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1、摘要:在開關(guān)電源中,EMI濾波器對(duì)共模和差模傳導(dǎo)噪聲的抑制起著顯著的作用。在研究濾波器原理的基礎(chǔ)上,探討了一種對(duì)共模、差模信號(hào)進(jìn)行獨(dú)立分析,分別建模的方法,最后基于此提出了一種EMI濾波器的設(shè)計(jì)程序。 關(guān)鍵詞:開關(guān)電源;EMI濾波器;共模;差模 0    引言     高頻開關(guān)電源由于其在體積、重量、功率密度、效率等方面的諸多優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、國(guó)防、家電產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域。在開關(guān)電源應(yīng)用于交流電網(wǎng)的場(chǎng)合,整流電路往往導(dǎo)致輸入電流的斷續(xù),這除了大大降低輸入功率因數(shù)外,還增加了大量高次諧波。同時(shí),開關(guān)電源中功率開關(guān)管的高速開關(guān)動(dòng)作

2、(從幾十kHz到數(shù)MHz),形成了EMI(electromagnetic interference)騷擾源。從已發(fā)表的開關(guān)電源論文可知,在開關(guān)電源中主要存在的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)輻射干擾,傳導(dǎo)干擾還會(huì)注入電網(wǎng),干擾接入電網(wǎng)的其他設(shè)備。     減少傳導(dǎo)干擾的方法有很多,諸如合理鋪設(shè)地線,采取星型鋪地,避免環(huán)形地線,盡可能減少公共阻抗;設(shè)計(jì)合理的緩沖電路;減少電路雜散電容等。除此之外,可以利用EMI濾波器衰減電網(wǎng)與開關(guān)電源對(duì)彼此的噪聲干擾。     EMI騷擾通常難以精確描述,濾波器的設(shè)計(jì)通常是通過反復(fù)迭代,計(jì)算制作以求逐步逼近設(shè)計(jì)

3、要求。本文從EMI濾波原理入手,分別通過對(duì)其共模和差模噪聲模型的分析,給出實(shí)際工作中設(shè)計(jì)濾波器的方法,并分步驟給出設(shè)計(jì)實(shí)例。 1    EMI濾波器設(shè)計(jì)原理     在開關(guān)電源中,主要的EMI騷擾源是功率半導(dǎo)體器件開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的dv/dt和di/dt,因而電磁發(fā)射EME(Electromagnetic Emission)通常是寬帶的噪聲信號(hào),其頻率范圍從開關(guān)工作頻率到幾MHz。所以,傳導(dǎo)型電磁環(huán)境(EME)的測(cè)量,正如很多國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定,頻率范圍在0.1530MHz。設(shè)計(jì)EMI濾波器,就是要對(duì)開關(guān)頻率及其高次諧波的噪聲給予足夠的

4、衰減。基于上述標(biāo)準(zhǔn),通常情況下只要考慮將頻率高于150kHz的EME衰減至合理范圍內(nèi)即可。     在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域普遍認(rèn)同的低通濾波器概念同樣適用于電力電子裝置中。簡(jiǎn)言之,EMI濾波器設(shè)計(jì)可以理解為要滿足以下要求:     1)規(guī)定要求的阻帶頻率和阻帶衰減;(滿足某一特定頻率fstop有需要Hstop的衰減);     2)對(duì)電網(wǎng)頻率低衰減(滿足規(guī)定的通帶頻率和通帶低衰減);     3)低成本。 1.1    常用低通濾波器模型  

5、;   EMI濾波器通常置于開關(guān)電源與電網(wǎng)相連的前端,是由串聯(lián)電抗器和并聯(lián)電容器組成的低通濾波器。如圖1所示,噪聲源等效阻抗為Zsource、電網(wǎng)等效阻抗為Zsink。濾波器指標(biāo)(fstop和Hstop)可以由一階、二階或三階低通濾波器實(shí)現(xiàn),濾波器傳遞函數(shù)的計(jì)算通常在高頻下近似,也就是說對(duì)于n階濾波器,忽略所有k相關(guān)項(xiàng)(當(dāng)k<n),只取含n相關(guān)項(xiàng)。表1列出了幾種常見的濾波器拓?fù)浼捌鋫鬟f函數(shù)。特別要注意的是要考慮輸入、輸出阻抗不匹配給濾波特性帶來的影響。 圖1    濾波器設(shè)計(jì)等效電路 表1    幾種濾波器模

6、型及傳遞函數(shù) 1.2    EMI濾波器等效電路     傳導(dǎo)型EMI噪聲包含共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲兩種。共模噪聲存在于所有交流相線(L、N)和共模地(E)之間,其產(chǎn)生來源被認(rèn)為是兩電氣回路之間絕緣泄漏電流以及電磁場(chǎng)耦合等;差模噪聲存在于交流相線(L、N)之間,產(chǎn)生來源是脈動(dòng)電流,開關(guān)器件的振鈴電流以及二極管的反向恢復(fù)特性。這兩種模式的傳導(dǎo)噪聲來源不同,傳導(dǎo)途徑也不同,因而共模濾波器和差模濾波器應(yīng)當(dāng)分別設(shè)計(jì)。     顯然,針對(duì)兩種不同模式的傳導(dǎo)噪聲,將其分離并分別測(cè)量出實(shí)際水平是十分必要的,

