[計算機硬件及網(wǎng)絡]微機原理與接口技術第05章XPppt課件

1、半導體存儲器半導體存儲器及其接口電路及其接口電路第第5章：半導體存儲器章：半導體存儲器教學重點存儲器的分類RAM存儲器及其接口重中之重了解只讀存儲器ROM半導體存儲器概述半導體存儲器概述存儲器是計算機中信息存放的載體，是計算機中的重要組成存儲器是計算機中信息存放的載體，是計算機中的重要組成部分。部分。我們總是希望存儲器容量越大越好，速度越快越好。然而大我們總是希望存儲器容量越大越好，速度越快越好。然而大容量、高速度必然帶來高本錢。因此，必需找到一個適當?shù)娜萘?、高速度必然帶來高本錢。因此，必需找到一個適當?shù)钠胶恻c；平衡點；現(xiàn)代的計算機系統(tǒng)中都是采用多級存儲體系構(gòu)造來做為容量、現(xiàn)代的計算機系統(tǒng)中都

2、是采用多級存儲體系構(gòu)造來做為容量、速度和本錢間的折衷。如以下圖所示。速度和本錢間的折衷。如以下圖所示。本章引見采用半導體存儲器及其組成主存的方法本章引見采用半導體存儲器及其組成主存的方法CPU存放器存放器CACHE主存內(nèi)存主存內(nèi)存輔存外存輔存外存5.1 半導體存儲器的分類半導體存儲器的分類半導體半導體存儲器存儲器只讀存儲器只讀存儲器 ROM隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM雙極性雙極性MOS掩膜式掩膜式ROM一次性可編程一次性可編程ROMPROM 紫外線擦除可編程紫外線擦除可編程ROMEPROM電擦除可編程電擦除可編程ROMEEPROMFLASH ROMNor 和和NAND ROM5.1 半導

3、體存儲器的分類半導體存儲器的分類1. RAM按制造工藝可分為按制造工藝可分為雙極型：速度快、集成度低、功耗大，普通用在高雙極型：速度快、集成度低、功耗大，普通用在高檔微機中或用做檔微機中或用做CacheMOS型：速度慢、集成度高、功耗低。微機的主存型：速度慢、集成度高、功耗低。微機的主存儲器普通為它。根據(jù)能否有刷新電路又可分為：儲器普通為它。根據(jù)能否有刷新電路又可分為：靜態(tài)靜態(tài)RAM：以六管構(gòu)成的觸發(fā)器作為根本存儲電路，：以六管構(gòu)成的觸發(fā)器作為根本存儲電路，存儲的信息相對穩(wěn)定，無需刷新電路；速度比存儲的信息相對穩(wěn)定，無需刷新電路；速度比DRAM快但集成度不如快但集成度不如DRAM，功耗也較，功

4、耗也較DRM為為大。大。動態(tài)動態(tài)RAM：以單管線路構(gòu)成其根本的存儲電路，因：以單管線路構(gòu)成其根本的存儲電路，因此集成度高，本錢也相對廉價。但其中的信息易此集成度高，本錢也相對廉價。但其中的信息易消逝，故需求專門的硬件刷新電路。消逝，故需求專門的硬件刷新電路。讀寫存儲器讀寫存儲器RAM小結(jié)小結(jié)組成單元組成單元速度速度 集成度集成度 刷新刷新應用應用雙極性雙極性RAM晶體管觸發(fā)晶體管觸發(fā)器器最快最快低低不要不要CACHESRAM六管觸發(fā)器六管觸發(fā)器快快低低不要不要小容量系統(tǒng)小容量系統(tǒng)DRAM極間電容極間電容慢慢高高要要大容量系統(tǒng)大容量系統(tǒng)2. 只讀存儲器只讀存儲器ROM掩膜掩膜ROM：信息制造在芯

