場效應(yīng)管及其應(yīng)用

1、第三章第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路場效應(yīng)管及其基本放大電路3.1 3.1 MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管3.2 3.2 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管3.3 3.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)和微變等效電路場效應(yīng)管的主要參數(shù)和微變等效電路3.4 3.4 場效應(yīng)管基本放大電路場效應(yīng)管基本放大電路 小結(jié)小結(jié)概概 述述場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別1. 晶體管是晶體管是電流控制元件電流控制元件；場效應(yīng)管是；場效應(yīng)管是電壓控制元件電壓控制元件。2. 晶體管參與導(dǎo)電的是晶體管參與導(dǎo)電的是電子電子空穴空穴，因此稱其為雙極型器件；，因此稱其為雙極型器件； 場效應(yīng)管是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有場效應(yīng)管是電

2、壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有一種載流子一種載流子， 因此稱其為單級型器件。因此稱其為單級型器件。3. 晶體管的晶體管的輸入電阻較低輸入電阻較低，一般，一般102104 ； 場效應(yīng)管的場效應(yīng)管的輸入電阻高輸入電阻高，可達，可達1091014 場效應(yīng)管的分類場效應(yīng)管的分類結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管JFETMOS型場效應(yīng)管型場效應(yīng)管JFET3.1 3.1 MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管增強型增強型MOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管耗盡型耗盡型MOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分類MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管N溝道增強型的溝道增強型的MOS管管P溝道增強型的溝道增強型的MOS管管N溝道耗盡型的溝道耗盡型的

3、MOS管管P溝道耗盡型的溝道耗盡型的MOS管管 N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管漏極漏極D集電極集電極C源極源極S發(fā)射極發(fā)射極E柵極柵極G基極基極B襯底襯底B電極電極金屬金屬絕緣層絕緣層氧化物氧化物基體基體半導(dǎo)體半導(dǎo)體因此稱之為因此稱之為MOS管管動畫動畫3-1 當當UGS較小較小時，雖然在時，雖然在P型襯型襯底表面形成一層底表面形成一層耗盡層耗盡層，但負，但負離子不能導(dǎo)電。離子不能導(dǎo)電。 當當UGS=UT時時, 在在P型襯底表型襯底表面形成一層面形成一層電子層電子層，形成，形成N型型導(dǎo)電溝道，在導(dǎo)電溝道，在UDS的作用下形

4、的作用下形成成ID。 N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管工作原理場效應(yīng)管工作原理增強型增強型MOSMOS管管UDSID+ +- -+-+- - -UGS反型層反型層 當當UGS=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的時，漏源之間相當兩個背靠背的PN結(jié)，無論結(jié)，無論UDS之間加上電壓不會在之間加上電壓不會在D、S間形成電流間形成電流ID,即即ID0. 當當UGSUT時時, 溝道加厚，溝道電阻減少，溝道加厚，溝道電阻減少，在相同在相同UDS的作的作用下，用下，ID將進一步增加將進一步增加開始無導(dǎo)電溝道，開始無導(dǎo)電溝道，當在當在UGS UT時才形時才形成溝道成溝道,這種類型的管這種類型的管子稱

5、為子稱為增強型增強型MOS管管動動畫畫3-2 N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線增強型增強型MOSMOS管管U UDSDS一定時，一定時，U UGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D的控制關(guān)系曲線的控制關(guān)系曲線 I ID D= =f f( (U UGSGS) ) U UDSDS=C =C 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線UDSUGS-UTUGS(V)ID(mA)UT在恒流區(qū)，在恒流區(qū)，ID與與UGS的關(guān)系為的關(guān)系為IDK(UGS-UT)2溝道較短時，應(yīng)考慮溝道較短時，應(yīng)考慮UDS對對溝道長度的調(diào)節(jié)作用：溝道長度的調(diào)節(jié)作用：IDK(UGS-UT)2（1+ UDS)K

