 建設(shè)工程組成序號(hào)子項(xiàng)號(hào)項(xiàng) 目 名 稱規(guī)模備注1101氫氣凈化車間1200m22102還原主車間一4464m23103還原主車間二5616m2預(yù)留4104三氯氫硅車間768m25105精餾車間1248m26106尾氣回收車間5

26、616m27201氫氣氣柜1000m3預(yù)留1000m38202乙類倉(cāng)庫(kù)一1296m29203乙類倉(cāng)庫(kù)二1296m210204貯罐區(qū)502m2250m3三氯氫硅350m3四氟化硅150m3鹽酸11205貯罐區(qū)泵房65m212301熱水池及泵房1296m213302機(jī)修車間1296m214303車庫(kù)1296m215304發(fā)配電間577m2一期使用16305循環(huán)（消防）水池500m3深3m17306循環(huán)（消防）水池泵房65m218307輔助車間1216m2冷凍、空壓19308事故應(yīng)急池270m3深3m20309污水處理系統(tǒng)1280m221310地磅一80t22311地磅二80t23401綜合辦公樓8

27、616m 224402研發(fā)樓7476m225403門衛(wèi)一27m226404門衛(wèi)二23m227405門衛(wèi)三24m24工藝技術(shù)方案4.1 工藝技術(shù)方案4.1.1 工藝技術(shù)方案的選擇1、三氯氫硅傳統(tǒng)的三氯氫硅合成工藝是將干燥氯氣及凈化后的氫氣經(jīng)各自的緩沖罐進(jìn)入氯化氫合成爐中反應(yīng)成氯化氫并進(jìn)入沸騰爐中。硅粉干燥后經(jīng)加熱脫水用氮?dú)馑腿敕序v爐中與氯化氫反應(yīng)生產(chǎn)三氯氫硅氣體。氣體經(jīng)過(guò)濾器除去硅粉塵，在空冷器除去高沸物雜質(zhì)及金屬氯化粉最后經(jīng)冷凝為液體，再經(jīng)分鎦成成品三氯氫硅。這是當(dāng)今最成熟的工藝技術(shù)，國(guó)內(nèi)外三氯氫硅生產(chǎn)企業(yè)基本上都采用此種工藝。此外還有用固定床氯化爐，銅粉作催化劑，氯化氫和硅粉直接合成三氯氫硅

28、。粗三氯氫硅含量在60%以上，經(jīng)分鎦提純除去高、低沸點(diǎn)物后，三氯氫硅含量達(dá)90%。還有通過(guò)流化床反應(yīng)器還原四氯硅烷來(lái)制備三氯硅烷的方法。該方法在反應(yīng)器中建立一個(gè)硅顆粒的流化床，將微小組輻射直接導(dǎo)入反應(yīng)器中，加熱硅顆料吏春溫度達(dá)到3001100，含有四氯硅烷和氫的反應(yīng)氣通過(guò)流化床，反應(yīng)氣與硅顆粒反應(yīng)，形成含有三氯硅烷的產(chǎn)物氣。本項(xiàng)目三氯氫硅裝置生產(chǎn)工藝采用三氯氫硅沸騰床合成、加壓精鎦、冷凝分離提純生產(chǎn)高純度的三氯氫硅產(chǎn)品和四氯化硅副產(chǎn)品的傳統(tǒng)工藝。該工藝流程采用國(guó)內(nèi)先進(jìn)的沸騰床式三氯氫硅合成爐，生產(chǎn)能力大，副產(chǎn)品少；分離采用加壓精鎦技術(shù)使三氯氫硅產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到99%、四氯化硅產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到97%以上

