N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)說明書_1.2-L_圖文

1、SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 4A、600V N溝道增強型場效應(yīng)管 描述 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng) 晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制 造。先進的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換 器，高壓 H 橋 PWM 馬達驅(qū)動。 特點 4A，600V，RDS(on（典型值）=2.0 VGS=10V 低柵極電荷量 低反向傳輸電容 開關(guān)速度快 提升了 dv/dt 能力 命名規(guī)則 產(chǎn)品規(guī)格分

2、類 產(chǎn) 品 名 稱 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60MJ SVF4N60M 封裝形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-262-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251J-3L TO-251D-3L 打印名稱 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60MJ SVF4N60M 材料 無鉛 無鉛 無鉛 無鉛 無鉛 無鉛 無鉛 包裝 料管 料管 料管 料管 編帶 料管 料管 http:/www.junyi- 版本號：1.2 2012

3、.01.18 共11頁 第1頁 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 極限參數(shù)(除非特殊說明，TC=25°C 參數(shù)范圍 參 數(shù) 名稱 符號 SVF4N 60T 漏源電壓 柵源電壓 漏極電流 漏極脈沖電流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每攝氏度減少 單脈沖雪崩能量（注 1） 工作結(jié)溫范圍 貯存溫度范圍 TC=25°C TC=100°C VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 33 0.26 SVF4N 60F SVF4N 60D/M 600 ±30 4.0 2.5 16 7

4、7 0.62 217 -55+150 -55+150 86 0.69 95 0.76 SVF4N 60MJ SVF4N 60K V V A A W W/°C mJ °C °C 單位 熱阻特性 參數(shù)名稱 芯片對管殼熱阻 芯片對環(huán)境的熱阻 符號 RJC RJA 參數(shù)范圍 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 SVF4N60MJ 1.45 110 SVF4N60K 1.32 62.5 單位 °C/W °C/W 關(guān)鍵特性參數(shù)(除非特殊說明，TC=25°C 參數(shù)名稱 漏

5、源擊穿電壓 漏源漏電流 柵源漏電流 柵極開啟電壓 導通電阻 輸入電容 輸出電容 反向傳輸電容 開啟延遲時間 開啟上升時間 關(guān)斷延遲時間 關(guān)斷下降時間 柵極電荷量 柵極-源極電荷量 柵極-漏極電荷量 符號 BVDSS B 測試條件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25 (注 2，3 VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3 最小值

6、600 -2.0 - 典型值 -2.0 449.7 57 2.0 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01 最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 - 單位 V µA nA V IDSS IGSS VGS(th RDS(on Ciss Coss Crss td(on tr td(off tf Qg Qgs Qgd pF ns nC http:/www.junyi- 版本號：1.2 2012.01.18 共11頁 第2頁 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 源-漏二極管特性參數(shù) 參 數(shù) 名 稱 源極電流 源極脈沖電流 源-漏二極管壓

7、降 反向恢復時間 反向恢復電荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25，開始溫度 TJ=25°C； 脈沖測試： 脈沖寬度300s，占空比2%； 基本上不受工作溫度的影響。 符 號 IS ISM VSD Trr Qrr 測試條件 MOS 管中源極、漏極構(gòu)成的 反偏 P-N 結(jié) IS=4.0A，VGS=0V IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs (注 2 最小值 -典型值 -190 0.53 最大值 4.0 16 1.4 -單位 A V ns µC 典型特性曲線 http:/www.junyi-

8、版本號：1.2 2012.01.18 共11頁 第3頁 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 典型特性曲線（續(xù)） http:/www.junyi- 版本號：1.2 2012.01.18 共11頁 第4頁 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 典型特性曲線（續(xù)） 圖9-3. 最大安全工作區(qū)域(SVF4N60D/M 102 此區(qū)域工作受限于RDS(ON 圖9-4. 最大安全工作區(qū)域(SVF4N60MJ 102 此區(qū)域工作受限于RDS(ON 101 漏極電流 - ID(A 1ms 10ms 100µs 101 漏極電流 - ID(A 1ms 10ms 100µ

9、s 10 0 DC 10 0 DC 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.單個脈沖 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.單個脈沖 10-2 100 101 102 103 10-2 100 101 102 103 漏源電壓 - VDS(V 漏源電壓 - VDS(V 圖9-5. 最大安全工作區(qū)域(SVF4N60K 102 此區(qū)域工作受限于RDS(ON 圖 10. 最大漏電流vs. 殼溫 4 101 漏極電流 - ID(A 1ms 10ms 0 100µs 3 漏電流 - ID(A 103 10 D

10、C 2 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.單個脈沖 1 10-2 100 101 102 0 25 50 75 100 125 150 漏源電壓 - VDS(V 殼溫 TC(°C http:/www.junyi- 版本號：1.2 2012.01.18 共11頁 第5頁 典型測試電路柵極電荷量測試電路及波形圖 封裝外形圖 封裝外形圖(續(xù) 封裝外形圖(續(xù) 封裝外形圖(續(xù) 聲明:士蘭保留說明書的更改權(quán),恕不另行通知!客戶在下單前應(yīng)獲取最新版本資料,并驗證相關(guān)信息是否完整和最新。任何半導體產(chǎn)品特定條件下都有一定的失效或發(fā)生故障的可能,買方有責任在使用Silan產(chǎn)品進行系統(tǒng)設(shè)計和整機制造時遵守安全標準并采取安全措施,以避免潛在失敗風險可能造成人身傷害或財產(chǎn)損失情況的發(fā)生!產(chǎn)品提升永無止境,我公司將竭誠為客戶提供更優(yōu)秀的產(chǎn)品!SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 說明書 附： 修改記錄： 日 期 2010