6、導(dǎo)電因子（導(dǎo)電因子（mA/V2) 溝道調(diào)制長度系數(shù)溝道調(diào)制長度系數(shù)LWCKOXn2 LWK2nSK2DSULL n溝道內(nèi)電子的表面遷移率溝道內(nèi)電子的表面遷移率COX單位面積柵氧化層電容單位面積柵氧化層電容W溝道寬度溝道寬度L溝道長度溝道長度Sn溝道長寬比溝道長寬比K本征導(dǎo)電因子本征導(dǎo)電因子 N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線增強型增強型MOSMOS管管U UGSGS一定時，一定時， I ID D與與U UDSDS的變化曲線，是一族曲線的變化曲線，是一族曲線 I ID D= =f f( (U UDSDS) ) U UGSGS=C =C 輸出特性曲線輸出特性曲線

7、1.可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)： ID與與UDS的關(guān)系近線性的關(guān)系近線性 ID 2K(UGS-UT)UDS0dUDDSonGSdIdUR2K1UU1TGSUGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)當當UGS變化時，變化時，RON將隨之變化將隨之變化因此稱之為因此稱之為可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)當當UGS一定時，一定時，RON近似為一常數(shù)近似為一常數(shù)因此又稱之為因此又稱之為恒阻區(qū)恒阻區(qū) N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線增強型增強型MOSMOS管管輸出特性曲線輸出特性曲線2. 恒流區(qū)恒流區(qū)： 該區(qū)內(nèi)，該區(qū)內(nèi)，UGS一定，一定

8、，ID基本不隨基本不隨UDS變化而變變化而變3.擊穿區(qū)擊穿區(qū)： UDS 增加到某一值時，增加到某一值時，ID開始劇增而出現(xiàn)擊穿。開始劇增而出現(xiàn)擊穿。 當當UDS 增加到某一臨界增加到某一臨界值時，值時，ID開始劇增時開始劇增時UDS稱為漏源擊穿電壓。稱為漏源擊穿電壓。UGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA) 漏源電壓漏源電壓UDS對漏極電流對漏極電流ID的控制作用的控制作用當當UGSUT，且固定為某一值時，來分析漏源電壓，且固定為某一值時，來分析漏源電壓UDS對對漏極電流漏極電流ID的影響。的影響。UDS的不同變化對溝道的影響。的不同變化對溝道

9、的影響。 UDS=UDGUGS =UGDUGS UGD=UGSUDS 當當UDS為為0或較小時，或較小時，相當相當 UGDUT，此時此時UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。在線分布。在UDS作用下形成作用下形成ID增強型增強型MOSMOS管管 當當UDS增加到使增加到使UGD=UT時，時， 當當UDS增加到增加到UGD UT時，時，增強型增強型MOSMOS管管 漏源電壓漏源電壓UDS對漏極電流對漏極電流ID的控制作用的控制作用 這相當于這相當于UDS增加使漏極處溝道增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為縮減到剛剛開啟的情況，稱為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。此時的。

10、此時的漏極電流漏極電流ID 基本飽和基本飽和 此時預(yù)夾斷區(qū)域加長，伸向此時預(yù)夾斷區(qū)域加長，伸向S極。極。 UDS增加的部分基本降落在隨之加長增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上，的夾斷溝道上， ID基本趨于不變?；沮呌诓蛔儭赢媱赢?-3增強型增強型MOSMOS管管 MOSMOS管襯底的處理管襯底的處理保證兩個保證兩個PN結(jié)反偏，源極結(jié)反偏，源極溝道溝道漏極之間處于絕緣態(tài)漏極之間處于絕緣態(tài)NMOS管管UBS加一負壓加一負壓PMOS管管UBS加一正壓加一正壓處理原則：處理原則：處理方法：處理方法： N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)

