材料物理性能期末復習考點

1、一 名詞解釋1.聲頻支振動：震動著的質(zhì)點中所包含的頻率甚低的格波，質(zhì)點彼此之間的相位差不大，格波類似于彈性體中的應(yīng)變波，稱聲頻支振動。2.光頻支振動：格波中頻率甚高的振動波，質(zhì)點間的相位差很大，臨近質(zhì)點的運動幾乎相反，頻率往往在紅外光區(qū)，稱光頻支振動。3.格波：材料中一個質(zhì)點的振動會影響到其臨近質(zhì)點的振動，相鄰質(zhì)點間的振，動會形成一定的相位差，使得晶格振動以波的形式在整個材料內(nèi)傳播的波。4.熱容：材料在溫度升高和降低時要時吸收或放出熱量，在沒有相變和化學反應(yīng)的條件下，材料溫度升高1K時所吸收的熱量。5.一級相變：相變在某一溫度點上完成，除體積變化外，還同時吸收和放出潛熱的相變。6.二級相變：在

2、一定溫度區(qū)間內(nèi)逐步完成的，熱焓無突變，僅是在靠近相變點的狹窄區(qū)域內(nèi)變化加劇，其熱熔在轉(zhuǎn)變溫度附近也發(fā)生劇烈變化，但為有限值的相變。7.熱膨脹：物體的體積或長度隨溫度升高而增大的現(xiàn)象。8.熱膨脹分析：利用試樣體積變化研究材料內(nèi)部組織的變化規(guī)律的方法。9.熱傳導：當材料相鄰部分間存在溫度差時，熱量將從溫度高的區(qū)域自動流向溫度低的區(qū)域的現(xiàn)象。10.熱穩(wěn)定性（抗熱震性）：材料稱受溫度的急劇變化而不致破壞的能力。11.熱應(yīng)力：由于材料的熱脹冷縮而引起的內(nèi)應(yīng)力。12.材料的導電性：在電場作用下，材料中的帶電粒子發(fā)生定向移動從而產(chǎn)生宏觀電流13.載流子：材料中參與傳導電流的帶電粒子稱為載流子14.精密電阻合

3、金：需要電阻率溫度系數(shù)TRC或者數(shù)值很小的合金，工程上稱其為精密電阻合金15.本征半導體：半導體材料中所有價電子都參與成鍵，并且所有鍵都處于飽和（原子外電子層填滿）狀態(tài)，這類半導體稱為本征半導體。16. n型半導體:摻雜半導體中或者所有結(jié)合鍵處被價電子填滿后仍有部分富余的價電子的這類半導體。17. p型半導體：在所有價電子都成鍵后仍有些結(jié)合鍵上缺少價電子，而出現(xiàn)一些空穴的一類半導體。18.光致電導：半導體材料材料受到適當波長的電磁波輻射時，導電性會大幅升高的現(xiàn)象。19.光致電導的基本條件：是電磁波的光子能量要=半導體的能帶間隙值。20.光生伏特效應(yīng)：一些半導體材料受到電磁照射時，所產(chǎn)生的非平衡

4、載流子呈現(xiàn)特殊的空間分布，從而形成兩個電極，它們之間建立一個電場，具有電位差的現(xiàn)象21.超導現(xiàn)象：材料的電阻率隨溫度變化，某些材料隨溫度下降電阻率突然減小到零的現(xiàn)象，將具有超導現(xiàn)象的材料稱為超導材料。超導材料有很強的抗磁性。23.超導材料超導的條件：1）溫度條件溫度低于某個臨界溫度TT0 2）磁場條件：外不辭長不超過某個強度HHC 3）電流密度小于臨界值24.磁場強度：為了描述磁性介質(zhì)的磁化狀態(tài)定義單位體積磁性材料內(nèi)原子磁矩的矢量總和。25.磁極化強度J為單位體積內(nèi)的磁偶極子矢量總和26.磁化率材料在磁場中磁化的難易程度M/H27.磁疇：鐵磁體的自發(fā)磁化分為若干區(qū)域28.磁致伸縮：在磁場中磁化

