半導(dǎo)體發(fā)光二極管標(biāo)準(zhǔn)

1、半導(dǎo)體發(fā)光二極管1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了冰箱事業(yè)部半導(dǎo)體發(fā)光二極管的設(shè)計選用要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和包裝、貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于冰箱事業(yè)部控制器、照明指示燈等所選用的半導(dǎo)體發(fā)光二極管。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修改版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 191 包裝儲運圖示標(biāo)志GB/T 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ca:恒定濕熱試驗方法(idt IEC 68-2

2、-3:1984)GB/T 4937-1995 半導(dǎo)體分立器件機械和氣候試驗方法(idt IEC 749:1995)GB/T 4938-1985 半導(dǎo)體分立器件接收和可靠性GB/T 17626.2-1998 電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(idt IEC 61000-4-2:1995)QMB-J10.010 關(guān)于規(guī)范RoHS標(biāo)識的操作指引QMB-J10.011 逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表3 半導(dǎo)體發(fā)光二極管分類3.1 按顏色分類a) 紅色發(fā)光二極管（lD ：620-660nm）b) 橙色發(fā)光二極管（lD ：600-620nm）c) 黃色發(fā)光二極管（lD ：580-600nm）d)

3、 綠色發(fā)光二極管（lD ：500-577nm）e) 蘭色發(fā)光二極管（lD ：430-480nm）f) 紫色發(fā)光二極管（lP ：380-410nm）g) 白色發(fā)光二極管（TC：3000-25000K）3.2 按芯片材料分類a) InGaAlP/GaAsb) GaN/ Al2O3或SiC襯底c) InGaN/ Al2O3或SiC襯底4 要求4.1 靜電防護工藝要求因產(chǎn)品易受靜電破壞，生產(chǎn)及運輸過程中應(yīng)做好靜電防護工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC襯底系列靜電等級要求控制在500V以下， GaN基/藍(lán)寶石襯底系列靜電等級要求控制在100V以下。4.2 封裝形式及外觀要求4.2.1

4、 封裝形式采用環(huán)氧樹脂全包封的封裝形式。4.2.2 外觀要求目測環(huán)氧表面無明顯發(fā)花、劃傷，出光面無明顯氣泡、黑點，無多缺料，無明顯偏支架，外引線平整，無明顯銹蝕、變色及鍍層脫落現(xiàn)象。4.3 極限值（絕對最大額定值）極限值（絕對最大額定值）見表1。表1 極限值參 數(shù)符號條件額定值單位正向電流IFMTamb=（25±5）15amA 20b25c30d正向脈沖電流eIFPTamb=（25±5）100mA反向電壓VR5V貯存溫度TStg-40+100工作溫度Tamb-25+85耗散功率PMTamb=（25±5）75mW焊接溫度Tsd10s260 抗靜電電壓InGaAlPE

5、SDC=150PF，R=330±500VGaN基/Al2O3±100GaN基/SiC±1000GaN基加齊納±5000a： IF=15mA： GaN/InGaN芯片12×12mil以下的發(fā)光二極管。b：IF=20mA： InGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的發(fā)光二極管（白色除外）;c：IF=25mA： GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的白色發(fā)光二極管；d：IF=30mA： InGaAlP芯片9×9mil

6、至12×12mil的發(fā)光二極管；e：脈沖寬度0.1ms，占空比1/10。注：除非另有規(guī)定，下表的值在整個工作溫度范圍內(nèi)適用。4.4 光電特性4.4.1 InGaAlP系列紅色發(fā)光二極管光電參數(shù)InGaAlP系列紅色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表2的規(guī)定。 表2 InGaAlP系列紅色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFR8B3×C/T×15005000mcdJS

7、,LX,CPHFR863×××1001000HFR883×××1001000HFR803×××C/T×-××500-5000HFR803×××M×-××100-5000F5HFR8B5×C/T×400020000HFR865×××1001000HFR8E5×××××2003500HFR885××&#

8、215;1001000HFR805×××C/T×-××150-15000HFR805×××M×-××100-15000F8HFR808×C/T×1000-25000HFR808×M×10020000F10HFR8010×C/T×1000-30000HFR8010×M×100-30000HFR8B10×C/T×1500-50000 HFR84×××C

