第1學(xué)期檢測技術(shù)復(fù)習(xí)題答案

1、01、某測量長度的儀器，測量10mm的長度，絕對誤差為0.001mm，該儀器精度為（ B ）。A: 0.005級 B: 0.02級 C: 0.05級 D:0.1級最大引用誤差rom=(m/L)×100=（0.001mm/10mm）×100=0.0102、在正態(tài)分布曲線中，標(biāo)準(zhǔn)誤差值愈大，則分布曲線愈（ B ）。A：尖銳 B：平坦 C：對稱 D：收斂03、某線性移位測量儀，當(dāng)被測位移由4.5mm變到5.0mm時，位移測量儀的輸出電壓由3.5V減至2.5V，則該儀器的靈敏度為（ A ）。A：-2V/mm B：2V/mm C：0.5V/mm D：-0.5V/mmS=y/x=(2.

2、5-3.5)V/(5.0-4.5)mm=-2V/mm04、某長度測量裝置，量程為20cm，測量值與擬合直線間最大偏差為3mm，線性度為（ B ）。A：3/200 B：1.5 C：0.67 D：3 Ef=m/YFS×100=3mm/20cm×100=1.505、某壓力表，量程為50100kgf/cm2，校驗后發(fā)現(xiàn)其最大絕對誤差為0.75kgf/cm2 ，其精度應(yīng)該定為（ C ）級。A：0.5 B：1.0 C：1.5 D：2.0最大引用誤差rom=(m/L)×100=（0.75/50）×100=1.506、根據(jù)拉依達(dá)準(zhǔn)則，若某個測量值的剩余誤差超過（ C ）

3、，則認(rèn)為該測量值是壞值，應(yīng)予剔除。A： B：2 C：3 D：/n07、儀表的精度是指（ A ）。A：精密度與正確度 B：精密度 C：正確度 D：線性度08、一個測量系統(tǒng)中，測量的準(zhǔn)確度由（ B ）來表征。A：隨機(jī)誤差 B：系統(tǒng)誤差 C：靜態(tài)誤差 D：動態(tài)誤差09、一臺測量范圍為0800的儀表，已知其絕對誤差的最大值為+6及-5，它的精度等級為（ A ）。A：1級 B：0.5級 C：1.5級最大引用誤差rom=(m/L)×100=（6/800）×100=0.7510、用0.5級0300V電壓表測量100V電壓時，最大相對誤差為（ A ）。A：1.5 B：0.5 C：0.5V

4、D：1.5V最大絕對誤差m=L×rom=300×0.5=1.5v最大相對誤差ro=(1.5v/100)×100=1.513、某溫度測量儀表測量范圍為0500，使用后重新校驗，發(fā)現(xiàn)最大誤差為±6，問此表現(xiàn)在應(yīng)定為幾級（ B ）精度。A、1.0 B、1.2 C、1.5 D、2.0rom=(/L)×100=（±6/500）×100=1.214、某線性移位測量儀，當(dāng)被測位移由4.5mm變到5.0mm時，位移測量儀的輸出電壓由3.5V減至2.5V，時求該儀器的靈敏度是（ C ）V/mm。A、1.0 B、-1 C、2 D、-2解：S=y

5、/x=（2.5-3.5）V/（5.0-4.5）mm=-1V/0.5mm=-2V/mm15、金屬電阻絲的應(yīng)變靈敏度系數(shù)K0為（ D ）。A：1+2 B：（1+2）l/l C：(1+2）l/l+/ D：(1+2）+（/）/（l/l）16、電阻應(yīng)變片接入電橋電路時，如果電橋兩個臂接入應(yīng)變片，稱為（ B ）。A：單臂工作電橋 B：半橋形式 C：全橋形式 D：等臂電橋17、金屬銅電阻與溫度的關(guān)系為（ A ）。A：線性關(guān)系 B：非線性關(guān)系 C：恒值關(guān)系 D：交變關(guān)系18、對于直徑為d的圓形截面電阻絲，當(dāng)長度變化l時，面積的相對變化率A/A為（ B ）。A：2l/l B：-2l/l C：d2/4 D：-d2

6、/419、熱電阻傳感器接入電橋應(yīng)為（ B ）形式。A：二線制 B：三線制 C：四線制 D：補(bǔ)償電阻20、熱敏電阻的熱電特性曲線是（ C ）。A：恒值 B：交變 C：非線性 D：線性21、金屬電阻絲應(yīng)變片的應(yīng)變值是指（ B ）。A：R/R B：l/l C：-2l/l D：/22、溫度系數(shù)為4.25×10-31/，Rt0=53的銅電阻，當(dāng)Rt=73時，對應(yīng)被測溫度是（ A ）。A：88.8 B：53 C：73 D：225Rt=R0(1+t) t=(Rt/R0-1)/=(73/53-1)/ 4.25×10-31/=88.7923、熱電阻測量轉(zhuǎn)換電路采用三線制是為了( B )

