晶閘管及其應(yīng)用

1、 第第 9 章晶閘管及其應(yīng)用章晶閘管及其應(yīng)用 本章學(xué)習(xí)目標本章學(xué)習(xí)目標 9.1晶閘管簡介晶閘管簡介 9.2可控整流電路可控整流電路 9.3晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路 9.4晶閘管的保護和防失控措施晶閘管的保護和防失控措施 本章小結(jié)本章小結(jié) 本章學(xué)習(xí)目標本章學(xué)習(xí)目標 1. 熟悉晶閘管的工作特性，理解其主要參數(shù)的含義。熟悉晶閘管的工作特性，理解其主要參數(shù)的含義。 2. 掌握單相可控整流電路的組成形式，理解電阻性負載掌握單相可控整流電路的組成形式，理解電阻性負載 可控整流電路的工作原理。可控整流電路的工作原理。 3. 了解單結(jié)晶體管的工作特性、電路符號，理解單結(jié)晶了解單結(jié)晶體管的工作特性、電路

2、符號，理解單結(jié)晶 體管觸發(fā)電路的組成及工作原理。體管觸發(fā)電路的組成及工作原理。 4. 了解晶閘管常用的保護措施及防失控措施。了解晶閘管常用的保護措施及防失控措施。 9.1晶閘管簡介晶閘管簡介 9.1.1晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號 9.1.2晶閘管的工作原理晶閘管的工作原理 9.1.3晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù) 9.1.4晶閘管的型號及簡易檢測晶閘管的型號及簡易檢測 9.1.1晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號 圖圖 ( (a) ) 所示是常見晶閘管外形，它有三個電極：陽極所示是常見晶閘管外形，它有三個電極：陽極 a、陰、陰 極極 c 和控制極和控制極 g。圖（。圖（b）是晶閘

3、管的符號，圖（）是晶閘管的符號，圖（c）是晶閘管內(nèi)）是晶閘管內(nèi) 部結(jié)構(gòu)示意圖。部結(jié)構(gòu)示意圖。 圖圖( (c) )可見，晶閘管可見，晶閘管 內(nèi)部有三個內(nèi)部有三個 PN 結(jié)，分別結(jié)，分別 用用 J1、J2 和和 J3 表示。表示。 晶體閘流管晶體閘流管( (簡稱晶閘管，舊稱可控硅簡稱晶閘管，舊稱可控硅) ) 廣泛應(yīng)用于無觸點廣泛應(yīng)用于無觸點 開關(guān)電路及可控整流設(shè)備中。開關(guān)電路及可控整流設(shè)備中。 9.1.2晶閘管的工作原理晶閘管的工作原理 晶閘管的工作特點有以下三點：晶閘管的工作特點有以下三點： 晶閘管的這些工作特性是晶閘管的這些工作特性是 由其內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的，可用示由其內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的，可用示 意圖

4、來解釋。意圖來解釋。 1晶閘管導(dǎo)通必須具備兩個條件：一是晶閘管陽極與陰極晶閘管導(dǎo)通必須具備兩個條件：一是晶閘管陽極與陰極 間必須接正向電壓，二是控制極與陽極之間也接正向電壓。間必須接正向電壓，二是控制極與陽極之間也接正向電壓。 2晶閘管一旦導(dǎo)通后，降低或去掉控制極電壓時，晶閘管晶閘管一旦導(dǎo)通后，降低或去掉控制極電壓時，晶閘管 仍然導(dǎo)通。仍然導(dǎo)通。 3導(dǎo)通后的晶閘管若要關(guān)斷時，必須減小陽極電流使其小導(dǎo)通后的晶閘管若要關(guān)斷時，必須減小陽極電流使其小 于晶閘管的導(dǎo)通維持電流。于晶閘管的導(dǎo)通維持電流。 晶閘管可以看成由一只晶閘管可以看成由一只 NPN 三極管與一只三極管與一只 PNP 三極管組三極管組

