IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路

1、IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路作者:日期:2個(gè)人收集整理，勿做商業(yè)用途IGBT模塊的使用和安裝1. 簡(jiǎn)介IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT （雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFE的高輸入阻抗和GTR勺低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR®和壓降低，載流密度大， 但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFE驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。GBT（I nsulated Gate Bipolar Tra nsis

2、tor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFE的高輸入阻抗和GTR勺低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTF飽和壓降低，載流密度大， 但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、 照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其

3、上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P 一區(qū)）（溝 道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的 P+區(qū)稱為 漏注入?yún)^(qū)（Drain injector ），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。 附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電 流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFE基本相同，只

4、需控制輸入極N溝道MOSFET 所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng) MOSFE的溝道形成后，從P+基極注入到N 層的空穴（少 子），對(duì)N 層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小 N 層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通 態(tài)電壓。2. 發(fā)展歷史1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表 現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了 V形 槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體） 工藝被采用到IGBT中來(lái)。2在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計(jì)。后來(lái)，通過(guò)采用

5、PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)顯著改進(jìn)，這是 隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的3。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微 米先進(jìn)到3微米。90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI） 工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。4在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié) 構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通 (NPT)結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu)，這就 使安全工作區(qū)(S

6、OA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿 通(NPT)型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一 方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通 (NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類似 于某些人所謂的 軟穿通” (SPT或電場(chǎng)截止” (FS型技術(shù)，這使得 成本一性能”的綜合效果 得到進(jìn)一步改善。1996年，CSTBT(載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模

7、塊得以實(shí)現(xiàn) ，它采用了弱穿通(LPT)芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。包括一種反向阻斷型”逆阻型)功能或一種反向?qū)ㄐ汀蹦鎸?dǎo)型)功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究，以求得進(jìn)一步優(yōu)化。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊 IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200 1800A/1800 3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外， 600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車 WVF逆變 器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的 PEBB，用于

8、艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為 流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外， 專用驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar TransistorIGBT發(fā)展熱點(diǎn)。 已制造出集成化的IPEM大電IGBT),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合器件。IGBT將MOSFE與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既 有輸入阻抗高、速度快、熱

9、穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流 的優(yōu)點(diǎn)。因此，IGBT的新技術(shù)、新工藝不斷有新的突破；應(yīng)用頻率硬開關(guān)5KHl40KHz軟開關(guān)40KHl 150KHz功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場(chǎng)合。IGBT器件將不斷開拓新的 應(yīng)用領(lǐng)域，為高效節(jié)能、節(jié)材，為新能源、自動(dòng)化和智能化提供了新的機(jī)遇。為了使初次 使用者正確用好IGBT模塊，最大限度地發(fā)揮IGBT模塊的作用，以下是最基本的使用說(shuō)明。 依據(jù)裝置負(fù)載的工作電壓和額定電流以及使用頻率，選擇合適規(guī)格的模塊。用戶使用模塊前 請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)；根據(jù)模塊各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定使用 方案，計(jì)算通態(tài)損耗和開關(guān)損耗，選擇相

10、匹配的散熱器及驅(qū)動(dòng)電路。3. IGBT模塊的使用1. 防止靜電IGBT是靜電敏感器件，為了防止器件受靜電危害，應(yīng)注意以下兩點(diǎn)：IGBT 模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上 引線；在無(wú)防靜電措施時(shí)，不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。 驅(qū)動(dòng)端子需要焊接時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地。2. 選擇和使用 請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品的最大額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可 能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT外加超出Vces的電壓時(shí)可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞， 請(qǐng)務(wù)必在Vces的額定值范圍內(nèi)使用！工作使用頻率愈高，工作電流愈?。辉从诳煽啃缘脑?，必須考慮安全系數(shù)。如果

11、使用前需要測(cè)試請(qǐng)務(wù)必使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備，以免測(cè)試損壞（特別是IGBT和FRED莫塊需要專業(yè)的測(cè)試設(shè)備，請(qǐng)勿使用非專業(yè)的設(shè)備測(cè)試其電壓的最 大值）。 驅(qū)動(dòng)電路：由于IGBT Vce（sat）和短路耐量之間的折衷關(guān)系，建議將柵極電壓選為+VG=14 15V, -VG=A 10V,要確保在模塊的驅(qū)動(dòng)端子上的驅(qū)動(dòng)電壓和波形達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求； 柵極電阻Rg與IGBT的開通和關(guān)斷特性密切相關(guān)，減小 Rg值開關(guān)損耗減少，下降時(shí)間減 少，關(guān)斷脈沖電壓增加；反之，柵極電阻 Rg值增加時(shí)，會(huì)增加開關(guān)損耗，影響開關(guān)頻率； 應(yīng)根據(jù)浪涌電壓和開關(guān)損耗間最佳折衷（與頻率有關(guān)）選擇合適的Rg值，一般選為5Q至 100Q之間。為