11、管場效應(yīng)管+ + + + + + + 耗盡型耗盡型MOS管存在管存在原始導(dǎo)電溝道原始導(dǎo)電溝道耗盡型耗盡型MOSMOS管管 N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管工作原理場效應(yīng)管工作原理當當UGS=0時，時，UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流ID,此時的漏極電流稱為此時的漏極電流稱為漏極飽和電流漏極飽和電流，用，用IDSS表示表示當當UGS0時，將使時，將使ID進一步增加進一步增加。當當UGS0時，隨著時，隨著UGS的減小漏極電流逐漸的減小漏極電流逐漸減小減小。直至。直至ID=0。對應(yīng)。對應(yīng)ID=0的的UGS稱為夾斷電壓，用符號稱為夾斷電壓，用符號UP表示。表示。UG

12、S(V)ID(mA) N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線在恒流區(qū)，在恒流區(qū)，ID與與UGS的關(guān)系為的關(guān)系為IDK(UGS-UP)2溝道較短時，溝道較短時， IDK(UGS-UT)2（1+ UDS)UPID IDSS(1- UGS /UP)2常用關(guān)系式：常用關(guān)系式：耗盡型耗盡型MOSMOS管管 N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=-1VUGS(V)ID(mA)N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS管可工作在管可工作在U UG

13、SGS 0 0或或U UGSGS0 0 N N溝道溝道增強型增強型MOSMOS管只能工作在管只能工作在U UGSGS00各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強型P溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型3.2 3.2 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管的分類結(jié)型場效應(yīng)管的分類結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線 結(jié)型結(jié)型場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（JFET)JFET)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 結(jié)型結(jié)型場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（JFET)JFET)分類分類可分為可分為N溝道和

14、溝道和P溝道兩種，輸入電阻約為溝道兩種，輸入電阻約為107 。P+P+NGSDN溝道結(jié)型場效應(yīng)管溝道結(jié)型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 結(jié)型結(jié)型場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（JFET)JFET)的工作原理的工作原理 根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)，因它沒有絕緣層，根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)，因它沒有絕緣層，只能工作在只能工作在反偏反偏的條件下，對于的條件下，對于N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管只能工作在只能工作在負柵壓負柵壓區(qū)，區(qū)，P溝道的只能工作在溝道的只能工作在正柵壓正柵壓區(qū)，否區(qū)，否則將會出現(xiàn)柵流。現(xiàn)以則將會出現(xiàn)柵流?，F(xiàn)以N溝道為例說明其工作原理。溝

15、道為例說明其工作原理。P+P+NGSDUDSIDDP+P+NGSUDSIDUGS預(yù)夾斷預(yù)夾斷UGS=UP夾斷狀態(tài)夾斷狀態(tài)ID=0 當當UGS=0時，時，溝道較寬溝道較寬，在，在UDS的作用下的作用下N溝道內(nèi)的溝道內(nèi)的電子定向運動形成漏極電流電子定向運動形成漏極電流ID。 當當UGS0時，時，PN結(jié)反偏，結(jié)反偏，PN結(jié)加寬，漏源間的結(jié)加寬，漏源間的溝道溝道將變窄將變窄，ID將減小將減小， 當當UGS繼續(xù)向負方向增加，溝道繼續(xù)變窄，繼續(xù)向負方向增加，溝道繼續(xù)變窄，ID繼續(xù)減繼續(xù)減小直至為小直至為0。 當當漏極電流為零漏極電流為零時所對應(yīng)的時所對應(yīng)的柵源電壓柵源電壓UGS稱為稱為夾斷電夾斷電壓壓UP

16、。 結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 結(jié)型結(jié)型場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（JFET)JFET)的工作原理的工作原理結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管 結(jié)型結(jié)型場效應(yīng)管（場效應(yīng)管（JFET)JFET)的特性曲線的特性曲線 與與MOS的特性曲線基本相同，只不過的特性曲線基本相同，只不過MOS的柵壓可的柵壓可正可負正可負，而結(jié)型場效應(yīng)三極管的柵壓只能是，而結(jié)型場效應(yīng)三極管的柵壓只能是P溝道的為正溝道的為正或或N溝道的為負。溝道的為負。UP轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線結(jié)型場效應(yīng)管 N溝道耗盡型P溝道耗盡型3.3 3.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)和微變等效電路場效應(yīng)管的主要參數(shù)和微變等效電路直流參數(shù)直流參數(shù)微變參數(shù)

