晶體三極管98363PPT課件

1、一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號多子濃度高多子濃度很低，且很薄面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。小功率管中功率管大功率管為什么有孔？第1頁/共12頁二、晶體管的放大原二、晶體管的放大原理理 擴散運動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運動形成基極電流IB，漂移運動形成集電極電流IC。少數(shù)載流子的運動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的擴散第2頁/共12頁第3頁/共12頁 電流分配：電流分配： I IE EI IB BI IC C I IE E擴散運

2、動形成的電流擴散運動形成的電流 I IB B復(fù)合運動形成的電流復(fù)合運動形成的電流 I IC C漂移運動形成的電流漂移運動形成的電流穿透電流集電結(jié)反向電流直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？第4頁/共12頁三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性CE)(BEBUufi 為什么UCE增大曲線右移？ 對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。為什么像PN結(jié)的伏安特性？為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？1. 輸入特性第5頁/共12頁2. 輸出特性是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況

3、下 ?對應(yīng)于一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。 為什么uCE較小時iC隨uCE變化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)BiCi常量CEBCUii第6頁/共12頁晶體管的三個工作區(qū)域晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。狀態(tài)狀態(tài)uBEiCuCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE飽和飽和 UoniB uBE第7頁/共12頁四、溫度對晶體管特性的影響四、溫度對晶體管特性的影響B(tài)EBBBECEO )(uiiuIT不變時，即不變時第

4、8頁/共12頁五、主要參數(shù)五、主要參數(shù) 直流參數(shù)： 、 、ICBO、 ICEOc-e間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率，PCMiCuCE安全工作區(qū) 交流參數(shù)：、fT（使1的信號頻率） 極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEOECII1ECii第9頁/共12頁討論一討論一1. 分別分析uI=0V、5V時T是工作在截止?fàn)顟B(tài)還是導(dǎo)通狀態(tài)；2. 已知T導(dǎo)通時的UBE0.7V，若uI=5V，則在什么范圍內(nèi)T處于放大狀態(tài)?在什么范圍內(nèi)T處于飽和狀態(tài)？ 通過uBE是否大于Uon判斷管子是否導(dǎo)通。A43mA)1007 . 05(bBEIBRUuimA4 . 2mA)512(cCCCmaxRVi56BCmaxii臨界飽和時的第10頁/共12頁討論二討論二由圖示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、。CE