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1、目目 錄錄一、一、AB tAE0)(tA0 BtB 位函數(shù)的不確定性滿足下列變換關(guān)系的兩組位函數(shù) 和 能描述同一個(gè)電磁場(chǎng)問(wèn)題。)、(A)、(AAAt A 原因:未規(guī)定 的散度 位函數(shù)的規(guī)范條件:洛倫茲條件0 tA二、二、DBtBEtDJH0 00 DBBEDHtt無(wú)源區(qū) 0tAtAEAB有源區(qū) 00222222tHHtEE 222222tJtAA波動(dòng)方程波動(dòng)方程達(dá)朗貝爾方程達(dá)朗貝爾方程二、二、 在以閉曲面S為邊界的有界區(qū)域內(nèi)V,如果給定t0時(shí)刻的電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度的初始值,并且在 t 0 時(shí),給定邊界面S上的電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量或磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量,那么,在 t 0 時(shí),區(qū)域V 內(nèi)的電磁場(chǎng)由麥克
2、斯韋方程惟一地確定。 惟一性定理的表述惟一性定理的表述VS 在分析有界區(qū)域的時(shí)變電磁場(chǎng)問(wèn)題時(shí),常常需要在給定的初始條件和邊界條件下,求解麥克斯韋方程。那么,在什么定解條件下,有界區(qū)域中的麥克斯韋方程的解才是惟一的呢?這就是麥克斯韋方程的解的惟一問(wèn)題。 惟一性問(wèn)題惟一性問(wèn)題三、三、電磁場(chǎng)的能量密度:電磁場(chǎng)的能量密度:導(dǎo)電媒質(zhì)的功率損耗密度(轉(zhuǎn)化):導(dǎo)電媒質(zhì)的功率損耗密度(轉(zhuǎn)化):電磁波的能流密度(轉(zhuǎn)移):電磁波的能流密度(轉(zhuǎn)移):BHDEwwwme2121JEp HES 1 1、基本概念、基本概念nnAtWeS 能流密度能流密度意義:意義:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)穿過(guò)與能量流動(dòng)方向垂直的單位面積的能量單位:?jiǎn)?/p>
3、位:瓦/平方米流過(guò)某曲面的功率:流過(guò)某曲面的功率:流過(guò)某曲面的能量:流過(guò)某曲面的能量: AdSP dtAdSW三、三、 ttBEDJH 2 2、坡印廷定理:、坡印廷定理:表征電磁能量守恒關(guān)系的定理 tHHtEEEBEDJH HHH EEE BHttHDEttE2121BD均勻媒質(zhì)各向同性線性 BHDEtEE2121JH VVAdVBHDEdtdEAdE2121dVJH VeVAdVwdtdpAdSdV物理意義:物理意義:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi),通過(guò)曲面單位時(shí)間內(nèi),通過(guò)曲面S 進(jìn)入體積進(jìn)入體積V的電磁能量等于體積的電磁能量等于體積V 中所中所增加的電磁場(chǎng)能量與損耗的能量之和。增加的電磁場(chǎng)能量與損耗的能量之和
4、。三、三、【例1】 同軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a 、外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b,其間填充均勻的理想介質(zhì)。設(shè)內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓為U ,導(dǎo)體中流過(guò)的電流為I 。(1)在導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下,計(jì)算同軸線中傳輸?shù)墓β?;?)當(dāng)導(dǎo)體的電導(dǎo)率為有限值時(shí),計(jì)算通過(guò)內(nèi)導(dǎo)體表面進(jìn)入每單位長(zhǎng)度內(nèi)導(dǎo)體的功率。同軸線同軸線【解】(1)在內(nèi)外導(dǎo)體為理想導(dǎo)體的情況下,電場(chǎng)和磁場(chǎng)只存在于內(nèi)外導(dǎo)體之間的理想介質(zhì)中,內(nèi)外導(dǎo)體表面的電場(chǎng)無(wú)切向分量,只有電場(chǎng)的徑向分量。利用高斯定理和安培環(huán)路定理,容易求得內(nèi)外導(dǎo)體之間的電場(chǎng)和磁場(chǎng)分別為ln()UEeb a()ab2IHe三、三、同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量(理