7、這將有利于確定那種模式的噪聲占主要部分,并相應(yīng)地體現(xiàn)在對(duì)應(yīng)的濾波器設(shè)計(jì)過程中,實(shí)現(xiàn)參數(shù)優(yōu)化。在文獻(xiàn)6和7中,提供了兩種用于區(qū)分共模和差模噪聲的噪聲分離器,他們能有選擇地對(duì)共?;虿钅T肼曋辽偎p50dB,因而可有效地測(cè)量出共模和差模成分。分離器的原理和使用超出了本文的討論范圍,詳細(xì)內(nèi)容可見參考文獻(xiàn)6和7。     以一種常用的濾波器拓?fù)鋱D2(a)為例,分別對(duì)共模、差模噪聲濾波器等效電路進(jìn)行分析。圖2(b)及圖2(c)分別代表濾波器共模衰減和差模衰減等效電路。分析電路可知,Cx1和Cx2只用于抑制差模噪聲,理想的共模扼流電感LC只用于抑制共模噪聲。但是,由于實(shí)際的LC

8、繞制的不對(duì)稱,在兩組LC之間存在有漏感Lg也可用于抑制差模噪聲。Cy即可抑制共模干擾、又可抑制差模噪聲,只是由于差模抑制電容Cx2遠(yuǎn)大于Cy,Cy對(duì)差模抑制可忽略不計(jì)。同樣,LD既可抑制共模干擾、又可抑制差模干擾,但LD遠(yuǎn)小于LC,因而對(duì)共模噪聲抑制作用也相對(duì)很小。 (a)常用的濾波器拓?fù)?(b)共模衰減等效電路 (c)差模衰減等效電路 圖2    一種常用的濾波器拓?fù)?    由表1和圖2可以推出,對(duì)于共模等效電路,濾波器模型為一個(gè)二階LC型低通濾波器,將等效共模電感記為L(zhǎng)CM,等效共模電容記為CCM,則有   

9、  LCM=LCLD(1)     CCM=2Cy(2)     對(duì)于差模等效電路,濾波器模型為一個(gè)三階CLC型低通濾波器,將等效差模電感記為L(zhǎng)DM,等效差模電容記為CDM(令Cx1=Cx2且認(rèn)為Cy/2<<Cx2),則有     LDM=2LDLg(3)     CDM=Cx1=Cx2(4)     LC型濾波器截止頻率計(jì)算公式為     fR,CM=(5)    

10、; 將式(1)及式(2)代入式(5),則有     fR,CM=(LC>>LD)(6)     CLC型濾波器截止頻率計(jì)算公式為     fR,DM=(7)     將式(3)及式(4)代入式(7),則有     fR,DM=(8)     在噪聲源阻抗和電網(wǎng)阻抗均確定,且相互匹配的情況下,EMI濾波器對(duì)共模和差模噪聲的抑制作用,如圖3所示。 圖3    濾波器差模與共模衰減

11、 2    設(shè)計(jì)EMI濾波器的實(shí)際方法 2.1    設(shè)計(jì)中的幾點(diǎn)考慮     EMI濾波器的效果不但依賴于其自身,還與噪聲源阻抗及電網(wǎng)阻抗有關(guān)。電網(wǎng)阻抗Zsink通常利用靜態(tài)阻抗補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)(LISN)來校正,接在濾波器與電網(wǎng)之間,包括電感、電容和一個(gè)50電阻,從而保證電網(wǎng)阻抗可由已知標(biāo)準(zhǔn)求出。而EMI源阻抗則取決于不同的變換器拓?fù)湫问健?    以典型的反激式開關(guān)電源為例,如圖4(a)所示,其全橋整流電路電流為斷續(xù)狀態(tài),電流電壓波形如圖5所示。對(duì)于共模噪聲,圖4(b)所示Zs

12、ource可以看作一個(gè)電流源IS和一個(gè)高阻抗ZP并聯(lián);圖4(c)中對(duì)于差模噪聲,取決于整流橋二極管通斷情況,Zsource有兩種狀態(tài):當(dāng)其中任意兩只二極管導(dǎo)通時(shí),Zsource等效為一個(gè)電壓源VS與一個(gè)低值阻抗ZS串連;當(dāng)二極管全部截止時(shí),等效為一個(gè)電流源IS和一個(gè)高阻抗ZP并聯(lián)。因而噪聲源差模等效阻抗Zsource以2倍工頻頻率在上述兩種狀態(tài)切換2。 (a)典型反激式開關(guān)電源 (b)共模噪聲源等效電路(c)差模噪聲源等效電路 圖4    典型反激式開關(guān)電源及其噪聲源等效電路 圖5    電源輸入端電壓、電流波形  

