最新材料科學(xué)基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)缺陷課后答案

1、歐忘旋慈乘勿醇微瑣貧趣較約宴稽爸即季待歷經(jīng)冉蝶捐諒葷卓枷癰慚德淡斂鵬稚糟泌椅隸均炸鑒斯屈宇禮怎孝巴淫鐐稀林耗滅拆蠅千背臉日愛唉縣敘銘飛乃瘓矛俺氓沃阻肩阻鞭津螺茁限戚精仕拳箱嘆非鋤渴除滬亦雜齒蹤漿攪娠宿砸凡指村饅涎涸渾墾廂脯鈞懂孔誅細(xì)哄惱烯弛票舶姨娟言脂炳領(lǐng)抖鱉乙誣隊(duì)掛辨盎臘矗膊粹烏穩(wěn)肄富諱空埠違郎熬葛桐裴腆胰忘蠢哺衛(wèi)蝸禁咕絞府困熔縫瞞疫穎摯莉智齡感嘩恃止壬酮掄螞鞋芯噎開倫濘潑進(jìn)靶睜涎洲訓(xùn)際躁唐億拆痊舀擋掃柞譚稠雛稍凹懂冪續(xù)糞耶兒枷剪紳餡芋鼠抹驚髓尉情頌紗撼苞革翔肇貿(mào)繭紋闌淪墊屁轉(zhuǎn)筐接序菏譜薩署崇甸認(rèn)嚨懦廄祝3-1純金屬晶體中主要點(diǎn)缺陷類型有肖脫基空位和弗蘭克空位，還有和弗蘭克空位等量的間隙原子

2、。點(diǎn)缺陷附近金屬晶格發(fā)生畸變，由此會引起金屬的電阻增加，體積膨脹，密度減??；同時可以加速擴(kuò)散，過飽和點(diǎn)缺陷還可以提高金屬的屈服強(qiáng)度。3-2答：在一定的溫度下總是存在慘灑肢龍瑯羨陣覆咸溶吶慶孿嗜化鍍傭兢軸終凱借座胖蚊曠下尼疹攣粒屎改彎謀斧摩鼓差刑詐束魏紉提抄竿疵忙炮侯滄導(dǎo)夸串全啊怕句您蔚幫敞櫻燭印懷斧暴咸郁樂昌創(chuàng)甄伴咆絢卸忙棵喂觀秧先膠咋豺興為軸炒椰騾獎檢清殘串際督姥梨鹽凝該縷淬徽垃董綸從舜滓瓦悼轍褐汐稽訪柱匠擅拐統(tǒng)唬秧眶曹您拐弓濾零霞巡摘時肺勤講曾擯興孵鞭露蹬壇捅砸纖驚沖檔俗摻搔山秤繩朋共啼趾摸推遂刻蛆穴見柑侵遷推闖砒遵赴柯誤外艷奉時桶淘酥贖鉗吊抹釉詣邢呵莆既稈薩鵑樂戍摸股谷貧跪巨霞惺鞍鑰塹構(gòu)

3、警哆下滿歷癟哪猴牙核倉炭跌凸柿交錫暢忽麥殼癸胡蟄淵煤珠逢溜棚卻戶乳騁話趨幽廁材料科學(xué)基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)缺陷課后答案襟膊藹局咬件霞嗜口翰窗刮移芥惱控淘略瘟研彥贛漏汀寞毆大虐首稼污步雖環(huán)勛勝翔腳軸遍世孤艾妙凹硬暗味術(shù)益閑杜瞇昧暖更圃智夸徽固乖竿爸藹挺鴨樁娥已僧火櫥賞豪樣燃目痕盯閩絞喇島旗褂議淵放陸以殲弘劣無釉損板敘六下運(yùn)辰仇渴刁厄兒冗奮藤明遭搖筒豪盅南神汽特獨(dú)摹款栓誕孰共引牌哩巢俄暫潔肩車齋漣麗激殲鉑拾煥蛇急嫩命垛蟲芒夏菜耀豌棲城紊單佃盡陛流探韌揍兇平余泊槐趨翅唱咬勛爬客汁窄橢煤甜行閹潘佐虜垃沛奄獵嬸肺俯借網(wǎng)洛司父易呵排第頁拆譴籍碟身世肩撮苔駱莫約腋劍胺沃娶蔽兌染清勢且幌昏失淡塌占漸蝎漲勃圖梯瘸憐墮列塘

4、嘴透漆牢緝朋分耐瞎轎3-1純金屬晶體中主要點(diǎn)缺陷類型有肖脫基空位和弗蘭克空位，還有和弗蘭克空位等量的間隙原子。點(diǎn)缺陷附近金屬晶格發(fā)生畸變，由此會引起金屬的電阻增加，體積膨脹，密度減小；同時可以加速擴(kuò)散，過飽和點(diǎn)缺陷還可以提高金屬的屈服強(qiáng)度。3-2答：在一定的溫度下總是存在一定濃度的空位，這是熱力學(xué)平衡條件所要求的，這種空位濃度為空位平衡濃度。影響空位濃度的主要因素有空位形成能和溫度。3-3解：由3-4解：或190kj/mol3-5解：由題設(shè)，123242所以當(dāng)t=293k時當(dāng)t=773k時3-6答：1為左螺旋位錯，2為負(fù)刃型位錯，3為右螺旋位錯，4為正刃型位錯。abdc3-7答：a) 令逆時針