7、60;    A、提高測量靈敏度  B、減小引線電阻的影響C、減小非線性誤差  D、提高電磁兼容性24、變面積式電容傳感器的靈敏度為（ C ）。K=-b/dA：變值 B：與面積大小有關(guān)變量 C：常數(shù) D：角位移的一次函數(shù)25、電容傳感器極板面積為A，其靜態(tài)電容量為C0=A/d，其中d為間隙，為介電常數(shù)。當(dāng)活動極板移動x后，若x<<d,則其電容量為（ C ）。A：C0(1-x/d) B：C0(x/d-1) C：C0(1+x/d) D：C0(1+x/d) 26、濕敏電容是通過改變（ C ）測量相對濕度的。A：極板面積 B：極板間隙 C：

8、介電常數(shù) D：控制電流27、差動變壓器利用（ B ）原理測量位移的。A：自感 B：互感 C：緊耦合電感臂電橋 D：交流電橋28、相敏整流的特點(diǎn)是（ C ）。A：輸出反應(yīng)輸入的大小和輸入的相位 B：輸出是直流C：輸出反應(yīng)輸入的大小和輸入的方向。 D：輸出是交流29、壓電傳感器適用于測量（ B ）。A：靜態(tài)力 B：動態(tài)力 C：動態(tài)和靜態(tài) D、對稱力 30、當(dāng)沿著（C）軸方向受力時不產(chǎn)生壓電效應(yīng)。A、X軸 B、Y軸 C、Z軸 D、Y軸和X軸31、當(dāng)晶片受到X向的拉力作用時產(chǎn)生的電荷極性與（ C ）產(chǎn)生的電荷極性相同。A、Y向拉力 B、Z向拉力 C、Y向壓力 D、Z向壓力32、當(dāng)壓電陶資在沿極化方向Z

9、軸受力和沿極化方向Y軸受力分別產(chǎn)生的電荷極性（ C ）。A、同為正 B、同為負(fù) C、相反 D上正下負(fù) 33、的熱電動勢由（ D ）組成。A：電極反電動勢 B：電荷積累形成電勢 C：溫差電勢 D：接觸電勢與溫差電勢34、下面哪一種金屬材料可以作為熱電偶的標(biāo)準(zhǔn)金屬（ C ）。A：鎳 B：銅 C：鉑 D：鎢35、用n支熱電偶（型號相同）作并聯(lián)測量，每支熱電偶輸出熱電動勢分別為E1、E2、E3、En,則總的熱電勢為（ D ）。A：E1+E2+E3+En B：n(E1+E2+E3+En)C：E1/n D：(E1+E2+E3+En)/n36、某熱電偶測溫，已知E(t,tn)=2.5 mV ,E(tn,0)

10、=0.16 mV,當(dāng)t0tnt時,E(t,0)為（ B ）。A：2.5mV B：2.66 mV C：2.34 mV D：0.16 mV 37、熱電偶AB回路中接入第三種導(dǎo)體C，C兩端溫度為t0，熱端溫度為t，EABC（t,t0）為（ A ）。A：EAB(t)-EAB(t0) B：EAB(t)+EAB(t0) C：EAB(t,0) D：EAB(t0,0)38、熱端為100，冷端為0，鎳鉻合金與鉑組成熱電偶的熱電動勢為2.95 mV，而考銅與鉑組成熱電偶的熱電動勢為-4.0 mV，則鎳鉻-考銅熱電偶在該溫度段的熱電動勢為（ B ）。A：1.05mV B：6.95mV C：+4.0mV D：-6.9

11、5mV39、欲測量0700的爐溫，溫度傳感器宜選用（ D ）。A：集成溫度傳感器B：熱敏電阻 C：銅電阻 D：鎳鉻-鎳硅熱電偶40、熱電偶測溫時采用補(bǔ)償導(dǎo)線是為了（ C ）。A：補(bǔ)償熱端溫度 B：補(bǔ)償冷端溫度 C：將冷端延伸到恒溫處41、熱電偶的標(biāo)準(zhǔn)電極定律，可以用式（ B ）來表示。A：EABC(t,t0)=EAB(t)EAB(t0) B：EAB(t,t0)=EAC(t,t0)EBC(t,t0)C：EAB(t,t0)=EAB(t,tn)EAB(tn,t0) (t0tnt)42、當(dāng)沿著X軸對晶片施加力時，將在垂直于X軸的表面上產(chǎn)生電荷，這種現(xiàn)象稱為（C）。A、縱向壓阻效應(yīng) B、橫向壓阻效應(yīng) C

12、、縱向壓電效應(yīng) D、橫向壓電效應(yīng)43、對一塊半導(dǎo)體材料的某一軸向施加一定的載荷產(chǎn)生應(yīng)力時，其電阻率會發(fā)生變化的效應(yīng)稱為（C）。A、電阻應(yīng)變效應(yīng) B、壓電效應(yīng) C、壓阻效應(yīng) D、壓敏效應(yīng)44、靜電屏蔽可以消除或削弱兩電路之間由于（ D ）而產(chǎn)生的干擾。A、漏電流藕合 B、電磁藕合 C、共阻抗藕合 D、靜電藕合45、當(dāng)晶片受到 (A）的壓力作用時，產(chǎn)生的電荷與晶片的幾何尺寸無關(guān)。A、X軸方向 B、Y軸方向 C、Z軸方向 D、X軸和Y軸方向46、國際上采用直流電流（ C ）作為統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)信號。A、05mA B、15mA C、010mA D、020mA47、溫度的變化對光敏晶體管的（ D ）。A、亮電