5、片中，不可更改：信息制造在芯片中，不可更改PROM：允許一次編程，以后不可更改：允許一次編程，以后不可更改EPROM：用紫外光擦除，擦除后可編程；并允許用：用紫外光擦除，擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程戶多次擦除和編程EEPROME2PROM：采用加電方法在線進展擦：采用加電方法在線進展擦除和編程，也可多次擦寫除和編程，也可多次擦寫Flash Memory閃存：可以快速擦寫的閃存：可以快速擦寫的EEPROM，但只能按塊的方式但只能按塊的方式Block擦除擦除圖示圖示圖示圖示圖示圖示圖示圖示5. 2 RAM的構(gòu)造的構(gòu)造 一個根本的存儲電路中只能存放二進制中的一個根本的存儲電路中只能存放二進

6、制中的一個位。假設要構(gòu)成大容量的記憶體，就必一個位。假設要構(gòu)成大容量的記憶體，就必需將大量的存儲電路有規(guī)那么地組織起來，需將大量的存儲電路有規(guī)那么地組織起來，這樣就構(gòu)成了存儲體。這樣就構(gòu)成了存儲體。 在存儲體中，為了區(qū)別不同的存儲單元，經(jīng)在存儲體中，為了區(qū)別不同的存儲單元，經(jīng)過給每個單元一個獨一的編號過給每個單元一個獨一的編號地址來選地址來選擇不同的存儲單元。擇不同的存儲單元。圖示圖示5. 2 RAM的構(gòu)造表示圖的構(gòu)造表示圖地地址址寄寄存存地地址址譯譯碼碼存儲體存儲體控制電路控制電路AB數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)寄寄存存讀讀寫寫電電路路DBOE WE CS片選端片選端CS*：有效時，可以：有效時，可以對該芯片進

7、展讀寫操作對該芯片進展讀寫操作寫寫WE*Write Enable:控制寫操控制寫操作。有效時，數(shù)據(jù)進入芯片中作。有效時，數(shù)據(jù)進入芯片中相當于系統(tǒng)的相當于系統(tǒng)的WR*。輸出輸出OE*Output Enable控制讀操作。有效時，芯片內(nèi)控制讀操作。有效時，芯片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出。相當于數(shù)據(jù)輸出。相當于RD*。典型的典型的RAM銜接表示圖銜接表示圖每個存儲單元具有一個獨一的地每個存儲單元具有一個獨一的地址，可存儲址，可存儲1個或多個二進制數(shù)個或多個二進制數(shù)據(jù)位據(jù)位 1 32 1 2 31 32 讀 /寫 選片 輸入 A5 A6 A7 A8 A9 1 2 32 1 2 31 32 32 32 1024 存儲單

8、元譯碼器 地址反相器 A0A1A2A3A4 驅(qū)動器 I/O 電路 Y 譯碼器 地址反相器 控制 電路 輸出驅(qū)動在大容量的存儲體中，在大容量的存儲體中，通常將存儲單元組織成通常將存儲單元組織成矩陣的方式。這樣做可矩陣的方式。這樣做可以節(jié)省譯碼和驅(qū)動電路以節(jié)省譯碼和驅(qū)動電路 存儲體存儲體 每個存儲單元具有一個獨一的地址，可每個存儲單元具有一個獨一的地址，可存儲存儲1位位片構(gòu)造或多位字片構(gòu)位位片構(gòu)造或多位字片構(gòu)造二進制數(shù)據(jù)造二進制數(shù)據(jù) 存儲容量與地址、數(shù)據(jù)線個數(shù)有關：存儲容量與地址、數(shù)據(jù)線個數(shù)有關： 芯片的存儲容量芯片的存儲容量2MN 存儲單元數(shù)存儲單元數(shù)存儲單元的位數(shù)存儲單元的位數(shù) M：芯片的地址

