電子基礎(chǔ)知識(shí)

1、電子基礎(chǔ)知識(shí)電路基本元件? 1.1 電阻器? 電阻器是電路中用于減小電流同時(shí)降低電壓的器件。通俗的說(shuō)就是在電路中起阻礙電流流動(dòng)作用的電子器件。用R表示。1.11 電阻器的分類： 根據(jù)電阻值的可變性分可變電阻器和固定電阻器?？勺冸娮杵?：電阻值隨著光或熱的變化而發(fā)生變化的一種電阻器。如：光敏電阻、熱敏電阻等） ，電位器也屬于電阻器的一種固定電阻器： 電阻器一經(jīng)做成之后電阻值在一定的條件下不會(huì)發(fā)生變 化的一種電阻器。 根據(jù)制作的材料分類：碳膜電阻： 它是將炭膜沉積在陶瓷小圓內(nèi)而制成的。特點(diǎn)是可靠性、可焊性、噪聲穩(wěn)定性、濕度穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好。典型的功率為1/42W。碳合成電阻： 由碳粉末和黏合膠制

2、成的電阻。特點(diǎn)是：低電感、低電容。功率為1/82 W。金屬氧化膜電阻： 用金屬氧化膜包裹陶瓷心制成的通用的電阻。特點(diǎn) 是機(jī)械性、電穩(wěn)定性、可讀性，防腐蝕和潮濕。密金屬膜電阻： 它是用陶瓷做基層，包裹著金屬膜，外面是環(huán)氧樹(shù)脂外殼。特點(diǎn)是精確度咼、超低噪聲。功率為1/81/2W。大功率繞線電阻：它包含釉瓷外殼、 水泥外殼、 鋁殼。 特點(diǎn)是功率大。功率為25 0 0 W 。光敏電阻和熱敏電阻： 光敏電阻由半導(dǎo)體材料（如硫化鎘）制成。特 點(diǎn)是當(dāng)加以熱和光時(shí)，電阻改變。貼片電阻： 片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高 可靠的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成，電極采用銀鈀合金漿 料。特點(diǎn)是體

3、積小、精度、穩(wěn)定性、高頻特性好1.12 參數(shù) 標(biāo)稱阻值： 描述電阻對(duì)電流的阻礙能力的數(shù)學(xué)表達(dá)， 單位為： 歐姆。我們也常用希臘字母Q表示。我們也常用到KQ（千歐）、MQ （兆歐） 的標(biāo)識(shí)，其換算公式如下：1 MQ =103KQ= 106Q 功率 ：標(biāo)準(zhǔn)叫法是額定功率，是指電阻在一定條件下（壓力、溫度等）長(zhǎng)期連 續(xù)工作能夠允許承受的最大功率。所以我們?cè)谝恍╇娐分斜仨氉⒁怆娮韫?率的選擇，否則由于電阻承受能力問(wèn)題導(dǎo)致電阻損壞，甚至可能導(dǎo)致設(shè)備 其它元器件的損壞。 溫度系數(shù)： 描述電阻溫度對(duì)其阻值產(chǎn)生的影響。 誤差等級(jí)： 描述生產(chǎn)出來(lái)的電阻與標(biāo)稱電阻的差別。1.2 電容器?電容器是由兩塊平行極板構(gòu)成

4、的具有電荷存儲(chǔ)作用的器件。用字母C表示。? 1.21 電容器的分類：? 按結(jié)構(gòu)分三大類： 固定電容器、 可變電容器和和微調(diào)電容器。? 按電解質(zhì)分類： 有機(jī)介質(zhì)電容器、無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。? 按用途分： 高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、去耦等。? 按材料分： 陶瓷電容器、 云母電容器、 玻璃膜電容器、 滌綸電容器、玻璃釉電容器、紙介電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、金屬 化紙介電容器、鉭電容等1.22 電容器主要特性參數(shù) 標(biāo)稱容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量 , 常用容量單位有 F、 uF、 nF、 pF, 換算方法是：1 F

5、=106 uF=109 nF=1012 pF電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差 , 在允許的偏差范圍稱 精度。精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系： 00(01)- ± 1%、 0(02)- ± 2%、I- ± 5%、 n - ± 10%、 rn - ± 20%、 W - ( +20% -10%)、 V - (+50%-20%)、W - ( +50% -30%)。般電容器常用I、n、m級(jí)、電解電容器用W、v、w級(jí)、根據(jù)用途選取。 額定電壓在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電 壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超

6、過(guò)電容器 的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久性損壞。 絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。絕緣電 阻越大越好。 損耗 電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫損耗。各類電容 都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗， 電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的 頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈下降的規(guī)律。1.23 電容器容量標(biāo)示 直標(biāo)法用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如O1uF表示0.01微法,有些電容“ R'表示小數(shù)點(diǎn)，如 R56 表示 0.56 微法 ;56 表示 56pF,101 表示 100pF,102