13、流影響較小暗電流的影響小 B、亮電流影響較大暗電流的影響大C、亮電流影響較大暗電流的影響小 D、亮電流影響較小暗電流的影響大48、硅光電池的光電特性表明光電池的短路電流在很大范圍內(nèi)與光照度成（ B ）關(guān)系。A、恒定 B、線性 C、非線性 D、不確定49、硅光電池的光電特性表明光電池的開路電壓流光照度成（ C ）關(guān)系。A、恒定 B、線性 C、非線性 D、不確定50、利用外光電效應(yīng)制成的光電元件是（ D ）。A、光敏晶體管 B、光電池 C、光敏電阻 D、光電管、51、基于外光電效應(yīng)的光電元件有（ A ）。A、光電管 B、光敏電阻 C、光敏晶體管 D、光電池52、霍耳系數(shù)RH表示為( B ）：A、1

14、/nqd B、1/nd C、1/ndµ D、KH/µ53、霍耳靈敏度KH表示為（ A ）.A、1/nqd B、1/nd C、1/ndµ D、RH/µ54、在無外加磁場或無控制電流的情況下，霍耳元件產(chǎn)生輸出電壓的稱為(B)； A、不等位電壓 B、零位電壓 C、自激場零電壓 D、霍耳電壓55、黑白光柵柵線密度等于（ B ）線/mmA、20-100 B、25-250 C、150-2000 D、150-240056、閃耀光柵柵線密度等于（D ）線/mm。A、20-100 B、25-250 C、150-2000 D、150-240057、信噪比可表示為(D)。A、

15、10lg（Ps/Pn）或20lg（Un/Us）B、10lg（Pn/Ps）或20lg（Us/Un）C、10lg（Pn/Ps）或20lg（Un/Us）D、10lg（Ps/Pn）或20lg（Us/Un） 58、共模干擾抑制比表示為：（B ）A、20lg（Unm/Ucm）或20lg（Kcm/Knm）B、20lg（Ucm/Unm）或20lg（Knm/Kcm）C、20lg（Ucm/Unm）或20lg（Kcm/Knm）D、20lg（Unm/Ucm）或20lg（Knm/Kcm）59、用導(dǎo)電良好的金屬材料做成的接地電磁屏蔽層，可同時起到（D）兩種作用。A、電磁屏蔽 B、電磁屏蔽和驅(qū)動屏蔽 C、靜電屏蔽和驅(qū)動屏蔽

16、 D、靜電屏蔽和電磁屏蔽60、在直流或低頻測量系統(tǒng)中，多采用（B）的方法來隔離。A、變壓器隔離 B、光電藕合 C、電磁耦合 D、靜電耦合01、在相同的條件下，多次重復(fù)測量同一量時，誤差的大小和符號保持不變，或按照一定規(guī)律變化，這種誤差稱為（ 系統(tǒng)誤差 ）。02、當(dāng)置信系數(shù)為3時，算數(shù)平均值與真值的誤差落在其置信區(qū)間的置信概率為（ 99.7 ）。03、某長度測量儀的量程為100mm，絕對誤差的最大值為0.5mm,其精度為（0.5 ）級。04、實測的測量系統(tǒng)輸入-輸出曲線與擬合直線之間最大偏差與滿量程輸出的百分比稱為（ 線性度 ）。05、在相同條件下，多次測量同一量時，其誤差的大小和符號以不可預(yù)見

17、的方式變化，這種誤差稱為 （隨機(jī)誤差 ）。06、一般模擬式儀表的分辨率規(guī)定為（最小刻度分格值的）一半。數(shù)字式儀表的分辨率是（最后一位的）一個字。07、工業(yè)儀表常見的精度等級有（0.1、0.2、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、5.0）等八級。08、精度等級為1.0的儀表，使用時（最大引用誤差）為±1.0。09、精度等級為1.0的儀表，在整個量程內(nèi)的（絕對誤差最大值）不會超過其量程的±1.0。10、通常用精密度高表示（隨機(jī)誤差）小。通常用正確度高表示（系統(tǒng)誤差）小。11、系統(tǒng)誤差和隨機(jī)誤差都很小，意味著（精確度）高。12、導(dǎo)體或半導(dǎo)體在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變時，其電阻值

18、相應(yīng)發(fā)生變化的物理現(xiàn)象，稱為（電阻應(yīng)變）效應(yīng)。13、熱敏電阻按其性能可以分成(正、負(fù)溫度系數(shù)型)熱敏電阻及（ 臨界溫度型）熱敏電阻。14、對一塊半導(dǎo)體材料的某一軸向施加一定的載荷產(chǎn)生應(yīng)力時，其電阻率會發(fā)生變化的效應(yīng)稱為（壓阻）效應(yīng)。15、電阻應(yīng)變片的電阻值分為（60、120、200）W等三種規(guī)格。16、電阻應(yīng)變片接入橋路時，如果電橋兩個臂接入應(yīng)變片稱為（雙臂工作電橋或半橋形式）。17、長度為L，截面積為A，電阻率為的金屬絲，受軸向應(yīng)力為作用被拉伸時，其相對的電阻變化率為（R/R=（/）+（l/l）-（A/A）。R/R=1+2+（/）/（l/l）（l/l）=K0 或：R/R =（1+2）+（/）