17、微變參數(shù)微變等效電路微變等效電路場效應(yīng)管的直流參數(shù)場效應(yīng)管的直流參數(shù)2. 夾斷電壓夾斷電壓UP 夾斷電壓是耗盡型夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當?shù)膮?shù)，當UGS=UP 時時,漏極電漏極電流為零。流為零。3. 飽和漏極電流飽和漏極電流IDSS 耗盡型場效應(yīng)三極管當耗盡型場效應(yīng)三極管當UGS=0時所對應(yīng)的漏時所對應(yīng)的漏極電流。極電流。1. 開啟電壓開啟電壓UT 開啟電壓是開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值開啟電壓的絕對值,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場效應(yīng)管的直流參數(shù)場效應(yīng)管的直流參數(shù)4. 直流輸入電阻直流輸入電阻RGS柵源間所加的恒定

18、電壓柵源間所加的恒定電壓UGS與流過柵極電流與流過柵極電流IGS之比結(jié)之比結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于約大于107，絕緣柵場效應(yīng)三極管絕緣柵場效應(yīng)三極管RGS約是約是1091015。5. 漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓BUDS使使ID開始劇增時的開始劇增時的UDS。6.柵源擊穿電壓柵源擊穿電壓BUGSJFET：反向飽和電流劇增時的柵源電壓：反向飽和電流劇增時的柵源電壓MOS：使：使SiO2絕緣層擊穿的電壓絕緣層擊穿的電壓場效應(yīng)管的微變參數(shù)場效應(yīng)管的微變參數(shù) 1. 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用CUCUG

19、SDmBSDSdUdIggm的求法的求法: 圖解法圖解法gm實際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率實際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率解析法：如增強型解析法：如增強型MOS管存在管存在ID=K(UGS-UT)2)U2K(UgTGSm場效應(yīng)管的微變參數(shù)場效應(yīng)管的微變參數(shù) 2. 襯底跨導(dǎo)襯底跨導(dǎo)gm b反映了襯底偏置電壓對漏極電流反映了襯底偏置電壓對漏極電流ID的控制作用的控制作用CUCUBSDmGSDSdUdIgbmmbgg 跨導(dǎo)比跨導(dǎo)比微變參數(shù)微變參數(shù)3. 漏極電阻漏極電阻rdsCUCUDDSdGSBSdIdUrs反映了反映了UDS對對ID的影響，實際上是輸出特性曲線上工作的影響，實際上是輸出特性曲線上工作點切線上

20、的斜率點切線上的斜率4.導(dǎo)通電阻導(dǎo)通電阻RonCUCUDDSGSBSdIdUonR在恒阻區(qū)內(nèi)在恒阻區(qū)內(nèi)mg1微變參數(shù)微變參數(shù)5. 極間電容極間電容Cgs柵極與源極間電容柵極與源極間電容Cgd 柵極與漏極間電容柵極與漏極間電容Cgb 柵極與襯底間電容柵極與襯底間電容Csd 源極與漏極間電容源極與漏極間電容Csb 源極與襯底間電容源極與襯底間電容Cdb 漏極與襯底間電容漏極與襯底間電容主要的極間電容有：主要的極間電容有：場效應(yīng)管的微變等效電路場效應(yīng)管的微變等效電路SDgdsUgs+-+-UdsGID 低頻微變等效電路低頻微變等效電路由輸出特性：由輸出特性：ID=f(UGS,UDS)DS0UDSDG

21、S0UGSDDUUIUUIIGSDSIDDSGSDUUIdsmgggmUgs微變等效電路微變等效電路 高頻微變等效電路高頻微變等效電路CgdSDgmUgsgdsUgs+-+-UdsGIDCgsCds3.4 3.4 場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管偏置電路場效應(yīng)管偏置電路三種基本放大電路三種基本放大電路場效應(yīng)管偏置電路場效應(yīng)管偏置電路 自給偏置電路自給偏置電路場效應(yīng)管偏置電路的場效應(yīng)管偏置電路的關(guān)鍵關(guān)鍵是如何是如何提供柵源控制電壓提供柵源控制電壓UGS自給偏置電路：自給偏置電路：適合結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型適合結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型MOS管管外加偏置電路：外加偏置電路：適合增強型適合增強型MO