5、時，鐵磁體的長度或者體積發(fā)生變化的現(xiàn)象29疇與疇之間的邊界稱為疇壁。30.磁滯回線：對反磁化過程的宏觀描述，兩條反磁化曲線組成的閉合回線31.矯頑力：鐵磁體磁化到飽和以后，使它的磁化強度或磁感應(yīng)強度降低到0所需要的反向磁場32.剩余磁感應(yīng)強度：鐵磁體磁化到飽和并去掉外磁場后，在磁化方向保留的Mr或Br稱剩磁。Mr剩余磁化強度，Br剩余磁感應(yīng)強度。33.趨膚效應(yīng)：鐵磁體的表面磁場高，向鐵磁體的內(nèi)部磁場逐漸減小的現(xiàn)象34.磁電阻效應(yīng)：材料的電阻隨外加磁場的變化而變化。按照電阻效應(yīng)的機理和大小，分為正常磁電阻效應(yīng)OMR、各向異性磁電阻效應(yīng)AMR、巨磁電阻效應(yīng)GMR35.介電常數(shù)的溫度系數(shù)：溫度每變化

6、1時，電介質(zhì)介電常數(shù)的相對變化率36.電介質(zhì)的極化強度P：電介質(zhì)單位體積內(nèi)的點偶極矩的矢量總和37.介質(zhì)的擊穿：當電場強度超過某一臨界值后，電介質(zhì)由介電狀態(tài)變?yōu)閷щ姞顟B(tài)的現(xiàn)象。擊穿時電壓為擊穿電壓。相應(yīng)的電場強度稱為擊穿電場強度。38.移峰效應(yīng)：在鐵電體中引入某種添加物生成固溶體，改變原來的晶胞參數(shù)和離子間的相互聯(lián)系，使居里點向低溫或高溫方向移動。39.壓峰效應(yīng)：降低居里點處的介電常數(shù)的峰值。40.鐵電體的非線性是指介電常數(shù)隨外加電場強度非線性的變化41.壓電效應(yīng)的形成：對壓電晶體在一定方向上施加機械應(yīng)力時，在其兩端表面上會出現(xiàn)數(shù)量相等，符號相反的束縛電荷；作用力相反時，表面荷電性質(zhì)亦反號，而

7、且在一定范圍內(nèi)電荷密度與作用力呈正比，為正壓電效應(yīng)；反之，在一定方向的電場作用下，則會產(chǎn)生外形尺寸的變化，在一定范圍內(nèi)，其形變與電場強度成正比，為逆壓電效應(yīng)，統(tǒng)稱為壓電效應(yīng)。42.材料對光的吸收：當光通過材料時，出射光強相對于入射光強被減弱的現(xiàn)象43.直接帶隙半導體：導帶底和價帶頂都位于k空間原點（k=0），電子要躍遷到導帶上只需要吸收能量，這樣的半導體44.間接帶隙半導體：電子躍遷不止要吸收能量，還要改變動量的半導體。45.彈性散射：散射前后光的波長（或光子能量）不發(fā)生變化的散射。發(fā)生變化的散射稱非彈性散射。46.拉曼散射:光通過材料時由于入射光和分子運動相互作用而使頻率發(fā)生變化的散射。分共

8、振拉曼散射和表面增強拉曼散射。47.材料的光發(fā)射：材料將以某種方式吸收能量轉(zhuǎn)化為光能即發(fā)射光子的過程48.光的全反射：當入射光的角度達到或超過某一角度時，折射光消失，入射光被全部反射回來的現(xiàn)象49.光電效應(yīng)：材料在光照射后釋放出電子的效應(yīng)，發(fā)射出來的電子叫做光電子。只有當入射光的頻率高于極限頻率時，材料才會發(fā)射光電子，產(chǎn)生光電效應(yīng)50.光生載流子：如果能量大于帶隙寬度的光照射到半導體上，則電子被激發(fā)而從價帶躍遷到導帶，形成電子空穴對。如果這些電子空穴對擺脫庫倫力的相互作用而成為自由電子，則在導帶和價帶內(nèi)將形成可以產(chǎn)生電流的過剩自由電子和自由空穴，這些就被稱為光生載流子。51.太陽能光電池產(chǎn)生電

