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文檔簡介
1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9第一章半導(dǎo)體器件、填空題1、 本征硅中若摻入5價元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子 ,少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴。2、 在N型半導(dǎo)體中,電子濃度大于空穴濃度,而在P型半導(dǎo)體中,電 子濃度_小于_空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時,空間電荷區(qū)將變 寬 _。4、 雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是飽和區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)。5、 場效應(yīng)管分為兩大類:一類稱為_結(jié)型場效應(yīng)管 另一類稱為_ 絕緣柵場效應(yīng)管。6 PN結(jié)外加反向電壓,即電源的正極接 N區(qū),電源的負(fù)極接P區(qū),這種接法稱 為反向接法或反向偏置。7、 半導(dǎo)體二極管的基本特性是單向?qū)щ娦?/p>
2、,在電路中可以起_整流和檢波等作用。8、 雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為NPN型和 PNP 型兩種,它們的符號分別為和。9、 PN結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動:多數(shù)載流子的 擴(kuò)散運(yùn)動和少數(shù)載流子的 漂移運(yùn)動。10、 硅二極管的死區(qū)電壓約為 一0.5_V,鍺二極管的死區(qū)電壓約為 0.1乂11、 晶體管穿透電流Ice。是反向飽 和電流Icbo的1 + 3倍,在選用晶體管的時候,一般希望Icbo盡量 丿、_。gm12、 場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是一跨導(dǎo) 。13、 PN結(jié)具有單向?qū)щ奯特性。14、雙極型三極管有兩個PN結(jié),分別是 集電結(jié) 和 發(fā)射結(jié)o15、 為了保證三極管工作在放大區(qū),應(yīng)使發(fā)射結(jié)正
3、向_偏置,集電路 反向偏置。16、 場效應(yīng)管是電壓_ _控制型元件,而雙極型三極管是,電流控制型元件。17、 本征硅中若摻入3價元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是空穴 ,少數(shù)載 流子應(yīng)是電子。18、 P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是_電子 _。19、PN結(jié)外加正向電壓,即電源的正極接 P區(qū),電源的負(fù)極接N區(qū),這種接法稱為正向接法 或正向偏置。20、 從雙極型三極管內(nèi)部三個區(qū)引出三個電極,分別是_集電極> 發(fā)射極和基極。21、 雙極型三極管起放大作用的外部條件是:(1)發(fā)射結(jié)外加正向電壓;(2)集電結(jié)外加 _反向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用正離子和等量的負(fù)電子來簡化表示。23、PN結(jié)正向
4、偏置時,空間電荷區(qū)將變窄。24、二極管的兩個電極分別稱為陽極和陰極,二極管的符號是O25、 當(dāng)溫度升高時,三極管的輸入特性曲線會 _左 移,輸出特性曲線會_上 ,而且輸出特性曲線之間的間隔將_大。26、 影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是 溫度。27、 P型半導(dǎo)體可用_負(fù)離子和等量的 _空穴 簡化表示。28、 主要半導(dǎo)體材料是_硅和 鍺 ;兩種載流子是空穴和電子;兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是_P型和 N型。29、二極管外加正向電壓導(dǎo)通,外加_反 向電壓截止。30、當(dāng)溫度升高時,三極管的參數(shù) B會 變大,Icb。會 增加,導(dǎo)通電壓會變小。31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電, 即 多數(shù)載流子和 少數(shù)載流子_
5、導(dǎo)電,而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電,即 多數(shù)載流子 電。32、 N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是一空穴一。33、某晶體管的極限參數(shù)FCm =150mW,I cm - 100mA,U(br)ce。=30V。若它的工作電壓Uce -10V,則工作電流不得超過 _15mA ;若工作電壓Uce -1V ,則工作電流不得超過 _ _100_ mA;若工作電流lC =1mA,則工作電壓不得超 過 _30_ V。34、放大電路中,已知三極管三個電極的對地電位為 Va= 9V,Vb = 6.2V,乂=6V,則該三極管是PNP型三極管,A為 電 ,B為基 ,C為發(fā)射。35、雙極型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用