5、 成，僅在陽極成，僅在陽極 a 和陰極和陰極 c 之間加上正向電壓以后，之間加上正向電壓以后，V1V2 兩只兩只 三極管因為沒有基極電流，所以均不導(dǎo)通。三極管因為沒有基極電流，所以均不導(dǎo)通。 若在若在 V1 的基極的基極 g ( (即晶閘管的控制極上即晶閘管的控制極上) )加上正向電壓，加上正向電壓， 使使 V1 產(chǎn)生基極電流產(chǎn)生基極電流 IG，此電流經(jīng)，此電流經(jīng) V1 放大以后，在放大以后，在 V1 集電極集電極 上就產(chǎn)生上就產(chǎn)生 IG 的電流，經(jīng)過 的電流，經(jīng)過 V2 再次放大，再次放大，V2 的集電極電流的集電極電流 達到達到 1 2 IG，而此電流又重新反饋到，而此電流又重新反饋到 V

6、1 作為作為 V1 基極電流又基極電流又 一次被一次被 V1 放大，使兩只三極管迅速飽和導(dǎo)通。放大，使兩只三極管迅速飽和導(dǎo)通。 即晶閘管陽極即晶閘管陽極 a 與陰極與陰極 c 之間完全導(dǎo)通。由于之間完全導(dǎo)通。由于 V1 基極上自基極上自 動維持有正反饋電流，所以即使去掉動維持有正反饋電流，所以即使去掉 V1 基極基極 g 上的正向電壓，上的正向電壓， V1 和和 V2 仍能繼續(xù)保持飽和狀態(tài)。仍能繼續(xù)保持飽和狀態(tài)。 晶閘管導(dǎo)通時，晶閘管導(dǎo)通時，V1、V2 飽和導(dǎo)通總壓降約飽和導(dǎo)通總壓降約 1 V 左右，如果左右，如果 陽、陰極之間正向電壓太低，使渡過陽極的電流難以維持導(dǎo)通陽、陰極之間正向電壓太低

7、，使渡過陽極的電流難以維持導(dǎo)通 值，值，V1、V2 就會截止，晶閘管即關(guān)斷。就會截止，晶閘管即關(guān)斷。 晶閘管的控制極電壓、電流比較低，電壓只有幾伏，電流晶閘管的控制極電壓、電流比較低，電壓只有幾伏，電流 只有幾十到幾百毫安，但被控制的器件則可以承擔很大的電壓只有幾十到幾百毫安，但被控制的器件則可以承擔很大的電壓 和通過很大的電流。和通過很大的電流。 電壓可達幾千伏，電流可大到幾百安以上。因此晶閘管是電壓可達幾千伏，電流可大到幾百安以上。因此晶閘管是 一種可控的單向?qū)щ婇_關(guān)，常用于以弱電支控制強電的各類電一種可控的單向?qū)щ婇_關(guān)，常用于以弱電支控制強電的各類電 路中。路中。 9.1.3晶閘管的主要

8、參數(shù)晶閘管的主要參數(shù) 1額定正向平均電流在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，額定正向平均電流在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下， 允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。 2維持電流在規(guī)定的環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，維持電流在規(guī)定的環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下， 要保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小正向電流。要保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小正向電流。 3控制極觸發(fā)電壓和電流在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的控制極觸發(fā)電壓和電流在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的 正向電壓條件下，使晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通，控制極所需的電波正向電壓條件下，使晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通，控制極所需的電波 電壓和電流。電壓

9、和電流。 4正向阻斷值電壓控制極斷開，加正向電壓晶閘管截止正向阻斷值電壓控制極斷開，加正向電壓晶閘管截止 的狀態(tài)稱正向阻斷；此時允許加到晶閘管上的正向電壓最大值的狀態(tài)稱正向阻斷；此時允許加到晶閘管上的正向電壓最大值 稱正向阻斷峰電壓。稱正向阻斷峰電壓。 5反向阻斷峰電壓控制極斷開，加反向電壓晶閘管截止反向阻斷峰電壓控制極斷開，加反向電壓晶閘管截止 的狀態(tài)稱反向阻斷，此時允許加到晶閘管上的反向電壓最大值的狀態(tài)稱反向阻斷，此時允許加到晶閘管上的反向電壓最大值 稱反向阻斷峰值電壓。稱反向阻斷峰值電壓。 9.1.4晶閘管的型號及簡易檢測晶閘管的型號及簡易檢測 我國目前生產(chǎn)的晶閘管的型號有兩種表示方法，