9、動勢的基本條件：達到熱平衡時，由于產(chǎn)生電流的載流子濃度增加，所以半導體電導率增加52.形狀記憶效應(yīng)：金屬材料在發(fā)生較大變形后，經(jīng)加熱到某一溫度上能夠回復到變形前形狀的現(xiàn)象53.相變偽彈性：去除應(yīng)力后，部分或全部應(yīng)變因應(yīng)力誘發(fā)馬氏體逆變?yōu)槟赶喽謴偷默F(xiàn)象54.變溫馬氏體轉(zhuǎn)變：在變溫條件下，馬氏體生成量是溫度的函數(shù)55.腐蝕率：單位時間內(nèi)單位面積上的腐蝕量56.侵蝕率：單位時間內(nèi)侵入的深度57.高溫腐蝕：金屬材料和它接觸的環(huán)境介質(zhì)在高溫條件下發(fā)生的界面反應(yīng)58.極化：由于電極上通過電流而使電極電位發(fā)生變化的現(xiàn)象。陽極極化：陽極通過電流電位向正的方向變化。陰極極化：陰極通過電流電位向負的方向變化59

10、. 最大磁導率：在B-H起始磁化曲線上，B與H比值的最大值；60. 起始磁導率：磁化曲線上起始點的斜率61. 溫度敏感性是指導電性對溫度非常敏感，一般變現(xiàn)為導電性隨溫度升高呈指數(shù)規(guī)律增強。62.雜質(zhì)敏感性表現(xiàn)為導電性對雜質(zhì)異常敏感，幾乎是所有材料性能中對于雜質(zhì)最敏感的性能。63.光照敏感性是指半導體受到電磁波輻射，導電性大幅度增加，具有所謂的光致導電效應(yīng)64. 抗磁性：某些材料受到外磁場作用后，感生出和外磁場相反的磁化強度，磁化率小于0的材料。超導態(tài)的超導體一定是抗磁性材料65.順磁性：許多材料在放入外磁場中，感生出和外磁場相同方向的磁性，磁化率大于0，但其數(shù)值也很小的材料66.鐵磁材料具有磁

11、性轉(zhuǎn)變溫度：居里溫度Tc。一般自發(fā)磁化隨環(huán)境溫度的升高而逐漸減小，超過居里溫度時全部消失，這時材料表現(xiàn)出順磁性，只有當溫度小于居里溫度時，組成鐵磁性材料的原子磁矩在磁疇內(nèi)才平行或反平行排列，材料具有自發(fā)磁化67.鐵磁性和亞鐵磁性材料的磁性轉(zhuǎn)變溫度稱為居里點Tc，反鐵磁性材料的磁性轉(zhuǎn)變溫度稱為奈爾點TN二 填空1， 在不發(fā)生相變的條件下物質(zhì)的熱熔隨溫度的變化規(guī)律分三個區(qū)域：1區(qū)（接近0K），CV,M正比于T，0K時，CV,M=0； 2區(qū)（低溫區(qū)），CV,M正比于 T的三次方; 3區(qū)（高溫區(qū)），CV,M變化很平緩，近于恒定值3R。 AL2O3=3R*5 MgO=3R*22， 元素的熱容定律：恒壓下

