SAW器件叉指換能器的專利分析

1、SAW器件叉指換能器的專利分析SAW器件義指換能器的專利分析高新琳劉雨林摘要：義指換能器（IDT）是聲表面波（SAW）器件以及其他表面波器件中典型的電聲轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，它能夠高效地激勵和接收聲表面波。本文首先對IDT技術(shù)的國內(nèi)外專利分布情況及該領(lǐng)域的重要專利申請人進(jìn)行梳理;然后結(jié)合與技術(shù)密切相關(guān)的核心專利申請進(jìn)行分析;最后，本文通過分析現(xiàn)狀，給出了IDT技術(shù)未來的發(fā)展趨勢以及所面臨的挑戰(zhàn)。關(guān)鍵詞：IDT;專利分布;核心專利分析引言聲表面波（SAW）是一種在物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?，隨著移動通信、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，聲表面波器件的需求急劇增長，因其頻率響應(yīng)平坦、矩形系數(shù)好、體積小等優(yōu)點，聲表面波器件

2、被廣泛地應(yīng)用于各領(lǐng)域中。其中，義指換能器（InterdigitalTransducer,IDT）是聲表面波器件以及其他表面波器件中典型的電聲轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，它能夠高效地激勵和接收聲表面波口。一、義指換能器（IDT）國內(nèi)外的發(fā)展?fàn)顩r筆者對歷年來應(yīng)用于聲表面波器件的IDT的國內(nèi)外專利申請情況進(jìn)行了分析和梳理。從全球?qū)＠暾埩縼砜?，?0世紀(jì)80年代中后期，由于移動通信的初步發(fā)展，聲表面波器件由于其優(yōu)良性能開始被應(yīng)用于移動通信中，IDT技術(shù)也隨之發(fā)展，在20世紀(jì)90年代初期出現(xiàn)了第一次專利申請量峰值;隨后從20世紀(jì)90年代中后期至21世紀(jì)初期，隨著移動通信的再次飛速發(fā)展，聲表面波器件因其體積小，損耗低而被

3、大量應(yīng)用于移動通訊設(shè)備中，與其改進(jìn)相關(guān)的IDT技術(shù)的專利申請量出現(xiàn)笫二次峰值。但隨著聲表面波器件相關(guān)技術(shù)的日趨完善，全球范圍內(nèi)的IDT技術(shù)相關(guān)專利申請從20XX年左右開始逐漸呈下降趨勢。同時.，對國內(nèi)的專利申請進(jìn)行統(tǒng)計分析，可以發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)聲表面波器件中的IDT技術(shù)從上世紀(jì)90年代末期開始發(fā)展，伴隨著世界移動通信發(fā)展潮流，從211世紀(jì)初開始，聲表面波器件中的IDT技術(shù)在國內(nèi)開始迅速發(fā)展，在20XX年申請量達(dá)到峰值，隨后由于相關(guān)技術(shù)發(fā)展較緩，近年來申請量逐漸降低直至保持平穩(wěn)發(fā)展。接著，筆者對聲表面波器件的IDT技術(shù)在全球主要國家或地區(qū)的專利申請數(shù)量分布情況進(jìn)行統(tǒng)計?？梢钥闯觯毡?、美國和中國是該領(lǐng)

4、域的專利申請的主要貢獻(xiàn)者，尤其是日本，其申請的IDT技術(shù)的專利數(shù)量高達(dá)44%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于世界其他各國，可見日本在該技術(shù)領(lǐng)域的研究和發(fā)展具有一定主導(dǎo)性。而在通訊行業(yè)上的不斷發(fā)展的經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)，如，歐洲、韓國和德國等，也一直在致力于聲表面波器件的IDT技術(shù)上的研究，從其專利申請量來看也足以在該領(lǐng)域占據(jù)一席之地。而在對IDT技術(shù)的重要申請人進(jìn)行統(tǒng)計時，發(fā)現(xiàn)在世界范圍內(nèi)，申請量相對較多的申請人有：株式會社村田制作所、東洋通信設(shè)備株式會社、京瓷株式會社等。由此可以看出，聲表面波器件的IDT技術(shù)的專利申請絕大部分來源于日本的半導(dǎo)體器件公司，在此也同時印證了在該領(lǐng)域中日本的發(fā)展是較為領(lǐng)先的，占據(jù)主導(dǎo)地位。并且

5、，為了研究我國在聲表面波器件的IDT方面的研究狀況，筆者也在中文CXABS庫中統(tǒng)計了IDT技術(shù)的重要申請人的分布情況，統(tǒng)計發(fā)現(xiàn)，申請量較多的幾乎全是日本公司。二、重要申請人核心專利分析由于日本村田制作所株式會社在該領(lǐng)域的專利申請量上遙遙領(lǐng)先于其他公司，因此我們對其申請進(jìn)行統(tǒng)計分析。日本村田制作所株式會社關(guān)于聲表面濾波器的IDT技術(shù)的年申請量，可以看出，該公司在1984年已經(jīng)開始嘗試對IDT電極進(jìn)行改進(jìn)，在1993年第一次達(dá)到了一個峰值，但限于當(dāng)時的工藝條件和成本的問題，之后在IDT上的研究投入逐漸變少。而隨著通訊行業(yè)的快速發(fā)展以及聲表面濾波器的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體制造工藝對IDT的性能要求進(jìn)一步提

6、高。因此,從圖中可以看出，在經(jīng)歷一段低迷的發(fā)展期之后，從1997年開始，該公司乂開始投入大量的研究精力在IDT的技術(shù)改進(jìn)上。并且，不同于早期主要集中在日本的申請，近年來該公司逐漸重視在世界范圍內(nèi)其他國家的專利布局，絕大部分專利申睛:都為PCT申請。筆者以時間為軸線，對日本村田制作所株式會社的聲表面波濾波器IDT技術(shù)進(jìn)行了梳理和分析。通過對其核心專利進(jìn)行分析，可以看出該公司在技術(shù)方面主要是對IDT電極中的電極指做出改進(jìn)。包括有1997年，在xxxxl97A中提出的將兩種IDT梳狀電極中的電極指相互插入排布，并采用電極的寬度加權(quán)方法，從而有效的改善Q值;20XX年在xxxx763A中通過調(diào)節(jié)IDT窄電極指間距部分的間距來調(diào)節(jié)通帶帶寬，同時減弱橫向響應(yīng);20XX年在xxxx6153A中通過設(shè)置最外側(cè)的IDT電極指間距或者真空比與最內(nèi)側(cè)占空比不同來改善信號平衡度。三、結(jié)語筆者在研究IDT專利申請時發(fā)現(xiàn)，早期的核心專利多為歐洲和日本申請，后來由于美國和中國臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，核心專利范圍逐漸擴(kuò)大,而直至20XX年后日本才慢慢打開中國市場，進(jìn)行相關(guān)的核心專利布局?？梢钥闯觯徽撌羌夹g(shù)還是生產(chǎn)工藝，國外SAW濾波器技術(shù)已經(jīng)比較成熟。但在我國,SAW濾波器技術(shù)的研究和發(fā)展比較遲緩，起步