29、，處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。2. 多晶硅目前多晶硅的主要生產(chǎn)方法分別為硅烷法和三氯氫硅氫還原法（又稱西門子法）這兩種。硅烷法是采用精制后的硅烷進(jìn)行熱分解反應(yīng)，析出硅，從而獲得多晶硅棒，再經(jīng)進(jìn)一步處理后而獲得多晶硅產(chǎn)品。三氯氫硅氫還原法是經(jīng)過(guò)精制的三氯氫硅經(jīng)揮發(fā)后與精制后的氫氣在還原爐中高溫下發(fā)生還原反應(yīng)而析出硅，獲得多晶棒，再往進(jìn)一步處理后而獲得多晶硅產(chǎn)品。改良西門子法（即改良三氯氫硅氫還原法）主要是對(duì)還原尾氣進(jìn)行回收利用，提高三氯氫硅的轉(zhuǎn)化率，降低其消耗，同時(shí)極大地解決尾氣排放造成的污染問(wèn)題。本項(xiàng)目選擇改良西門子法生產(chǎn)多晶硅。該工藝流程采用三氯氫硅和氫氣分別經(jīng)過(guò)精制，進(jìn)入還原爐，在高溫下進(jìn)行還原，獲

30、得的多晶硅棒經(jīng)過(guò)后處理而獲得高純度的多晶硅。同時(shí)對(duì)還原尾氣進(jìn)行處理，回收三氯氫硅，四氯化硅和氫氣。回收的三氯氫硅、四氯化硅、氫氣經(jīng)精制后再進(jìn)入還原爐中生產(chǎn)多晶硅。多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到GB/T 12963-1996的要求。4.1.2 工藝流程簡(jiǎn)述1、三氯氫硅工藝流程簡(jiǎn)述（1）氯化氫合成工序開啟HC1合成爐合成段冷卻水，管道氫氣經(jīng)阻火器、氫氣緩沖罐、冷水冷卻器冷卻后去干燥器干燥、除氧器除氧、干燥器干燥（與氯氣按摩爾比1.05:1）進(jìn)入HC1合成爐；管道氯氣經(jīng)氯氣緩沖罐后進(jìn)入HC1合成爐；通過(guò)冷卻水量、氯氣和氫氣量控制合成爐出口溫度在400500。合成的HC1氣體經(jīng)氯化氫緩沖罐純化去三氯氫硅合成工序

31、。（2）三氯氫硅合成工序硅粉通過(guò)真空管道輸送至硅粉干燥器，干燥后的硅粉用氮?dú)馑腿肴葰涔韬铣蔂t；與來(lái)自氯化氫緩沖罐的氯化氫氣體在合成爐沸騰床發(fā)生反應(yīng)，控制合成爐溫度在280310，生成氣相三氯氫硅和四氯化硅；三氯氫硅和四氯化硅氣體混合物經(jīng)網(wǎng)袋式過(guò)濾器分離、硅渣收集器收集回用；氣相經(jīng)空冷器初冷后進(jìn)入冷凝器經(jīng)冷凍鹽水冷凝后經(jīng)接收槽進(jìn)入粗品收集槽；不凝性氣體經(jīng)管道進(jìn)入尾氣吸收工序。在沸騰爐中，硅粉和氯化氫反應(yīng)生成三氯氫硅。（3）精鎦提純工序來(lái)自粗品收集槽的三氯氫硅和四氯化硅混合物料進(jìn)入塔釜加熱器，經(jīng)蒸汽間接加熱進(jìn)入精鎦塔，精鎦塔頂氣體經(jīng)前冷器和后冷器冷凝，控制壓力和回流比，一部分液體回流至精鎦塔，一