12、元素的原子熱容為25J/(MOL*K)；化合物的熱容定律：1MOL物質(zhì)中的原子數(shù)為2NA，故摩爾熱熔為2*25J/(MOL*K),三原子固體化合物的摩爾熱熔3*25J/(MOL*K)，以此類推。3， D是高溫材料的選材依據(jù)之一，熔點高，材料間原子結(jié)合力越強，D越高。4， 熱分析方法包括：差熱分析，差示掃描量熱法，熱重法。5， 相鄰兩個片狀疇的磁矩夾角為180度時，它們的邊界稱為180度疇壁。片狀疇與三角疇之間磁矩相互垂直，他們的邊界稱為90度疇壁6， 對于各向同性的立方系晶體，各方向的膨脹特性相同，對于各向異性的晶體，各晶軸方向的線膨脹系數(shù)不同。7， 物體的熱膨脹系數(shù)與定熱容成正比，在低溫下隨

13、溫度的增加而急劇增加，高溫下趨于平穩(wěn)。原子間結(jié)合力越強的材料熱膨脹系數(shù)越小，熔點高的物質(zhì)膨脹系數(shù)小，鍵強度越高，膨脹系數(shù)越小。相同成分的材料，晶體非晶體，多晶單晶，層間層內(nèi)，固溶體化合物8， 熱導率：晶體結(jié)構(gòu)越復雜，晶格振動的非線性程度越大。熱導率尖晶石莫來石，層內(nèi)層間，單晶體多晶體，晶體非晶態(tài)材料，非晶態(tài)材料隨溫度的升高熱導率增大。9， 電阻率：合金純金屬；非晶體晶體；尺寸越小電阻率越高；本征半導體隨溫度的升高而呈指數(shù)增加。10.固體中的導熱主要依靠晶格振動的格波和自由電子的運動實現(xiàn)。11.熱阻分為兩部分：晶格振動形成的熱阻和雜質(zhì)缺陷形成的熱阻，溫度不高不低情況下，缺陷熱阻隨溫度的升高依1/

14、T的規(guī)律下降，聲子熱阻隨溫度的升高依T的平方規(guī)律上升；純金屬聲子熱導占主要地位，熱導率隨溫度的升高降低，合金缺陷熱阻主導地位，熱帶導隨溫度的升高而升高。12.材料的熱沖擊損壞兩種類型：抵抗材料發(fā)生瞬時斷裂的抗擊沖擊斷裂性，和抵抗在熱沖擊循環(huán)作用下，才老表面開裂剝落并不斷發(fā)展，最終碎裂或變質(zhì)的抗熱沖擊損傷性.13.材料的熱導率越大，傳熱越快，熱應(yīng)力緩解越快，對熱穩(wěn)定越有利；材料尺寸越小，傳熱通道越短；材料的表面熱散速率h越大，內(nèi)外溫差越大，熱應(yīng)力越大。14.材料中的微裂紋產(chǎn)生及擴展跟彈性應(yīng)變能和裂紋擴展的斷裂表面能有關(guān)，彈性應(yīng)變能釋放率越小，斷裂表面能越大，抗熱沖擊損傷性越好15.參照材料導電性

15、的高低，習慣上將材料劃分為導體，半導體和絕緣體16.影響材料電導率的主要因素是材料中載流子的體積密度與遷移率；半導體材料的載流子為導帶的電子與價帶的空穴；對于金屬而言，參與導電的自由電子僅僅是處于費米面附近的電子17.純金屬與合金材料的導電性隨溫度的變化顯示兩種不同的類型一類遵循馬提申規(guī)則，另一類是偏離該規(guī)則的規(guī)律性18.半導體在導電性方面獨特的性質(zhì)：溫度敏感性、雜質(zhì)敏感性、光照敏感性。半導體導電性隨溫度升高呈指數(shù)規(guī)律增加19.施主能及Ed針對n型半導體，受主能級Ea針p型半導體。20.陶瓷材料中一旦有較多的電子參與導電，這類材料特有的離子導電性會被掩蓋。很多陶瓷呈半導體性質(zhì)原因，其有大小適當