9、/T×1001000 HFR8F××C/T5004000 HVR84××C/T100-1500峰值發(fā)射波長lDIF=20mA620-660nmJS,LX,CP光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFR8B3×C/T×515度CHFR863×××100HFR883×××120HFR803×××C/T×-××10-120HFR803×××M

10、×-××10-180F5HFR8B5×C/T×5-15HFR865×××100HFR8E5×××××15/50-40/110HFR885×××-120-HFR805×××C/T×-××10-120HFR805×××M×-××10-180F8HFR808×C/T×10-120HFR808×M

11、×10-180F10HFR8010×C/T×10-120HFR8010×M×10-180HFR8B10×C/T×5-15 HFR84×××C/T×120 HFR8F××C/T3080 HVR84××C/T-120-注：LX例行試驗最后測試參數(shù)；JS交收檢驗測試參數(shù)；CP成品測試參數(shù)；C參考參數(shù)。以下同。4.4.2 InGaAlP系列黃色發(fā)光二極管光電參數(shù)InGaAlP系列黃色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表的規(guī)定。 表 InGaAlP系列黃色發(fā)光二極管

12、光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFY8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFY863×××1001000HFY883×××1001000HFY803×××C/T×-××500-5000HFY803×××M×

13、-××100-5000F5HFY8B5×C/T×400020000HFY865×××1001000HFY8E5×××××2003500HFY885×××1001000HFY805×××C/T×-××150-15000HFY805×××M×-××100-15000F8HFY808×C/T×1000-25000H

14、FY808×M×10020000F10HFY8010×C/T×1000-30000HFY8010×M×10030000HFY8B10×C/T×1500-50000 HFY84×××C/T100-1000 HFY8F××C/T5004000 HVY84××C/T100-1500峰值發(fā)射波長lDIF=20mA580600nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-15-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFY8B3×C/T×5-1

15、5度CHFY863×××100HFY883×××120HFY803×××C/T×-××10120HFY803×××M×-××10180F5HFY8B5×C/T×515HFY865×××100HFY8E5×××××15/5040/110HFY885×××120HFY805×

16、5;×C/T×-××10120HFY805×××M×-××10180F8HFY808×C/T×10120HFY808×M×10180F10HFY8010×C/T×10120HFY8010×M×10120HFY8B10×C/T×515 HFY84×××C/T120 HFY8F××C/T3080 HVY84××C/T-120-4.4

17、.3 InGaAlP系列橙色發(fā)光二極管光電參數(shù)InGaAlP系列橙色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表的規(guī)定。 表 InGaAlP系列橙色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFO8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFO863×××1001000HFO883×××1001000HFO803×

18、15;×C/T×-××500-5000HFO803×××M×-××100-5000F5HFO8B5×C/T×400020000mcdJS,LX,CPHFO865×××1001000HFO8E5×××××2003500HFO885×××1001000HFO805×××C/T×-××150-15000HFO805

19、×××M×-××100-15000F8HFO808×C/T×1000-25000HFO808×M×10020000F10HFO8010×C/T×1000-30000HFO8010×M×10030000HFO8B10×C/T×1500-50000 HFO84×××C/T100-1000 HFO8F××C/T5004000 HVO84××C/T100-1500峰值發(fā)射波長

20、lDIF=20mA600620nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFO8B3×C/T×5-15度CHFO863×××100HFO883×××120HFO803×××C/T×-××10120HFO803×××M×-××10180F5HFO8B5×C/T×515HFO865×××100HFO8E5

21、15;××××15/5040/110HFO885×××120HFO805×××C/T×-××10120HFO805×××M×-××10180F8HFO808×C/T×10120HFO808×M×10180F10HFO8010×C/T×10120HFO8010×M×10120HFO8B10×C/T×515 HF

22、O84×××C/T120 HFO8F××C/T3080 HVO84××C/T-120-4.4.4 InGaAlP系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)InGaAlP系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表的規(guī)定。 表 InGaAlP系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFG8B3×C/T×6002500mcdJS,LX