9、線根數(shù)：芯片的地址線根數(shù) N：芯片的數(shù)據(jù)線根數(shù)：芯片的數(shù)據(jù)線根數(shù) 地址譯碼方式地址譯碼方式譯譯碼碼器器A5A4A3A2A1A06301存儲單元存儲單元64個單元個單元行行譯譯碼碼A2A1A0710列譯碼列譯碼A3A4A501764個單元個單元單譯碼雙譯碼對存儲體的譯碼有兩種方式：對存儲體的譯碼有兩種方式：單譯碼構(gòu)造：字線選擇一切單元；單譯碼構(gòu)造：字線選擇一切單元；雙譯碼構(gòu)造：經(jīng)過行列地址線來選擇存儲單元雙譯碼構(gòu)造：經(jīng)過行列地址線來選擇存儲單元雙譯碼可以減少選擇線的數(shù)目，從而簡化芯片設計雙譯碼可以減少選擇線的數(shù)目，從而簡化芯片設計是主要采用的譯碼構(gòu)造是主要采用的譯碼構(gòu)造地址譯碼方式表示圖續(xù)地址譯

10、碼方式表示圖續(xù)在上圖中，存儲單元的大小可以是一位，也可以是多位。假在上圖中，存儲單元的大小可以是一位，也可以是多位。假設是多位，那么在詳細運用時應將多位并起來。設是多位，那么在詳細運用時應將多位并起來。單譯碼：單譯碼：16個個4位的存儲單元位的存儲單元雙譯碼：雙譯碼：1024個存儲單元個存儲單元 一個實踐的例子一個實踐的例子-Intel 2114 Intel 2114是一個是一個1K4位的位的SRAM。其外部。其外部引腳圖如以下圖所示。引腳圖如以下圖所示。 存儲容量為存儲容量為10244位位 18個引腳：個引腳： 10根地址線根地址線A9A0 4根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線I/O4I/O1：相當于相當于D

11、0D3 片選片選CS* 讀寫讀寫WE*：當其為低電：當其為低電平常，寫入數(shù)據(jù)；為高平常，寫入數(shù)據(jù)；為高電平常，讀出數(shù)據(jù)；電平常，讀出數(shù)據(jù)；123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WE*A6A5A4A3A0A1A2CS*GNDSRAM2114與與CPU的銜接的銜接存儲容量為10244，即其有1024個單元，每個單元4位；因此，選中這1024個單元需求10根地址線A0A9。練習：練習：知以下知以下SRAM芯片，請說出該芯片的必要芯片，請說出該芯片的必要的信號引腳：的信號引腳：. Intel4118，容量：，容量：1K x 8。. In

12、tel6264，容量：，容量：8K x 86.2.3 RAM與與CPU的銜接的銜接 在將在將RAM與與CPU銜接時，主要銜接以下三銜接時，主要銜接以下三個部分的信號線：個部分的信號線： 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線 地址線地址線 讀寫控制線讀寫控制線6.2.3 RAM與與CPU的銜接續(xù)的銜接續(xù)1 存儲芯片與存儲芯片與CPU總線的銜接，還要思索以總線的銜接，還要思索以下方面的問題：下方面的問題： CPU的總線負載才干的總線負載才干 CPU的總線驅(qū)動才干有限，因此應思索的總線驅(qū)動才干有限，因此應思索CPU能否帶動總線上包括存儲器在內(nèi)的銜能否帶動總線上包括存儲器在內(nèi)的銜接器件。必要時就要加上緩沖器。接器件。必要時就

13、要加上緩沖器。 存儲芯片與存儲芯片與CPU總線時序的配合總線時序的配合 CPU能否與存儲器的存取速度相配合。假能否與存儲器的存取速度相配合。假設不能滿足，可以思索改換芯片，或在總設不能滿足，可以思索改換芯片，或在總線周期中插入等待形狀線周期中插入等待形狀TW 存儲器的地址分配和選片存儲器的地址分配和選片1. 存儲芯片容量的擴展存儲芯片容量的擴展 當進展存儲器組織時，所給芯片的容量往往與當進展存儲器組織時，所給芯片的容量往往與需求不同，如數(shù)據(jù)的位數(shù)不夠，或總的容量缺需求不同，如數(shù)據(jù)的位數(shù)不夠，或總的容量缺乏，此時就必需進展容量擴展。乏，此時就必需進展容量擴展。 假設芯片的數(shù)據(jù)線缺乏假設芯片的數(shù)據(jù)