16、的能帶間隙形成晶格空位。21.根據(jù)磁化率的大小材料的磁性大致可以分為鐵磁性、亞鐵磁性、順磁性、反鐵磁性、抗磁性22.材料磁性來源于電子的兩種運動：軌道運動和電子的自旋運動23.材料鐵磁性的條件：1）存在未滿殼層2）Rab/r>3時且A為正24.退磁場Hd與材料的磁化強度M,材料的形狀成正比：Hd=-NM N為退磁因子，僅和形狀有關(guān)。25.技術(shù)磁化與反磁化過程是以疇壁位移和磁矩轉(zhuǎn)動兩種方式進行的。26.磁性材料的鐵芯損耗一般包括三部分，即磁滯損耗、渦流損耗和趨膚效應(yīng)、剩余損耗27.絕緣體都是電介質(zhì)，反之不一定，在電解質(zhì)中起主要作用的是束縛著的電荷。電解質(zhì)壓電解材料鐵電解材料28.當光子能量

17、達到禁帶寬度Eg時，電子就會吸收光子能量從滿帶躍遷到導帶，此時吸收系數(shù)將驟然增大29.當溫度升高時，由于介質(zhì)密度降低，極化強度降低，使得墊子和離子位移極化率的貢獻都減弱。如果電介質(zhì)只有電子位移極化，那么它的介電系數(shù)的溫度系數(shù)是負的。但是溫度升高會使離子晶體的彈性聯(lián)系減弱，離子位移極化加強，導致介電系數(shù)的溫度系數(shù)為正30.電介質(zhì)擊穿的形式大致可以分為三類：熱擊穿，點擊穿，和電化學擊穿31.光學材料是功能材料中的重要組成部分，光學材料以折射、反射、和透射的方式改變光線的方向、強度和位相，使得光照按照預定的要求傳輸，也可以吸收或者透過一定波長范圍的光而改變光線的光譜成分32.光作為波的屬性可以用頻率

18、和波長描述，作為光子的屬性用能量和動量表征。33.拉曼光譜的理論解釋是，入射光子與分子發(fā)射非彈性散射，分子吸收頻率為V0的光子，發(fā)射VO-Vi的光子，同時分子從低能態(tài)躍遷到高能態(tài)，分子吸收頻率為V0的光子，發(fā)射V0+Vi的光子，同時分子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)。頻率差Vi與入射光頻率V0無關(guān)，由散射物質(zhì)的性質(zhì)決定，每種散射物質(zhì)都有自己特定的頻率差，其中有些與材料的紅外吸收頻率相一致34.激勵方式：光致發(fā)光，場致發(fā)光，陰極射線致發(fā)光35.產(chǎn)生激光的首要條件是實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)36.光導纖維簡稱光纖，是利用光的全反射原理制作的一種新型光學元件，是由兩種或兩種以上折射率不同的同名材料通過特殊復合技術(shù)制成的復

19、合纖維。包層折射率纖芯37.形狀記憶效應(yīng)的分類：單向形狀記憶效應(yīng)，雙向形狀記憶效應(yīng)，全方位形狀記憶效應(yīng)38.根據(jù)馬氏體相變及其逆相變后溫度的大小分為熱彈性馬、氏體相變和非熱彈性馬氏體相變39.腐蝕抗腐蝕機理分為化學腐蝕、電化學腐蝕、物理溶解腐蝕。40.氧化皮從結(jié)構(gòu)上分離子型化合物銹皮，半導體化合物類型銹皮，間隙化合物型銹皮三 簡答1， 為什么溫度升高材料會吸收熱量？答：（1）溫度升高時，晶格熱振動加劇，材料內(nèi)能增加；（2）吸收熱量與過程有關(guān)，若溫度升高時體積膨脹，所吸收的熱量一部分用于材料內(nèi)能增加，一部分用于對外作功。2， 提高抗熱沖擊斷裂性能的措施。1）對于密實性陶瓷材料和玻璃而言：（1）.