23、,CPHFG863×××50500HFG883×××50500HFG803×××C/T×-××200-2500HFG803×××M×-××50-2500F5HFG8B5×C/T×10008000HFG865×××50500HFG8E5×××××1002000HFG885×××50500HF

24、G805×××C/T×-××100-8000HFG805×××M×-××50-8000F8HFG808×C/T×100-10000HFG808×M×5010000F10HFG8010×C/T×100-10000HFG8010×M×5010000HFG8B10×C/T×100-10000 HFG84×××C/T50-500 HFG8F×&#

25、215;C/T2002000 HVG84××C/T50-800峰值發(fā)射波長lDIF=20mA565577nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-20-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFG8B3×C/T×5-15度CHFG863×××100HFG883×××120HFG803×××C/T×-××10120HFG803×××M×-××10180F5HFG8B5×C

26、/T×515HFG865×××100HFG8E5×××××15/5040/110HFG885×××120HFG805×××C/T×-××10120HFG805×××M×-××10180F8HFG808×C/T×10120HFG808×M×10180F10HFG8010×C/T×10120HFG801

27、0×M×10120HFG8B10×C/T×515 HFG84×××C/T120 HFG8F××C/T3080 HVG84××C/T-120-4.4.5 GaN基系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)GaN基系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表6的規(guī)定。 表6 GaN系列綠色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=

28、5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFG9/A63×××1001000HFG9/A83×××1001000HFG9/A03×××C/T×-××500-5000HFG9/A03×××M×-××100-5000F5HFG9/A B5×C/T×400020000HFG9/A 65×&#

29、215;×1001000HFG9/A E5×××××2003500HFG9/A 85×××1001000HFG9/A 05×××C/T×-××150-15000HFG9/A 05×××M×-××100-15000F8HFG9/A 08×C/T×1000-25000HFG9/A 08×M×10020000F10HFG9/A 010×C/T&

30、#215;1000-30000HFG9/A 010×M×10030000HFG9/A B10×C/T×1500-50000 HFG9/A 4×××C/T100-1000 HFG9/A F××C/T5004000 HVG9/A 4××C/T100-1500峰值發(fā)射波長lDIF=20mA500540nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×5-15度CHFG9/A63×××

31、100HFG9/A83×××120HFG9/A03×××C/T×-××10120HFG9/A03×××M×-××10180F5HFG9/A B5×C/T×515HFG9/A 65×××100HFG9/A E5×××××15/5040/110HFG9/A 85×××120HFG9/A 05××

32、5;C/T×-××10120HFG9/A 05×××M×-××10180F8HFG9/A 08×C/T×10120HFG9/A 08×M×10180F10HFG9/A 010×C/T×10120HFG9/A 010×M×10120HFG9/A B10×C/T×515 HFG9/A 4×××C/T120 HFG9/A F××C/T3080 HVG9/A 4&#

33、215;×C/T-120-4.4.6 GaN基系列藍(lán)色發(fā)光二極管光電參數(shù)GaN基系列藍(lán)色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表7的規(guī)定。 表7 GaN系列藍(lán)色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測 試 條 件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5002500mcdJS,LX,CPHFB9/A63×××20500HFB9/

34、A83×××20500HFB9/A03×××C/T×-××50-2500HFB9/A03×××M×-××10-2500F5HFB9/A B5×C/T×3008000HFB9/A 65×××20500HFB9/A E5×××××802000HFB9/A 85×××20500HFB9/A 05××

35、15;C/T×-××50-8000HFB9/A 05×××M×-××10-8000F8HFB9/A 08×C/T×50-10000HFB9/A 08×M×1010000F10HFB9/A 010×C/T×50-10000HFB9/A 010×M×1010000HFB9/A B10×C/T×50-10000 HFB9/A 4×××C/T20-500 HFB9/A F×&

36、#215;C/T503000 HVB9/A 4××C/T20-500峰值發(fā)射波長lDIF=20mA430480nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5-15度CHFB9/A63×××100HFB9/A83×××120HFB9/A03×××C/T×-××10120HFB9/A03×××M×-××10180F5

37、HFB9/A B5×C/T×515HFB9/A 65×××100HFB9/A E5×××××15/5040/110HFB9/A 85×××120HFB9/A 05×××C/T×-××10120HFB9/A 05×××M×-××10180F8HFB9/A 08×C/T×10120HFB9/A 08×M×1018