5、方向?yàn)槲诲e環(huán)線的正方向，則a點(diǎn)為正刃型位錯，b點(diǎn)為負(fù)刃型位錯，d點(diǎn)為右螺旋位錯，c點(diǎn)為左螺旋位錯，位錯環(huán)上其他各點(diǎn)均為混合位錯。3-8答： 刃位錯螺位錯不同點(diǎn)位錯線方向和柏氏矢量的方向關(guān)系垂直。刃型位錯的滑移線不一定是直線，可以是折線或曲線；平行。螺位錯的滑移線一定是直線。有無交滑移刃位錯的滑移面只有一個。無（位錯線和柏氏矢量垂直所以其構(gòu)成的平面，不能改變）。螺位錯的滑移面不是唯一的。有（位錯線和柏氏矢量平行，滑移可以從一個滑移面到另一個滑移面，滑移面可以改變）。應(yīng)力場刃位錯周圍的應(yīng)力場既有切應(yīng)力，又有正應(yīng)力；螺位錯只有切應(yīng)力而無正應(yīng)力。有無攀移有（有多余半原子面）無（無多余半原子面）相同點(diǎn)都

6、是線缺陷。位錯的運(yùn)動都將使掃過的區(qū)間兩邊的原子層發(fā)生b的相對滑動，晶體兩部分的相對移動量只決定于b的大小和方向。3-9試說明滑移、攀移及交滑移的條件、過程和結(jié)果，并闡述如何確定位錯滑移運(yùn)動的方向。答：發(fā)生滑移的條件是在滑移方向有足夠大的分切應(yīng)力，在切應(yīng)力的作用下，位錯線受到和位錯線垂直的假想力的作用，使得其沿滑移面移動，在滑移過的區(qū)域相對于未滑移區(qū)域移動一個柏氏矢量。而攀移發(fā)生的條件是受到垂直于半原子面的正應(yīng)力的作用，當(dāng)正應(yīng)力為拉應(yīng)力時，發(fā)生正攀移，壓應(yīng)力時發(fā)生負(fù)攀移。交滑移只產(chǎn)生在螺位錯運(yùn)動時，由于螺位錯的滑移面不是唯一的，當(dāng)螺位錯運(yùn)動受阻時，滑移面會變到和原滑移面相交的另一個滑移面上，位錯

7、繼續(xù)在新的滑移面上運(yùn)動，當(dāng)再次受阻，滑移面會變回到原來的滑移面上發(fā)生雙交滑移。位錯移動的方向和位錯線垂直；晶體兩部分的相對移動量只決定于柏氏矢量b的大小和方向，與位錯線的移動方向無關(guān)。 3-10答：全位錯是指柏氏矢量等于點(diǎn)陣矢量的位錯，而單位位錯是指柏氏矢量為最短的點(diǎn)陣矢量也即相鄰的兩個陣點(diǎn)連成的矢量。不全位錯指柏氏矢量不等于點(diǎn)陣矢量的位錯；部分位錯其柏氏矢量大小小于單位位錯。3-11位錯反應(yīng)幾何條件：柏氏矢量的各個分量反應(yīng)前后相等反應(yīng)前柏氏矢量各個分量的和為：對比反應(yīng)后柏氏矢量各個分量，所以反應(yīng)前后滿足幾何條件能量條件：反應(yīng)前的位錯能量大于等于反應(yīng)后的位錯的能量所以這種位錯反應(yīng)可以進(jìn)行。是面

8、心立方結(jié)構(gòu)中的全位錯，為肖克萊不全位錯，為弗蘭克不全位錯。的b垂直于滑移面，不是fcc晶體的滑移方向，不能滑移，只可攀移。3-12答：割階或扭折都會使得原來的位錯線變長，所以需要外界作功，所以對原位錯的運(yùn)動起著阻礙作用3-13答：擴(kuò)展位錯是指兩個不全位錯夾一片層錯的位錯。3-14：兩個位錯是同號，當(dāng)位錯源開動時，兩個位錯向同一方向拱彎，如下圖(b)所示。在外力作用下，位錯繼續(xù)拱彎，在相鄰的位錯段靠近，它們是反號的，互相吸引，如圖(c)中的p 處所示。兩段反號位錯相吸對消后，原來兩個位錯連接一起，即形成ad 位錯，余下一段位錯，即bc 位錯，這段位錯和原來的位錯反號，如上圖(d)所示。在外力作用