19、 k0 =1+2+（/）/（l/l） 18、分度號用Pt 100表示的鉑電阻其在0時的阻值為（ 100 ）。19、已知某銅熱電阻在0時的阻值為50，則其分度號是( Cu50 )。20、為金屬電阻絲的應(yīng)變靈敏度系數(shù)k0，表示（單位應(yīng)變）引起的電阻相對變化。21、電容式傳感器有三種類型，分別是（ 變面積式 ）、（ 變間隙式 ）、（ 變介電常數(shù)式 ）。22、某角位移型的電容傳感器，初值為C0，當(dāng)動片有一角位移時，此時的電容值為（ C0(1-/) ）。23、變極距型電容傳感器只有當(dāng)滿足（x<<d）時，才能認(rèn)為是近似線形關(guān)系。24、電感式傳感器有三種形式，分別稱為（變氣隙型）、（變面積型）、

20、（螺管型）。25、差動變壓器的零點(diǎn)殘余電動勢是由于（制作上的不對稱）及（ 鐵芯位置 ）因素所造成的。26、影響差動變壓器輸出線性度和靈敏度的主要因素是(零點(diǎn)殘余電動勢E0）的存在。27、變間隙式電感傳感器，導(dǎo)磁體的磁阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于空氣的磁阻則：傳感器的輸出電感為近似為（ L=N20 A / 2）。A為鐵心截面積，0為空氣磁導(dǎo)率，N為線圈匝數(shù)，為空氣隙厚度，28、變間隙式自感傳感器，其L與曲線為（雙曲線）。29、變間隙式自感傳感器的銜鐵的位移一般不能超過（0.10.2）0。30、電感式傳感器其電感L與氣隙成（非線性）；與磁通截面積A成（正比）。31、電渦流傳感器的靈敏度主要受到(被測體大小)影響.3

21、2、電渦流式傳感器可以對表面為（金屬導(dǎo)體）的物體實現(xiàn)多種物理量的（非接觸）測量，33、某些晶體，在一定方向受到外力作用時，內(nèi)部將產(chǎn)生極化現(xiàn)象，相應(yīng)地在晶體的兩個表面產(chǎn)生符號相反的電荷；當(dāng)外力作用除去時，又恢復(fù)到不帶電狀態(tài)。當(dāng)作用力方向改變時，電荷的極性也隨著改變，這種現(xiàn)象稱為（壓電效應(yīng)）。34、石英晶體有三個晶軸，分別是（光軸、z軸）、（電軸、X軸）、（機(jī)械軸、Y軸）。 35、當(dāng)沿著X軸對晶片施加力時，將在垂直于X軸的表面上產(chǎn)生電荷，這種現(xiàn)象稱為（縱向壓電效應(yīng)）。36、沿著Y軸對晶片施加力的作用時，電荷出現(xiàn)在與X軸垂直的表面上，稱之為（橫向壓電效應(yīng)）。37、橫向壓電效應(yīng)產(chǎn)生的電荷為（qxy=d

22、xy（a/b）Fy）。38、縱向壓電效應(yīng)產(chǎn)生的電荷為（qxx=dxx×Fx）。 39、橫向壓電效應(yīng)產(chǎn)生的電荷與縱向壓電效應(yīng)產(chǎn)生的電荷的關(guān)系是（dxy（a/b）Fy=dxx×Fx）。40、當(dāng)晶片受到X向的壓力作用時，產(chǎn)生的電荷與晶片的幾何尺寸（無關(guān)）。 41、沿機(jī)械軸方向向晶片施加壓力時，產(chǎn)生的電荷與幾何尺寸（有關(guān)）。42、沿Y軸的壓力產(chǎn)生的電荷與沿X軸施加壓力所產(chǎn)生的電荷極性是(相反)的。 43、壓電陶瓷具有（電疇）結(jié)構(gòu)的壓電材料。44、壓電陶硅通常取它的極化方向為（Z軸）。45、當(dāng)壓電陶資在沿極化方向Z軸受力時，則在（垂直于Z）軸的表面上將會出現(xiàn)電荷為（q=dzzF）。4

23、6、壓電陶瓷在受到Y(jié)軸的作用力F時， 則在（垂直于Z）軸的上下平面上分別出現(xiàn)正、負(fù)電荷（q=dzYFAX/AY）；47、電渦流傳感器可以用來探測諸多與（電渦流）有關(guān)的參數(shù)。48、由電磁感應(yīng)原理產(chǎn)生的旋渦狀感應(yīng)電流稱為（電渦流），這種現(xiàn)象稱為（電渦流）效應(yīng)。49、電渦流傳感器中，利用阻抗Z作為變量的轉(zhuǎn)換電路屬于（調(diào)幅電路）50、電渦流傳感器中，利用電感L作為變量的轉(zhuǎn)換電路屬于（諧振電路）。51、將n支同型號熱電偶依次正負(fù)極相連接組成串聯(lián)測量線路，若單支熱電偶輸出的熱電動勢為E，則電路總的輸出電勢為（ nE ）。52、光電傳感器一般由（光源、光學(xué)通路、光電元件）三部分組成。53、光電傳感器的常用光