38、0F10HFB9/A 010×C/T×10120HFB9/A 010×M×10120HFB9/A B10×C/T×515 HFB9/A 4×××C/T120 HFB9/A F××C/T3080 HVB9/A 4××C/T-120-4.4.7 GaN基系列白色發(fā)光二極管光電參數(shù)GaN基系列白色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表7的規(guī)定。 表8 GaN系列白色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=2

39、0mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFW9/AB3×C×15005000mcdJS,LX,CPHFW9/A63×××1001000HFW9/A83×××1001000HFW9/A03×××C×-××500-5000HFW9/A03×××M×-××100-5000F5HF

40、W9/A B5×C×400020000HFW9/A 65×××1001000HFW9/A E5×××××2003500HFW9/A 85×××1001000HFW9/A 05×××C×-××150-15000HFW9/A 05×××M×-××100-15000F8HFW9/A08××1000-25000F10HFW9/A010&

41、#215;C1000-25000HFW9/AB10×C1500-50000 HFW9/A 4×××C100-1000 HFW9/A F××C5004000 HVW9/A 4××C100-1500色坐標(biāo)XIF=20mA0.2000.3000.400nmJS,LX,CPY0.2000.3000.400色溫TcIF=20mA300025000KC半強度角q1/2IF=20mAF3HFW9/AB3×C×5-15度CHFW9/A63×××100HFW9/A83×&#

42、215;×120HFW9/A03×××C×-××10120HFW9/A03×××M×-××10180F5HFW9/A B5×C×515HFW9/A 65×××100HFW9/A E5×××××15/5040/110HFW9/A 85×××120HFW9/A 05×××C×-××1

43、0120HFW9/A 05×××M×-××10180F8HFW9/A08××10120F10HFW9/A010×C10120HFW9/AB10×C515 HFW9/A 4×××C120 HFW9/AF××C3080 HVW9/A 4××C-120-4.4.8 GaN基系列紫色發(fā)光二極管光電參數(shù)GaN基系列紫色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表8的規(guī)定。 表9 GaN系列紫色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號

44、測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mAGaN基/Al3O2-3.53.8VJS,LX,CPGaN基/SiC-2.84.5反向電流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP發(fā)光強度IVIF=20mAF3HFWAB3×C×10200mcdJS,LX,CPHFVA63×××5100HFVA03×××C×-××5-150F5HFVA B5×C×20300HFVA 65×××5100HFVA 05××&

45、#215;C×-××5-200峰值發(fā)射波長lPIF=20mA380-410nmC光譜輻射帶寬DlIF=20mA-30-nmC半強度角q1/2IF=20mAF3HFWAB3×C×5-15度CHFVA63×××120HFVA03×××C×-××10120F5HFVA B5×C×5-15HFVA 65×××120HFVA 05×××C×-××101204

46、.4.9 HFT系列多色發(fā)光二極管光電參數(shù)HFT系列多色發(fā)光二極管光電參數(shù)應(yīng)符合表9的規(guī)定。 表10 HFT系列多色發(fā)光二極管光電參數(shù)表 Tamb=（25±5）參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別正向電壓VFIF=20mAGaAsP/GaAlAs1.82.5VJS,LX,CPInGaAlP/GaAs1.82.5GaN基/Al3O22.9-3.8GaN基/SiC3.04.5反向電流IRVR=5VGaAsP/GaAlAs10mAJS,LX,CPInGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC-10發(fā)光強度IVIF=20mAF3GaAsP/GaAlAs5mcdJS,LX,

47、CPInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC5F5GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-F8GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30GaN基/Al2O3或SiC15-F10GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-方形GaAsP/GaAlAs3InGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC5-表10 (續(xù))參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位參數(shù)類別峰值發(fā)射波長lD紅色620660nmC橙色600620黃色580600綠色500577蘭色430480光譜

48、輻射帶寬DlGaAsP/GaAlAs30nmCInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC-30-半強度角q1/2IF=20mAF3HFT503C×××-×-15-度CHFT503M×××-×30F5HFT505C×××-×-15-HFT505M×××-×30F8HFT508C×××-×15HFT508M×××-×-30-F10HFT5010C&

