PCB生產(chǎn)技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)

1、PCB生產(chǎn)技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)   1 推動(dòng)PCB技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的主要?jiǎng)恿呻娐罚↖C）等元件的集成度急速發(fā)展，迫使PCB向高密度化發(fā)展。從目前來(lái)看，PCB高密度化還跟不上IC集成度的發(fā)展。如表1所示表1。            年     IC的線寬     PCB的線寬    比 例       &

2、#160;                                                 &

3、#160;                                                 &

4、#160;                                                 &

5、#160;                                      1979     導(dǎo)線3m     300 m   &

6、#160;        1100      2000   0、18m     10030m    156o 1170      2010     0、05m  10m(HDI/BUM?)    1200     注：導(dǎo)通孔尺寸也隨著導(dǎo)線精細(xì)化而減小，一般為導(dǎo)

7、線寬度尺寸的35 倍組裝技術(shù)進(jìn)步也推動(dòng)著PCB走向高密度化方向表2 組裝技術(shù) 通孔插裝技術(shù)（THT） 表面安裝技術(shù)（SMT） 芯片級(jí)封裝（CSP）  系統(tǒng)封裝       代表器件 DIP QFPBGA BGA 元件集成       代表器件    I/o數(shù) 1664 323041211600 >1000 ？  信號(hào)傳輸高

8、頻化和高速數(shù)字化，迫使PCB走上微小孔與埋/盲孔化，導(dǎo)線精細(xì)化，介質(zhì)層均勻薄型化等，即高密度化發(fā)展和集成元件PCB發(fā)展。                     特性阻抗空控制   RFI   EMI世界主導(dǎo)經(jīng)濟(jì)知識(shí)經(jīng)濟(jì)（信產(chǎn)業(yè)等）的迅速發(fā)展，決定做著PCB工業(yè)在21世紀(jì)中的發(fā)展讀地位和慎重生產(chǎn)力。世界主導(dǎo)經(jīng)濟(jì) 的發(fā)展     

9、      20世紀(jì)80年代90年代21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)農(nóng)業(yè)工業(yè)經(jīng)濟(jì)知識(shí)經(jīng)濟(jì)美國(guó)是知識(shí)經(jīng)濟(jì)走在最前面的國(guó)家。所以在2000年占全球PCB市場(chǎng)銷售 量的45%，左右著PCB工業(yè)的發(fā)展與市場(chǎng)。隨著其他國(guó)家的掘起，特別是中國(guó)和亞洲國(guó)家的發(fā)展（中國(guó)科技產(chǎn)值比率占3040%，美國(guó)為7080%）美國(guó)的“超級(jí)”地位會(huì)削弱下去。（3）中國(guó)將成為世界PCB產(chǎn)業(yè)的中心，23年后，中國(guó)大陸的PCB產(chǎn)值由現(xiàn)在的11%上升20%以上。2 PCB生產(chǎn)技術(shù)的主要進(jìn)步與發(fā)展趨勢(shì)。自PCB誕生以來(lái)（1903年算起100年整），以組裝技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展可把PCB工業(yè)已走上

10、了三個(gè)階段。而PCB生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步一直圍繞著“孔”、“線” 、“層” 、和“面”等而發(fā)展著。2.1 PCB產(chǎn)品經(jīng)過(guò)了三個(gè)發(fā)展和進(jìn)階段2.1.1 導(dǎo)通孔插裝技術(shù)（THT）用PCB產(chǎn)品     （1）主要特點(diǎn)：通孔起著電氣互連和政治字支撐元件的作用通孔尺寸受到限制，應(yīng)0.8mm。原因元件的引腳剛性要求   自動(dòng)插裝要求以多角形截面為主，提高剛性降低尺寸  .       （2）高密度化：通孔尺寸受到元件引腳尺寸限制，不能好象懷想風(fēng)向換很小。導(dǎo)線的L/S細(xì)小化，最小

11、達(dá)到0.1mm，大多在0.20.3mm。                      增加層數(shù)，最多達(dá)到64層。但孔化，特別是電鍍的困難。2.1.2 表面安裝技術(shù)（SMT）用PCB產(chǎn)品 主要特點(diǎn)：通孔僅起電氣互連作用，即孔徑可盡量?。ūＷC電性能下）；PCB產(chǎn)品共面性能要求，即PCB板面翹曲度要小，焊盤(pán)表面共面性要好。高密度化（主要）：    

