單晶硅的制備

1、成績 課程報告 題 目 單晶硅的制備 課 程 名 稱 城市建設(shè)與環(huán)境友好材料 院 部 名 稱 龍蟠學(xué)院 專 業(yè) 材料科學(xué)與工程 班 級 M10材料科學(xué)與工程 學(xué) 生 姓 名 周海逢 學(xué) 號 1021416044 指 導(dǎo) 教 師 張小娟 金陵科技學(xué)院教務(wù)處制單晶硅的制備目錄1、摘要2、緒論21 單晶硅簡介2.2 國內(nèi)外的技術(shù)介紹2.3單晶硅片的用途3、單晶硅的制備方法3.1直拉法3.1.1 直拉法基本原理和基本過程3.1.2直拉法技術(shù)改進(jìn)3.2區(qū)熔法3.2.1懸浮區(qū)熔法3.2.2水平區(qū)熔法3.2.3垂直浮帶區(qū)熔法3.2.4區(qū)熔法制備單晶硅的工業(yè)流程及具體步驟3.3 單晶硅制備需要進(jìn)行的技術(shù)改進(jìn)4

2、、單晶硅的發(fā)展前景5、參考文獻(xiàn)1、摘要單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，一直處于新能源發(fā)展的前沿。主要用于半導(dǎo)體材料和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)。近些年由于太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，也帶動了硅行業(yè)的持續(xù)，快速發(fā)展。  熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的A族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的A族元素，如磷

3、或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件1。 關(guān)鍵詞: 光伏; 單晶硅; 太陽能電池; 工藝2、緒論2.1 單晶硅簡介： 單晶硅，是硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體，不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料，純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等，用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。 熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成

4、單晶硅。 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一2。 2.2 國內(nèi)外技術(shù)介紹日本、美國和德國是主要的硅材料生產(chǎn)國。中國硅材料工業(yè)與日本同時起步，但總體而言，生產(chǎn)技術(shù)水平仍然相對較低，而且大部分為2.5345英寸硅錠和小直徑硅片。中國消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴進(jìn)口。但我國科技人員正迎頭趕上，于1998年成功地制造出了12英寸單晶硅，

5、標(biāo)志著我國單晶硅生產(chǎn)進(jìn)入了新的發(fā)展時期。目前，全世界單晶硅的產(chǎn)能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸7000噸。未來幾年中，世界單晶硅材料發(fā)展將呈現(xiàn)以下發(fā)展趨勢：(1)微型化隨著半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展，對硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場中的需求比例將日益加大。 (2)國際化，集團(tuán)化，集中化研發(fā)及建廠成本的日漸增高，加上現(xiàn)有行銷與品牌的優(yōu)勢，使得硅材料產(chǎn)業(yè)形成“大者恒大”的局面，少數(shù)集約化的大型集團(tuán)公司壟斷材料市場。(3)硅基材料隨著光電子和通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，硅基材料成為硅材料工業(yè)發(fā)展的重要方向。硅基材料是在常規(guī)硅材料上制作的，是常規(guī)硅材料的發(fā)展和延續(xù)，其器件工藝與硅

6、工藝相容。(4)硅片制造技術(shù)進(jìn)一步升級半導(dǎo)體,芯片集成電路,設(shè)計版圖,芯片制造,工藝目前世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。2.3 用途：單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第A族元素，形成P型半導(dǎo)體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。單晶硅棒是生產(chǎn)單晶

7、硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池3。目前晶體直徑可控制在38英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、

8、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在36英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。 3、制備方法3.1直拉法3.1.1.直拉法基本原理和基本過程如下：直拉法是用的最多的一種晶體生長技術(shù)。 （1）.引晶：通過電阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔點的溫度，將籽晶浸入熔體，然后以一定速度向上提拉籽晶并同時旋轉(zhuǎn)引出晶體； （2）.縮頸：生長一定長度的縮小的細(xì)長頸的晶體，以防止籽晶中的位錯延伸到晶體中；放肩：將晶體控制到所需直徑； (3).等徑生長：根據(jù)熔體和單晶爐情況，控制晶體等徑生長到所需長度； (4).收尾：直徑逐漸縮小，離開熔體； (5).降溫：降級溫度，