20、提高材料強度，減小彈性模量E,使/E提高（2）.提高材料熱導率（3）.減小材料熱膨脹系數(shù)（4）.減小表面散熱系數(shù)（5）.減小產(chǎn)品有效厚度2）對于多孔，粗粒，干壓，和部分燒結(jié)制品 （1）根據(jù)R和R”使材料有較高的E和較低的，使材料有較低的彈性應(yīng)變能釋放率（2） 提高材料的斷裂表面能3.由于晶格振動的作用，使合金的導電性隨溫度升高而普遍降低。兩種典型情況為：1）在較低溫度下，起因于晶格熱振動的金屬電阻率正比于絕對金屬T的五次方；2）較高溫度下，純金屬及合金的電阻率隨T線性升高，這種情況在溫度T超出金屬德拜特征溫度的范圍內(nèi)都可以應(yīng)用4.一般磁化曲線分四個部分。第1部分是可逆磁化部分，此階段沒有剩磁和

21、磁滯；第2部分是不可逆壁移階段，此階段存在磁滯現(xiàn)象；第3部分是磁化矢量的轉(zhuǎn)動過程，此階段隨著磁化場進步增加，此舉轉(zhuǎn)動到與外磁場一致方向，第4階段，磁體已磁化到技術(shù)飽和，此時磁化強度稱飽和磁化強度。5.簡述磁化曲線的磁化過程處于磁中興狀態(tài)的強磁性體在外磁場作用下，其磁化狀態(tài)隨外磁場發(fā)生變化的過程。磁中性狀態(tài)是指材料處于磁感應(yīng)強度和磁場同時為0的狀態(tài)。在這一過程中，反應(yīng)磁感應(yīng)強度與磁場強度或磁化強度與磁場強度關(guān)系的曲線稱為磁化曲線。反磁化過程是指磁性材料沿一個方向磁化飽和后當外磁場逐漸減小再沿相反方向逐漸增加時，其磁化狀態(tài)隨外磁場發(fā)生變化的過程。6.磁矩轉(zhuǎn)動過程P128磁矩轉(zhuǎn)動包括可逆轉(zhuǎn)動和不可逆

22、轉(zhuǎn)動。以單軸各向異性磁體為例分析如下：如圖（1）所示，磁疇在屋外磁場時，磁矩在易磁化方向0A，加磁場后，轉(zhuǎn)動一定角度瑟塔0，設(shè)0A和磁場方向夾角 小于900，此時不論磁場強度的強弱如何，當磁場強度減到0時，磁矩轉(zhuǎn)回到易磁化方向，為可逆轉(zhuǎn)動；圖（2）所示， 900，當磁場強度H從0增加， 也增加，當H不大時，若將H減到0，磁矩轉(zhuǎn)回原來的易磁化方向，亦為可逆轉(zhuǎn)動；當磁場某個值H0之后，會一直轉(zhuǎn)向磁場方向，但由于OB方向磁晶各向異性等效場作用，會轉(zhuǎn)到圖（3）位置，此時如果H減到0，磁矩會轉(zhuǎn)到OB方向，不能回到原來0A，此為不可逆轉(zhuǎn)動。7.電介質(zhì)極化類型1）電子位移極化：電場作用下，離子中的電子向反電

23、場方向移動一個小距離，帶正點的原子核沿電場方向移動更小一個距離，造成政府電荷中心分離形成電偶極子產(chǎn)生電子位移極化。2）離子位移極化：電場作用下，離子晶體中的正負離子在其平衡位置附近發(fā)生可逆性相對位移形成離子位移極化3）偶極子轉(zhuǎn)向極化4）熱離子極化：材料中存在相互束縛較弱的電子，離子，在電場作用下發(fā)生沿電場方向的躍遷運動而引起。5）空間電荷極化6）自發(fā)極化 由晶體內(nèi)部構(gòu)造造成8.鐵電體及壓電體的特性鐵電體是指在一定溫度范圍內(nèi)具有自發(fā)極化，并且自發(fā)極化方向課隨外電場作課逆轉(zhuǎn)動的晶體，鐵電體具有種自發(fā)磁化和電滯回線。鐵電體：電滯回線 介電特性 非線性 自發(fā)極化壓電體：受到晶體結(jié)構(gòu)對稱性的制約，具有對