12、; 導(dǎo)通孔經(jīng)尺寸迅速走向微小化。  由0.80.50.30.20.150.10（mm）加工方法由數(shù)控鉆孔激光鉆孔。     埋/盲孔的出現(xiàn)      不需要連接的層，不通過(guò)導(dǎo)通孔 不設(shè)隔離盤(pán)        提高布線自由度。                   

13、                縮短導(dǎo)線或孔深        提高密度至少1/3。       改善電器性能。盤(pán)內(nèi)孔結(jié)構(gòu)的誕生。由“狗骨”結(jié)構(gòu)盤(pán)內(nèi)連接，節(jié)省連線，同樣達(dá)到 之  目的板面平整度：PCB整體板面共面性程度，或翹曲度和板面上焊盤(pán)的共面性。PCB翹曲度高了，由1%0.7%0.5%元器件貼裝要求。焊（連接）盤(pán)共

14、面性。高密度化，焊盤(pán)上平面性的重要性越高。由HAL（或HASL）OSP，化學(xué)Ni/Au，Ag,Sn等。2.1.3 芯片級(jí)封裝（CSP）用PCB產(chǎn)品主要特點(diǎn)：HDI/BOM板集成元件的HDI板高密度化：孔，線，層，盤(pán)等全面走向高密度化                              

15、;                                                  

16、;                                                  

17、;                                                  

18、;                                                  

19、;                                                  

20、;                                                  

21、;                                                  

22、;                                                  

23、;                                                  

24、;                                                  

25、;                                                  

26、;                                                  

27、;                                                  

28、;                                                  

29、;             導(dǎo)通孔走向150um。  導(dǎo)線的L/S80um。介質(zhì)層厚度80um。焊直徑盤(pán)300um。       （3)板面平整度：板面不平整度（指高密度基板，如150×150mm2的尺寸）以m計(jì)。          30m20m10m5m。   2  

30、 導(dǎo)通孔急速走向微小化和結(jié)構(gòu)復(fù)雜化        （1）導(dǎo)通孔的作用電器互連和支撐元器件兩個(gè)作用僅電器互連作用。        （2）導(dǎo)通孔尺寸微小化         0.80.50.30.20.10.050.03（mm）      機(jī)械（數(shù)控）鉆孔        &#

31、160;                  | 激光成孔導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。           全通孔埋/盲孔/通孔盤(pán)內(nèi)孔，埋/盲孔HDI/BUM導(dǎo)通孔微小化的加工方法機(jī)械鉆微小孔             （A

32、）提高鉆床主軸的轉(zhuǎn)速n。   大孔小孔時(shí)，                孔壁切削速度V                      1=2R1 n1     2=2R2n2.

33、60;小孔轉(zhuǎn)速n2 （得到同樣生產(chǎn)率和同樣質(zhì)量孔的話）. n2.= n1R1/ R2.根本出路提高主軸轉(zhuǎn)速68萬(wàn)轉(zhuǎn)/分1012萬(wàn)轉(zhuǎn)/分1618萬(wàn)  轉(zhuǎn)/分25萬(wàn)轉(zhuǎn)/分。（B）提高數(shù)控鉆床的穩(wěn)定性。   整個(gè)主軸轉(zhuǎn)動(dòng)夾鉆頭部分轉(zhuǎn)動(dòng)。m，降低動(dòng)能1/2 mv2                   18磅16盎司。   臺(tái)面移動(dòng)：由絲桿傳動(dòng)（慢且磨損）線性馬達(dá)移動(dòng)（特穩(wěn)定）

34、。（C）改進(jìn)微小鉆頭改進(jìn)微小鉆頭組成：o和WC比例改變。韌性。減小WC的粒度，由m.m.5m.               (D)常規(guī)E玻纖布基材扁平(MS或LD)E-玻纖布基材. 采用單絲排列原理形成的扁平E-玻纖布. 共有均勻玻纖密度和樹(shù)脂密度的介質(zhì)層基材.               (E)降

35、低孔壁粗造度:孔密度化和CAF等要求.                  常規(guī)孔壁粗造度4050m2025m1015m.激光鉆孔技術(shù).激光成孔技術(shù)的出現(xiàn)機(jī)械鉆孔面臨挑戰(zhàn).  *鉆孔能力100m.  *生產(chǎn)率低  *成本高(特別是鉆孔).激光波長(zhǎng)與被吸收  *光波分布  *銅、玻纖布和樹(shù)脂對(duì)波長(zhǎng)的吸收.激光成孔類型.  * CO2激光成孔.  