32、部分自流進(jìn)入三氯氫硅接收罐進(jìn)入三氯氫硅收集罐；塔釜加熱器精鎦后殘液自流進(jìn)四氯化硅接收罐后經(jīng)氮?dú)鈮喝胨穆然鑳?chǔ)罐。（4）尾氣吸收工序來(lái)自冷凝器的不凝性氣體進(jìn)入尾氣洗滌塔，經(jīng)循環(huán)泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌，回收HCl溶液至20%濃度后外售；氣體達(dá)標(biāo)排放。2、多晶硅生產(chǎn)流程簡(jiǎn)述（1）氫氣精制工序由*化工管道送來(lái)的氫氣及回收氫氣進(jìn)入氫氣氣柜，經(jīng)水環(huán)泵加壓后的氫氣經(jīng)分離器、氫氣冷卻器、片堿干燥器、活性碳吸附器、除氧器、冷卻器、冷凍除水器、硅膠干燥器，再進(jìn)入二次氫氣凈化器進(jìn)行凈化得到精制氫氣。該項(xiàng)目同時(shí)建設(shè)有電解水制氫系統(tǒng)。采用純化水經(jīng)電解槽電解，制氫裝置分離氫、氧等初步處理，再進(jìn)入氫氣凈化

33、裝置凈化（工序同上述氫氣精制工序）得到高純氫氣供還原車間等生產(chǎn)使用。（2）三氯氫硅精制工序自制的三氯氫硅放入三氯氫硅儲(chǔ)槽，再經(jīng)泵送往高位槽，經(jīng)控制流量后進(jìn)入精餾塔釜，從塔頂出來(lái)的氣相經(jīng)全凝器（二級(jí)）進(jìn)行冷凝得到的冷凝液再經(jīng)過(guò)濾器，一路返回精餾塔頂作為回流液，一路作為產(chǎn)品流入計(jì)量槽。經(jīng)分析，合格的精制三氯氫硅進(jìn)入精三氯氫硅儲(chǔ)槽，不合格的則返回三氯氫硅儲(chǔ)槽。二級(jí)全凝器的尾氣進(jìn)入尾氣緩沖罐，再經(jīng)尾氣洗滌塔洗滌達(dá)標(biāo)排空。洗滌水進(jìn)入中和池進(jìn)行處理。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進(jìn)入高低沸物槽，裝車外賣。（3）還原系統(tǒng)及尾氣回收系統(tǒng)精制的三氯氫硅經(jīng)過(guò)鼓泡氣化后與精制氫氣在還原爐內(nèi)，在以硅芯作為載體的表面

34、，在高溫下還原沉積為多晶硅。通過(guò)調(diào)節(jié)電流強(qiáng)度，控制載體溫度，使?fàn)t內(nèi)載體直徑變粗，達(dá)到供直拉單晶硅所需直徑要求的多晶硅。還原尾氣經(jīng)兩級(jí)螺旋板換熱器降溫后進(jìn)入尾氣回收器，未凝氣體與還原尾氣經(jīng)換熱后進(jìn)入水噴淋洗滌塔洗滌，再經(jīng)絲網(wǎng)阻火器進(jìn)入氫氣氣柜。洗滌水則進(jìn)入中和池進(jìn)行處理。尾氣回收器冷凝下來(lái)的回收液體進(jìn)入計(jì)量槽，經(jīng)控制流量進(jìn)入回收精餾塔，塔頂氣相經(jīng)二級(jí)全凝器冷凝得到的液體經(jīng)分析，合格品流入回收精三氯氫硅儲(chǔ)槽或四氯化硅儲(chǔ)槽，不合格品則返回粗產(chǎn)品罐，再重新送入高位槽進(jìn)行精餾。精餾殘液（塔釜排液及輕組份液體）則送往高低沸物儲(chǔ)槽，裝車外賣?；厥盏娜葰涔韬突厥盏乃穆然杞?jīng)汽化后進(jìn)入不同的還原爐，前者生產(chǎn)直