5、想導(dǎo)體情況)(理想導(dǎo)體情況)2 ()ln()22ln()zUIUISEHeeeb ab a內(nèi)外導(dǎo)體之間任意橫截面上的坡印廷矢量電磁能量在內(nèi)外導(dǎo)體之間的介質(zhì)中沿軸方向流動(dòng),即由電源向負(fù)載,如圖所示。穿過(guò)任意橫截面的功率為2dA2d2ln()bzAaUIPS eUIb a 三、三、同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量(非理想導(dǎo)體情況)(非理想導(dǎo)體情況)(2)當(dāng)導(dǎo)體的電導(dǎo)率為有限值時(shí),導(dǎo)體內(nèi)部存在沿電流方向的電場(chǎng)根據(jù)邊界條件,在內(nèi)導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的切向分量連續(xù),即因此,在內(nèi)導(dǎo)體表面外側(cè)的電場(chǎng)為.out zzEEi n.磁場(chǎng)則仍為內(nèi)導(dǎo)體表面外側(cè)的坡印廷矢量為in2zJIEea
6、2ln()zaUIEeeab aaout2aIHeaout2232()22ln()zaaIUISEHeeaab a outoutout三、三、同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量同軸線中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)和坡印廷矢量(非理想導(dǎo)體情況)(非理想導(dǎo)體情況)(2)內(nèi)導(dǎo)體表面外側(cè)的坡印廷矢量為223222ln()zaIUISeeaab a out由此可見(jiàn),內(nèi)導(dǎo)體表面外側(cè)的坡印廷矢量既有軸向分量,也有徑向分量,如圖所示。 進(jìn)入每單位長(zhǎng)度內(nèi)導(dǎo)體的功率為22122320()d2d2SaIIPSAa zRIaa 外e21Ra式中 是單位長(zhǎng)度內(nèi)導(dǎo)體的電阻。由此可見(jiàn),進(jìn)入內(nèi)導(dǎo)體中功率等于這段導(dǎo)體的焦耳損耗功率。結(jié)論:電磁能
7、量是由電磁場(chǎng)傳輸?shù)?,?dǎo)體僅起著定向引導(dǎo)電磁能流的作用。當(dāng)導(dǎo)體的電導(dǎo)率為有限值時(shí),進(jìn)入導(dǎo)體中的功率全部被導(dǎo)體所吸收,成為導(dǎo)體中的焦耳熱損耗功率。四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng) ( , )cos( )mA r tArtr ( )( , )Re ( )e( )ej tjrmA r tA rA rAr( )( , )Re( )e( )( )ijtjriimiE r tE rE re Er e( )( , )( , )( , )ReiiiijtriimE r te E r tE r tE e 222tjt ( , )mA r tArf t1.1. 時(shí)諧電磁場(chǎng)的概念時(shí)諧電磁場(chǎng)的概念: :如果場(chǎng)源以一定的角頻
8、率隨時(shí)間呈時(shí)諧(正弦或余弦)變化,則所產(chǎn)生電磁場(chǎng)也以同樣的角頻率隨時(shí)間呈時(shí)諧變化。四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)【例1】 將下列場(chǎng)矢量的瞬時(shí)值形式寫為復(fù)數(shù)形式( , )cos()sin()xxmxyymyE z te Etkze Etkz00( , , )()sin()sin()cos()cos()xzaxxH x z te H kkzte Hkztaa( )cos()mxxmzEze jEk z【例2】 已知電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 其中kz和Exm為實(shí)常數(shù)。寫 出電場(chǎng)強(qiáng)度的瞬時(shí)矢量答案: 【例1】 【例2】 ( )()eyxjjjkzxxmyymE ze E ee jE e200( , )()sin(