7、表示1000pF,103表示lOnF。皮法單位可以不用標(biāo)示。 文字符號(hào)法用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。如p10 表示 0.1pF,1p0表示 1pF。 色標(biāo)法 用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。電容器偏差標(biāo)志符號(hào)： +100%-0H、 +100%-10%-R、 +50%-10%-T、 +30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。 M=±20%、K=±10%、J=±5%、G=±2%、F=±1%、D=±0.5%、C=±0.25%、B=±0.1%、A=±

8、0.05%。1.3 電感線圈 電感線圈是由導(dǎo)線一圈靠一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣， 而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡(jiǎn)稱電感。用 表示，常用單位有亨利（ H）、毫亨利（mH、微亨利（uH）、納亨利nH),1H=103 mH=106 uH=109 nH1.31 電感的分類按電感形式分類 : 固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn) 線圈。按繞線結(jié)構(gòu)分類：?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈。1.32 電感線圈的主要特性參數(shù) 電感量 L電感量 L 表示線圈本身固有特性 , 與電流大小

9、無(wú)關(guān)。除專門(mén)的電感線 圈（色碼電感）外，電感量一般不專門(mén)標(biāo)注在線圈上，而以特定的名 稱標(biāo)注 電抗 XL電感線圈對(duì)交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻f的關(guān)系為XL=2n fL 品質(zhì)因素 Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗， 屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百 分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線

10、圈的分布電容越小越好。1.33 常用線圈 單層線圈單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。 蜂房式線圈 所繞制的線圈其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈 稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來(lái)回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都 是利用蜂房繞線機(jī)來(lái)繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小。 鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈 線圈的電感量大小與有無(wú)磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增 加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素 銅芯線圈 銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來(lái)改變電 感量，這種調(diào)

11、整比較方便、耐用 色碼電感器 色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以 色環(huán)來(lái)標(biāo)記。 阻流圈（扼流圈）限制交流電通過(guò)的線圈的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈 偏轉(zhuǎn)線圈 偏轉(zhuǎn)線圈是電視機(jī)掃描電路輸出級(jí)的負(fù)載，偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場(chǎng)均勻、 值高、體積小、價(jià)格低。2.1二極管半導(dǎo)體二極管是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極和引線及管殼封裝而成。用 字母D表示，二極管的特征是 單向?qū)щ娦愿鶕?jù)結(jié)構(gòu)不同可分面結(jié)觸型和點(diǎn)結(jié)觸型兩種二極管。面接觸型的PN結(jié)2.11 二極管分類 面積大，結(jié)電容量大，允許流過(guò)的電流也大，適宜于作大功率整流器件； 點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容量小，能在高頻下

12、工作，適用于高 頻檢波和開(kāi)關(guān)元件，但它允許流過(guò)的電流很小。 根據(jù)制作的晶片材料不同可分硅二極管和鍺二極管。 根據(jù)它的作用不同可分 : 普通二極管、變?nèi)荻O管、 穩(wěn)壓二極管、 發(fā)光二極管、光敏二極管等。 根據(jù)應(yīng)用的范圍不同大致可分 整流二極管、檢波二極管、阻尼二極 管、鉗位二極管、 降壓二極管、 限幅二極管和穩(wěn)壓二極管等。2.12 伏安特性及主要參數(shù) 正向特性 當(dāng)正向電壓很低時(shí)，正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)高電阻值，基本 上還處在截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)正向電壓超過(guò)某一值（稱此電壓為“死區(qū)”電 壓），此時(shí)二極管才呈現(xiàn)低電阻值，處于正向?qū)顟B(tài)。硅管的死區(qū) 電壓約為 0.5V, 鍺管約為 0.1V 。正向?qū)?/p>

13、后的二極管管壓降硅管為0.60.7V，鍺管為0.20.3V，溫度每升高1 C,二極管導(dǎo)通壓降下降22.5mV 反向特性反向電壓在一定范圍內(nèi)增大時(shí)，反向電流極其微小且基本不變，所以稱反向飽和電流，當(dāng)溫度上升10C,反向飽和電流增加一倍。 擊穿特性 當(dāng)反向電壓增加到一定值時(shí)，反向電流突然增大，此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓稱反向 擊穿電壓。 最大整流電流 指管子長(zhǎng)期工作時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流，超過(guò)此值，會(huì) 引起PN結(jié)過(guò)熱而損壞。 最高反向工作電壓保證二極管不被反向擊穿而規(guī)定的反向工作峰值電壓，一般為反向擊 穿電壓的 1/31/2 。 反向峰值電流 二極管加上反向工作電壓時(shí)的反向飽和電流。 最高工作頻