6、的重要參數(shù)是 _P _o36、 場效應(yīng)管輸出特性的三個區(qū)域分別是 恒流區(qū)、 變電阻、_夾斷區(qū)。37、 純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為 征半導(dǎo)體o38、 場效應(yīng)管與晶體管比較,場效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好,輸入電阻高,晶體管的放大能力強(qiáng)。39、 雙極型三極管內(nèi)部有三個摻雜區(qū)域,分別是 發(fā)射區(qū)、基區(qū)和_集電區(qū)o、選擇題1、從二極管伏安特性曲線可以看出,二極管兩端壓降大于(B )時處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。A. 0B 死區(qū)電壓C.反向擊穿電壓D 正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中( A )的濃度對溫度敏感。A 少子B 多子C 雜質(zhì)離子D 空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置,它的工作狀態(tài)是( B ),若集電結(jié)和發(fā)
7、射結(jié)都反向偏置,它的工作狀態(tài)是(A ),若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置,則它的工作狀態(tài)是(C )。A. 截止B .放大C.飽和D .損毀4、 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為(B )。A .前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有( A 而場效應(yīng)管所導(dǎo)電過程僅僅取決于(A .多子B.少子6當(dāng)NPN型晶體管工作在放大區(qū)時,B. 前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者也正偏)和( B )兩種載流子參與導(dǎo)電A)的流動。C .自由電子D.空穴各極電位關(guān)系為Uc (A ) Ub (A ) UeA.>B.<C.=D.W7、 對二極管正向電阻rZ和反向電阻
8、rF的要求是(C )A. rz、g都大B. rz、*都小C. rz很小,rF很大D. rz大,e小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻rz ( B ),穩(wěn)壓性能愈好。A .愈大B.愈小C.為任意值9、三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時工作于( C )狀態(tài)。A.放大 B.截止C.飽和 D.無法確定10、 結(jié)型場效應(yīng)管放大電路的偏置方式是(A、D )A .自給偏壓電路B.外加偏壓電路C.無須偏置電路D .柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于(A ),而少數(shù)載流子 的濃度與(B )有很大關(guān)系。A.溫度B .摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度 D .晶體管缺陷12、 場效應(yīng)管屬于(B )控制型器件
9、,而晶體管若用簡化 h參數(shù)來分析, 則可認(rèn)為是(C )控制型器件。A.電荷B.電壓C .電流13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流( B )漂移電流,耗盡層(D )A 大于 B 小于 C 等于 D 變寬 E 變窄 F 不變14、當(dāng)溫度升高時,二極管正向特性和反向特性曲線分別( D )A.左移,下移 B .右移,上移 C.左移,上移D .右移,下移15、PN結(jié)加正向電壓時導(dǎo)通,此時空間電荷區(qū)將( A )。A .變窄B.基本不變C.變寬D. 先變窄,后變寬16、在25cC時,某二極管的死區(qū)電壓 Uth0.5V,反向飽和電流lsO.lpA, 則在35cC時,下列哪組數(shù)據(jù)可能正確:(D )。A Uth
10、" 0.575V,ls0.05pAB Uth " 0.575V,Is"0.2pAC Uth" 0.475V,Is"0.05pAD Uth " 0.475V, Is"0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型(NPN或PNP) 與三個電極時,最為方便的測試方法為(B )。A. 測試各極間電阻B. 測試各極間、對地電壓C. 測試各極電流三、判斷題1、三極管在工作頻率大于最咼工作頻率 fM時會損壞。(X )2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。( X )3、與三極管放大電路相比,場效應(yīng)管放大電路具有輸
11、入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。(V )4、P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻入五價磷元素而獲得。(X )5、有人測得晶體管在Ube=0.6V時,Ib=5A,因此認(rèn)為在此工作點(diǎn)上的 證大約26mv=5.2 2。6、通常結(jié)型場效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時,仍有正常的放 大作用。(V )7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時,仍有較大的電流放 大作用。(X )8、 在N型半導(dǎo)體中,摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。(V )9、 P型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。(X )10、 PN結(jié)內(nèi)擴(kuò)散電流是載流子在電場作用下形成的。(X )11、 漂移電流是少數(shù)載流子在
