真空鍍膜技術(shù)專用詞匯

1、真空鍍膜技術(shù)專用詞匯6.1 一般術(shù)語6.1.1 真空鍍膜 vacuum coating ：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。6.1.2基片substrate：膜層承受體。6.1.3試驗基片testing substrate:在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和（或）試 驗的基片。6.1.4鍍膜材料coati ng material :用來制取膜層的原材料。6.1.5蒸發(fā)材料evaporation material :在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。6.1.6濺射材料sputtering material :有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。6.1.7膜層材料 （膜層材質(zhì) ）film

2、 material :組成膜層的材料。6.1.8蒸發(fā)速率evaporation rate:在給定時間間隔內(nèi)，蒸發(fā)出來的材料量，除以該時間間隔6.1.9濺射速率sputtering rate :在給定時間間隔內(nèi)，濺射出來的材料量，除以該時間間隔。6.1.10沉積速率deposition rate:在給定時間間隔內(nèi)，沉積在基片上的材料量，除以該時間間隔 和基片表面積。6.1.11鍍膜角度coati ng an gle :入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。6.2 工藝6.2.1 真空蒸膜 vacuum evaporation coating :使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。6.2.1.

3、1同時蒸發(fā)simultaneous evaporation :用數(shù)個蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上 的真空蒸發(fā)。6.2.1.2蒸發(fā)場蒸發(fā)evaporation field evaporation :由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍 的真空蒸發(fā) （此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布）。6.2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactive vacuum evaporation :通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜 層材料的真空蒸發(fā)。6.2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā) reactive vacuum evaporation in evaporator ：與蒸發(fā)器中各 種蒸發(fā)材料反應(yīng)

4、 ，而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。6.2.1.5 直接加熱的蒸發(fā) direct heating evaporation ：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料 （在坩堝中或不用坩堝 ）本身加熱的蒸發(fā)。6.2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā) induced heating evaporation ：蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。6.2.1.7電子束蒸發(fā)electron beam evaporation :通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。6.2.1.8激光束蒸發(fā)laser beam evaporation：通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。6.2.1.9間接加熱的蒸發(fā)in direct heat in

5、g evaporation :在加熱裝置（例如小舟形蒸發(fā)器，坩堝,燈 絲，加熱板 ，加熱棒，螺旋線圈等 ）中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射 方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。6.2.1.10閃蒸flash evaportion :將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。6.2.2真空濺射vacuum sputtering :在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子（分子）或原子團(tuán)的過程。6.2.2.1 反應(yīng)性真空濺射 reactive vacuum sputtering ：通過與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的 膜層材料的真空濺射。6.222偏壓濺射bias sputtering :在

6、濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。6.2.2.3 直流二級濺射 direct current diode sputtering ：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自 持放電并把靶作為陰極的濺射。6.2.2.4 非對稱性交流濺射 asymmtric alternate current sputtering :通過二個電極間的非對稱性 交流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。6.2.2.5高頻二極濺射 high frequency diode sputtering :通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放 電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。6.2.2.6 熱陰極直流濺射（三極型濺

7、射） hot cathode direct current sputtering :借助于熱陰極和 陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽極和陰極（靶）之間所施加的電 壓加速而轟擊靶的濺射。6.2.2.7 熱陰極高頻濺射（三極型濺射） hot cathode high frequency sputtering :借助于熱陰極 和陽極獲得非自持氣體放電， 氣體放電產(chǎn)生的離子， 在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶 的濺射。6.228離子束濺射ion beam sputtering :利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。6.229輝光放電清洗glow discharge clean

8、ing :利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過程。6.2 .3物理氣相沉積； PVD physical vapor deposition :在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射 等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。6.2.4化學(xué)氣相沉積；CVD chemical vapor deposition :一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體，在特定激 活條件下（通常是一定高的溫度） ，通過氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取 膜層的一種方法。6.2.5磁控濺射 magnetron sputtering :借助于靶表面上形成的正交電磁場， 把二次電子束縛在 靶表面特定區(qū)域