14、率 工作頻率主要由PN結(jié)電容大小來(lái)決定。 超過(guò)此值，二極管的單向?qū)щ娦宰?差甚至?xí)蜗驅(qū)щ娦浴?.2 三極管 晶體三極管也稱雙極型晶體三極管 ，簡(jiǎn)稱三極管，一般用字母Q表示2.21 三極管的類型按功率大小可分大功率、中功率和小功率管；按電路中的工作頻率可分高頻管和低頻管 按半導(dǎo)體材料的不同可分硅管和鍺管 根據(jù)封裝不同可分塑料封裝和金屬封裝 根據(jù)三極管結(jié)構(gòu)的不同，無(wú)論是硅管或鍺管都有 PNP和NPN兩種類型。2.2.2 輸出特性曲線 截止區(qū) 當(dāng)UC>UE>UB,由于IB=0 , IC= p IB，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)也應(yīng)該為零，三極管處于斷開(kāi)狀態(tài)。 飽和區(qū)集電極（或發(fā)射極）要接入電阻，如果電

15、源EC一定，那么當(dāng)IC增大時(shí)，UCE將相應(yīng)降低。UCE降低會(huì)削弱吸引電子的能力，即使IB再增大，IC幾乎不再增大，晶體管失去了放大作用處于飽和狀態(tài)。UCE=UBE寸的狀態(tài)為臨界飽和，UCEVUBE寸的狀態(tài)為深度飽和，此時(shí)晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都 處于正向偏置。放大區(qū) 晶體管輸出特性曲線的飽和區(qū)和截止區(qū)之間的部分為放大區(qū)。工作在放大 區(qū)的晶體管才具有電流放大作用。此時(shí)發(fā)射結(jié)必須正偏，而集電結(jié)則為反 向偏置，即 UC>UB>U，E IC 只受 IB 控制2.3 場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管是較新型的半導(dǎo)體器件，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流，因而得名。場(chǎng)效應(yīng)管具有很高的輸入電阻，可達(dá)（10710

16、15）Q，幾乎不取信號(hào)源的輸出電流，因而功耗小，體積小，易于集成化。廣泛應(yīng)用于模擬 集成電路和數(shù)字集成電路中。2.31 場(chǎng)效應(yīng)管的分類按其結(jié)構(gòu)可分為結(jié)（J）型和絕緣柵（MOS）®場(chǎng)效應(yīng)管； 從工作性能可分 耗盡型 和增強(qiáng)型 兩類; 根據(jù)所用基片（襯底）材料不同，又可分P溝道和N溝道兩種導(dǎo)電溝 道，因此有結(jié)型P溝道和N溝道，絕緣柵耗盡型P溝道和N溝道及增強(qiáng) 型P溝道和N溝道六種類型場(chǎng)效應(yīng)管。電子知識(shí)代碼標(biāo)準(zhǔn)尺寸（MM)代碼標(biāo)準(zhǔn)尺（0603 ( 1608)1.6*0.81812( 4832)4.8*3.20805 ( 2012)2.0*1.252220( 5650)5.6*5.01206

17、 (3216)3.2*1.60402( 1005)1.0*0.51210 (3225)3.2*2.5注：括號(hào)內(nèi)為日本尺寸表示法，前面為中國(guó)表示法。、 貼片元件代碼及標(biāo)準(zhǔn)尺寸對(duì)照電阻、電容字母代碼誤差：MM)1、B=± 0.1 PF C =± 0.25PF D =± 0.5PF10%2、F=± 1% G =± 2% J =± 5% K =±M =± 20% S = +50%-20% Z = +80%-20%注：在阻值、容值相同情況下，誤差小的可代用誤差大的 貼片電容作用：通交流隔直流0.1UF-1UF 0603 封裝電容、耐壓16V（額定電壓）誤差± 20%5%1UF以上（不含1UF）的包括鉏電容，耐壓不定誤差 +80%-20%寸壓大的可代用耐壓小的（在容量材質(zhì)封裝，誤差一致的情況下）貼片電阻的誤差± 之內(nèi)SMD電阻 R 0603 L 102 J T電阻代號(hào) 封裝阻值 誤差SMD電容 C 0603 Y5V 1C 474 Z電容代號(hào)封裝材質(zhì)容值 誤差Y5V：第三類材質(zhì)X7R：第二類材質(zhì)，其容量可隨電壓、溫度、時(shí)間而改變NPO：第一類材質(zhì)，屬穩(wěn)定型，低損耗電容三鉏電容規(guī)格型號(hào)3216352860327343規(guī)格尺寸（ MM）英寸3.2*1.60.126*0.0633.5*280.138*