12、電場作用下形成的。(V )12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差,所以當(dāng)把 PN結(jié)兩端短路時,就有電流 流過。(X )13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性,也可以描述PN結(jié)的反向 擊穿特性。(X )14、場效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻( X )15、有人測試晶體管的rbe,方法是通過測得晶體管的U be =0.7, I 20mA,推算出 rbe 二Ube/lB =0.7V/20mA = 35K0( X )四、綜合題1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示,試將表格填寫完整。(10 分)管腳(各電極)電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極(e
13、或b或c)ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料(Si或Ge)SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)(a.飽和;b.放大;c.截止;d.損壞)(共8 分)管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位(V)UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖,試確定二極管D是正偏還是反偏?設(shè)二極管正偏時的正向壓降為 0.7V, 試計(jì)算Ux和Uy的值(共9分)+10VR+10V2RUy3ED Ux1 2R:匚DoUxI! R(a) 答案:(a) D正偏導(dǎo)通(b),10 -0.7I=3R=2RI=10-0.73=6.2VUyU
14、y =6.20.7 =6.9V(b)D僅偏截止I=0Ux=0Uy =10V 4、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管VDZ1、VDZ2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,求Uo為多少?(共 3 分)1K20VVD21KUoO答:U0 =9-6=3V5、( 3分)圖示電路中二極管為理想二極管,請判斷它是否導(dǎo)通,并求出U03V3k+Uo9VD 導(dǎo)通,Uo 一3V&判斷下列電路能否放大電壓信號。(設(shè)圖中所有電容對交流信號視為短路)(9分)都不能放大電壓信號輸入交流短路無直流基極偏壓7、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V,試寫出輸出電壓Uo為多少?(共 8 分)RR1
15、K25V VDZIf SVDZ2(a) Uo=15VUo =0.7V (b)Uo=?6V +3KRVo15V3KRVO12V二二12V 土(a) D 導(dǎo)通 Uo - -6V(b) D 截止 U。二-12VD1D2*VO壬12Vo(c) Di導(dǎo)通D2截止(d) D2先導(dǎo)通Di截止(c) Uo 二 6.7V(d) Uo®8、設(shè)二極管理想化,試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止?并求出Uo=OVU o =-3V第二章放大電路原理、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中,共集_組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng),共基態(tài)頻率響應(yīng)好,_共射態(tài)有倒相作用,_共集 態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的 對數(shù)增
16、益等于其各級對數(shù)增益的_之和<3、BJT放大電路的三種組態(tài)是共射、共集。4、 影響放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要原因是溫度變化。5、 三極管_共集 態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特 點(diǎn)。6放大電路最常用的基本分析方法,就是 圖解法和 微變等效電路法07、 共集電極放大電路又稱為_射極輸出器或射隨器 。8、 多級放大電路常用的耦合方式有三種:即阻容耦合一、_直接耦合、 壓器耦合。9、 放大電路的三種基本組態(tài)中,_共射 態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力, 共集 具有電流放大能力,共基態(tài)只具有電壓放大能力。10、 放大的本質(zhì)首先是實(shí)現(xiàn)_能量的控制;所謂放大作用,其放大的對象是變化量。