9、取出晶體，待后續(xù)加工  (6).最大生長速度：晶體生長最大速度與晶體中的縱向溫度梯度、晶體的熱導(dǎo)率、晶體密度等有關(guān)。 提高晶體中的溫度梯度，可以提高晶體生長速度；但溫度梯度太大，將在晶體中產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，會導(dǎo)致位錯等晶體缺陷的形成，甚至?xí)咕w產(chǎn)生裂紋。為了降低位錯密度，晶體實際生長速度往往低于最大生長速度。 (7).熔體中的對流：相互相反旋轉(zhuǎn)的晶體（順時針）和坩堝所產(chǎn)生的強(qiáng)制對流是由離心力和向心力、最終由熔體表面張力梯度所驅(qū)動的。 (8).生長界面形狀（固液界面）：固液界面形狀對單晶均勻性、完整性有重要影響，正常情況下，固液界面的宏觀形狀應(yīng)該與熱場所確定的熔體等溫面相吻合。通過調(diào)

10、整拉晶速度，晶體轉(zhuǎn)動和坩堝轉(zhuǎn)動速度就可以調(diào)整固液界面形狀4。 （9）.連續(xù)生長技術(shù)：為了提高生產(chǎn)率，節(jié)約石英坩堝（在晶體生產(chǎn)成本中占相當(dāng)比例），發(fā)展了連續(xù)直拉生長技術(shù)，主要是重新裝料和連續(xù)加料兩中技術(shù)：重新加料直拉生長技術(shù)：可節(jié)約大量時間（生長完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個坩堝可用多次。連續(xù)加料直拉生長技術(shù)有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。 （10）.液體覆蓋直拉技術(shù)：是對直拉法的一個重大改進(jìn)，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉 制材料的熔體，在晶體生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元

11、的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術(shù)進(jìn)行單晶生長。 3.1.2直拉法技術(shù)改進(jìn) （1）磁控直拉技術(shù) a.在直拉法中，氧含量及其分布是非常重要而又難于控制的參數(shù)，主要是熔體中的熱對流加劇了熔融硅與石英坩鍋的作用，即坩鍋中的O2,、B、Al等雜質(zhì)易于進(jìn)入熔體和晶體。熱對流還會引起熔體中的溫度波動，導(dǎo)致晶體中形成雜質(zhì)條紋和旋渦缺陷5。 b.半導(dǎo)體熔體都是良導(dǎo)體，對熔體施加磁場，熔體會受到與其運動方向相反的洛倫茲力作用，可以阻礙熔體中的對流，這相當(dāng)于增大了熔體中的粘滯性。在生產(chǎn)中通常采用水平磁場、垂直磁場等技術(shù)。 c.磁控直拉技術(shù)與直拉法相比所具有的優(yōu)點在于：減少了熔體中的溫度波度。一般直拉法中固液界面

12、附近熔體中的溫度波動達(dá)10 C以上，而施加0.2 T的磁場，其溫度波動小于1 。 這樣可明顯提高晶體中雜質(zhì)分布的均勻性，晶體的徑向電阻分布均勻性也可以得到提高；降低了單晶中的缺陷密度；減少了雜質(zhì)的進(jìn)入，提高了晶體的純度。這是由于在磁場作用下，熔融硅與坩鍋的作用減弱，使坩鍋中的雜質(zhì)較少進(jìn)入熔體和晶體。將磁場強(qiáng)度與晶體轉(zhuǎn)動、坩鍋轉(zhuǎn) 動等工藝參數(shù)結(jié)合起來，可有效控制晶體中氧濃度的變化；由于磁粘滯性，使擴(kuò)散層厚度增大，可提高雜質(zhì)縱向分布均勻性； 有利于提高生產(chǎn)率。采用磁控直拉技 術(shù)，如用水平磁場，當(dāng)生長速度為一般直拉法兩倍時，仍可得到質(zhì)量較高的晶體。 d.磁控直拉技術(shù)主要用于制造電荷耦合（CCD）器件