14、線缺乏8根：根： 一次不能從一個芯片中訪問到一次不能從一個芯片中訪問到8位數(shù)據(jù)，此時應位數(shù)據(jù)，此時應利用多個芯片擴展數(shù)據(jù)位；利用多個芯片擴展數(shù)據(jù)位； 這個擴展方式簡稱這個擴展方式簡稱“位擴展位擴展 而假設總的容量缺乏而假設總的容量缺乏 那么需利用多個存儲芯片擴展容量，用存儲芯那么需利用多個存儲芯片擴展容量，用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片組進展尋址；片的片選端對多個存儲芯片組進展尋址； 這種擴展簡稱為這種擴展簡稱為“地址擴展或地址擴展或“字擴展字擴展演示演示2. 1KB RAM的銜接的銜接 RAM芯片有芯片有1位、位、4位、位、8位等不同的構(gòu)造。位等不同的構(gòu)造。在構(gòu)成在構(gòu)成1KB RAM時，可

15、以選擇不同的芯時，可以選擇不同的芯片，因此就有不同的銜接。片，因此就有不同的銜接。 采用采用1K1位的位的RAM位擴展位擴展2. 1KB RAM的銜接的銜接 采用采用2564位的位的RAM既有字擴既有字擴展，也有展，也有位擴展位擴展兩種銜接方式的比較：兩種銜接方式的比較：這兩種銜接方式雖然都可以構(gòu)成這兩種銜接方式雖然都可以構(gòu)成1KB RAM，但兩者有以下，但兩者有以下區(qū)別：區(qū)別：從銜接的負載來看：從銜接的負載來看：前一種銜接每條地址線有前一種銜接每條地址線有8個負載個負載8片片RAM，而每根數(shù)，而每根數(shù)據(jù)線只銜接一個負載；據(jù)線只銜接一個負載；后一種銜接后一種銜接A0A7每根地址線也是銜接每根地

16、址線也是銜接8個負載，而每根數(shù)個負載，而每根數(shù)據(jù)線銜接據(jù)線銜接4個負載；個負載；因此，從負載的角度來說，前一種比后一種好。因此，從負載的角度來說，前一種比后一種好。從芯片的封裝來看：從芯片的封裝來看：普通而言，芯片封裝的引腳越多，那么合格率越低；普通而言，芯片封裝的引腳越多，那么合格率越低；前一種每個芯片的地址數(shù)據(jù)線有前一種每個芯片的地址數(shù)據(jù)線有11根，而后一個有根，而后一個有12根；根；因此，從芯片的封裝角度來說，也是前一種比后一種好；因此，從芯片的封裝角度來說，也是前一種比后一種好；所以，現(xiàn)代的所以，現(xiàn)代的RAM根本上都是按位封裝的。根本上都是按位封裝的。2. 1KB RAM的銜接的銜接思

17、索：思索：假設采用假設采用Intel 2114，那么如何構(gòu)成，那么如何構(gòu)成1KB RAM？假設所用的芯片的容量為假設所用的芯片的容量為1288位，那么又位，那么又如何構(gòu)成如何構(gòu)成1KB RAM？圖示圖示3. 2KB RAM的銜接的銜接 采用Intel 2114，構(gòu)成2KB RAM的銜接構(gòu)造圖如下所示：6310 A9A9A0A0 CSCS OE OE 21142114 WEWE D3D3D0D0 A9A9A0A0 CSCS OE OE 21142114 WEWE D3D3D0D0 A9A9A0A0 CSCS OE OE 21142114 WEWE D3D3D0D0 A9A9A0A0 CSCS O

