輔助繞組繞法與FB反饋電阻總結

1、輔助繞組VCC總結一、輔助繞組的繞法對供電的影響1.摘自電源網站的基本總結 圖一 圖二 變壓器按：1/2初級-次級-1/2初級-輔助繞組與1/2初級-次級-輔助繞組-1/2初級，是距離決定還是每圈的圍敝面積決定輔助電源穩(wěn)定一點？ 兩個都決定。距離近了；耦合的好。耦合截面積大了；也會耦合的好類似用大截面積磁芯做變壓器一樣）。第一個圖：aux winding和primary winding耦合好，和secondary winding耦合差，輕載與重載時，Vcc電壓差異會很大。重載時，Vcc會很高，漏感造成的。但aux winding有充當初級繞組和鐵芯之間的磁屏蔽。所以EMI部分會好一些。第二個圖

2、：aux winding和primary winding耦合差，和secondary winding耦合好，輕載與重載時，Vcc電壓差異比較小。此時，若EMI比較差，建議在初次級之間增加屏蔽。2.實測總結和分析理解按照變壓器順繞的原則，輔助繞組由三種繞法，所產生的影響和不同實測如下：（1） 繞制順序從里到外為Np->Ns->NAA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到下一次為VNp（初級繞組兩端電壓）,VBJTce（內置三極管集電極和發(fā)射極）,VNs（次級繞組兩端電壓）,VNA （輔助繞組兩端電壓）。B: VNp在MOS管導通時，VN

3、p就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振蕩是漏感和開關管結電容產生的振蕩，“死區(qū)”里的振蕩是初級電感（勵磁電感）和開關管結電容產生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端的電壓波形，漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小為13.439Vrms.（2） 繞制順序從里到外為Np->NA->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到

4、下一次為VNp（初級繞組兩端電壓）,VBJTce（內置三極管集電極和發(fā)射極）,VNs（次級繞組兩端電壓）,VNA （輔助繞組兩端電壓）。B: VNp在MOS管導通時，VNp就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振蕩是漏感和開關管結電容產生的振蕩，“死區(qū)”里的振蕩是初級電感（勵磁電感）和開關管結電容產生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端的電壓波形，漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小

5、為20.060Vrms.（3） 繞制順序從里到外為NA->Np->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到下一次為VNp（初級繞組兩端電壓）,VBJTce（內置三極管集電極和發(fā)射極）,VNs（次級繞組兩端電壓）,VNA （輔助繞組兩端電壓）。B: VNp在MOS管導通時，VNp就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反，但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk（漏感），尖峰振蕩是漏感和開關管結電容產生的振蕩，“死區(qū)”里的振蕩是初級電感（勵磁電感）和開關管結電容產生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端

6、的電壓波形，漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小為20.0100Vrms.總結：這三種方式耦合的情況是一樣的，但是相鄰的繞組不相同時，耦合的效果也是不一樣的，當輔助繞組靠近初級繞組的時候，輔助繞組的電壓普遍要偏高，為了讓輔助繞組更好地按照次級來耦合應該按照第一種Np->Ns->NA的方法繞制才能確保VCC電壓的可靠性，但是必要時也可以改變繞組順序。3、初級耦合到輔助的電壓和副邊反饋到輔助的電壓相等根據公式VNp/VNA=Np/NA和公式VNp/VNs=Np/Ns

7、,VNs/VNA=Ns/NA無論次級耦合到輔助還是初級耦合到輔助，其電壓大小都是一樣的，但是兩個電壓是不能疊加的，因為作用是同時的，可以理解為類似于兩個電壓并聯(lián)（但是實際是同時耦合，和并聯(lián)不一樣），查看以上E:NA圖。4、VCC交接方式和過程 當母線電壓通過高壓電阻個VCC的電容充電時，VCC電壓慢慢升高到芯片開始工作，開關管開始工作，初級電感開始向次級傳遞能量，同時，同時在開關管截止的時候次級開始向輔助傳遞芯片所需的能量，為VCC電容充電提供工作的能量，因為電流比高壓啟動端來的電流大很多，所以輔助端提供能量在VCC快速充滿，不需要高壓啟動長時間大能量的提供能量來滿足芯片工作的功耗，當然高壓端

8、也會在VCC電容未充滿時為其充電，從而消耗一部分能量，高壓啟動的電阻消耗的能量取決于電阻的大小，電阻越小，在母線電壓一定的情況下，電流越大，所以為VCC電容充電越快，消耗的能量越大，功耗越大，可以想象一下，如果高壓端下來的能量大于輔助端次級耦合過來的電壓產生的電流，那么甚至不需要輔助端提供電流芯片就可以工作，但是此時高壓電阻消耗的功率將非常大，而且電流相對輔助端比較大時候，相比較不能忽略的時候，反饋電阻感知的電壓將不僅僅是次級端過來的電壓，從造成反饋信號不準確，造成反饋錯誤，影響反饋系統(tǒng)，乃至整個電源系統(tǒng)的工作不穩(wěn)定，所以小功率不會切斷高壓啟動的情況下，高壓啟動電阻的選取是要經過參考的，而且輔助繞組升壓和降壓的情況都是不一樣的，3W電源是升壓的，會很明顯出現(xiàn)這個情況，詳細查閱項目筆記5、反饋分壓電阻的大小選擇限制以及阻值大小選取后的現(xiàn)象分析 R5和R6的數(shù)值太小時，輔助繞組過來的本來提供給VCC的能量都會講過R5，R6到地，相當于被短路，造成芯片工作異常，甚至不工作，現(xiàn)象表現(xiàn)為芯片打嗝，反復啟動，因為輔助端過來的電流都被“短路“到地了，此時R5,R6的等效阻抗是要小雨芯片VCC端的輸入等效阻抗的。 而且R5，R6太小的時候，當開關管導通的時候，輔助端是反向電壓，在一段時間內形成一個回路，所以還要考慮電阻承受的功率，374*NA/Np/3（kohm），表現(xiàn)為流過R5