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1、模擬電路全定制設計實驗報告實驗1實驗10 這一部分的實驗是畫出buffer的版圖并進行DRC、LVS以及RCX,最后進行后仿真的過程。Buffer的電路圖及版圖如下:Buffer_text的電路圖如下:進行后仿真后的結果如下:(1) 對不帶寄生參數(shù)的原理圖進行仿真:(2) 對帶寄生參數(shù)的原理圖進行仿真:實驗11本實驗是通過電路對二極管的I-V特性進行仿真測試。測試電路圖如下:仿真結果如下:實驗12本實驗目的是仿真測試BJT和MOS晶體管的I-V特性。測試BJT管的電路圖如下:三極管的輸入特性曲線如圖:三極管的輸出特性曲線如圖:測試MOS管的電路圖如下:MOS管的輸出特性曲線:MOS管的輸入特性

2、曲線:MOS管的參數(shù)觀察如下:實驗13本實驗是對MOS管柵源電容,體效應以及總電容的測試。柵源電容測量電路如圖所示:柵源電容隨柵源電壓的變化曲線:體效應及總電容的測試電路如下:不同VGS下的mos管的輸入特性曲線:MOS管的總電容隨柵電壓變化的曲線:實驗14本實驗主要是對MOS晶體管共源級放大器進行仿真測試(1)電阻負載的共源放大器電路如下:直流仿真結果:參數(shù)化掃描結果:MOS管的DC分析時的參數(shù):AC仿真結果如圖所示:TRAN仿真結果如圖:(2)二極管負載的共源放大器電路如下:直流仿真結果:參數(shù)化掃描結果:AC仿真結果:TRAN掃描結果:(3)電流源負載的共源放大器電路如下:直流仿真結果:AC仿真結果:TRAN仿真結果:實驗15 本實驗是對簡單地差動電路放大器進行仿真測試。差動放大器電路圖如下:DC掃描及輸入輸出共模范圍圖像:AC分析:相位裕度:共模增益波形:從VDD到VOUT的增益曲線:實驗18本實驗要求自己設計一個三輸入與非門,要求驅動10pf的電容,并且延時不能大于

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