半導體專業(yè)詞匯

1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 3. ACCESS：一個EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng) 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對信號放大） 6. Align mark(key)：對位標記 7. Alloy：合金 8. Aluminum：鋁 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH

2、4OH 12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模擬的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標準（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻） 18. Antimony(Sb)銻 19. Argon(Ar)氬 20. Arsenic(As)砷

3、21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去膠機 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） 25. Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測試前） 27. Baseline：標準流程 28. Benchmark：基準 29. Bipolar：雙極 30. Boat：擴散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）臨界（關鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬

4、，例如POLY CD 為多晶條寬。 32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學汽相淀積。一種通過化學反應生成一層薄膜的工藝。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 37. Circuit design ：電路設計。

5、一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術。 38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。 39. Compensation doping：補償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。 41. Computer-aided design（CAD）：計算機輔助設計。 42. Conductivity type：傳導類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中

6、多數(shù)載流子是空穴。 43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。 44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。 45. Correlation：相關性。 46. Cp：工藝能力，詳見process capability。 47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。 48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。 49. Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復的變形也可以叫做損傷。 50. De

7、fect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。） 52. Depletion layer：耗盡層。可動載流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。 54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學反應的薄膜的一種方法。 55. Depth of focus（DOF）：焦深。 56. design of exp

8、eriments (DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的，所設計的初始工程批試驗計劃。 57. develop：顯影（通過化學處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程） 58. developer：）顯影設備； ）顯影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣體，常用來作為半導體生產(chǎn)中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。 61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于

9、硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。 62. die：硅片中一個很小的單位，包括了設計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 64. diffused layer：擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。 65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。 66.

10、drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。 67. dry etch：干刻，指采用反應氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。 68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。 69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。 70. epitaxial layer：外延層。半導體技術中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導 體材料，這一單晶半導體層即為外延層。 71. equipment

11、 downtime：設備狀態(tài)異常以及不能完成預定功能的時間。 72. etch：腐蝕，運用物理或化學方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。 74. fab：常指半導體生產(chǎn)的制造工廠。 75. feature size：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor（FET）：場效應管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。 77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 78. flat：平邊 79. flatband capac

12、itanse：平帶電容 80. flatband voltage：平帶電壓 81. flow coefficicent：流動系數(shù) 82. flow velocity：流速計 83. flow volume：流量計 84. flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù) 85. forbidden energy gap：禁帶 86. four-point probe：四點探針臺 87. functional area：功能區(qū) 88. gate oxide：柵氧 89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 90. gowning：凈化服 91. gray area：

13、灰區(qū) 92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法 95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒 97. host：主機 98. hot carriers：熱載流子 99. hydrophilic：親水性 100. hydrophobic：

14、疏水性 101. impurity：雜質(zhì) 102. inductive coupled plasma(ICP)：感應等離子體 103. inert gas：惰性氣體 104. initial oxide：一氧 105. insulator：絕緣 106. isolated line：隔離線 107. implant : 注入 108. impurity n : 摻雜 109. junction : 結(jié) 110. junction spiking n :鋁穿刺 111. kerf :劃片槽 112. landing pad n :PAD 113. lithography n 制版 114. ma

15、intainability, equipment : 設備產(chǎn)能 115. maintenance n :保養(yǎng) 116. majority carrier n :多數(shù)載流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩陣 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :測得漏率 122. median n :中間值 123. memory n : 記憶體 124. metal n :金屬 125. nanometer (nm) n ：納米 12

16、6. nanosecond (ns) n ：納秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蝕 128. nitrogen (N2 ) n： 氮氣，一種雙原子氣體 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻 131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭區(qū) 133. oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學反應 134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版

17、 136. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉圖形區(qū)域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子 140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝

18、143. pn junction n：pn結(jié) 144. pocked bead n：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術語 146. polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復合柵結(jié)構(gòu) 147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導電。 148. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設備，用以連接圓

19、片和檢測設備。 150. process control n :過程控制。半導體制造過程中，對設備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應的光刻膠暴光。 152. pure water n : 純水。半導體生產(chǎn)中所用之水。 153. quantum device n :量子設備。一種電子設備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。 154. quartz carrier n :石英舟。 155. random access memory (RAM) n :隨機存儲器。 156. random logi

