內(nèi)存顆粒識別

1、內(nèi)存顆粒識別存儲顆粒主要有這樣的一些品牌：美國的Micron（美光）、德國的Infineon（英飛凌）；韓國的SAMSUNG（三星）、HY（現(xiàn)代）；日本的NEC（日本電氣）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(東芝)；臺灣的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（鈺創(chuàng)）、Winbond（華邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先進）、Nanya（南亞）。有的品牌現(xiàn)在已經(jīng)沒有被采用了，只有在SDRAM時代采用過，有的品牌在DDR時代采用的也不多了。顯存種類主要分SD和DDR兩種，有時候，他們可以從編號上區(qū)分，DDR的可能會注明“D”，SD

2、RAM的注明“S”或者其他字母。另外主要從管角數(shù)量上來區(qū)分，以TSOP封裝來說，SDRAM的管腳數(shù)量是27x254，DDR的管腳數(shù)量為33X2=66。注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)

3、存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。 SAMSUNG目前使用三星的內(nèi)存顆粒來生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復(fù)雜。三星內(nèi)存顆粒的型號采用一個15位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。編碼規(guī)則：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含義：第1位芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。第2位芯片類型4，代表DRAM。第3位芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編

4、號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)（代寬），08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。第11位連線“-”，沒有實際意義。第12、13位為速度標(biāo)志。第14、15位芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H28083

5、8B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。           圖1 三星顆粒（左邊為采用TSOP封裝DDR顆粒，右邊為采用TSOP封裝的SD顆粒）圖3 采用mBGA封裝方式的DDR顯存顆粒Hynix(Hyundai)現(xiàn)代 韓國現(xiàn)代公司的顯存，應(yīng)該為大多數(shù)朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的產(chǎn)品線也

6、是很豐富的，在內(nèi)存中，現(xiàn)代HY是物美價廉的代表?，F(xiàn)代內(nèi)存的含義：HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、1

7、6K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2 8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :2

8、22MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A 圖4 現(xiàn)代的顆粒（左圖為DDR顆粒，右圖為SD顆粒）第一個編號為HY5DV641622AT-36的顆粒，它是DDR顯存顆粒，第4位的字母“D”即代表為DDR，單顆64/88MB，速度為3.6ns；第二顆編號為HY57V641620HG T-6，它是SDR顆粒，它的第6、7兩位標(biāo)稱了顯存單顆粒為64/88MB，8，9兩位代表了顯存位寬為16bit，T-6表示速度為6ns，一般以-2A的標(biāo)識方式進行標(biāo)注。圖5 采用mBGA封裝方式的顆粒Infineon（億恒）

9、 Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256M

10、B/8bits。 Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。 -7.5表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz； -8表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。 例如：1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。 1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。 圖6 In

11、fineon（億恒）顆粒這顆編號為HYB25D128323C-3.3，編號中正數(shù)第10、11位，也就是“32”代表了該顆粒的數(shù)據(jù)輸出位寬。32也就是單顆32位。順便說一下，這是DDR SGRAM顯存顆粒。KINGMAXKingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。 容量備注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)

12、據(jù)寬度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度； KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度； KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度； KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。 Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標(biāo)識內(nèi)存的工作速率： -7APC133 /CL=2； -7PC133 /CL=3； -8APC100/ CL=2； -8PC100 /CL=3。 例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16

13、片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。 Micron（美光） 美光是美國第一大、全球第二大內(nèi)存芯片廠商，目前顯卡廠商采用它顯示芯片較少，它主要供應(yīng)內(nèi)存OEM商，下面用上圖的實例對Micron（美光）顆粒編號的簡單含義作介紹：以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。 含義： MTMicron的廠商名稱。 48內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：

14、16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。 A2內(nèi)存內(nèi)核版本號。 TG封裝方式，TG即TSOP封裝。 -75內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 實例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。 其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。圖7 美光芯片顆粒顆粒編號MT 48LC8M8A2 TG-75，從編號上的48很容易知道這是SDRAM顆粒，采用TSOP封裝方式，速度為7.5ns，單顆粒為8M，位寬8

15、bit。Winbond（華邦） 臺灣華邦為臺灣5大內(nèi)存芯片廠商之一，近年來，大陸客戶采用它的內(nèi)存顆粒較多，因此為我們較熟悉的一種品牌。含義說明：W XX XX XX XX 1 2 3 4 5 1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn) 2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM 3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H； 4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝 5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz圖8 winbon

16、d顆粒這顆粒編號為W946432AD-5H，第1位W為臺灣華邦顯存顆粒開頭標(biāo)志，編號中的4、5為64表示單顆顯存為64/8=8Mb，第6、7為32表示單顆粒位寬為32位，第9位D表示位DDR顆粒，后面的第11、12位表示顆粒速度位5ns。臺灣晶豪電子臺灣晶豪電子是臺灣5大內(nèi)存芯片廠商之一，它近年來發(fā)展迅速，主要中國大陸顯卡商采用它的顆粒較多。圖9 EilteMT顆粒這顆顯存編號為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對應(yīng)的運行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封裝日期為99年第48周；第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數(shù)據(jù)

17、帶寬為32bit。圖10 ESMT顆粒這顆顯存編號為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/816MB，8、9位表示位寬16bit，最后的-4T表示速度為4ns。臺灣鈺創(chuàng)科技臺灣鈺創(chuàng)科技為最近興起的存儲芯片領(lǐng)域里的一顆新星，它的內(nèi)存顆粒被各大顯卡產(chǎn)商大量采用，品質(zhì)性能都非常不錯。這顆顯存編號為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創(chuàng))顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數(shù)據(jù)帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。圖11 鈺創(chuàng)顆粒南亞科技（NANYA）南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年臺灣內(nèi)存芯片商中唯一