22、S管管UGS = UG-US= -ISRS -IDRS2PGSDSSD)UU(1IIUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)RS的作用的作用：1. 提供柵源所需的直流提供柵源所需的直流偏壓。偏壓。2. 提供直流負反饋，穩(wěn)提供直流負反饋，穩(wěn)定靜態(tài)工作點。定靜態(tài)工作點。RS越大，工作點越穩(wěn)越大，工作點越穩(wěn)定。定。但會造成工作點偏但會造成工作點偏低，放大增益減少，非低，放大增益減少，非線性失真增大線性失真增大GSD基本自給偏置電路基本自給偏置電路偏置電路偏置電路 自給偏置電路自給偏置電路改進型自給偏置電路改進型自給偏置電路R1R2提供一個提供一個正偏柵壓正偏柵壓UG大電阻（大電阻（M )

23、，減小減小R1、R2對放大電對放大電路輸入電阻的影響路輸入電阻的影響D212GERRRUUGS = UG-US-IDRS2PGSDSSD)UU(1IIUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)D212ERRR偏置電路偏置電路 外加偏置電路外加偏置電路D212GERRRU-IDRSD212ERRRR1和和R2提供一個固定柵壓提供一個固定柵壓UGS = UG-US注：要求注：要求UGUS，才能提供一個正偏壓，增強型管子才能，才能提供一個正偏壓，增強型管子才能 正常工作正常工作三種基本放大電路三種基本放大電路 共源放大電路共源放大電路1. 直流分析直流分析UGS = UG-US-IDRS2

24、PGSDSSD)UU(1IIUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)D212ERRR基本放大電路基本放大電路 共源放大電路共源放大電路IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUgsUiUo未接未接Cs時時一般一般rds較大可忽略較大可忽略ioUUUA=- gmUgsRDUgs+ gmUgsRs=- gmRD1 + gmRsRD=RD/RL基本放大電路基本放大電路 共源放大電路共源放大電路IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUgsUiUo未接未接Cs時時UA=- gmRD1 + gmRsriri=RG+(R1/R2) RG roro RD接入接入Cs時時AU=

25、 -gm(rds/RD/RL) RDri=RG+(R1/R2) RG ro =RD/rds RDRs的作用是提供一個直流柵源電壓、的作用是提供一個直流柵源電壓、引入直流負反饋來穩(wěn)定工作點。但它引入直流負反饋來穩(wěn)定工作點。但它同時對交流也起負反饋作用，使電路同時對交流也起負反饋作用，使電路的放大倍數(shù)降低。的放大倍數(shù)降低。接入接入CS可以消除可以消除RS對交流的負反饋作對交流的負反饋作用。用。ri基本放大電路基本放大電路 共漏放大電路共漏放大電路GSDUiRGGUoRLRSgmUgsrdsSDioUUUA=gmUgsRSUgs+ gmUgsRs=gmRS1 + gmRsRS=rds/RS/RL RS/RL1AU1ri=RGUgs+-電壓增益電壓增益輸入電阻輸入電阻基本放大電路基本放大電路 共漏放大電路共漏放大電路輸出電阻輸出電阻Ugs+-gmUgsRS+-UoIoroUiGUoSRGRLRSgmUgsrdsDUgs+-SooRUI - gmUgsUgs= -Uo=Uo(1/Rs+gm)oooIUr msg1/R1msg1/RUA=gmRS1 + gmRs電壓增益電壓增益ri=RG輸入電阻輸入電阻基本放大電路基本放大電路基本放大電路基本放大電路 共柵放大電路共柵放大電路電壓增益電壓增益AU gmRD輸