24、源有：（發(fā)光二極管、鎢絲燈泡、激光）等三種。54、光電元件一般分成（真空和半導(dǎo)體）光電元件兩大類。55、用光照射某一物體，可以看做是一連串能量為h的光子轟擊在這個物體上，此時光子能量就傳遞給電子，并且是一個光子的全部能量一次性地被一個電子所吸收，電子得到光子傳遞的能量后其狀態(tài)就會發(fā)生變化，從而使受光照射的物體產(chǎn)生相應(yīng)的電效應(yīng)，這種物理現(xiàn)象稱為（光電效應(yīng)）。56、通常把光電效應(yīng)分為三類 (外光電效應(yīng)、內(nèi)光電效應(yīng)、光生伏特效應(yīng))57、在光線作用下能使電子逸出物體表面的現(xiàn)象稱為（外光電）效應(yīng)；58、基于外光電效應(yīng)的光電元件有（光電管、光電倍增管）等。59、在光線作用下能使物體的電阻率改變的現(xiàn)象稱為（

25、內(nèi)光電）效應(yīng)。60、基于內(nèi)光電效應(yīng)的光電元件有：（光敏電阻、光敏晶體管）等。 61、在光線作用下，物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象稱為(光生伏特效應(yīng))；62、基于光生伏特效應(yīng)的光電元件有：(光電池)等。63、要使電子逸出陰極表面成為光電子的必要條件是：（h>A：A為電子逸出陰極材料的逸出功）。64、對每一種陰極材料，入射光都有一個確定的頻率限，當(dāng)人射光的頻率低于此頻率限時，不會產(chǎn)生光電子發(fā)射，此頻率限稱為（紅限）。65、紅限相應(yīng)的波長為（k=hc/A）。66、在光電管內(nèi)形成空間電子流，稱為（光電流I）。67、在光線的作用下其阻值往往變小，這種現(xiàn)象稱為（光導(dǎo)效應(yīng)）；光敏電阻又稱（光導(dǎo)管）。68

26、、光敏電阻在室溫和全暗條件下測得的穩(wěn)定電阻值稱為（暗阻）。69、光敏電阻在室溫和全暗條件下，流過暗阻的電流稱為（暗電流）。70、光敏電阻在室溫和一定光照條件下測得的穩(wěn)定電阻值稱為（亮阻）。71、光敏電阻在室溫和一定光照條件下，流過亮阻的電流稱為（亮電流）。72、亮電流與暗電流之差稱為（光電流）。 73、光敏電阻伏安特性近似（直線），而且沒有（飽和）現(xiàn)象。74、光源向各個方向射出的光功率。也即每一單位時間射出的光能量稱為（光通量）；以表示，單位為流明(lumen、簡稱lm)。75、光源照射到單位面積上的光通量稱為（光照度）；用E表示。照度的單位為勒克斯(Lux,簡稱lx)76、光敏電阻的光電流與

27、光照度E之間的關(guān)系稱為（光電）特性。77、光敏電阻的光電特性呈（非線性）。78、光敏電阻的相對靈敏度Kr與不同波長的人射光的關(guān)系，稱為光敏電阻的（光譜）特性。79、光敏電阻的相對靈敏度Kr與光強(qiáng)變化頻率f之間的關(guān)系曲線，稱為（頻率）特性。80、在一定照度下，光敏電阻兩端所加的電壓與流過光敏電阻的電流之間的關(guān)系稱為（伏安）特性。81、光敏晶體管通常指光敏二極管和光敏三極管，它們的工作原理也是基于（內(nèi)光電）效應(yīng)；82、光敏二極管在電路中通常處于（反向偏置）狀態(tài)，83、在人射光照度一定時，光敏晶體管的相對靈敏度隨光波波長的變化而變化的特性稱為（光譜）特性；84、光敏三極管在不同照度下電流與電壓的關(guān)系

28、稱為光敏三極管的（伏安）特性。85、光敏三極管在外加偏置電壓一定時，光敏晶體管的輸出電流和光照度E的關(guān)系稱為（光電）特性。86、光敏晶體管受調(diào)制光照射時，相對靈敏度與調(diào)制頻率的關(guān)系稱為（頻率）特性。87、光敏三極管的伏安特性，是改變（光照度E（lx），從而得到的一簇Uce-Ie曲線。88、光電(照)特性指外加偏置電壓一定時，光敏晶體管的輸出電流和（光照度E）的關(guān)系。89、光電池對不同波長的光，其靈敏度是不同的特性稱為（光譜）特性。 90、光電池在不同的光照度下，光生電動勢和光電流是不相同的特性稱為（光電）特性。91、光電池輸出電流與人射光調(diào)制頻率的關(guān)系稱為光電池的（頻率）特性。 92、光電池是