10、即我國目前生產(chǎn)的晶閘管的型號有兩種表示方法，即 3CT 系系 列和列和 KP 系列。系列。 一、型號一、型號 3 C T 5/500 表示正向阻斷峰值電壓表示正向阻斷峰值電壓( (V) ) 500 V 表示額定正向平均電流表示額定正向平均電流( (A) ) 5 A 表示晶閘管元件表示晶閘管元件 表示表示 N 型硅材料型硅材料 表示表示 三個電極三個電極 P K 200 10 D 通態(tài)平均電壓級別通態(tài)平均電壓級別(小于小于100 A 的不標的不標) D 級為級為 0.7 V 額定電壓級別額定電壓級別 為為 1000 V 額定正向平均電流額定正向平均電流 200 A 普通型普通型 晶閘管晶閘管 額

11、定電壓在額定電壓在 1 000 V 以下的每以下的每 100 V 為一級，為一級，1 000 V 到到 3 000 V 的每的每 200 V 為一級。用百位數(shù)或千位及百位數(shù)組合為一級。用百位數(shù)或千位及百位數(shù)組合 表示級數(shù)。表示級數(shù)。 通態(tài)平均電壓分通態(tài)平均電壓分 9 級，用級，用 A I 字母表示，由字母表示，由 0.4 12 V，每隔，每隔 0.1 V 為一級。為一級。 二、簡易檢測二、簡易檢測 1檢測陽、陰極正、反向是否短路?？捎萌f用表檢測陽、陰極正、反向是否短路?？捎萌f用表 R 1 k 電阻擋，測試陽、陰極間的正、反向電阻，都應(yīng)很大電阻擋，測試陽、陰極間的正、反向電阻，都應(yīng)很大( (指針

12、基本指針基本 不動不動) )，否則元件內(nèi)部有短路或性能不好。，否則元件內(nèi)部有短路或性能不好。 2檢測控制極是否短路或斷開。因控制極與陰極之間是一檢測控制極是否短路或斷開。因控制極與陰極之間是一 個個 PN 結(jié)，判斷的原則同測普通晶體二極管方法相同。結(jié)，判斷的原則同測普通晶體二極管方法相同。 9.2單相可控整流電路單相可控整流電路 9.2.1單相半波可控整流電路單相半波可控整流電路 9.2.2單相橋式可控整流電路單相橋式可控整流電路 9.2.1單相半波可控整流電路單相半波可控整流電路 改變觸發(fā)電壓到改變觸發(fā)電壓到 來的時刻，亦即改變來的時刻，亦即改變 控制角控制角 的大小，的大小， 就改變了導(dǎo)通

13、角就改變了導(dǎo)通角 ， 也就改變了負載電壓也就改變了負載電壓 vL 的平均值。的平均值。 9.2.2單相橋式可控整流單相橋式可控整流 由可見，此電路也是由可見，此電路也是 通過調(diào)整觸發(fā)信號出現(xiàn)的通過調(diào)整觸發(fā)信號出現(xiàn)的 時間來改變晶閘管控制角時間來改變晶閘管控制角 和導(dǎo)通角和導(dǎo)通角 ，從而實現(xiàn)，從而實現(xiàn) 控制輸出的直流電壓平均控制輸出的直流電壓平均 值之目的。值之目的。 動畫單相橋式整流電路動畫單相橋式整流電路 晶閘管除了用于可控整流電路晶閘管除了用于可控整流電路 外，還可作為無觸點可控開關(guān)。外，還可作為無觸點可控開關(guān)。 如圖當開關(guān)如圖當開關(guān) S 閉合后，電路處于值班狀態(tài)。閉合后，電路處于值班狀態(tài)

14、。 晶閘管晶閘管 V 的的 g 極被極被 B、間導(dǎo)線短路接地而使晶閘管截止。、間導(dǎo)線短路接地而使晶閘管截止。 當短路導(dǎo)線被弄斷時，電源當短路導(dǎo)線被弄斷時，電源 G 經(jīng)經(jīng) R1 和和 R2 的分壓使的分壓使 g 極獲得觸極獲得觸 發(fā)電壓，晶閘管發(fā)電壓，晶閘管 V 導(dǎo)通，防盜報警器導(dǎo)通，防盜報警器( (蜂鳴器蜂鳴器) )H 即發(fā)聲報警。即發(fā)聲報警。 應(yīng)用實例應(yīng)用實例 防盜報警器防盜報警器( (斷線報警器斷線報警器) ) 9.3晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路 9.3.1可控整流對觸發(fā)電路的要求可控整流對觸發(fā)電路的要求 9.3.2單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路