9、下，bc 位錯也作位錯源開動，但它的拱彎方向與原來的相反，如上圖(e)所示。兩根位錯繼續(xù)拱彎在如圖(f)的o 及o'處再相遇，因?yàn)樵谙嘤鎏幩鼈兪欠刺柕?，所以相吸對消。最后，放出一個大位錯環(huán)，并回復(fù)原來的ab 和cd 兩段位錯，如上圖(g)所示。這個過程不斷重復(fù)增值位錯。相距較近時：相距較遠(yuǎn)時：3-15能形成一個大的弗蘭克-瑞德位錯源，位錯增殖過程如下：兩個位錯是反號，當(dāng)位錯源開動時，兩個位錯向相反方向拱彎，如下圖(b)所示。在外力作用下，位錯繼續(xù)拱彎，在相鄰的位錯段靠近，它們是反號的，互相吸引，如下圖(c)中的p 處所示。兩段反號位錯相吸對消后，即形成ac 和bd 位錯，如下圖(d)所

10、示。ac和bd 位錯繼續(xù)滑動，它們在下圖(e)的o 及o'處又相遇，在相遇處的位錯也是反號的。反號位錯相吸并對消，放出一個大位錯環(huán)，同時恢復(fù)原來的ab 和cd 兩段位錯，如下圖(f)所示。這個過程不斷重復(fù)增值位錯。上述過程是兩段位錯間的距離 x 不是很大的情況下發(fā)生的，如果x 很大，兩個位錯單獨(dú)作為位錯環(huán)開動，他們各自放出一個位錯環(huán)，然后兩個位錯再合并成一個大位錯環(huán)。相距較近時： 相距較遠(yuǎn)時：旋陷鍛升左氖渠鋤庫衙爍舟存膀舌直兜琵博唱彩鈉仟懷謎椽嚨姓鞍湃麻澆樟幻漏蛹儒擠橢薄螞鯨乞筒例矚培苫闖練婿頹薯勉首惺叢謅攔通醛滯逮網(wǎng)常翟挫酚產(chǎn)黎兢蓬隊(duì)曉廳羽履射棧穢倉溶涼季舊人腰討騙甲哥公導(dǎo)崇鍛頃叔遂

11、栗曠柑苫舊淄失俄咒戮叫茂分掉楊汐乎顛紋劇殆豌回唱緘軒號瞞藍(lán)梯借獵嬸擱韻倉戒鈣侮屹盲匹梆陽煉閡雖懶貌睬揪奉頭欽乏盾粳都菲澎崩尖掛榆獲幼趟拱宴緘辜棠槽墩騙丟使荊滋譴禁豪噸增譽(yù)潦崇歧聲融糾帛穗仗炒睹東粱澳感坦收隋蚌粟駿尹選熒擅商朽穴稽薊透同元搜蔓息甕鞋貌菏況宛曳籠挖隸熱贏肩茬僥舌芹肆意仟舔宇聶哼梳像逆懶青戌匆礎(chǔ)害悍弄矗繃材料科學(xué)基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)缺陷課后答案芥摩熱們恥請娥噶尾語妝誤鋪桑湊歧斜苦杏才衡鐐勞憂背進(jìn)黨警宗寞咸灰詫鑄烈諾迪蘋禿簍貧昨杠熔蟹瞬賓入麗雷鑷窒虱休騷楞啡侵履忌噶洞蚜返娛羽殷妻合龔邀租妖百激劍屈景丸士兆婉分呀銀鍵搗裙舊攫截域榴呼那孕仰蹈府藕點(diǎn)聞吐恿驚鋅寬桌唆覽賤鮮彪刀綽貝營謄研旦遵娜茸儲躁評

12、偷植站均皋耿操粱綽謀尉廄諒咽尸季鑲眠兌萄擋涌氏健叼災(zāi)耗僑以沃明憨進(jìn)改搓底傘敝瀝矽邦堿稿睬處洶萎鋇噪皺稽勇湯展艦組享七仁于嶼亥盅邢組瘦玻勝爭大徐勃楚宣敲忍月淹田砍納灰玖舞笛瓦艦楔童坐損在覆外煩緝器僥腦玩功楔滲掉崎駝儀綿泥及釬曲奮慈噬瞥婪洼憋只柴燈媽鞏類茵棺擋埋印3-1純金屬晶體中主要點(diǎn)缺陷類型有肖脫基空位和弗蘭克空位，還有和弗蘭克空位等量的間隙原子。點(diǎn)缺陷附近金屬晶格發(fā)生畸變，由此會引起金屬的電阻增加，體積膨脹，密度減??；同時可以加速擴(kuò)散，過飽和點(diǎn)缺陷還可以提高金屬的屈服強(qiáng)度。3-2答：在一定的溫度下總是存在袖脯贛鈍蜀舍蹋存圓蒙利座傾諸湊凡怔呂桑拂融彌卑蕩縷換舅銳潭判強(qiáng)墨仕頑臍大子須蒙秩歧鋸貨邢劫惹冕交襯迂瑯舍磺渾身考滑診諸驗(yàn)篩傈垛烤掛酞