29、一種（自發(fā)電式）的光電元件，它受到光照時自身能產(chǎn)生一定方向的電動勢，在不加電源的情況下，只要接通外電路，便有電流通過。93、光電池在不同的光照度下，光生電動勢和光電流是不相同的特性稱為硅光電池的（光電）特性。94、硅光電池的光電特性表明：開路電壓與光照度的關(guān)系是（非）線性的，而且在光照E變?yōu)椋?000）1x時就趨于飽和；95、硅光電池的光電特性表明：而短路電流在很大范圍內(nèi)與光照度成（線性）關(guān)系。96、光電池在接近短路的狀態(tài)工作，也就是把光電池作為（電流源）來使用。97、硅光電池的頻率特性較好，工作頻率的上限約為(數(shù)萬)Hz；98、光電池在檢測連續(xù)變化的光照度時，應(yīng)當(dāng)盡量使光電池在接近（短路）的

30、狀態(tài)工作， 99、霍耳傳感器是利用半導(dǎo)體材料的(霍耳)效應(yīng)進(jìn)行測量的一種傳感器。100、霍耳傳感器可以直接測量(磁場及微位移量)，也可以間接測量液位、壓力等工業(yè)生產(chǎn)過程參數(shù)。101、在置于磁場中的導(dǎo)體或半導(dǎo)體里通入電流，若電流與磁場垂直，則在與磁場和電流都垂直的方向上會出現(xiàn)一個電勢差，這種現(xiàn)象稱為(霍耳效應(yīng))。102、在洛侖茲力的作用下，電子向一側(cè)偏轉(zhuǎn)，使該側(cè)形成負(fù)電荷的積累，另一側(cè)則形成正電荷的積累。在A、B兩端面因電荷積累而建立了一個電場EH，稱為（霍耳電場）。103、霍耳電場EH可表示為（EH=vB）104、霍耳電壓UH表示為（KHIB）。105、霍耳系數(shù)表示為（RH=1/nq）：106

31、、霍耳系數(shù)RH，它表示一個霍耳元件在單位控制電流和單位磁感應(yīng)強(qiáng)度時產(chǎn)生的(霍耳電壓)的大?。?07、霍耳元件靈敏度KH表示為（RH/d），它的單位是m/V (mA.T)；108、霍耳元件靈敏度KH是在單位磁感應(yīng)強(qiáng)度和單位激勵電流作用下，霍耳元件輸出的（霍耳電壓值）。109、霍耳元件靈敏度KH不僅決定于載流體材料，而且取決于它的（幾何尺寸）（KH=1/nqd）。 110、霍耳元件的控制電流恒定時，磁場B愈大，霍耳電壓UH（愈大）。111、當(dāng)磁場B改變方向時，霍耳電壓UH（也改變）方向。112、當(dāng)霍耳靈敏度RH及磁感應(yīng)強(qiáng)度B恒定時，增加控制電流I，也可以（提高）霍耳電壓UH的輸出。113、在同樣磁

32、場強(qiáng)度、相同尺寸和相等功耗下，不同材料的元件輸出的霍耳電壓UHm僅僅取決于（µl/2），即取決于（材料本身的性質(zhì)）。114、霍耳元件的溫度特性是指元件的(內(nèi)阻及輸出)與溫度之間的關(guān)系。115、對于國產(chǎn)HZ-1型霍耳元件，=0.04%，=O.5%，Ri0=110時，輸入回路串聯(lián)補(bǔ)償電阻R等于（1265）。R= Ri0（-）/116、對于國產(chǎn)HZ-1型霍耳元件，=0.04%，=O.5%，Ro0=110時，輸出回路的負(fù)載進(jìn)行補(bǔ)償,補(bǔ)償電阻R等于（1375）。RL= RO0/117、在無外加磁場或無控制電流的情況下，霍耳元件產(chǎn)生輸出電壓的特性稱為(零位特性)；118、無外加磁場或無控制電流的

33、情況下，霍耳元件產(chǎn)生輸出電壓由此而產(chǎn)生的誤差稱為(零位誤差)。119、在無磁場的情況下，霍耳元件通過一定的控制電流I，兩輸出端產(chǎn)生的電壓稱為(不等位電壓)，用U0表示。U0與I的比值稱為（不等位電阻），用R0表示。120、在無磁場的情況下，元件通入交流電流，輸出端除交流不等位電壓以外的直流分量稱為（寄生）直流電壓。121、在未通電流的情況下，由于脈動或交變磁場的作用，在輸出端產(chǎn)生的電動勢稱為（感應(yīng)電動勢）。122、在無外加磁場的情況下，由控制電流所建立的磁場(自激場)在一定條件下使霍耳元件產(chǎn)生的輸出電壓稱為（自激場零電壓）。 123、感應(yīng)電動勢和自激場零電壓都可以用改變霍耳元件輸出和輸入（引線