15、 晶閘管由阻斷轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通，除了在陽極與陰極之間加正向晶閘管由阻斷轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通，除了在陽極與陰極之間加正向 電壓之外，還必須在控制極加正向觸發(fā)電壓。提供正向觸發(fā)電電壓之外，還必須在控制極加正向觸發(fā)電壓。提供正向觸發(fā)電 壓的電路稱為觸發(fā)電路。壓的電路稱為觸發(fā)電路。 9.3.1可控整流對觸發(fā)電路的要求可控整流對觸發(fā)電路的要求 可控整流電路中晶閘管對觸發(fā)電路提供給控制的觸發(fā)信號有可控整流電路中晶閘管對觸發(fā)電路提供給控制的觸發(fā)信號有 下列幾點要求：下列幾點要求： 1觸發(fā)電壓必須在晶閘管承受正向電壓時加到它的控制極觸發(fā)電壓必須在晶閘管承受正向電壓時加到它的控制極 上；上； 2觸發(fā)電壓只需要短時間存在，因此常

16、用脈沖電壓觸發(fā)電壓只需要短時間存在，因此常用脈沖電壓( (電子技電子技 術(shù)中把瞬間突變、作用時間極短的電壓或電流稱為脈沖信號，簡術(shù)中把瞬間突變、作用時間極短的電壓或電流稱為脈沖信號，簡 稱脈沖稱脈沖) )。 3觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的幅值和功率并有足夠的移相范圍以觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的幅值和功率并有足夠的移相范圍以 達到能夠心跡控制角之目的。達到能夠心跡控制角之目的。 4觸發(fā)脈沖與可控整流電路的交流電壓頻率相同并保持一觸發(fā)脈沖與可控整流電路的交流電壓頻率相同并保持一 定的相位角關(guān)系，即觸發(fā)電路輸出脈沖與整流主電路輸出電壓定的相位角關(guān)系，即觸發(fā)電路輸出脈沖與整流主電路輸出電壓 必必“同步同步”。 9.3.

17、2單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 一、一、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和型號單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和型號 單結(jié)晶體管，它有三個電極，即發(fā)射極單結(jié)晶體管，它有三個電極，即發(fā)射極 e、第一基極、第一基極 b1、第、第 二基極二基極 b2，只有一個，只有一個 PN 結(jié)，所以稱單結(jié)晶體管或雙基極二極結(jié)，所以稱單結(jié)晶體管或雙基極二極 管。管。 單結(jié)晶體管的圖形符號如圖單結(jié)晶體管的圖形符號如圖( (b) )所示，發(fā)射極箭頭傾斜指向所示，發(fā)射極箭頭傾斜指向 b1，表示經(jīng)，表示經(jīng) PN 結(jié)的電流只流向結(jié)的電流只流向 b1 極。極。 圖圖( (c) )是它的等效電路圖。因為是它的等效電路圖。因為 e 和和 b1 間是一個間

18、是一個PN 結(jié)，結(jié)， 故用二極管故用二極管 V 等效，其正向壓降等效，其正向壓降 VD = 0.7 V。Rb1 表示表示 e 與與 b1 間電阻，它隨發(fā)射極電流而變，即間電阻，它隨發(fā)射極電流而變，即 IE 上升，上升，Rb1下降。下降。Rb2 表表 示示 e 與與 b2 間的電阻，數(shù)值與間的電阻，數(shù)值與 IE 無關(guān)。兩基極間電阻無關(guān)。兩基極間電阻 Rbb = Rb1 + Rb2。 稱為分壓比，稱為分壓比， 一般在一般在 0.3 0.8 之間。之間。 bb b1 R R 單結(jié)晶體管的型號有單結(jié)晶體管的型號有 BT31、 BT32、 BT33、 BT35 等。等。 二、單結(jié)晶體管的負阻二、單結(jié)晶體