17、11、 產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受溫度的影響而發(fā)生波動,導(dǎo)致放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn) 穩(wěn)定。12、 輸出電壓離開零點(diǎn),緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化,這種現(xiàn)象稱為零點(diǎn)漂移二、選擇題1、 關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)(簡稱 Q點(diǎn)),下列說法中不正確的是 (D )。A. Q點(diǎn)過高會產(chǎn)生飽和失真B. Q點(diǎn)過低會產(chǎn)生截止失真C導(dǎo)致Q點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D. Q點(diǎn)可采用微變等效電路法求得2、 雙極型三極管放大電路中,輸入電阻最大的是B電路。A.共發(fā)射極B.共集電極C.共基極D.不能確定3、晶體管放大電路中,高頻特性最好的電路是( D )0A.共射電路 B.共集電路C.共源電路D.共基電路4
18、、有兩個放大倍數(shù)(電路相同,采用同一晶體管)相同,輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B,對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大,在負(fù)載開路的條件下測得A的輸出電壓小,這說明A的(B )oA.輸入電阻大B .輸入電阻小 C .輸出電阻大 D .輸出電阻小5、多極放大電路的增益Au是(B )、輸入電阻R是(A )、輸出電阻Ro是(C )oA.由第一級確定B.由各級共同確定C. 由末級電路確定6某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為 4V,接入3K1的負(fù)載電阻的輸出電壓 降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為(C )A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、 放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是(A
19、)oA.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B .放大倍數(shù)太大C晶體管的噪聲太大D.外界存在干擾源8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者:(本題可多選)(1)要求各級靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響,可選用(A,C )o(2)要求能放大直流信號,可選用(B )o(3) 要求能放大高頻交流信號,可選用 (A,B )。(4) 要求電路的溫漂小,可選用(A,C )。(5) 為了實(shí)現(xiàn)阻抗交換,使信號與負(fù)載間有較好的耦合,應(yīng)采用(C)A.阻容耦合 B直接耦合9、用微變等效電路法分析放大電路( BA.只能分析靜態(tài)工作點(diǎn)B.C. 既可分析靜態(tài),也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是( 大電壓的電路是(C )。A
20、.共基放大電路B .共集放大電路C .變壓器耦合)只能分析動態(tài)參數(shù)B );既能放大電流,又能放C .共射放大電路(1) Rb減小時,輸入電阻Ri _ B11、對于基本共射放大電路,如下圖,試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能 的變化情況,選擇正確答案填入空格(2) Rc增大時,輸出電阻RoA_(3) 信號源內(nèi)阻Rs增大時,輸入電阻R _C_<(4)信號源遠(yuǎn)內(nèi)阻Rs減小時,電壓放大倍數(shù)IU01屮。電壓放大倍數(shù)luil AAu(5)負(fù)載電阻Rl增大時,(6) 負(fù)載電阻Rl減小時,輸出電阻Ro _C_ :(7) 若Rb減小,則靜態(tài)的Ib將 A , Uceq將_B_電壓放大倍數(shù) 釦惴將亠_。(8
21、) 若換一個B值較小的晶體管,則靜態(tài)的Ib將 C 。(9)Rb增大時,U CEQ 將A。(10)Rc增大時,U CEQ 將B。(11)Rs增大時,Uceq 將C。(12)Rl增大時,Uceq 將C。A.增大B.減小C.不變12、由NPN晶體管組成的基本放大電路,如圖:輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真,貝U:(1) 這種失真是 BA.飽和失真 B. 截止失真 C.交越失真 D.頻率失真。(2) 為了消除這種失真,應(yīng) DA.減小集電極電阻Rc B.改換'小的管子 C.增大基極偏置電阻RbD. 減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓VCC13、由PNP晶體管組成的基本放大電路,如圖:(1)
22、 這種失真是 AA.飽和失真B. 截止失真 C交越失真D 頻率失真。(2) 為了消除這種失真,應(yīng)A, B, CA.減小集電極電阻Rc B.改換'小的管子C增大基極偏置電阻RbD.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓VCC o14、如下圖,選擇正確答案填空(1) 要使靜態(tài)工作電流Ic減小,則Rb2應(yīng)_A_o(2) Rb2在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則| Aul _ B, R _A, Ro _Co(3) Re在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則| AJ _C,Ri _C,Ro _Co(4) 從輸出端開路,到接上 Rl ,靜態(tài)工作點(diǎn)將_C_ _,Uo _B_ ,(設(shè) 靜態(tài)工作點(diǎn)偏低)(5) Vcc減小時,直流負(fù)載線