35、拉料或區(qū)熔料，后者則送入專用還原爐，以生產(chǎn)拉制硅芯的硅芯料。4.1.3 工藝流程方框圖1、三氯氫硅工藝流程方框圖 干燥 氫氣 脫氧 干燥HCL合成爐 氯氣 硅粉 沸騰爐 過(guò)濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器 鹽水冷凝器 尾氣冷凝器回收 粗三氯氫硅 淋洗塔放空 精餾塔 檢驗(yàn) 檢驗(yàn) 三氯氫硅成品 副產(chǎn)品四氯化硅H2儲(chǔ)氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲(chǔ)槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測(cè)切割包裝多晶硅產(chǎn)品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液2、多晶硅4.1.4反應(yīng)方程式H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴隨有如下副反應(yīng)：SiHCl3+HCl=SiCl4+H

36、2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應(yīng)：4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si4.2 原材料消耗定額及年消耗量序號(hào)名 稱規(guī)格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉98%t0.33052802氫99%m3200.03201043氯氣98%m31.03164804氮?dú)?8%m36.096000自產(chǎn)二多晶硅1三氯氫硅99.99999%t2010000自產(chǎn)2氫氣99%m320100004.3 自控方案4.3.1 三氯氫硅裝置自控技術(shù)（1）自控設(shè)計(jì)范圍本設(shè)計(jì)適用于年產(chǎn)16000噸三氯氫硅項(xiàng)目裝置，項(xiàng)目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序；

37、該控制系統(tǒng)將在生產(chǎn)裝置內(nèi)滿足本裝置的生產(chǎn)監(jiān)視、過(guò)程控制、參數(shù)報(bào)警、數(shù)據(jù)記錄及趨勢(shì)等項(xiàng)的功能要求，并能安全可靠運(yùn)行。該工程控制點(diǎn)較少，控制簡(jiǎn)單，而且沒有調(diào)節(jié)系統(tǒng)，但工程具有有毒、易燃易爆氣體，所以選型上主要考慮安全因素。該項(xiàng)目部分工段采用間歇性生產(chǎn)，并以現(xiàn)場(chǎng)操作為主。（2）設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)定爆炸和火災(zāi)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50058-92自動(dòng)化儀表選型規(guī)定 HG/T20507-2000儀表供電設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20509-2000儀表供氣設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20510-2000信號(hào)報(bào)警、安全連鎖系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20511-2000（3）自控水平及主要技術(shù)方案根據(jù)所確定的工藝技術(shù)方案和工藝

38、流程，本著“技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理、運(yùn)行可靠、操作方便”的原則，本設(shè)計(jì)決定采用現(xiàn)場(chǎng)控制，以完成整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程的主要工藝參數(shù)的監(jiān)測(cè)、分析、顯示、記錄、報(bào)警和實(shí)時(shí)控制。主要控制方案為：以常規(guī)數(shù)字顯示為主，根據(jù)工藝要求，設(shè)置兩個(gè)控制室，作為溫度集中顯示點(diǎn)，流量以現(xiàn)場(chǎng)控制為主，報(bào)警系統(tǒng)也安裝在控制室里。接地按照要求嚴(yán)格接地，工作接地、信號(hào)屏蔽接地和安全保護(hù)接地分開。對(duì)生產(chǎn)過(guò)程的重要控制點(diǎn)設(shè)有報(bào)警系統(tǒng)并與相關(guān)動(dòng)力進(jìn)行聯(lián)鎖。（4）儀表類型生產(chǎn)反應(yīng)過(guò)程中，要求對(duì)溫度、壓力和流量等反應(yīng)參數(shù)進(jìn)行精確控制以保證產(chǎn)品質(zhì)量，本可研對(duì)現(xiàn)場(chǎng)儀表選型依據(jù)經(jīng)濟(jì)實(shí)用、運(yùn)行可靠、維修方便的原則，結(jié)合生產(chǎn)實(shí)際對(duì)溫度測(cè)量采用熱電偶，對(duì)壓力