9、)ecos()ejkzjjkzxzaxxH x ze H ke Haa( , )cos()sin()xxmzE z te Ek zt 四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)0HJjDEjBBD 0tt DHJBEBD 002222HkHEkE 2222kJAkA時(shí)諧場(chǎng)亥姆霍茲方程達(dá)朗貝爾方程2. 復(fù)矢量的麥克斯韋方程四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)例3: 已知正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)瞬時(shí)值為求:(1)電場(chǎng)的復(fù)矢量;(2)磁場(chǎng)的復(fù)矢量和瞬時(shí)值。81( , )0.03sin(10)xEz tetkz88(/2)10( , )0.03cos(10)Re0.03ee2j kzjtxxE z tetkze 解:(1)因?yàn)?2
10、( )0.03ejjkzxE zee故電場(chǎng)的復(fù)矢量為(2)由復(fù)數(shù)形式的麥克斯韋方程,得到磁場(chǎng)的復(fù)矢量jkzjyjkzjyxykekezEjezEjzHee106 . 7ee03. 0)(1)(252000 58( , )Re( )e7.6 10sin(10)j tyH z tH ze ktkz磁場(chǎng)強(qiáng)度瞬時(shí)值四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)3. 電磁場(chǎng)能量的損耗方式歐姆損耗:導(dǎo)電媒質(zhì)自由電荷分子動(dòng)能極化損耗:電介質(zhì)束縛電荷分子勢(shì)能磁化損耗:磁介質(zhì)分子電流分子勢(shì)能 /cj cj cj tan/tan/tan/HJjD JEDEHjjE cHjE 導(dǎo)電媒質(zhì)的等效介電常數(shù)引入的意義:使導(dǎo)電媒質(zhì)Maxwel
11、l時(shí)諧方程 形同理想介質(zhì)的Maxwell時(shí)諧方程四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)對(duì)于同時(shí)存在電極化損耗和歐姆損耗的電介質(zhì),復(fù)介電常數(shù)為 (+)cj 導(dǎo)電媒質(zhì)損耗角正切的物理意義:傳導(dǎo)電流和位移電流振幅比tan/cdJJ導(dǎo)電媒質(zhì)導(dǎo)電性能的相對(duì)性傳導(dǎo)電流:位移電流:cJEdJjE1 弱導(dǎo)電媒質(zhì)和良絕緣體1 一般導(dǎo)電媒質(zhì)1 良導(dǎo)體四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)4. 時(shí)諧場(chǎng)能流的求解H ESHeHtj2EESRe21Re21 HE ,HE ,HESavRe21TavdtSTS01( , )Re ( )ejtS r tS rEjHEkE022四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)平均能流密度矢量011dRe()2Tav
12、tEHTSS平均電場(chǎng)能量密度011dRe()4TeavewwtE DT平均磁場(chǎng)能量密度011dRe()4TmavmwwtH BT平均功率損耗密度011dRe()2TJavJpptE JT 二次式只有實(shí)數(shù)的形式,沒(méi)有復(fù)數(shù)形式 具有普遍意義,不僅適用于正弦電磁場(chǎng),也適用于其它 時(shí)變電磁場(chǎng);而 只適用于時(shí)諧電磁場(chǎng)。 ( , ) tS r( )avSr四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)【例4】已知無(wú)源的自由空間中,電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量為 ,其中k 和 E0 為常數(shù)。求:(1)磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量H ;(2)瞬時(shí)坡印廷矢量S ;(3)平均坡印廷矢量Sav 。0( )jkzyE ze E e 【解】:(1)由得0EjH 0000011( )( )()()jkzjkzzyxkEH zE zee E eeejjz (2)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的瞬時(shí)值為00( , )Re( )ecos()j txkEz tztkz HHe0( , )Re( )ecos()jtyz tzEtkzEEe2200000cos() cos()cos ()yxzkEkESEHe Etkzetkzetkz 四、時(shí)諧電磁場(chǎng)四、時(shí)諧電磁場(chǎng)【例4】已知無(wú)源的自由空間中,電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量為
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