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1、晶體技術(shù)高效應(yīng)用關(guān)鍵點(diǎn)2007/032 晶體諧振器技術(shù)講座 講座內(nèi)容一、晶體諧振器基本原理二、涉及的公式三、關(guān)鍵參數(shù)四、工藝對參數(shù)影響五、能陷理論的重要性2007/03北京科瑞思特電子有限公司3一、基本工作原理1、壓電效應(yīng) 當(dāng)在絕緣固體上施加壓力時(shí),絕緣固體的表面間能夠產(chǎn)生電壓,同時(shí)也能產(chǎn)生一個(gè)很小的電流,這就叫壓電效應(yīng)。相反,當(dāng)電壓施加在一個(gè)具有壓電特性的固體表面時(shí),該固體也可以產(chǎn)生機(jī)械變形,這就叫逆壓電效應(yīng)。 晶體諧振器就是利用晶體的逆壓電效應(yīng)特性。2007/03北京科瑞思特電子有限公司4晶體諧振器技術(shù)講座一、基本工作原理1、振動模式關(guān)系 2007/03北京科瑞思特電子有限公司5晶體諧振器
2、技術(shù)講座 一、基本工作原理2、晶體諧振器等效電路和阻抗特性2007/03北京科瑞思特電子有限公司6晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式2007/03北京科瑞思特電子有限公司7晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式串并聯(lián)間隔 f/fs=C1/2C0靜電容: C0=Se/t質(zhì)量因數(shù): Q=1/2fSC1R1負(fù)載諧振電阻 RL=R1(1+C0/CL)2 2007/03北京科瑞思特電子有限公司8晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式本征(固有)頻率fS=(c66/)1/2n/2t動態(tài)電容: C1=fsSe/3.6n3=kSe/tn2動態(tài)電感: L=1.8n3/fS3Se能陷公式 1/2ne/t2.4 其中: =(fs-fe
3、)/fe2007/03北京科瑞思特電子有限公司9晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù) 主要參數(shù)fs fa fL R1 C1 L1 C0 Q 寄生 老化2007/03北京科瑞思特電子有限公司10晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù) 關(guān)鍵參數(shù) R1 C1 寄生 老化 原因使用者關(guān)心程度1、可調(diào)性C12、起振性和功耗-R13、精確性Q值( R1 和 C1 )4、長期準(zhǔn)確性- 老化5、穩(wěn)定性寄生6、選擇性-寄生2007/03北京科瑞思特電子有限公司11 晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)1、晶體諧振電阻電導(dǎo)率泛音次數(shù)電極面積晶片邊比(頻率高低)材料Q值工藝研磨質(zhì)量邊緣質(zhì)量膜層厚度微調(diào)孔大小微調(diào)對稱否潔凈度(污
4、染)點(diǎn)膠2007/03北京科瑞思特電子有限公司12晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)2、動態(tài)電容泛音次數(shù)電極面積晶片邊比(頻率高低)材料Q值工藝研磨平整度應(yīng)力微調(diào)量(膜層厚度)大小微調(diào)對稱否2007/03北京科瑞思特電子有限公司13晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)3、寄生 2007/03北京科瑞思特電子有限公司14晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)4、老化2007/03北京科瑞思特電子有限公司15晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋5、負(fù)載電容與頻率牽引: 在許多應(yīng)用中,都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個(gè)負(fù)載電抗呈容性,
5、稱負(fù)載電容 當(dāng)該電容值為CL時(shí),則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為: DL=C1/2(C0+CL)。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí),相對頻率牽引為: DL1,L2=C1(CL1CL2)/2(C0+CL1)(C0+CL2)。 2007/03北京科瑞思特電子有限公司16晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋 頻率牽引量與負(fù)載電容的關(guān)系(基頻)2007/03北京科瑞思特電子有限公司17晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋3、溫度頻差切角材料應(yīng)力 2007/03北京科瑞思特電子有限公司18晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋2007/03北京科瑞思特電子有限公司19晶體諧振器技術(shù)講座 一、基本工作原理能陷理論 輸入諧振器隨所加信號電壓而產(chǎn)生厚度切變振動,晶片因受電極質(zhì)量負(fù)荷的影響,電極區(qū)的諧振頻率比非電極區(qū)的低,使彈性波在兩區(qū)邊界發(fā)生反射,從而使絕大部分能量陷落在電極區(qū)內(nèi),2007/03北京科瑞思特電子有限公司20晶體諧振器技術(shù)講座四、晶體諧振器使用 抑制基頻下的并聯(lián)諧振電路2007/03北京科瑞思特
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