39、采用彈簧管普通壓力表，流量?jī)x表采用玻璃轉(zhuǎn)子流量計(jì)和金屬轉(zhuǎn)子流量計(jì)，危險(xiǎn)氣體采用SFD-300等系列有毒氣體報(bào)警裝置，該裝置采用多探頭測(cè)量方式，分別探測(cè)氯氣、氫氣和氯化氫三種氣體，并在主機(jī)上進(jìn)行報(bào)警。4.3.2 多晶硅裝置自控技術(shù)a、主要技術(shù)方案本項(xiàng)目若實(shí)行全流程自動(dòng)化控制投資較大，因此本裝置根據(jù)工藝和輔助，公用工程等的不同操作和特性，采用簡(jiǎn)單調(diào)節(jié)、復(fù)雜調(diào)節(jié)和組合調(diào)節(jié)，重要參數(shù)均為自動(dòng)調(diào)節(jié)、集中控制、并按生產(chǎn)需要設(shè)置了一些溫度、壓力、流量、液位的報(bào)警和設(shè)備的連鎖，輔助生產(chǎn)裝置的參數(shù)就地檢測(cè)和操作，一般采用單參數(shù)調(diào)節(jié)。接地按照要求嚴(yán)格接地，工作接地、信號(hào)屏蔽接地和安全保護(hù)接地分開。b、設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)

40、定爆炸和火災(zāi)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50058-92自動(dòng)化儀表選型規(guī)定 HG/T20507-2000儀表供電設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20509-2000儀表供氣設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20510-2000信號(hào)報(bào)警、安全連鎖系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)定 HG/T20511-20004.4 主要設(shè)備一覽表位號(hào)設(shè)備名稱規(guī)格材質(zhì)數(shù)量一三氯氫硅裝置1氯氣緩沖罐60018506Q235A12氯化氫合成爐120038508Q335A43氯化氫緩沖罐80021508Q435A24水環(huán)真空泵SZ-2型組合件15真空緩沖罐60018506Q236A16硅粉干燥器600/4003820Q336A67沸騰爐1200/5008211Q436

41、A68網(wǎng)袋過(guò)濾器1300/12002480Q137A69空冷器600/5002476Q237A610冷凝器5003200 F30m2Q337A611接受槽6001850 V0.35m3Q437A612粗品收集槽20004900 V13m3Q138A113氮?dú)饩彌_罐60018306Q238A114水噴射器80石棉酚醛115尾氣洗滌塔800/300010Q438A116精餾塔2731435010617前冷凝器7002200 F20m210618后冷凝器4002450 F7m210619過(guò)濾器1591830610620尾氣緩沖罐60018307Q140A121熱水槽6001830Q240A122熱水

42、泵2B11組合件223接收槽80015506Q235A224接收槽80015506Q235A1225阻火器325650Q235A126氫氣緩沖罐60018506Q235A127阻火器219540Q235A228冷水冷凝器4002450 F7m210129干燥器60018506Q235A430除氧器325245010131塔釜加熱器132螺旋冷凍機(jī)233計(jì)量罐634制氮機(jī)PSA-10135雷蒙磨機(jī)4R型136三氯氫硅儲(chǔ)罐2400720020337四氯化硅儲(chǔ)罐24007200201二多晶硅裝置1原料水罐12002800 V=2.5m3Q23512電解槽外形尺寸：401016501747復(fù)合件13制

43、氫裝置外形尺寸：360022004500復(fù)合件14礫石阻火器Dg500Q23525氫氣冷卻器5302850 F=25m210、Q23516緩沖罐12003300810、Q23527阻火器1593801018片堿干燥器80038008Q23529活性碳吸附器80046008Q235210除氧器80027508Q235211冷卻器6003400 F=25m2Q235212冷凍除水器8003200 F=25m2Q235213硅膠干燥器80046008Q235414加熱器5302850 F=25m2Q235115阻火器27345010216氫氣二次凈化器不銹鋼117螺旋板換熱器F=50m2不銹鋼218