12、防止柵極開路，建議靠近柵極與發(fā)射極間并聯(lián)20K30KQ電阻。驅(qū)動(dòng)布線要盡量短且采用雙絞線；在電源合閘時(shí)請(qǐng)先投入驅(qū)動(dòng)控制部分的電源，使其驅(qū)動(dòng)電路工作后再投入主電路電源。 保護(hù)電路：IGBT模塊使用在咼頻時(shí)布線電感容易產(chǎn)生尖峰電壓，必須注意減少布線電 感和元件的配置，應(yīng)注意以下保護(hù)項(xiàng)目：過(guò)電流保護(hù)、過(guò)電壓保護(hù)、柵極過(guò)壓及欠壓保護(hù)、 安全工作區(qū)、過(guò)溫保護(hù)。 吸收電路：由于IGBT開關(guān)速度快，容易產(chǎn)生浪涌電壓，必須設(shè)有浪涌鉗位電路。 并 聯(lián)使用：應(yīng)考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問(wèn)題。使用時(shí)請(qǐng)避開產(chǎn)生腐蝕氣體和嚴(yán)重塵埃的場(chǎng)所。安裝 散熱器應(yīng)根據(jù)使用環(huán)境及模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，

13、以保證模塊工作時(shí)對(duì)散熱器的要求。 散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10mm每個(gè)螺絲之間的平面扭曲小于10mm為了減少接觸 熱阻，推薦在散熱器與模塊之間涂上一層很薄的導(dǎo)熱硅脂，模塊均勻受力后，從模塊邊緣可 看出有少許導(dǎo)熱硅脂擠出為最佳。 模塊安裝在散熱器上時(shí)，螺釘需用說(shuō)明書中給出的力矩?cái)Q緊。力矩不足導(dǎo)致熱阻增4.IGBT模塊IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFE和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有 MOSFE器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，

14、又 具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFE與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在 較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū) 動(dòng)正電壓，則MOSFE導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管 導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的 供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFE一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極一發(fā)射極 間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過(guò)，

15、基本上不消耗功率。1. IGBT的等效電路? CEnlKJBT白勺等豉電路2 IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互 關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開 關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是 用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。3使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFE結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。 由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到 2030V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT 失 效的

16、常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)： 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體 或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常 采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩 電壓。此外，在柵極一發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極 電位的變化，由于集電

17、極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如 果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使 IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí) （柵極處于開路狀態(tài)）， 若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接 一只10KQ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程 度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝 有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上

18、靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。4保管時(shí)的注意事項(xiàng)一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為535C， 常濕的規(guī)定在4575%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕 ；盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此 IGBT模塊應(yīng)放在溫 度變化較小的地方；保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。5.選擇方法5.1選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下 表。

19、使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損 耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。5.2測(cè)量靜態(tài)測(cè)量：把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子，顯示電阻應(yīng)為無(wú) 窮大；表筆對(duì)調(diào)，顯示電阻應(yīng)在400歐左右用同樣的方法，測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1 端子，顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大；表筆對(duì)調(diào)，顯示電阻應(yīng)在 400歐左右.若符合上述情況表明此 IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障.動(dòng)態(tài)測(cè)試：把萬(wàn)用表的檔位放在乘10K檔，用黑表筆接 4端子，紅表筆接5端子,此時(shí)

20、黑表筆接3端子紅表筆接1端子，此時(shí)電阻應(yīng)為300-400毆，把 表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.用同樣的方法測(cè)試1、2 端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。 將萬(wàn)用表?yè)茉赗X10KQ擋， 用黑表筆接IGBT的漏極(D)，紅表筆接IGBT的源極(S),此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。 用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較 小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí) IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。注意：若進(jìn)第二

21、次測(cè)量時(shí)，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉?RX10KQ擋，因RX1K Q擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi) 部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使 IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。5.3注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。 由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到2030V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是 IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)： 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人 體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，

22、再觸摸 ； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電 感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙 絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。 此外，在柵極一發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的 變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電 極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使 IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回

23、路不正常或柵極回路損壞時(shí)（柵極處于開路狀態(tài)），若在主回 路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KQ 左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。 為 了減少接觸熱阻，最好在散熱器與 IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散 熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，5.4當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作事項(xiàng)。 一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太

24、大。常溫的規(guī)定為535C，常濕的規(guī)定在4575%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕 ； .盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放 在溫度變化較小的地方； 保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； .裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。 檢測(cè)IGBT模塊的的辦法。6.IGBT試用驅(qū)動(dòng)電路圖Ua| d2. I1 卯.5*1WfJn.4.3!imiNi-Vi 戯ill肯事石口 Mw心Shcwi theory <1 時(shí)f 口陽(yáng)C1IGBTU模塊引出腳Ad|mtSoft Vottag*個(gè)人收集整理

25、，勿做商業(yè)用途iirrr*IMt<仔仔siW31耳H«< k> i r«劭護(hù)曲1fttTftt1t»aitaTwittffiin個(gè)人收集整理，勿做商業(yè)用途+15VJ"wj74LS07VD,24G3S0V76105TR2110HH47uF13MP6750NMP6750AGNDCUI1企巴聲鎮(zhèn)電itJ益51埠部甘廠_二 匸EDERF160A、* Lf 1L T Z： U j Q 點(diǎn)擊gs諭顏CJi.L三扌冃33072 5：* 12瓦ZSUHCW鬥at-i xxrC6S4fi1Vs a !+-立過(guò)電流信號(hào)輸出邏揖信號(hào)輸入OflDS5圈IftfW5TQ£J 47k815ZDi2S30V5M57962L丄47uF47m F全球最大f C電子市場(chǎng)岡，: k I右采購(gòu)網(wǎng)立VD,jt*IGBT15VQ10V過(guò)電流5VSZ侑號(hào)輸出30 V47k"1 ZSM57962L471 F全球最大I匚I3