36、60;  200m100m50m30m* UV激光成孔       CO2 激光成孔UV激光成孔               * 混合激光成孔     混合激光成孔              （B）CO2激光成孔

37、0;                  連接機(jī)械鉆孔，100200m孔為最佳加工范圍。                   成孔原理：*波長(zhǎng)為10.6m  9.4m  紅外波長(zhǎng)。    &#

38、160;                          *熱效率、燒蝕之、熱加工                   優(yōu)缺點(diǎn)：  *功率大、生產(chǎn)率高。

39、60;    *易存殘留物和引起下面連接盤(pán)分離，不能加工銅金屬                        等     *光束直徑大，適宜加工大孔徑（100200m）。           

40、;    （C）UV激光成孔                    適于連接CO2激光成微孔（<100m）                    成孔原理 *波長(zhǎng) 355nm 

41、; 266nm                               *破壞結(jié)合鍵（金屬鍵、公價(jià)鍵、離子鍵）冷加工。               

42、;     優(yōu)缺點(diǎn)： *適宜于更小的微孔如<100m的孔和任何PCB基材。                               *不存任何殘留物、可加工金屬。       &#

43、160;                       *對(duì)于>100m孔，成本高，效率低              （D）CO2激光和UV激光的優(yōu)缺點(diǎn)（表3所示）       

44、;                        表3 項(xiàng)   目 CO2激光成孔 UV激光成孔    蝕孔機(jī)理 熱加工(燒蝕,需O2氣) 冷加工(破壞結(jié)構(gòu)鍵)    敷開(kāi)窗口 是 不要   

45、; 蝕孔功率 大 小    發(fā)射波長(zhǎng) 長(zhǎng)(10.6 、9.4m) 短(0.355或0.266m)    加工微小孔尺寸 大(>80m) 小(<100m)    加工厚徑比 小C<0.5 大C1.0    加工銅箔 需氧化處理后的薄銅箔 是    加工玻纖布 扁平E玻纖布 是   

46、去鉆污處理 是 可不要    生產(chǎn)率  孔徑100m 高 低      孔徑<100m 低 高    生產(chǎn)成本  孔徑100m 低 高      孔徑<100m 高 低            

47、60;   (E)混合激光成孔.充分發(fā)揮各自特長(zhǎng)來(lái)加工. 先由UV激光開(kāi)”窗口”CO2激光加工介質(zhì)層,(RCC或扁平E玻纖基材) ”清道夫”作用(由UV激光清除殘留外物或檢修) 提高孔位精度 提高生產(chǎn)效率          (5)微小孔(含微盲孔)的孔金屬化和電鍍.常規(guī)的孔金屬化和直流電鍍.直接電鍍.脈沖電鍍.2.2 導(dǎo)體精細(xì)化技術(shù)與發(fā)展.       導(dǎo)體精細(xì)化是IC集成度化

48、、組裝高密度化和信息處理高速化的迫切要求.2.3.1 導(dǎo)體精細(xì)化的發(fā)展趨勢(shì).目前和今后導(dǎo)線的線寬/間距(L/S)發(fā)展趨勢(shì)(m為單位):100/10080/8050/6040/5030/4020/2515/208/10.2.3.2 導(dǎo)體精細(xì)化的實(shí)質(zhì)是導(dǎo)體精細(xì)化的制作要求:導(dǎo)體精細(xì)化內(nèi)容是導(dǎo)線寬度微細(xì)化和導(dǎo)線寬度的精度(尺寸偏差)化兩個(gè)方面.   其中導(dǎo)線寬度精度是核心問(wèn)題,即在相同誤差要求下,隨著導(dǎo)線精細(xì)化發(fā)展,線寬的偏差絕對(duì)值越來(lái)越小,精度要求越來(lái)越高.如表所示表4  標(biāo)稱線寬允許誤差±20%時(shí)不同線寬的精度要求 標(biāo)稱線寬(

49、m) 合格線寬尺寸(m) 偏差尺寸(m) 最大偏差值(m)    100 80120 ±20 =40    80 6496 ±16 =32    50 4060 ±10 =20    30 2436 ±6 =12  隨著線寬尺寸偏差的減小(如±10%),精度化將提高.2