23、斜率 _C_ o(6) Rc減小時,直流負(fù)載線斜率 A 。A. 增大 B. 減小C.不變(7) 若 VCC=10V,嘉=4心,Rb2 =6K1,Re=3.3K,RC=2K1,C、C2 足夠大,設(shè)Ube =0.7V則: Vi=0,管壓降uCE大約是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V) 使管子©由50改為100,則Au|是_A(A.約為原來的2倍B.約為原來的2 C.基本不變D約為原來的4倍) 保持P =50不變,將Re由3.3 K0改為6.6 KC,則|代| _C。丄(A約為原來的2倍 B 約為原來的2C基本不變丄D約為原來的4倍 E約為原來的4)15、兩級放大電路
24、 Au! =-40,Au2=-50,若輸入電壓5=5mV,則輸出電壓u。為CA . -200mVB.-250mV C.10VD.100V三、判斷題1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(能放大的 *不能正常放大的畫X)。tb)2、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示,試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。+3V+ 12V+ 10.3V+ 10V(b)(d)0V-5.3V 丿O /-6V(c)放大截止飽和放大3、判斷三極管的工作狀態(tài)(放大、截止、飽和)。(6分)0.7VC 5V(b) 截止.(a)放大4、判斷圖示電路是否有信號放大作用(用“V”,“X”表示。每圖3分
25、,共12分)1 +VccI 禪Vcc+VccF(a) x(b)+Vcczs(d)(d)xT(0 x+VccL(f)(f) v(設(shè)圖中所有電容對交流信號視為短路)(b)5、判斷下列電路能否放大電壓信號。-o+Vcc(a)(a) V(b)(C)(c)6如下圖,判斷是否正確:(1) R = Rb!Rb2 ( Ge + Re )(X )(2) R = Rb1Rb2rbe+(1+B)Re( x )(3)R =:Rb1 Rb2 /rbe(V )(4)R°=RcR.(X )(5)Ro = Rc( V)(6)Au:_p Rc RLbe + Re(X )(7)*Au:_: Rc RLrbe(X)(8)
26、Au:_ p Rc / Rlrbe(V )7、判斷下列說法是否正確,對的畫 錯誤的畫X(1) 晶體管的輸入電阻rbe是一個動態(tài)電阻,故它與靜態(tài)工作點(diǎn)無關(guān)。(X(2) 在基本共射放大電路中,為得到較高的輸入電阻,在固定不變的條件下,晶體管的電流放大系數(shù)應(yīng)該盡可能大些。(X(3) 在基本共射放大電路中,若晶體管的1增大一倍,則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng) 增大一倍。(V)(4) 對于基極分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路來說,其電壓放大倍數(shù)也隨'的增大成正比的增大。(X )(5) 共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1,故不能用來實(shí)現(xiàn)功率放大。(X )(6) 共射放大電路既能放大電壓,也能放大電流。(話(7) 共集放
27、大電路可放大電壓,但不能放大電流。(X )(8) 共基放大電路只能放大電流,但不能放大電壓。(X)四分析題1、試指出下圖中電路的錯誤,并畫出正確的電路(圖中晶體管類型不允許改變)+Vcc有三個錯誤:(1) :電源極性錯(2) : G.C2極性錯(3) : Rc位置接錯2、分析下圖有何錯誤,應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大,畫出更改后的電路, 要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。有三個錯(1) Rb位置接錯(2) C2位置接錯(3) C3位置接錯3、分析下圖能否對1KHz的正弦電壓進(jìn)行線性放大,如不能指出錯在哪里,并進(jìn) 行改正,要求不增減元件,且電壓放大倍數(shù)絕對值要大于1,Uo無直流成分。答:不
28、能正常放大。錯誤有:(1)Ci位置接錯。(2)C2位置接錯。(3)Ci、C2極性接反。(4)若要 A 1,則不能從射極輸出1 RcRlbe1: Re,且Vo無直流成分4、有兩個放大電路如下圖所示,向各是什么組態(tài)?(共射,共基,共集)若晶 體管都工作在放大區(qū),輸入端均加上正弦小信號電壓,請問圖中所示的輸出波形 是否正確?若有錯誤,應(yīng)如何改正?設(shè)電容都很大。(a)均為共基組態(tài)。U。波形有錯。(a)圖Uo波形應(yīng)與Ui波形相同(b)圖Uo波形應(yīng)無直流分量五、計(jì)算題1、在下圖的放大電路中,設(shè)三極管的1=30, UBEq=0.7V,rbe =1k0,嘉=10kO,Rb2 =5OK0, Re=1.3k0 ,
29、Rc = RL=5k0,Vcc=12V。+VccRb2RcC1UiRb1C2CeReR L Uo(1)試估算靜態(tài)時的Ibq、丨cq、Uceq ;( 5分)(2) 設(shè)電容C、G和Ce均足夠大,試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)Aum ;(5分)(3)估算放大電路的輸入電阻 R和輸出電阻Ro ;( 5分)(4)如果去掉旁路電容Ce,寫出此時放大電路的中頻電壓放大倍數(shù) Aum和輸入電阻R和輸出電阻Ro的表達(dá)式(可不計(jì)算出具體數(shù)值)。(5分)(1)U BQRb1Vcc10*12Rb1Rb210 50 一27I CQ I eqVbQ _UbEQ 2 叱 1mA1.3ReVceq 二Vcc - Icq -I