19、管的負阻 單結(jié)晶體管具有負阻特性，如圖單結(jié)晶體管具有負阻特性，如圖( (a) )特性曲線所示。所謂負特性曲線所示。所謂負 阻特性，就是當發(fā)射極電流增加時，發(fā)射極電壓阻特性，就是當發(fā)射極電流增加時，發(fā)射極電壓 VE反而減小。反而減小。 若在若在 b1、b2 間加固定電壓間加固定電壓 VBB，且在，且在 e 和和 b1 間加一個可調(diào)間加一個可調(diào) 節(jié)的電源節(jié)的電源 GE，則當，則當 VE 從從 0 開始開始 增加，但小于增加，但小于 VBB 時，因二極時，因二極 管管 V 處于反偏，故不導(dǎo)通，此處于反偏，故不導(dǎo)通，此 時只有很小的反向電流。時只有很小的反向電流。 當當 VEE = VBB 時，二極管

20、時，二極管 V 反偏，幫反偏，幫 IE = 0。當。當 VE 繼續(xù)升繼續(xù)升 高，使高，使 VE VBB + VD ( ( VD 是是 PN 結(jié)正向壓降結(jié)正向壓降) )， PN 結(jié)導(dǎo)通后，結(jié)導(dǎo)通后， P 區(qū)空穴將注入?yún)^(qū)空穴將注入 N 區(qū)，使區(qū)，使 e、b1 間空穴濃度增加，導(dǎo)電性能加強間空穴濃度增加，導(dǎo)電性能加強 導(dǎo)致導(dǎo)致 Rbi 的減小，必然使的減小，必然使 VB1 減小，減小， 它導(dǎo)致它導(dǎo)致 PN 結(jié)正向電壓加大，結(jié)正向電壓加大，Rb1 又進一步減小又進一步減小 。 ),( BBBB bb b1 B1 VV R R V 急劇上升的急劇上升的 IE 在在 RP 上的壓降加大，使得上的壓降加大，

21、使得 VE 反而減小，呈反而減小，呈 現(xiàn)明顯的負阻特性?，F(xiàn)明顯的負阻特性。 BB + VD 為峰點電壓為峰點電壓 VP， IP 為峰點電流。為峰點電流。 峰點左側(cè)為截止區(qū)、峰點峰點左側(cè)為截止區(qū)、峰點 右側(cè)為負阻區(qū)。右側(cè)為負阻區(qū)。 當當 VE 下降到谷點電壓下降到谷點電壓 VV， Rb1 下降至極限不再下降，此時下降至極限不再下降，此時 的電流稱谷點電流的電流稱谷點電流 IV。 谷點電流谷點電流 IV。谷點的左側(cè)。谷點的左側(cè) 為負阻區(qū)，右側(cè)為飽和區(qū)。管為負阻區(qū)，右側(cè)為飽和區(qū)。管 子處在飽和區(qū)時，子處在飽和區(qū)時，IE 很大而很大而 VE 很小。很小。 三、單結(jié)晶體管振蕩器三、單結(jié)晶體管振蕩器 v0

22、 是一個前沿陡峭的電壓脈沖?？梢杂脕碜骶чl管的觸發(fā)脈是一個前沿陡峭的電壓脈沖?？梢杂脕碜骶чl管的觸發(fā)脈 沖。改變沖。改變 Re、C 的值，即可改變電容充電電路時間常數(shù)，從而的值，即可改變電容充電電路時間常數(shù)，從而 改變電壓脈沖的振蕩頻率改變電壓脈沖的振蕩頻率( (或周期或周期) )。 四、帶有同步觸發(fā)電路的可控整流電路四、帶有同步觸發(fā)電路的可控整流電路 圖中所示為帶有同步觸發(fā)電路的晶閘圖中所示為帶有同步觸發(fā)電路的晶閘 管整流電路和電壓波形圖。管整流電路和電壓波形圖。 9.4晶閘管的保護和防失控措施晶閘管的保護和防失控措施 9.4.1晶閘管的保護晶閘管的保護 9.4.2帶感性負載時的防失控措施帶