49、#215;××-×-15-HFT5010M×××-×-30-方形HFT54×C×××-×120HFT54×M×××-×120-4.5 型式檢驗要求4.5.1 引出端強度通過5.4試驗后，引出端無斷裂、松動，與環(huán)氧體之間無相對移動或脫落現(xiàn)象。4.5.2 引出端可焊性通過5.5試驗后，濕潤表面應(yīng)覆蓋一層平滑而光亮的焊料涂層，浸潤面積應(yīng)大于或等于浸漬面積的95%。4.5.3 耐焊接熱通過5.6試驗后，樣品環(huán)氧體無明顯溶化及變色現(xiàn)象，

50、光電特性參數(shù)應(yīng)符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）（VFO：試驗前電壓測試值，以下同。）IR10uA；（VR=5V）IV0.9IVO。（IF=20mA）（IVO：試驗前光強測試值，以下同。）4.5.4 快速溫度變化及恒定濕熱通過5.7試驗后，樣品無開裂及引線松動現(xiàn)象，環(huán)氧體無明顯變色，光電特性參數(shù)應(yīng)符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5.5 電耐久性通過5.8試驗后，光電特性參數(shù)應(yīng)符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5

51、.6 高溫貯存通過5.9試驗后，樣品環(huán)氧體無明顯溶化及變色現(xiàn)象，光電特性參數(shù)應(yīng)符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V） IV0.8IVO。（IF=20mA）4.5.7 靜電放電抗擾度通過5.10試驗后，光電特性參數(shù)應(yīng)符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V）IV-IVO±5%IVO。（IF=20mA）5 試驗方法5.1 外形測試用游標(biāo)卡尺或顯微鏡測量，尺寸測量結(jié)果符合4.2.1中規(guī)定。5.2 外觀測試目測及顯微鏡下鏡檢，外觀符合4.2.2及4.2.3中規(guī)定。5.3 光電特性測試方法：按如下方法測試，測試結(jié)果符合

52、4.4中規(guī)定。電特性測試一般在相應(yīng)的恒流恒壓源供電下，利用電壓電流表進行測試；光特性的測試主要包括光通量和顏色。光通量的測試可采用積分球法或變角光度計法；顏色特性測試可采用分光光度法或積分法。5.4 引出端強度試驗5.4.1 拉力試驗按GB/T 4937-1995第II篇1.1、試驗Ua1的規(guī)定：a） 外加力：5N；b） 時間：（10±1）s。c） 樣品測試符合4.5.1中規(guī)定。5.4.2 彎曲試驗按GB/T 4937-1995第II篇1.2、試驗Ub第3.4.2.1方法2的規(guī)定：a） 加力：2.5N；b） 次數(shù)：2次；c） 樣品測試符合4.5.1中規(guī)定。5.5 引出端可焊性試驗本試

53、驗只針對無鉛焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.1，試驗Ta方法1的規(guī)定：a） 焊錫溫度：（245±5）；b） 浸錫時間：（2±0.5）s；c） 浸入到離器件本體（11.2）mm；d） 焊劑：松香25%，酒精75%；e） 樣品測試符合4.5.2中規(guī)定。5.6 耐焊接熱試驗本試驗只針對無鉛焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.2，試驗Tb方法1A的規(guī)定：a） 焊錫溫度：（280±5）；b） 浸錫時間：（10±1）s；c） 浸入到離器件本體（22.5）mm；d） 焊劑：松香25%，酒精75%；e） 恢復(fù)：試驗樣品在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)1h，然后在4h內(nèi)測完光電參數(shù)，并應(yīng)符合4.5.3中規(guī)定。5.7 快速溫度變化及恒定濕熱試驗溫度快速變化按GB/T 4937-1995第III篇1.1，試驗Na的規(guī)定。a）TA=（-40±3），TB=（100±2）；b）暴露時間：10min；c）轉(zhuǎn)移時間：（23）min；d）循環(huán)次數(shù)：5次。溫度快速變化結(jié)束后，試驗樣品的外觀顏色應(yīng)無明顯變化，在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)