13、和一些功率器件的硅單晶。也可用于GaAs、GaSb等化合物半導(dǎo)體單晶的生長。(2) 連續(xù)生長技術(shù) 為了提高生產(chǎn)率，節(jié)約石英坩堝（在晶體生產(chǎn)成本中占相當(dāng)比例），發(fā)展了連續(xù)直拉生長技術(shù)，主要是重新裝料和連續(xù)加料兩中技術(shù)： a.重新加料直拉生長技術(shù)：可節(jié)約大量時間（生長完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個坩堝可用多次。 b.連續(xù)加料直拉生長技術(shù)：除了具有重新裝料的優(yōu)點外，還可保持整個生長過程中熔體的體積恒定，提高基本穩(wěn)定的生長條件，因而可得到電阻率縱向分布均勻的單晶。連續(xù)加料直拉生長技術(shù)有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。 (3) 液體覆蓋直拉技術(shù) 是對直拉法的一個重大改進(jìn)，用此法可以制備多種

14、含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉制材料的熔體，在晶體生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術(shù)進(jìn)行單晶生長。 對惰性液體（覆蓋劑）的要求： a.密度小于所拉制的材料，既能浮在熔體表面之上；對熔體和坩堝在化學(xué)上必須是惰性的，也不能與熔體混合，但要能浸云晶體和坩堝；熔點要低于被拉制的材料且蒸氣壓很低； b.有較高的純度，熔融狀態(tài)下透明。廣泛使用的覆蓋劑為B2O3: 密度1.8 g/cm3，軟化溫度450C，在1300 C時蒸氣壓僅為13 Pa， 透明性好，粘滯性也好。此種技術(shù)可用于生長Ga

15、As、InP、 GaP、 GaSb和InAs等單晶。 3.2 區(qū)熔法 區(qū)熔法又分為兩種：水平區(qū)熔法和懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長。后者主要用于硅，這是由于硅熔體的溫度高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，難以找到適合的器皿，不能采用水平區(qū)熔法。然而硅又具有兩個比鍺、GaAs優(yōu)越的特性：即密度低(2.33gcm3和表面張力大(0.0072Ncm)，所以，能用無坩堝懸浮區(qū)熔法。該法是在氣氛或真空的爐室中，利用高頻線圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶硅棒的接觸處產(chǎn)生熔區(qū)，然后使熔區(qū)向上移動進(jìn)行單晶生長。由于硅熔體完全依靠其表面張力和高頻電磁力的支托，懸浮于多晶棒與單晶之間，

16、故稱為懸浮區(qū)熔法6。 3.2.1.懸浮區(qū)熔法熔區(qū)懸浮的穩(wěn)定性很重要，穩(wěn)定熔區(qū)的力主要是熔體的表面張力和加熱線圈提供的磁浮力，而造成熔區(qū)不穩(wěn)定的力主要是熔硅的重力和旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力。要熔區(qū)穩(wěn)定地懸浮在硅棒上，前兩種力之和必須大于后兩種力之和。用中子嬗變摻雜方法，就能獲得電阻率高、均勻性好的硅單晶。可用于高電壓大功率器件上，如可控硅、可關(guān)斷晶閘管等。這些器件被廣泛地用在近代的電力機(jī)車、軋鋼機(jī)、冶金設(shè)備、自動控制系統(tǒng)以及高壓輸配電系統(tǒng)中。來生長單晶體的方法。將棒狀多晶錠熔化一窄區(qū),其余部分保持固態(tài),然后使這一熔區(qū)沿錠的長度方向移動，使整個晶錠的其余部分依次熔化后又結(jié)晶。區(qū)熔法可用于制備單晶和提純材料