50、.3.3 導(dǎo)體精細(xì)化的制造技術(shù)2.3.3.1薄銅箔或超薄銅箔層壓板基材.提高導(dǎo)線精度.  側(cè)蝕  整個(gè)線寬均勻性銅箔的薄型化將隨導(dǎo)線精細(xì)化而發(fā)展.   導(dǎo)線精細(xì)化發(fā)展  100m80m50m30m   銅箔厚度發(fā)展     18m12m9m5m薄銅箔表面處理.保存條件的重要性.圖形轉(zhuǎn)移前表面處理:機(jī)械檫板磨板(Al2O3)電化學(xué)或化學(xué)處理免處理(雙面已處理)銅箔.2.3,3,2 圖象轉(zhuǎn)移技術(shù).光致抗蝕劑干膜光致抗蝕劑厚度大25m 需載體膜，15m，曝光時(shí)折射等濕膜光致抗蝕劑&

51、#160;  厚度     812m。無(wú)載體。但加工過(guò)程多正性濕膜光致抗蝕劑厚度可很薄?？稍诔Ｒ?guī)光F操作。成本高。         照相底片曝光點(diǎn)光源曝光，帶來(lái)線寬的尺寸偏差。威脅導(dǎo)線精度（光入射角的差別）。光致抗蝕劑厚度與類型引起偏差。 平行光曝光。能較好的解決問(wèn)題。投資昂貴，成本高         顯影       

52、;     顯影均勻性，中心區(qū)域與四周邊區(qū)域的均勻。顯影干凈無(wú)余膠（精細(xì)間隙）。         蝕刻常規(guī)蝕刻受到挑戰(zhàn)。蝕刻不均勻性抗蝕劑厚度；區(qū)域效應(yīng)；擴(kuò)散層厚度。擺動(dòng)                          

53、;                                                  

54、;                                     真空蝕刻：原理防止布丁效應(yīng)。精度：精細(xì)線可達(dá)±2m（限超薄銅箔）。堿性蝕刻優(yōu)于酸性蝕刻。 2.3.3.3激光直接成像（LDI）。 &#

55、160;       激光直接成像的提出照相底片成像技術(shù)受到嚴(yán)重挑戰(zhàn)；特別是高密度HDI/BUM板或L/S80mS  時(shí)。導(dǎo)線的尺寸精度達(dá)不到要求（特別是Z0控制時(shí)）。尺寸變化大。層間對(duì)位度要求越來(lái)越小時(shí)。 簡(jiǎn)化了加工步驟。消除了照相底片成像引起的各種缺陷。縮短了生產(chǎn)周期，特別是多品種，少批量的產(chǎn)品。降低了成本。         激光直接成像的類型。涂覆光致抗蝕劑的激光直接成像。在制板上涂覆（濕膜或干膜）光致抗蝕劑。要求低的感光能量（高光敏性材料

56、）：如表5所示。表5 光敏抗蝕劑類型 液態(tài)阻焊（油墨）膜 光致抗蝕膜（干膜） LDI光致抗蝕膜     感光能量 200250mj/cm2 80120 mj/cm2 812 mj/cm2 56 mj/cm2  激光直接成像（UV光）。LDI設(shè)備從CAD或已存儲(chǔ)的圖形數(shù)據(jù)于在制板上掃描曝光成像。目前最快速度可達(dá)24”×24”/分鐘。            &#

57、160; （C）顯影：相當(dāng)于平行光得到的圖像。 （D）蝕刻：最好采用真空蝕刻。 （E）去膜涂錫層抗蝕劑的激光直接成像。于在制板涂（鍍）錫層。厚度為0.81.2m。UV激光直接成（刻）像：蝕刻去錫層厚度，并繼續(xù)蝕刻去35m 銅厚度堿性蝕刻。退除Sn層。直接于覆銅板上的激光直接成像。UV激光直接成（刻）像。蝕刻去銅厚度到離底面銅35m停止?？刂疲ɑ蚩焖伲┪g刻銅，從蝕刻去余下銅厚度（35m），同時(shí)表面也會(huì)蝕刻去相應(yīng)（或稍多）的銅厚度。各種激光直接成像的比較。表6 項(xiàng)目  光致抗蝕劑的LDI 化學(xué)鍍薄錫的  直接在覆銅箔上的  &#