20、c device n :隨機邏輯器件。 157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反應離子刻蝕(RIE)。 159. reactor n :反應腔。反應進行的密封隔離腔。 160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。 161. resist n :光刻膠。 162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 163. scheduled downtime n : (設備)預定停工時間

21、。 164. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。 165. scribe line n :劃片槽。 166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。 167. semiconductor n :半導體。電導性介于導體和絕緣體之間的元素。 168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導體表面雜質(zhì)摻雜水平。 169. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍寶石襯

22、底硅的原片 171. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。 172. source code:原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設計語言里或編碼器的代碼。 173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。 174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。 175. sputter etch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。 17

23、7. steam bath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 178. step response time:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛 到達特定地帶的那個時刻之間的時間。 179. stepper: 步進光刻機（按BLOCK來曝光） 180. stress test: 應力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。 182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。 183. tack weld:間斷焊，通常在角

24、落上尋找預先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。 184. Taylor tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。 185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。 186. testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。 187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。 188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導或絕緣的一層特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 鈦。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有

25、毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 192. tungsten(W): 鎢。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。 194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點的薄層。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(

26、Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量單位。 197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 對晶片進行工藝的腔體。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 濕法化學腐蝕。 201. trench: 深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。 202. via: 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實現(xiàn)電

27、連接。 203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。 204. torr : 托。壓力的單位。 205. vapor pressure: 當固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關的函數(shù)。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 過渡金屬 ACA Anisotropic Conductive Adhesive 各向異性導電膠 ACAF Anisotropic Conductive Adhesive Film各項異性導電膠膜 Al Aluminium 鋁 ALIVH All Inner

28、Via Hole 完全內(nèi)部通孔 AOI Automatic Optial Inspection 自動光學檢查 ASIC Application Specific Integrated Circuit 專用集成電路 ATE Automatic Test Equipment 自動監(jiān)測設備 AU Gold 金 BCB Benzocyclohutene,Benzo Cyclo Butene 苯丙環(huán)丁烯 BEO Beryllium Oxide 氧化鈹 BIST Built-In Self-Test(Function) 內(nèi)建自測試(功能) BIT Bipolar Transistor 雙極晶體管 BTAB

29、 Bumped Tape Automated Bonding 凸點載帶自動焊 BGA Ball Grid Array 焊球陣列 BQFP Quad Flat Package With Bumper 帶緩沖墊的四邊引腳扁平封裝 C4 Controlled Collapsed Chip Connection 可控塌陷芯片連接 CAD Computer Aided Design 計算機輔助設計 CBGA Ceramic Ball Grid Array 陶瓷焊球陣列 CCGA Ceramic Column Grid Array 陶瓷焊柱陣列 CLCC Ceramic Leaded Chip Carri

30、er 帶引腳的陶瓷片式載體 CML Current Mode Logic 電流開關邏輯 CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互補金屬氧化物半導體 COB Chip on Board 板上芯片 COC Chip on Chip 疊層芯片 COG Chip on Glass 玻璃板上芯片 CSP Chip Size Package 芯片尺寸封裝 CTE Coefficient of Thermal Expansion 熱膨脹系數(shù) CVD Chemical Vapor Depositon 化學汽相淀積 DCA Direct Chip Attach

31、 芯片直接安裝 DFP Dual Flat Package 雙側(cè)引腳扁平封裝 DIP Double In-Line Package 雙列直插式封裝 DMS Direct Metallization System 直接金屬化系統(tǒng) DRAM Dynamic Random Access Memory 動態(tài)隨機存取存貯器 DSO Dual Small Outline 雙側(cè)引腳小外形封裝 DTCP Dual Tape Carrier Package 雙載帶封裝 3D Three-Dimensional 三維 2D Two-Dimensional 二維 EB Electron Beam 電子束 ECL E