17、,還可得到均勻的雜質(zhì)分布。這種技術(shù)可用于生產(chǎn)純度很高的半導(dǎo)體、金屬、合金、無機(jī)和有機(jī)化合物晶體（純度可達(dá)10-610-9）。在頭部放置一小塊單晶即籽晶，并在籽晶和原料晶錠相連區(qū)域建立熔區(qū)，移動晶錠或加熱器使熔區(qū)朝晶錠長度方向不斷移動。區(qū)域熔化法是按照分凝原理進(jìn)行材料提純的。雜質(zhì)在熔體和熔體內(nèi)已結(jié)晶的固體中的溶解度是不一樣的。在結(jié)晶溫度下,若一雜質(zhì)在某材料熔體中的濃度為cL,結(jié)晶出來的固體中的濃度為cs，則稱K=cL/cs為該雜質(zhì)在此材料中的分凝系數(shù)。3.2.2 水平區(qū)熔法 主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長將原料放入一長舟之中，舟應(yīng)采用不沾污熔體的材料制成，如石英、氧化鎂、氧化鋁、氧化

18、鈹、石墨等。舟的頭部放籽晶。加熱可以使用電阻爐，也可使用高頻爐。用此法制備單晶時，設(shè)備簡單，與提純過程同時進(jìn)行又可得到純度很高和雜質(zhì)分布十分均勻的晶體。但因與舟接觸，難免有舟成分的沾污，且不易制得完整性高的大直徑單晶。3.2.3 垂直浮帶區(qū)熔法 用此法拉晶時，先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠。用電子轟擊、高頻感應(yīng)或光學(xué)聚焦法將一段區(qū)域熔化，使液體靠表面張力支持而不墜落。移動樣品或加熱器使熔區(qū)移動。此外,區(qū)熔硅的生長速度超過約56毫米/分時，還可以阻止所謂漩渦缺陷的生成。為確保生長沿所要求的晶向進(jìn)行，也需要使用籽晶，采用與直拉單晶類似的方法，將一個很細(xì)的籽晶快速插入熔融晶柱的頂部，先

19、拉出一個直徑約3mm，長約10-20mm的細(xì)頸，然后放慢拉速，降低溫度放肩至較大直徑。頂部安置籽晶技術(shù)的困難在于，晶柱的熔融部分必須承受整體的重量，而直拉法則沒有這個問題，因為此時晶定還沒有形成。用區(qū)熔法單晶生長技術(shù)制備的半導(dǎo)體硅材料，是重要的硅單晶產(chǎn)品。由于硅熔體與坩堝容器起化學(xué)作用，而且利用硅表面張力大的特點，故采用懸浮區(qū)熔法，簡稱FZ法或FZ單晶7。 工藝特點大直徑生長,比直拉硅單晶困難得多，要克服的主要問題是熔區(qū)的穩(wěn)定性。這可用“針眼技術(shù)”解決，在FZ法中這是一項重大成就。另一項重大成就是中子嬗變摻雜。利用中子嬗變摻雜可獲得摻雜濃度很均勻的區(qū)熔硅(簡稱NTD硅)，從而促進(jìn)了大功率電力電

20、子器件的發(fā)展與應(yīng)用。區(qū)熔硅的常規(guī)摻雜方法有硅芯摻雜、表面涂敷摻雜、氣相摻雜等，以氣相摻雜最為常用。晶體缺陷區(qū)熔硅中的晶體缺陷有位錯和漩渦缺陷。中子嬗變晶體還有輻照缺陷，在純氫或氬一氫混合氣氛中區(qū)熔時，常引起氫致缺陷。其中漩渦缺陷有A、B、C和D四種，其特性及易出現(xiàn)的主要條件列于表1。 漩渦缺陷有害，它使載流子壽命下降，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性劣化。在器件工藝中它可轉(zhuǎn)化為位錯、層錯及形成局部沉淀，從而造成微等離子擊穿或使PN結(jié)反向電流增大。這種缺陷不僅使高壓大功率器件性能惡化，而且使CCD產(chǎn)生暗電流尖峰。在單晶制備過程中減少漩渦缺陷的措施有盡量降低碳含量、提高拉晶速度等。90年代的水平90年代以來達(dá)到的