24、稱中心的晶體不可能有壓電效應(yīng)；必須是離子性晶體或離子團組成的份子晶體。9.當光線垂直入射時反射及入射情況P199當光線垂直入射時， m為反射系數(shù)，此時光在界面上反射的多少取決于兩種介質(zhì)相對折射率n211）如果介質(zhì)1為空氣，認為n1=1，n21=n2；2）如果n1和n2相差很大，界面反射損失就嚴重，；3）如果n1=n2，則m=0，因此在垂直入射情況下，幾乎無反射損失，以透射為主。10. 熱應(yīng)力里引起的材料破壞與哪些因素有關(guān)？1）材料的熱導率：越大，傳熱越快，熱應(yīng)力緩解越快，對熱穩(wěn)定越有利；2）材料尺寸越：薄的傳熱通道越短，容易很快使溫度均勻；3）材料的表面熱散速率：h越大，散熱越快，內(nèi)外溫差就越

25、大，熱應(yīng)力越大。11.共振吸收與自發(fā)輻射以及受激輻射定義以及異同點P212圖1） 共振吸收：由于特定電子能級之間的電子躍遷引起的，滿足能量守恒定律的光子被吸收的現(xiàn)象。共振吸收的大小與入射光強度成正比。2）受激輻射：光的照射下，根據(jù)能量守恒定律，產(chǎn)生的光子數(shù)與入射光強度成比例的現(xiàn)象。只有滿足能量守恒定律（hv=E2-E1)光的照射時才能發(fā)生。受激輻射的光子頻率，前進方向以及相位都與入射光相同。3）自發(fā)輻射：沒有光照射時，處于E2能級的電子躍遷到E1，產(chǎn)生能量hv=E2-E1的光子的現(xiàn)象。12. 要活的激光發(fā)射，要滿足三個基本條件1）形成分布反轉(zhuǎn)，使得受激輻射占優(yōu)勢；2） 具有共振腔，以實現(xiàn)光量子

26、放大；3）至少達到閾值電流密度，使得增益至少等于損耗13.合金呈現(xiàn)形狀記憶效應(yīng)必備條件1）馬氏體相變是熱彈性的2）母體與馬氏體相變呈有序點陣結(jié)構(gòu)3）馬氏體內(nèi)部亞結(jié)構(gòu)為孿晶4） 相變在晶體學上具有完全可逆性14.氧化皮對界面及界面反應(yīng)的影響：1)直線規(guī)律:y=kt直線規(guī)律反應(yīng)表面氧化膜多少，不完整對金屬進一步氧化無抑制作用2）簡單拋物線規(guī)律：氧化反應(yīng)生成致密厚膜，對金屬保護作用3）對數(shù)規(guī)律：對銹皮及腐蝕進一步抑制15.高溫抗蝕銹層條件：1）具備優(yōu)良化學穩(wěn)定性2）優(yōu)良相穩(wěn)定性3）結(jié)構(gòu)致密4）銹皮必須連續(xù)而均勻覆蓋于金屬表面5）銹皮必須牢固連接在金屬表面16.金屬抗高溫腐蝕合金化遵循原則1）合金元素選擇氧化后生成合金元素銹皮2）合金元素與基體金屬組成尖晶石結(jié)構(gòu)銹皮后取代抗蝕性低的基體金屬銹皮3）將微量元素固定于基體金屬銹皮中，借助微觀結(jié)構(gòu)缺陷變化提高金屬抗蝕性17.合金元素對氧化速率的影響：1）合金過剩性：加入