32、mitter-Coupled Logic 射極耦合邏輯 FC Flip Chip 倒裝片法 FCB Flip Chip Bonding 倒裝焊 FCOB Flip Chip on Board 板上倒裝片 FEM Finite Element Method 有限元法 FP Flat Package 扁平封裝 FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array 窄節(jié)距BGA FPD Fine Pitch Device 窄節(jié)距器件 FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP 窄節(jié)距塑料QFP GQFP Guard-Ring Quad Flat Package 帶保護環(huán)的

33、QFP HDI High Density Interconnect 高密度互連 HDMI High Density Multilayer Interconnect 高密度多層互連 HIC Hybird Integrated Circuit 混合集成電路 HTCC High Temperature Co-Fired Ceramic 高溫共燒陶瓷 HTS High Temperature Storage 高溫貯存 IC Integrated Circuit 集成電路 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極晶體管 ILB Inner-Lead Bon

34、d 內(nèi)引腳焊接 I/O Input/Output 輸入/輸出 IVH Inner Via Hole 內(nèi)部通孔 JLCC J-Leaded Chip Carrier J形引腳片式載體 KGD Known Good Die 優(yōu)質(zhì)芯片 LCC Leadless Chip Carrier 無引腳片式載體 LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier 無引腳陶瓷片式載體 LCCP Lead Chip Carrier Package 有引腳片式載體封裝 LCD Liquid Crystal Display 液晶顯示器 LCVD Laser Chemical Vapor Deposi

35、tion 激光化學汽相淀積 LDI Laser Direct Imaging 激光直接成像 LGA Land Grid Array 焊區(qū)陣列 LSI Large Scale Integrated Circuit 大規(guī)模集成電路 LOC Lead Over Chip 芯片上引線健合 LQFP Low Profile QFP 薄形QFP LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic 低溫共燒陶瓷 MBGA Metal BGA 金屬基板BGA MCA Multiple Channel Access 多通道存取 MCM Multichip Module 多芯片組件 MCM

36、-C MCM with Ceramic Substrate 陶瓷基板多芯片組件 MCM-D MCM with Deposited Thin Film Inteconnect Substrate 淀積薄膜互連基板多芯片組件 MCM-L MCM with Laminated Substrate 疊層基板多芯片組件 MCP Multichip Package 多芯片封裝 MELF Metal Electrode Face Bonding 金屬電極表面健合 MEMS Microelectro Mechanical System 微電子機械系統(tǒng) MFP Mini Flat Package 微型扁平封裝

37、MLC Multi-Layer Ceramic Package 多層陶瓷封裝 MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit 微波單片集成電路 MOSFET Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor 金屬氧化物半導體場效應晶體管 MPU Microprocessor Unit 微處理器 MQUAD Metal Quad 金屬四列引腳 MSI Medium Scale Integration 中規(guī)模集成電路 OLB Outer Lead Bonding 外引腳焊接 PBGA Plastic BGA 塑封BGA

38、 PC Personal Computer 個人計算機 PFP Plastic Flat Package 塑料扁平封裝 PGA Pin Grid Array 針柵陣列 PI Polymide 聚酰亞胺 PIH Plug-In Hole 通孔插裝 PTF Plastic Leaded Chip Carrier 塑料有引腳片式載體 PTF Polymer Thick Film 聚合物厚膜 PWB Printed Wiring Board 印刷電路板 PQFP Plastic QFP 塑料QFP QFJ Quad Flat J-leaded Package 四邊J形引腳扁平封裝 QFP Quad F

39、lat Package 四邊引腳扁平封裝 QIP Quad In-Line Package 四列直插式封裝 RAM Random Access Memory 隨機存取存貯器 SBB Stud-Bump Bonding 釘頭凸點焊接 SBC Solder-Ball Connection 焊球連接 SCIM Single Chip Integrated Module 單芯片集成模塊 SCM Single Chip Module 單芯片組件 SLIM Single Level Integrated Module 單級集成模塊 SDIP Shrinkage Dual Inline Package 窄節(jié)距雙列直插式封裝 SEM Sweep Electron Microscope 電子掃描顯微鏡 SIP Single In-Line Package 單列直插式封裝 SIP System In a Package 系統(tǒng)級封裝 SMC Surface Mount Component 表面安裝元件 SMD Surface