58、160;    負(fù)  性 正 性        抗蝕劑 高光敏性 高光敏性 非光敏鍍錫層 不要求    激光光源 UV光源 紅外激光 較高能量UV激光 高能量UV激光    蝕刻 要求 要求 堿性蝕刻 要求（快速控制）    退除 抗蝕劑 抗蝕劑 鍍錫層

59、60;不要求    線寬精度 差 中等 中等 最好    加工步驟 多 多 多 少    成本 低 高 高 中等  2.4.  PCB多層化技術(shù)與發(fā)展。2.4.1 PCB多層化現(xiàn)狀與未來(lái)。常規(guī)多層板埋/盲孔多層埋HDI/BUM板集成元件多層板。由于PCB不斷擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域，可派生出各種各樣特殊功能的多層板，如導(dǎo)熱功能，高頻特性，（微波等）等多層板和復(fù)合多層板2

60、.4.2 常規(guī)多層板。開(kāi)始出現(xiàn)于20世紀(jì)60年代，到了80年代，竟高達(dá)60多層。主要用于當(dāng)時(shí)大型計(jì)算機(jī)的母（底）板上。目前還用于移動(dòng)電訊總臺(tái)上的背板。尺寸很大如610×1200（mm2），厚度410mm層數(shù)為1824層，今后還會(huì)發(fā)展下去。2.4.3 埋/盲孔（含盤(pán)內(nèi)孔）多層板。SMT的采用，誕生和推動(dòng)了埋/盲和微小孔化多層板的發(fā)展。多層板采用埋/盲孔結(jié)構(gòu)將帶來(lái)很多好處：提高了密度（>1/3）；縮小板的尺寸或?qū)訑?shù)；改善了電氣性能和可靠性等。一般采用多次鉆孔，孔化電鍍和層壓等的順序?qū)訅悍▉?lái)制造埋/盲孔多層板：其次是注意或采用填充埋孔問(wèn)題（充值度應(yīng)>75%）

61、。2.4.4 HDI/BUM板。20世紀(jì)90年代初出現(xiàn)并發(fā)展起來(lái)的HDI/BUM板，現(xiàn)已成熟并量產(chǎn)化生產(chǎn)階段。已占PCB總產(chǎn)值12.7%(2001年)。2006年約占40%之多。       有芯板的HDIBUM芯板上積層以RCC來(lái)形成以MS布來(lái)形成以AGSP方法來(lái)形成以ALIVH方法來(lái)形成       無(wú)芯板的HDI/BUM板目前有三種類型：ALIVH技術(shù)（無(wú)需孔化、電鍍）B2It技術(shù)（無(wú)需鉆孔、孔化、電鍍）PALAP（patterned prepreg lay

62、up process）方法（熱塑性屬環(huán)保型）           特點(diǎn)：工藝過(guò)程縮短，但互連電阻大。非萬(wàn)能型的產(chǎn)品。2.4.5 集成元件印制板目前僅埋入無(wú)源元件，又稱埋入無(wú)源元件印制板，或“埋入什么就稱謂什么”。如埋入平面電容印制板等。      無(wú)源元件使用量急劇的增加。      埋入無(wú)源元件的優(yōu)點(diǎn)。      集成無(wú)源元件PCB類型與結(jié)構(gòu)。2

63、.4.6 多層板層間對(duì)位度      層間對(duì)位度誤差的來(lái)源。底片方面基板方面定位方面      層間對(duì)位度的改進(jìn)          消除底片帶來(lái)的偏差           A玻璃底片          

64、; B激光直接成像          減小基材引起的尺寸偏差           A解決基材內(nèi)的殘面應(yīng)力和充分固化           B SPC統(tǒng)計(jì)，尺寸變化分檔應(yīng)用           CHJ 附加定位槽定

65、來(lái)限制基材尺寸變化          改進(jìn)定位系統(tǒng)，光與機(jī)械定位相結(jié)合。      層間電器互連        高厚徑比（8:1）和微盲孔等應(yīng)采用脈沖電鍍2.4.7 高頻信號(hào)和高速數(shù)字化信號(hào)的傳輸用高密度多層板方面  應(yīng)注意解決三個(gè)主要問(wèn)題：特性阻抗值控制問(wèn)題    除了材料介電常數(shù)外，應(yīng)控制好介質(zhì)層厚度、導(dǎo)線寬度和厚度。甚至阻焊厚度和鍍