18、E OE 21142114 WEWE D3D3D0D0 A10A15A10A15 A9A9A0A0 D7D7D0D0 WEWE RDRD 6：64譯碼器譯碼器 D3D0D7D4D3D0D7D43. 存儲芯片地址線的銜接存儲芯片地址線的銜接 芯片的地址線通常應全部與系統(tǒng)的低位地址總線芯片的地址線通常應全部與系統(tǒng)的低位地址總線相連相連 尋址時，這部分地址的譯碼是在存儲芯片內(nèi)完成尋址時，這部分地址的譯碼是在存儲芯片內(nèi)完成的，我們稱為的，我們稱為“片內(nèi)譯碼，如片內(nèi)譯碼，如2114的的1K片內(nèi)地址片內(nèi)地址000H001H002H3FDH3FEH3FFH全0全10000000100101101111011

19、11范圍16進制A9A03. 存儲芯片片選端的譯碼存儲芯片片選端的譯碼 而假設存儲系統(tǒng)利用多個存儲芯片擴展容量，也而假設存儲系統(tǒng)利用多個存儲芯片擴展容量，也就是進展就是進展“字擴展時，它擴展了存儲器地址范圍，字擴展時，它擴展了存儲器地址范圍，此時需求利用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片此時需求利用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片組進展尋址；組進展尋址； 這個尋址方法，主要經(jīng)過將存儲芯片的片選端與這個尋址方法，主要經(jīng)過將存儲芯片的片選端與系統(tǒng)的高位地址線相關聯(lián)來實現(xiàn)，如以下圖所示：系統(tǒng)的高位地址線相關聯(lián)來實現(xiàn)，如以下圖所示：片選端片選端D7D0A19A10A9A010248A9A0 D7D0CE10

20、248A9A0 D7D0CE譯碼器000000000100000000003. 存儲芯片片選端的譯碼存儲芯片片選端的譯碼系統(tǒng)的高位地址線與存儲芯片的片選端相系統(tǒng)的高位地址線與存儲芯片的片選端相連時，有以下幾種譯碼方式：連時，有以下幾種譯碼方式：全譯碼全譯碼部分譯碼部分譯碼線性譯碼線性譯碼1 全譯碼全譯碼一切的系統(tǒng)地址線均參與對存儲單元的一切的系統(tǒng)地址線均參與對存儲單元的譯碼尋址譯碼尋址包括低位地址線對芯片內(nèi)各存儲單元的包括低位地址線對芯片內(nèi)各存儲單元的譯碼尋址片內(nèi)譯碼，高位地址線對譯碼尋址片內(nèi)譯碼，高位地址線對存儲芯片的譯碼尋址片選譯碼存儲芯片的譯碼尋址片選譯碼采用全譯碼，每個存儲單元的地址都

21、是采用全譯碼，每個存儲單元的地址都是獨一的，不存在地址反復，但譯碼電路獨一的，不存在地址反復，但譯碼電路能夠比較復雜、連線也較多能夠比較復雜、連線也較多試確試確定存定存儲空儲空間范間范圍？圍？利用譯碼利用譯碼器組成的器組成的譯碼電路譯碼電路構(gòu)成片選，構(gòu)成片選，推算地址推算地址空間？空間？全譯碼例如全譯碼例如A15 A14A13A16CBAE3LS 2764A19A18A17A12A0CEY6E2E1IO/M1C000H1DFFFH全0全10 0 0 1 1 1 00 0 0 1 1 1 0地址范圍A12A0A19A18A17A16A15A14 A132 部分譯碼部分譯碼只需部分高位地址線參與對

22、存儲只需部分高位地址線參與對存儲芯片的譯碼芯片的譯碼每個存儲單元將對應多個地址地址每個存儲單元將對應多個地址地址反復，需求選取一個可用地址反復，需求選取一個可用地址可簡化譯碼電路的設計可簡化譯碼電路的設計但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費部分譯碼例如部分譯碼例如A17 A16A11A0A14 A13A12(4)(3)(2)(1)2732273227322732CBAE3E2E1IO/MCECECECEY0Y1Y2Y3A19 A15A14 A12A11A0可用地址可用地址123410101010000001010011全全0全全1全全0全全1全全0全全1全全0全全12000