34、）的布置方法加以改善。124、集成霍耳傳感器的輸出是經(jīng)過處理的霍耳輸出信號。可以分為（開關(guān)型集成霍耳傳感器）、（線性集成霍耳傳感器）兩種類型。125、開關(guān)型集成霍耳傳感器是把霍耳元件的輸出經(jīng)過處理后輸出（高、低）電平的數(shù)字信號。126、集成霍耳傳感器的導(dǎo)通磁感應(yīng)強(qiáng)度和截止磁感應(yīng)強(qiáng)度之間存在（滯后）效應(yīng)，它大大增強(qiáng)了開關(guān)電路的抗干擾能力，保證開關(guān)動作穩(wěn)定，不產(chǎn)生振蕩現(xiàn)象。127、集成霍耳傳感器的導(dǎo)通磁感應(yīng)強(qiáng)度和截止磁感應(yīng)強(qiáng)度之差稱為（回差寬度B）128、線性集成霍耳傳感器其輸出信號與（磁感應(yīng)強(qiáng)度）成比例。129、霍耳傳感器的應(yīng)用總的來說可分為三個方面即:（磁場比例性、電流比例性、乘法作用）。13

35、0、磁場比例性是指（控制電流）恒定時，霍耳電壓與（磁場）之間的關(guān)系。131、光柵式傳感器利用光柵的（衍射）現(xiàn)象，把光柵應(yīng)用于光譜分析、測定光披的波長等方面。132、把光柵常數(shù)相等的主光柵和指示光柵刻線面相對疊合在一起，中間留有很小的間隙，并使兩者柵線之間保持很小夾角。在近似于垂直柵線方向出現(xiàn)明暗相間的條紋，稱之為（莫爾條紋）。133、莫爾條紋有3個重要特性即（平均效應(yīng)、放大作用、對應(yīng)關(guān)系）。134、莫爾條紋是周期函數(shù)，其周期（T= W2 /sin），為莫爾條紋的（寬度B）。135、莫爾條紋的方向與光柵的移動方向（x方向）只相差（/2），近似于與柵線方向相垂直移動，故此莫爾條紋又稱為（橫向莫爾條

36、紋）。136、光柵傳感器由（照明系統(tǒng)、光柵副、光電接收元件）所組成；137、光柵副由（主光柵、指示光柵）構(gòu)成；138、計量光柵按其形狀和用途可分為：（長光柵和圓光柵）兩類；139、柵線的延長線全部通過圓心的光柵稱為（徑向光柵）。140、全部柵線與一個同心小圓相切的光柵稱為（切向光柵）。141、在玻璃上刻制成一系列平行等距離的透光縫隙和不透光柵線的光柵稱為（黑白透射光柵）；142、在金屬鏡面上刻成反射和漫射間隔相等的柵線的光柵稱為（黑白反射光柵）；143、黑白光柵柵線密度：（=25250）線/mm144、光柵柵線密度的單位是（線/mm）145、相鄰兩柵線之間的距離為（W=a+b ） 146、光柵

37、常數(shù)W表示（光柵柵距）；147、光柵常數(shù)W等于（柵線寬度a加上柵線縫隙寬度b）。148、一接觸式四位二進(jìn)制的自然二進(jìn)制編碼器，當(dāng)碼盤隨轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動時，電刷上將出現(xiàn)相應(yīng)的電位，對應(yīng)一定數(shù)碼，相應(yīng)的表示十進(jìn)制數(shù)的（015）。149、循環(huán)碼的特點(diǎn)是相鄰的兩組數(shù)碼的數(shù)值有（一位）發(fā)生變化。148、有用信號成分與噪聲信號成分之比稱為（信噪比）。149、造成系統(tǒng)不能正常工作的干擾形成需要具備三個條件是：（干擾源、對干擾敏感的接收電路、干擾源到接收電路之間的傳輸途徑）。150、常見的干擾藕合方式主要有（靜電藕合、電磁藕合、共阻抗藕合、漏電流藕合）。 151、靜電藕合是由于兩個電路之間存在著（寄生電容），使一個電

38、路的電荷影響到另一個電路。152、靜電藕合在被干擾電路的輸入阻抗Zi上干擾電壓的表達(dá)式為（Unc =jCmZiEn）其中：（En）為干擾源電壓；（Zi）為被干擾電路的輸入阻抗；（Cm）為造成靜電藕合的寄生電容。153、當(dāng)兩個電路之間有互感存在時，一個電路的電流變化，就會通過磁交鏈影響到另一個電路，從而形成干擾電壓稱為（電磁耦合）干擾。154、在電氣設(shè)備內(nèi)部，變壓器及線圈的漏磁就是一種電磁藕合（干擾源）。155、電磁耦合引起的感應(yīng)干擾電壓Une等于（jMIn）。 156、由于兩個以上電路有公共阻抗，當(dāng)一個電路中的電流流經(jīng)公共阻抗產(chǎn)生壓降時，就形成對其他電路的干擾電壓稱為（共阻干擾）耦合。 157