66、Ni層厚度的影響。注意PCB在制板加工過(guò)程引起CAF問(wèn)題。除了材料會(huì)引起CAF問(wèn)題，高密度化加工引起CAF將越來(lái)越嚴(yán)重。特別是孔孔之間的CAF問(wèn)題，鉆孔的質(zhì)量和粗糙度已經(jīng)突出起來(lái)。       走向集成元件多層板是下一步出路。2.5 連接（焊）盤(pán)表面涂覆技術(shù)與發(fā)展         表面涂覆可分為非電氣連接的阻焊膜涂覆和電氣連接用涂覆兩大類。前者屬于表  面保護(hù)性涂覆。如起阻焊（防止導(dǎo)線之間、盤(pán)間和線盤(pán)之間搭焊）和三防（防潮、防腐蝕和防霉

67、）為主的作用，后者屬于連接盤(pán)上的可焊性（或粘結(jié)性）的表面涂覆，如焊盤(pán)銅表面防氧化，可焊性等的涂覆。下面內(nèi)容僅限于后者。2.5.1熱風(fēng)整平     HAL或HASL具有優(yōu)良的可焊性，其組成（Sn/Pb=63/37）和厚度（57m35m）可控，因而在可焊性焊盤(pán)上涂覆占有絕對(duì)地位（90%于是以上）。但是，由于THT走向SMT后，加上高密度化發(fā)展，特別是焊盤(pán)（墊）迅速走向精細(xì)化便受到了挑戰(zhàn)，其占有率迅速下降下來(lái)，目前約占50%左右。HASL會(huì)形成龜背現(xiàn)象，威脅著焊接可靠性。因?yàn)槿廴诘暮噶暇哂写蟮谋砻鎻埩?。薄的Sn/Pb層會(huì)形成不可焊層（2m時(shí)，會(huì)形成Cu3Sn）

68、。只有形成Cu6Sn5或Sn/Pb才是可焊性的2.5.2有機(jī)可焊性保護(hù)劑（OSP）     機(jī)理。新鮮Cu表面與烷基苯咪唑（ABI）絡(luò)合成0.30.5um厚度的牢固化合物，并具有很高的熱分解溫度（300）。     工藝流程（略）     優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：很好的薄而平的平整度；工藝簡(jiǎn)便、易于操作與維護(hù)、且環(huán)境友好；成本低廉。缺點(diǎn)：容易損傷；多次可焊性差；存儲(chǔ)周期較短2.5.3 化學(xué)鍍鈀化學(xué)鍍上0.30.6m的Pd層，其優(yōu)點(diǎn)：高溫焊接穩(wěn)定性好。不與焊料接觸時(shí)，可經(jīng)過(guò)多次焊

69、接溫度。在焊接時(shí)，焊料中熔解度僅為金的1/65。同時(shí)，熔入焊料中的Pd不與焊料作用而漂浮在焊料表面上而保護(hù)焊料。而金會(huì)熔入焊料中形成脆性的AuSn4合金，影響焊接可靠性。起著阻檔層作用。2.5.4  鍍覆Ni/Au層PCB連接盤(pán)（墊）涂覆Ni/Au層功用有三種類型2.5.4.1 插件板插接部位鍍Ni/Au（金手指）一般采用電鍍Ni/Au。屬耐磨硬金。先電鍍57m（現(xiàn)為35m）Ni層。再鍍上1.53m現(xiàn)為0.1 1.3m的 硬         金特點(diǎn) Ni層為阻擋層（隔離開(kāi)Cu與Au）， 

70、0;     Au層為電氣互連外，具有耐磨特性，屬硬金和低應(yīng)力之特點(diǎn)。2.5.4.2高溫焊接用焊盤(pán)上的Ni/ Au。       目前大多采用化學(xué)鍍Ni/沉Au（EN/IG）。      化學(xué)鍍Ni層為36m厚度，沉Au厚度為0.O50.15m（目前大多數(shù)為0.020.05m）。      特點(diǎn)：Ni除作阻檔層外，還用來(lái)與焊料起焊接作用；Au層僅起保護(hù)Ni層表面不氧化作用。焊接時(shí)Au會(huì)熔入焊料中，