23、0H20FFFH21000H21FFFH22000H22FFFH23000H23FFFH3 線選譯碼線選譯碼只用少數(shù)幾根高位地址線進展芯片的只用少數(shù)幾根高位地址線進展芯片的譯碼，且每根擔任選中一個芯片組譯碼，且每根擔任選中一個芯片組雖構(gòu)成簡單，但地址空間嚴重浪費雖構(gòu)成簡單，但地址空間嚴重浪費必然會出現(xiàn)地址反復必然會出現(xiàn)地址反復一個存儲地址會對應多個存儲單元一個存儲地址會對應多個存儲單元多個存儲單元共用的存儲地址不應運多個存儲單元共用的存儲地址不應運用用線選譯碼例如線選譯碼例如A14A12A0A13(1)2764(2)2764 CECEA19A19A15A15A14 A13A12A0一個可用地址

24、一個可用地址121 00 1全全0全全1全全0全全104000H05FFFH02000H03FFFH切記： A14 A1300的情況不能出現(xiàn)00000H01FFFH的地址不可運用地址反復地址反復 一個存儲單元具有多個存儲地址的景象一個存儲單元具有多個存儲地址的景象 緣由：有些高位地址線沒有用、可恣意緣由：有些高位地址線沒有用、可恣意 運用地址：出現(xiàn)地址反復時，常選取其運用地址：出現(xiàn)地址反復時，常選取其中既好用、又不沖突的一個中既好用、又不沖突的一個“可用地址可用地址 選取的原那么：先思索片內(nèi)，再思索選取的原那么：先思索片內(nèi)，再思索“選選片片片選端譯碼小結(jié)片選端譯碼小結(jié)存儲芯片的片選控制端可以被

25、看作是一存儲芯片的片選控制端可以被看作是一根最高位地址線根最高位地址線在系統(tǒng)中，主要與地址發(fā)生聯(lián)絡：包括在系統(tǒng)中，主要與地址發(fā)生聯(lián)絡：包括地址空間的選擇接系統(tǒng)的地址空間的選擇接系統(tǒng)的IO/M*信號信號和高位地址的譯碼選擇與系統(tǒng)的高位和高位地址的譯碼選擇與系統(tǒng)的高位地址線相關聯(lián)地址線相關聯(lián)對一些存儲芯片經(jīng)過片選無效可封鎖內(nèi)對一些存儲芯片經(jīng)過片選無效可封鎖內(nèi)部的輸出驅(qū)動機制，起到降低功耗的作部的輸出驅(qū)動機制，起到降低功耗的作用用5.3 幾種新型的幾種新型的RAMEDO RAM：擴展數(shù)據(jù)輸出：擴展數(shù)據(jù)輸出與普通的與普通的DRAM的區(qū)別：其數(shù)據(jù)輸出時間相對延的區(qū)別：其數(shù)據(jù)輸出時間相對延伸了。這樣，在給

26、出下一個列地址以及對其譯碼伸了。這樣，在給出下一個列地址以及對其譯碼的同時，外部讀取設備仍可經(jīng)過鎖存器采樣數(shù)據(jù)；的同時，外部讀取設備仍可經(jīng)過鎖存器采樣數(shù)據(jù)；同步同步DRAMSynchronous DRAM，簡稱，簡稱SDRAM： 與系統(tǒng)時鐘同步，可取消等待周期，減少數(shù)據(jù)存與系統(tǒng)時鐘同步，可取消等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間儲時間在每一個時鐘的上升沿讀寫，在同一時鐘周期內(nèi)在每一個時鐘的上升沿讀寫，在同一時鐘周期內(nèi)可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新采用突發(fā)方式，一次讀寫可傳輸一整塊數(shù)據(jù)采用突發(fā)方式，一次讀寫可傳輸一整塊數(shù)據(jù) 5.3 幾種新型的幾種新型的RAM Rambus DRAM：突發(fā)存取