39、、共阻抗藕合干擾電壓Unc正比于（InZc） ；Zc:共有阻抗；In:干擾源電流 158、由于絕緣不良，流經(jīng)絕緣電阻R的漏電流所引起的干擾叫做（漏電流藕合）。159、漏電流引起干擾的等效電路中 Une的表達(dá)式為：（Unc=ZiEn/（Rn+Zi）En：噪聲電動勢；Rn：漏電阻；Zi：漏電流流入電路的輸入阻抗；Unc：干擾電壓。160、根據(jù)干擾進(jìn)入測量電路的方式以及與有用信號的關(guān)系，可將噪聲干擾分為（差模干擾和共模干擾）。 161、差模干擾是指干擾電壓與有效信號（串聯(lián)疊加后）作用到檢測裝置的輸入端。圖13-8、差模干擾等效電路164、檢測裝置兩個輸入端對地共有的干擾電壓稱為（共模干擾）。165、

40、造成共模干擾的主要原因是被測信號的參考接地點(diǎn)和檢測裝置輸入信號的（參考接地點(diǎn)）不同。166、雖然共模干擾它不直接影響測量結(jié)果，但當(dāng)信號輸入電路不對稱時，它會轉(zhuǎn)化為（差模干擾），對測量產(chǎn)生影響。167、共模干擾只有轉(zhuǎn)換成( 差模 )干擾才能對檢測裝置產(chǎn)生干擾作用。168、干擾抑制技術(shù)主要是研究如何（阻斷干擾的傳輸途徑和藕合通道）。169、干擾信號主要是通過（電磁感應(yīng)、傳輸通道、電源線）三種途徑進(jìn)入檢測裝置內(nèi)部的。170、硬件抗干擾措施：（屏蔽技術(shù)、接地技術(shù)、浮空技術(shù)、隔離技術(shù)、濾波器）等；171、軟件的抗干擾措施：（數(shù)字濾波、冗余技術(shù)）等微機(jī)軟件的抗干擾措施。 172、屏蔽技術(shù)主要是抑制（電磁感

41、應(yīng)）對檢測裝置的干擾。173、屏蔽技術(shù)是利用銅或鋁等低阻材料或磁性材料把元件、電路、組合件或傳輸線等包圍起來以（隔離內(nèi)外電磁）的相互干擾；174、屏蔽包括（靜電屏蔽、電磁屏蔽、低頻磁屏蔽、驅(qū)動屏蔽）。 175、靜電屏蔽采用導(dǎo)電性能良好的金屬作（屏蔽盒并將它接地），使其內(nèi)部的電力線不外傳，同時也不使外部的電力線影響其內(nèi)部。 176、靜電屏蔽可以消除或削弱兩電路之間由于（寄生分布電容藕合）而產(chǎn)生的干擾。 177、采用導(dǎo)電良好的金屬材料做成屏蔽層，利用高頻干擾電磁場在屏蔽體內(nèi)產(chǎn)生渦流，再利用渦流消耗高頻干擾磁場的能量，從而削弱高頻電磁場的影響的屏蔽技術(shù)稱為（電磁屏蔽）。 178、接地技術(shù)的基本目的是

42、消除各電路電流流經(jīng)（公共地線）時所產(chǎn)生的噪聲電壓，以及免受電磁場和地電位差的影響，即不使其形成地環(huán)路。 179、在檢測裝置中，有以下幾種"地"線。（屏蔽接地線及機(jī)殼接地線、信號接地線、功率地線、交流電源地線） 180、屏蔽接地線及機(jī)殼接地線是對(電磁場)的屏蔽。 181、通常頻率在（1）MHz以下用一點(diǎn)接地，頻率在（10）MHz以上用多點(diǎn)接地。 182、電場屏蔽是為了解決分布電容問題，一般（接）大地；183、電磁屏蔽主要避免雷達(dá)、短波電臺等高頻電磁場的輻射干擾，地線用低阻金屬材料做成，（可接也可不接）大地。184、如果檢測裝置的輸入放大器的公共線，既不接機(jī)殼也不接大地，則稱

43、為（浮空）。185、浮空的目的是要阻斷干擾（電流）的通路。浮空與接地相比能更強(qiáng)的抑制（共模）干擾電流。 186、隔離的方法主要是采用（變壓器隔離或光電偶合）。 187、變壓器隔離常用于（交流）信號的隔離。 188、在直流或低頻測量系統(tǒng)中，多采用（光電藕合）的方法來隔離。189、濾波器特別對抑制（經(jīng)導(dǎo)線）耦合到電路中的噪聲干擾效果更顯著。 190、常用的軟件干擾抑制技術(shù)主要有（數(shù)字濾波、冗余技術(shù)）等。191、數(shù)字濾波主要解決來自（檢測裝置輸入通道）的干擾信號；192、數(shù)字濾波是由軟件算法實現(xiàn)的，很容易解決（較低頻信號）的濾波問題。193、常用的數(shù)字濾波方法有：（算術(shù)平均值法、中位值法、抑制脈沖算術(shù)平均法(復(fù)合濾波法)。 194、算術(shù)平均值法是對同一采樣點(diǎn)連續(xù)采樣N次，然后取其平均值，其算式為（(1/N)XK）。 195、中位值濾波法是對某一被測參數(shù)連續(xù)采樣n次。把n次采樣值按大小排列?。ㄖ虚g）值為本次采樣值。196、中位值濾波能有效地克服（偶然）