21、是：區(qū)熔硅單晶的最大直徑為150mm，并已商品化，直徑200mm的產(chǎn)品正在試驗中。晶向一般為<111)和<100>。 (1)氣相摻雜區(qū)熔硅單晶。N型摻磷、P型摻硼。無位錯、無漩渦缺陷。碳濃度C。<2×10“atcm3，典型的可<5×1015atcm3。氧濃度<1×1016atcm3。電阻率范圍和偏差列于表2，少子壽命值列于表3。漩渦缺陷有害，它使載流子壽命下降，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性劣化。在器件工藝中它可轉(zhuǎn)化為位錯、層錯及形成局部沉淀，從而造成微等離子擊穿或使PN結(jié)反向電流增大。這種缺陷不僅使高壓大功率器件性能惡化，而且使CCD產(chǎn)生暗

22、電流尖峰。在單晶制備過程中減少漩渦缺陷的措施有盡量降低碳含量、提高拉晶速度等。90年代的水平90年代以來達(dá)到的是：區(qū)熔硅單晶的最大直徑為150mm，并已商品化，直徑200mm的產(chǎn)品正在試驗中。晶向一般為<111)和<100>。 (1)氣相摻雜區(qū)熔硅單晶。N型摻磷、P型摻硼。無位錯、無漩渦缺陷。碳濃度C。<2×10“atcm3，典型的可<5×1015atcm3。氧濃度<1×1016atcm3。電阻率范圍和偏差列于表2，少子壽命值列于表3。(2) 中子嬗變摻雜(NTD)硅單晶。N型摻雜元素磷，無位錯、無漩渦缺陷。碳濃度C。<2

23、×1016atcm3，典型的可<5×1015atcm3，氧濃度<1×1016atcm3，電阻率范圍和偏差及少子壽命值列于表4。 3.2.4 區(qū)熔法制備單晶硅的工業(yè)流程及具體步驟： 主要用于提純和生長硅單晶；其基本原理是：依靠熔體的表面張力，使熔區(qū)懸浮于多晶硅 棒與下方生長出的單晶之間，通過熔區(qū)向上移動而進(jìn)行提純和生長單晶。 區(qū)熔法制備單晶硅具有如下特點： 1.不使用坩堝，單晶生長過程不會被坩堝材料污染 2.由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應(yīng)，可以生長出高電阻率硅單晶 單晶硅建設(shè)項目具有巨大的市場和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅

24、的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。近年來，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發(fā)利用的高科技資源，正引起越來越多的關(guān)注和重視。與此同時，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家正掀起開發(fā)利用太陽能的熱潮并成為各國制定可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略斬重要內(nèi)容。 在跨入21世紀(jì)門檻后，世界大多數(shù)國家踴躍參與以至在全球范圍掀起了太陽能開發(fā)利用的“綠色能源熱”，一個廣泛的大規(guī)模的利用太陽能的時代正在來臨，太陽能級單晶硅產(chǎn)品也將因此炙手可熱9。4、單晶硅的發(fā)展前景單晶硅是電力工業(yè)的糧食?；趨^(qū)熔硅片的電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展被稱為“硅片引起的第二次革命”。 近年來，區(qū)熔硅單晶開始進(jìn)入綠色能源領(lǐng)域。國際上利用區(qū)熔單晶硅制作太陽能電池技術(shù)逐漸成熟，使用區(qū)熔硅制作太陽能電池，其光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到20%，其綜合性價比超過直拉單晶硅太陽能電池（光電轉(zhuǎn)換效率為12%）和多晶硅太陽能電池（光電轉(zhuǎn)換效率為10%）。這個用途將極大地擴(kuò)展區(qū)熔硅單晶的市場空間，這是區(qū)熔單晶硅最大的新興市場。最近，區(qū)熔硅單晶更是進(jìn)入了信息、通訊領(lǐng)域，被用來制造射頻集成電路、微波單片集成電路（M