30、cq(Rc Re) =12-1*(5 1.3)= 5.7V(2)Aum迴些二-305他75Ri - Rb1 / &2 rbe : rbe = 1k,R0 = Rc = 5k1(4)Ce斷開,Re有電流串聯(lián)負(fù)反饋,(Aum下降),R增加,Ro不變;A"RcRl)Au rbe (1)ReRi =Rb1Rb2rbe (1 JReRo = Rc = 5k12、( 20分)圖示電路中,已知 Ubeq=0.7V, B =100,砧=374, Rbi=5 kQ,Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ , Rc=Rl=3 kQ , Vcc=12V。RB2C1十UirB1(1) 估算電路的
31、靜態(tài)工作點(diǎn) UBQ、ICQ、UCEQ(2) 畫出微變等效電路,計(jì)算電壓放大倍數(shù) A、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro (3) 若信號源內(nèi)阻為Rs=1kQ時,求代sdo.Us的數(shù)值。(1)U BQRB1 VCC5 12Rb1Rb25 15U BQ _U BEQ 30.7I cq I eq1 mACQ EQRe2.3Uceq 二Vcc -Icq(RcRe) =12-1 (3 2.3) =6.7V(2)圖略 仁374(1100)=3k'.11-(Rc/Rl)100 (3/3)3-50R =5/15/3S =1.66kQ& = RC 二 3k1(3)RRs R1.661 1.66(-50)
32、= -31.23、如下圖,GC4足夠大,(4 分)II(3) 求 R、Ro、代,設(shè) B =30, rbb=19 4Q (6 分)Ui(4) Ice。、Uces忽略不計(jì),估算最大不失真輸出電壓峰值UOm (4分)(總共20分)解:(1)圖略(2)U BQR2Ri R22020 8020 = 4V , I cqU BQ _ u beq 40.71mAR53.3Uceq 二Vcc -Icq(R3 R4 R5) =20 -1 (1 10 3.3) = 5.7V(3)Ri 二 R / R3 / rbe :be 二bb,(1 J 些二 194 (1 30)竽 1211 EQR0AuUou1(R4Rl) _
33、 30(10/10) _ 150rbe(4)不飽和失真Uom =Uce5.7V不截止失真 Uom = IcQ(R4Rl) =1 (1010)=5V最大不是真輸出電壓峰值 Uom =5V4、如圖所示電路中,已知三極管T為硅管rbb'=337Q,UBEQ=0.7V, (3 =50;Rbi=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,FR_=2KQ ,Vcc=12Vd (共 18 分)試求:(1)靜態(tài)工作點(diǎn)Q (I bqI cqUceQ)?(2)電壓放大倍數(shù)Au=?輸入電阻R = ?輸出電阻Ro = ?解:Rb2 VCC15 12BQ51 15= 2.7VBQ
34、-UBEQ2.7 - 0.7CQEQRe=2mACQBQ=0.04mA50CEQ二Vcc -Icq(RcRe) =12-2 (2 1) =6V(2)Ri=Rb1 Rb2/Rbe:rbe= 1K,1rbe fb,(1)廠=337 (1 50)26 =12Ieq1R0 =Rc =2KaUUirbe15、電路如下圖(a)所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時 Ubeq = 0.7V 利用圖解法分別求出R_ = 和R_= 3kQ時的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓 Uom。(共 15 分)UiI BQ+ Ill h 12 V2 /T1卿BEQ020 p A1 - 0.215 103lb?解:RL:,做
35、直流負(fù)載線Uce°,UCE二 12V=12- ic 36.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。(共.UC分)R)圜解法靜這時點(diǎn)J 鳥(耳Ql、CQRjQ'i2(3/I3)=403V=50)二 0, ic12 4mA3(6分)(2)畫出微變等效電路,估算放大器的動態(tài)參數(shù) A、R、Ro (設(shè)r bb'=340“,- =60)(9 分) +24VRc +Vcc590Kui解:Rb5KTRl5KUo80uA60uA40uA,f20uA廣241i11 1510152025idmA4.83.62.41.20UCE /V(1)作直流負(fù)載線Uce =Vcc -icRcr.iCu0
36、,UceCE - 0, iC= 12V=4.8mA> I b40uA相交 Q點(diǎn),得 Icq =2.4mA,Uceq =12V(2) li 二 Rb rbe : rbe 二 1K,?Au50(5 5)1-125(4 分)(總共12分)% 十(1'-)- "21 EQ7、如下圖,GC3足夠大,(1) 畫出直流通路和微變等效電路(4分)(2) 求靜態(tài)工作點(diǎn)lBQ、UCEQ。( 4分)(3) 求輸入、輸出電阻R、Ro及電壓放大倍數(shù)Au各自的表達(dá)式。(1) 略(2) I BQ (1B) RcI (R1R2 ) Vbeq = VccI BQVcc -Vbeq(1 B)RcR1R2,Vceq二Vcc -(1 B)IbqRc(3) R = R /beR°=R2R3._ 土亠"R2/R/RL)u=-u 1bebe=bb+(1+ : )-2-I EQ2-mvI BQ8 電路如下圖所示,晶體管的100, r bb' =100Q , Ubeq =0.7V 。(共20分)(1)畫直流通路和微變等效電路。(6分)(2)求電路的Q點(diǎn)、Au Ri和Ro;( 9分)(3)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化? (5分)5 12UbQ=E
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