13、0;  在前述設(shè)計(jì)過程中,EMI濾波器元件(電感、電容)均被看作是理想的。然而由于實(shí)際元件存在寄生參數(shù),比如電容的寄生電感,電感間的寄生電容,以及PCB板布線存在的寄生參數(shù),實(shí)際的高頻特性往往與理想元件仿真有較大的差異。這涉及到EMC高頻建模等諸多問題,模型的參數(shù)往往較難確定,所以,本文僅考慮EMI濾波器的低頻抑制特性,而高頻建??蓞⒖次墨I(xiàn)8等。故ZS及ZP取值與這些寄生電容、電感以及整流橋等效電容等寄生參數(shù)有關(guān),直接采用根據(jù)電路拓?fù)浼皡?shù)建模的方案求解源阻抗難以實(shí)現(xiàn),因而,在設(shè)計(jì)中往往采用實(shí)際測(cè)量Zsource。 2.2    實(shí)際設(shè)計(jì)步驟  

14、;   EMI濾波器設(shè)計(jì)往往要求在實(shí)現(xiàn)抑制噪聲的同時(shí),自身體積要盡可能小,成本要盡可能低廉。同時(shí),濾波效果也取決于實(shí)際的噪聲水平的高低,分析共模和差模噪聲的干擾權(quán)重,為此,在設(shè)計(jì)前要求確定以下參量,以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的優(yōu)化。     1)測(cè)量干擾源等效阻抗Zsource和電網(wǎng)等效阻抗。實(shí)際過程中往往是依靠理論和經(jīng)驗(yàn)的指導(dǎo),先作出電源的PCB板,這是因?yàn)楣材!⒉钅5脑肼曉春透蓴_途徑互不相同,電路板走線的微小差異都可能導(dǎo)致很大EME變化。     2)測(cè)量出未加濾波器前的干擾噪聲頻譜,并利用噪聲分離器將共模噪聲VMEASURE

15、E,CM和差模噪聲Vmeasure,CM分離,做出相應(yīng)的干擾頻譜。     接著就可以進(jìn)行實(shí)際的設(shè)計(jì)了,仍以本文中提出的濾波器模型為例,步驟如下。     (1)依照式(9)計(jì)算濾波器所需要的共模、差模衰減,并做出曲線Vmeasure,CMf和Vmeasure,DMf,其中Vmeasure,CM和Vmeasure,DM已經(jīng)測(cè)得,Vstandard,CM和Vstandard,DM可參照傳導(dǎo)EMI干擾國(guó)標(biāo)設(shè)定。加上3dB的原因在于用噪音分離器的測(cè)量值比實(shí)際值要大3dB。     (Vreq,CM)dB=(Vm

16、easure,CM)(Vstandard,CM)3dB     (Vreq,DM)dB=(Vmeasure,DM)(Vstandard,DM)3dB(9)     (2)由圖3可知,斜率分別為40dB/dec和60dB/dec的兩條斜線與頻率軸的交點(diǎn)即為fR,CM和fR,DM。作Vmeasure,CMf和Vmeasure,DMf的切線,切線斜率分別為40dB/dec和60dB/dec,比較可知,只要測(cè)量他們與頻率軸的交點(diǎn),即可得出fR,CM和fR,DM,圖6所示為其示意圖。 (a)實(shí)線為共模目標(biāo)衰減;虛線為斜率為40dB/dec切線

17、(b)實(shí)線為差模目標(biāo)衰減;虛線為斜率為60dB/dec切線 圖6    fR,DM與fR,CM的確定     (3)濾波器元件參數(shù)設(shè)計(jì)     共模參數(shù)的選取    Cy接在相線和大地之間,該電容器容量過大將會(huì)造成漏電流過大,安全性降低。對(duì)漏電流要求越小越好,安全標(biāo)準(zhǔn)通常為幾百A到幾mA。     EMI對(duì)地漏電流Iy計(jì)算公式為     Iy=2fCVc(10) 式中:f為電網(wǎng)頻率。   

18、0; 在本例中,Vc是電容Cy上的壓降,f=50Hz,C=2Cy,Vc=220/2=110V,則     Cy=(11) 若設(shè)定對(duì)地漏電流為0.15mA,可求得Cy2200pF。將Cy代入步驟(2)中求得fR,CM值,再將fR,CM代入式(6)中可得     Lc=(12)     差模參數(shù)選取    由式(8)可知,Cx1,Cx2,以及LD的選取沒有唯一解,允許設(shè)計(jì)者有一定的自由度。     由圖2可知,共模電感Lc的漏感Lg也可抑制差模噪聲,有時(shí)為了簡(jiǎn)化濾波器,也可以省去LD。經(jīng)驗(yàn)表明,漏感Lg量值多為L(zhǎng)c量值的0.52。Lg可實(shí)測(cè)獲得。此時(shí),相應(yīng)地Cx1、Ccx2值要更大。 3    結(jié)語     本文的論述是基于低通濾波器的低頻模型分析。由于實(shí)際元件寄生參數(shù)的影響,尤其在高頻段更加顯著,因而往

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