23、感性負載時的防失控措施 9.4.1晶閘管的保護晶閘管的保護 一、晶閘管的過電流保護一、晶閘管的過電流保護 晶閘管過電流保護方法有：快速熔斷器保護、靈敏繼電器晶閘管過電流保護方法有：快速熔斷器保護、靈敏繼電器 保護和過載截止保護等。保護和過載截止保護等。 快速熔斷器在電路中的位置可以在整流電路的交流側(cè)，如快速熔斷器在電路中的位置可以在整流電路的交流側(cè)，如 圖中圖中 FU1；也可在整流電路的直流側(cè)與晶閘管或負載串聯(lián)，如；也可在整流電路的直流側(cè)與晶閘管或負載串聯(lián)，如 圖中圖中 FU2。 在熔斷器與晶閘管元件相串聯(lián)時，可按下表的參考數(shù)據(jù)選在熔斷器與晶閘管元件相串聯(lián)時，可按下表的參考數(shù)據(jù)選 用快速熔斷器

24、的額定電流。用快速熔斷器的額定電流。 晶閘管額定電流晶閘管額定電流 / A5 10 20 30 50 100 200 300 500 快速熔斷器額定電流快速熔斷器額定電流 / A8 15 30 50 80 150 300 500 800 二、晶閘管的過電壓保護二、晶閘管的過電壓保護 如果可控整流電路中含有電感元件，則電路切斷時可能引如果可控整流電路中含有電感元件，則電路切斷時可能引 起晶閘管上的過電壓。最常用的過壓保護措施是接入阻容吸收起晶閘管上的過電壓。最常用的過壓保護措施是接入阻容吸收 回路，如回路，如 R1、C1 或直流側(cè)晶閘管邊上，圖中的或直流側(cè)晶閘管邊上，圖中的 R2、C2。也可。也

25、可 并聯(lián)在電感負載的兩端，如圖中并聯(lián)在電感負載的兩端，如圖中 R3、C3。 9.4.2帶感性負載時的防失控措施帶感性負載時的防失控措施 電感性負載可用電感電感性負載可用電感 L 和電阻和電阻 R 串連表示。如圖，當晶閘串連表示。如圖，當晶閘 管導(dǎo)通時，電感管導(dǎo)通時，電感 L 中存儲了磁場能量。當中存儲了磁場能量。當 v2 過零變負時，電感過零變負時，電感 中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，迫使晶閘管不能及時關(guān)斷造成失控。中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，迫使晶閘管不能及時關(guān)斷造成失控。 通常在負載兩端并聯(lián)二極管，圖中通常在負載兩端并聯(lián)二極管，圖中 的的 V2 來解決，當交流電壓來解決，當交流電壓 v2 過零或變過零或變 負時

26、，感應(yīng)電動勢產(chǎn)生的電流可通過這負時，感應(yīng)電動勢產(chǎn)生的電流可通過這 個二極管個二極管( (稱作續(xù)流二極管稱作續(xù)流二極管) )形成回路電形成回路電 流。這時，流。這時，V2 的兩端電壓近似為的兩端電壓近似為 0，晶，晶 閘管受反向電壓二迅速關(guān)斷。應(yīng)當指出閘管受反向電壓二迅速關(guān)斷。應(yīng)當指出 二極管二極管 V2 的極性不要接反，否則引起的極性不要接反，否則引起 短路事故。短路事故。 本章小結(jié)本章小結(jié) 1. 晶閘管是一種可控整流元件，舊稱可控硅。它的導(dǎo)通條晶閘管是一種可控整流元件，舊稱可控硅。它的導(dǎo)通條 件時陽極電位高于陰極件時陽極電位高于陰極電位電位( (加正向電壓加正向電壓) )，同時控制極，同時控制極 與陰極間加適當正向電壓。晶閘管導(dǎo)通后控制極就失去與陰極間加適當正向電壓。晶閘管導(dǎo)通后控制極就失去 控制作用，要使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，必須設(shè)法使陽極電控制作用，要使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，必須設(shè)法使陽極電 流小于維持電流。因此在陽極電壓過零或變?yōu)樨撝禃r，流小于維持電流。因此在陽極電壓過零或變?yōu)樨撝禃r， 晶閘管就被關(guān)斷。晶閘管就被關(guān)斷。 2. 晶閘管整流電路可以把交流電壓整流為大小可調(diào)的直流晶閘管整流電路可以把交流電壓整流為大小可調(diào)的直流 電壓。它是通過改變晶閘管