27、的高速動態(tài)：突發(fā)存取的高速動態(tài)存儲器存儲器Intel曾經(jīng)主推的一種內(nèi)存類型，但曾經(jīng)失曾經(jīng)主推的一種內(nèi)存類型，但曾經(jīng)失敗敗在設計上有革命性飛躍：基于更小內(nèi)存帶在設計上有革命性飛躍：基于更小內(nèi)存帶寬可得到更高速度的理由，采用高速寬可得到更高速度的理由，采用高速16位位總線，其速度可高達總線，其速度可高達400MHz可在時鐘的上升、下降沿同時讀寫，故實可在時鐘的上升、下降沿同時讀寫，故實際上際上400MHz的總線速度相當于的總線速度相當于800MHz任務速率，其帶寬為：任務速率，其帶寬為：2400MHz2=1600MBps或或1.6 GBps5.3 幾種新型的幾種新型的RAM DDR SDRAM：雙

28、數(shù)據(jù)率：雙數(shù)據(jù)率 在每個時鐘的上升、下降沿時均可讀寫，在每個時鐘的上升、下降沿時均可讀寫，故速度是普通故速度是普通SDRAM的雙倍的雙倍 數(shù)據(jù)帶寬：每秒傳輸?shù)淖畲髷?shù)據(jù)量。如數(shù)據(jù)帶寬：每秒傳輸?shù)淖畲髷?shù)據(jù)量。如DDR 400，其系統(tǒng)總線頻率為，其系統(tǒng)總線頻率為200MHz，那，那么帶寬為：么帶寬為：8字節(jié)字節(jié)200MHz2=3200MBps5.4 只讀存儲器只讀存儲器-1 掩膜式只讀存儲器掩膜式只讀存儲器 MROM的內(nèi)容是由消費廠家按用戶要求在芯片的消費過程中寫入的，寫入后不能修正。掩膜掩膜ROM的內(nèi)容的內(nèi)容VDD 字線字線0 字線字線1 字線字線2 字線字線3 位線位線0 0 位線位線1 1 位

29、線位線2 2 位線位線3 3 A0 A1 字字線線 地地 址址 譯譯 碼碼 器器 復合譯碼構(gòu)造電路復合譯碼構(gòu)造電路 1 2 32 I/O A5 A6 A7 A8 A9 1 2 32 A0 A1 A2 A3 A4 X地址譯碼器 Y 地址譯碼器 2 EPROM可擦除可編程可擦除可編程ROM頂部開有一個圓形的石英窗口，用于紫外線透頂部開有一個圓形的石英窗口，用于紫外線透過擦除原有信息過擦除原有信息普通運用專門的編程器燒寫器進展編程，普通運用專門的編程器燒寫器進展編程，編程后，應該貼上不透光封條編程后，應該貼上不透光封條出廠未編程前，每個根本存儲單元都是信息出廠未編程前，每個根本存儲單元都是信息1，編

30、程就是將某些單元寫入信息編程就是將某些單元寫入信息0EPROM芯片芯片2716 存儲容量為存儲容量為2K8 24個引腳：個引腳： 11根地址線根地址線A10A0 8根數(shù)據(jù)線根數(shù)據(jù)線DO7DO0 片選片選/編程編程CE*/PGM 讀寫讀寫OE* 編程電壓編程電壓VPPVDDA8A9VPPOE*A10CE*/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2Vss3 EEPROM電可擦除可編程電可擦除可編程ROM用加電方法，進展在線無需拔下，直接用加電方法，進展在線無需拔下，直接在電路中擦寫擦除和編程一次完成在電路中擦寫擦除和編程一次完成有字節(jié)擦寫、塊擦寫和