44、加熱器100012008不銹鋼219高位槽160018008Q235120磁力泵不銹鋼421高低沸儲(chǔ)罐200058008Q235122揮發(fā)器80015004Q235不銹鋼323氫氣過(guò)濾器273800不銹鋼924還原爐80021504還原爐110026501025螺旋板換熱器不銹鋼226尾氣回收器8002800Q235不銹鋼227噴淋水洗塔82040008Q235襯PE228填料水洗塔82045008Q235襯PE129絲網(wǎng)阻火器Dg350Q235230氫氣氣柜V=600m3131水環(huán)壓縮機(jī)SZ-3232水洗 池400015001200133中和池800020001200134計(jì)量罐800270

45、06Q235235氮?dú)饩彌_罐80012008不銹鋼136硅芯爐237純水裝置1m3/H138氮?dú)庋b置239無(wú)油空壓機(jī)2m3/min240-35冷凍機(jī)組40萬(wàn)大卡25原材料、燃料及動(dòng)力的供應(yīng)5.1 主要原材料、燃料及動(dòng)力的需求序號(hào)品 名主 要 規(guī) 格單位年用量備 注1工業(yè)硅98%t/a52802氫氣純度98%、含氧量0.05%萬(wàn)Nm3/a4703氯氣98%t/a164804氮?dú)?9%萬(wàn)Nm3/a8.64自產(chǎn)5三氯氫硅99%t/a15000自產(chǎn)6水萬(wàn)m3/a153.67電380/280V，50Hz萬(wàn)Kwh/a45128蒸汽0.5MPat/a100805.2 原料供應(yīng)來(lái)源原料氫氣、氯氣和蒸氣從廠對(duì)面

46、的*化工有限公司購(gòu)買，只需通過(guò)管道輸送至三氯氫硅裝置即可，項(xiàng)目原料有較大的成本優(yōu)勢(shì)；工業(yè)硅可從河南、安徽、四川、湖北等地購(gòu)買。生產(chǎn)所需輔料主要有氮?dú)庾灾乒┥a(chǎn)使用。5.3 公用工程規(guī)格及供應(yīng)5.3.1 公用工程規(guī)格工業(yè)水：平均溫度20交流電：還原爐用電： 10KV 50HZ 三相動(dòng)力電： 380V 50HZ 三相儀表及照明電： 220V 50HZ 二相蒸汽：0.3mPa 溫度 飽和冷凍鹽水：-35 0.3mPa7 0.3mPa循環(huán)水：32 0.3mPa氮?dú)猓杭兌?9%5.3.2 動(dòng)力需求及供應(yīng)本項(xiàng)目所需公用工程用量及來(lái)源序號(hào)動(dòng)力名稱單位小時(shí)用量年用量供應(yīng)方式1工業(yè)水m3213.33153.6萬(wàn)

47、外供(循環(huán)使用)2動(dòng)力電Kwh6266.674512萬(wàn)外供3蒸汽t1.410080管路4冷凍鹽水m310072萬(wàn)自供5循環(huán)水m315001080萬(wàn)自供6氮?dú)鈓31286400自供6建廠條件和廠址方案6.1 建廠條件6.1.1 廠址地理位置、交通概況建設(shè)項(xiàng)目位于*鹽化基地，距市中心約13Km，與贛江16 Km，距昌樟高速18 Km。*市地處*中部，鄱陽(yáng)湖平原南緣，跨贛江中游兩岸，自古有“八省通衢之要沖，贛中工商之鬧市”之稱，水陸交通運(yùn)輸十分便利，浙贛鐵路穿境而過(guò)，京九鐵路和105國(guó)道縱穿南北，贛粵高速公路和滬瑞高速公路橫貫東西，*港與南昌、九江港并稱為贛江三大港口。地理坐標(biāo)：東經(jīng)1150633至1154223，北緯274907至280915。市區(qū)位于橫穿*的浙贛鐵路和縱貫*的贛江交叉點(diǎn)上，市域東鄰豐城、南接新干、西毗新余、北連高安。全境東西長(zhǎng)50公里，南北寬3