71、并會(huì)形成脆性的AuSn4化合物，應(yīng)控制Au含量，Au在焊點(diǎn)中超過(guò)3%重量會(huì)影響焊點(diǎn)可靠性2.5.4.3 金屬絲搭接（Wire bonding）用焊盤(pán)上鍍Ni/Au         鍍Ni層35m厚度，鍍Au層0.52.0m厚度。         金屬絲（金絲或 Al絲）搭接（WB）是在Au層上形成焊接的。2.5.5 化學(xué)鍍銀少量Au和Sn可形成低共熔點(diǎn)化合物：即重量比Ag/Sn=3.5/96.5,熔化溫度為221，所

72、以化學(xué)鍍Ag有利于無(wú)Pb焊接?；瘜W(xué)鍍0.13m（目前大多數(shù)為0.05m）A厚度，既能很好保護(hù)銅表面，又具有好的可靠性?；瘜W(xué)鍍Ag溶液中加入添加劑，使沉積Ag層中也含有13%的添加劑，可防止氧化和離子遷移問(wèn)題。避免與硫（或硫化物，會(huì)發(fā)黑），與鹵素（或鹵化物，會(huì)發(fā)黃）接觸。從速處理（少與空氣接觸）用無(wú)硫紙包裝。2.5.6 化學(xué)鍍錫Sn與Cu可形成低共熔點(diǎn)化合物，即重量比Uc/Sn=0.8/99.2,熔點(diǎn)為227°C化學(xué)鍍錫有利于無(wú)鉛焊接。化學(xué)鍍錫前焊盤(pán)上經(jīng)過(guò)新的調(diào)整劑處理清潔Cu表面使Cu表面形成能量均勻的等級(jí)，從而可形成同質(zhì)而致密的鍍Su層，為Sn厚度0.85m,可大大延緩C

73、u3Sn、Cu6Sn等IMC和SnOx（SnO、SnO2）的形成過(guò)程，可以多次通過(guò)高溫焊接（<3次）。         加入有機(jī)添加劑，使Sn析出為顆粒狀結(jié)構(gòu)而非樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)，消除“錫絲”的 隱          患          工藝較簡(jiǎn)單，易于維護(hù)，成本較低。2.5.7  電鍍Ni/Pd/Au層。  

74、60;    又可稱為“萬(wàn)能”鍍層         鍍層厚度要求Ni層為36m,Pd為0.30.8m,Au為0.080.20m。         既可用于焊接，又可用于搭接（WB）等。2.6 CCL（覆銅板）材料技術(shù)與發(fā)展。隨著PCB高密度化高性能化的發(fā)展，CCL也相應(yīng)朝著高性能化的發(fā)展。2.6.1 向高Tg材料發(fā)展  130°C150°C170°

75、C200°C220°C250°C        抗焊接溫度F變形能力。          表面安裝技術(shù)要求。          無(wú)鉛化焊接溫度還得提高30°C50°C        工作溫度提高，要求提高耐熱性。 

76、60;        高密度化發(fā)展，單位體積（面積）發(fā)熱量高功率化發(fā)展，單位面積功率增加了（或電流量增加了）。2.6.2   向低CTE材料發(fā)展。高Tg大多拌有低CTE，但概念與含義不同。            高密度化要求低CTE化  1214ppm1012ppm810ppm68ppm        

77、60;   低CTE意味著低焊接應(yīng)力，可靠性            高密度化要求               對(duì)位度（層間） 焊點(diǎn)面積縮小，粘結(jié)力減小，要求熱機(jī)殘留應(yīng)力減小。2.6.2 介電常數(shù)材料多樣化發(fā)展。        低介電常數(shù)&#

78、160; 5.04.03.53.02.62.21.15.          用于高頻化信號(hào)和高速數(shù)字化信號(hào)的傳輸。        中介電常數(shù)  10100          用于特種場(chǎng)合，如Gps（汽車、士兵、等）        高介電常數(shù)  >1001

79、000以上。（已有2000產(chǎn)品了）。          用于埋入電容上，今后數(shù)量會(huì)大量增加。2.6.3 耐CAF或耐離子遷移之。          產(chǎn)生CAF是兩大方面：（一）CCL本身；（二）CCL的加工，隨著PCB高密度化，                

80、 這個(gè)問(wèn)題越來(lái)越突出了，（孔與孔，線與線）        基材方法改進(jìn)：新型結(jié)構(gòu)玻纖布，常規(guī)E-玻纖布開(kāi)纖布扁平布                          耐CAF，弱強(qiáng)提高樹(shù)脂浸潤(rùn)性減小樹(shù)脂中的離子含量HH4 和Cl為主         CCL加工方面。&