9、，來增強(qiáng)電離效率， 增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得 很高濺射速率。6.2.6 等離子體化學(xué)氣相沉積； PCVD plasma chemistry vapor deposition :通過放電產(chǎn)生的等 離子體促進(jìn)氣相化學(xué)反應(yīng)，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。6.2.7 空心陰極離子鍍 HCD hollow cathode discharge deposition : 利用空心陰極發(fā)射大量的電子束， 使坩堝內(nèi)鍍膜材料蒸發(fā)并電離，在基片上的負(fù)偏壓作用下，離子具有較大能量， 沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。6.2.8 電弧離子鍍 arc discharge deposition

10、 :以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發(fā)裝置，使靶表 面產(chǎn)生弧光放電， 鍍膜材料在電弧作用下， 產(chǎn)生無熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種鍍膜方法。6.3 專用部件6.3.1鍍膜室coating chamber:真空鍍膜設(shè)備中實施實際鍍膜過程的部件6.3.2蒸發(fā)器裝置evaporator device:真空鍍膜設(shè)備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝 置（例如電能供給、供料和冷卻裝置等）在內(nèi)的部件。6.3.3蒸發(fā)器evaporator :蒸發(fā)直接在其內(nèi)進(jìn)行蒸發(fā)的裝置，例如小舟形蒸發(fā)器，坩堝，燈絲，加熱板,加熱棒 ,螺旋線圈等等 ,必要時還包括蒸發(fā)材料本身。6.3.4直接加熱式蒸發(fā)器 evaporator b

11、y direct heat :蒸發(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器。6.3.5間接加熱式蒸發(fā)器 evaporator by indirect heat :蒸發(fā)材料通過熱傳導(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。6.3.6 蒸發(fā)場 evaporation field ：由數(shù)個排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場。6.3.7 濺射裝置 sputtering device ：包括靶和濺射所必要的輔助裝置（例如供電裝置 ,氣體導(dǎo)入裝置等 ）在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。638靶target:用粒子轟擊的面。本標(biāo)準(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電 極。6.3.9擋板shutter：用來在時間上和（或）空間上限制鍍膜并借

12、此能達(dá)到一定膜厚分布的裝置。 擋板可以是固定的也可以是活動的。6.3.10時控?fù)醢?timing shutter ：在時間上能用來限制鍍膜 ,因此從鍍膜的開始、 中斷到結(jié)束都 能按規(guī)定時刻進(jìn)行的裝置。6.3.11掩膜mask：用來遮蓋部分基片，在空間上能限制鍍膜的裝置。6.3.12基片支架substrate holder：可直接夾持基片的裝置，例如夾持裝置，框架和類似的夾持器 具。6.3.13夾緊裝置clamp :在鍍膜設(shè)備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置 例如夾盤 ，夾鼓，球形夾罩 ，夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的（旋轉(zhuǎn)架，行星齒輪系等 ）。6.3.14換向裝置rever

13、sing device :在真空鍍膜設(shè)備中，不打開設(shè)備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置 （基片換向器 ，試驗玻璃換向器 ，掩膜換向器 ）。6.3.15基片加熱裝置substrate heating device：在真空鍍膜設(shè)備中，通過加熱能使一個基片或幾 個基片達(dá)到理想溫度的裝置。6.3.16基片冷卻裝置 substrate colding device :在真空鍍膜設(shè)備中，通過冷卻能使一個基片或幾 個基片達(dá)到理想溫度的裝置。6.4 真空鍍膜設(shè)備6.4.1真空鍍膜設(shè)備 vacuum coati ng pla nt :在真空狀態(tài)下制取膜層的設(shè)備。6.4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 vacuum evaporation coating plant :借助于蒸發(fā)進(jìn)行真空鍍膜的設(shè) 備。6.4.1.2真空濺射鍍膜設(shè)備 vacuum sputteri ng coat