尹其暢三極管第16~21講正式內(nèi)容2

1、長安大學(xué)考研813電子技術(shù)基礎(chǔ)命題規(guī)分析及復(fù)習(xí)要點精講主講：尹其暢老師要點精講和復(fù)習(xí)思路第六章 半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管，基本放大電路,1、本章考情分析本章主要介紹了二極管和三極管的基本特性，以及三極管的基本放大電路。每年都要出一至二道小題（填空，選擇，問答）和一道大題，但是小題考的知識點很簡單，主要是二極管和三極管的基本概念題；大題方面是三級管的基本放大電路或者是多級放大電路，題型簡單，但是計算不容易，因此考生要注意計算能力培養(yǎng)；本章是模電的四個重點之一，因此掌握本章內(nèi)容顯得尤為重要。2、本章框架結(jié)構(gòu)本章首先介紹了半導(dǎo)體的基本知識，然后PN結(jié)的形成和特性，半導(dǎo)體三極管的基本結(jié)構(gòu)；最后介紹基

2、本放大電路。3、本章考點預(yù)測小題是寫出二極管的特性，和三極管三個極的概念和電流的關(guān)系。大題是基本放大電路或者是多級放大電路，差分放大電路在歷年考研中并未出現(xiàn)，但是還是要注意一下。4、本章要點精講要點一：電子技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用概況第一代電子器件是電子管；第二代電子器件是晶體管；第三代電子器件是集成電路；第四代電子器件是大規(guī)模集成電路；第五代電子器件是超大規(guī)模集成電路。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，新的電子器件也在不斷地出現(xiàn)。課程的研究對象 電子技術(shù)就是應(yīng)用電子元器件來達(dá)到某種特定目的或完成某項特定任務(wù)的技術(shù)。電子技術(shù)研究的對象是電子元器件和由電子元器件構(gòu)成的各種基本功能電路，以及由某些基本功能電路所組成的有

3、各種用途的裝置或系統(tǒng)。電子技術(shù)按照其處理信號的不同分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩部分。要點二：半導(dǎo)體的特性1. 導(dǎo)體：電阻率 r < 10-4W· cm 的物質(zhì)。如銅、銀、鋁等金屬材料。2. 絕緣體：電阻率 r > 109 W·cm 物質(zhì)。如橡膠、塑料等。3. 半導(dǎo)體：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物質(zhì)。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅(Si)和鍺(Ge)。硅原子結(jié)構(gòu)最外層電子稱價電子，最外層只有四個電子，不穩(wěn)定。鍺原子也是4價元素4 價元素的原子常常用+ 4 電荷的正離子和周圍 4個價電子表示。要點三：本征半導(dǎo)體 概念：完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)

4、構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。將硅或鍺材料提純便形成單晶體，它的原子結(jié)構(gòu)為共價鍵結(jié)構(gòu)。當(dāng)溫度 T = 0K 時，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體若 T­，將有少數(shù)價電子克服共價鍵的束縛成為自由電子，在原來的共價鍵中留下一個空位空穴。自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力，但很微弱。空穴可看成帶正電的載流子。1. 半導(dǎo)體中兩種載流子 帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴2. 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，稱為 電子 - 空穴對。3. 本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的濃度用 ni和 pi表示，顯然 ni= pi。4. 由于物質(zhì)的運動，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合

5、運動會達(dá)到平衡，載流子的濃度就一定了。5. 載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。要點四：雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種 N 型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體一、 N 型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體(或稱電子型半導(dǎo)體)。常用的 5 價雜質(zhì)元素有磷、銻、砷等。本征半導(dǎo)體摻入 5 價元素后，原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子最外層有 5 個價電子，其中 4 個與硅構(gòu)成共價鍵，多余一個電子只受自身原子核吸引，在室溫下即可成為自由電子。自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即 n >> p 。電子稱為多數(shù)載流子(

6、簡稱多子)，空穴稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)。二、 P 型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體。3 價雜質(zhì)原子稱為受主原子?？昭舛榷嘤陔娮訚舛龋?p >> n。空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。說明：1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。要點五：半導(dǎo)體二極管一PN 結(jié)及其單向?qū)щ娦栽谝粔K半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體，兩個區(qū)域的交界處就形成了一個特殊的薄層，

7、稱為 PN 結(jié)。 PN 結(jié)的形成二、 PN 結(jié)中載流子的運動1. 擴散運動電子和空穴濃度差形成多數(shù)載流子的擴散運動。2. 擴散運動形成空間電荷區(qū) PN 結(jié)，耗盡層。3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 UD 電位壁壘； 內(nèi)電場；內(nèi)電場阻止多子的擴散 阻擋層。4. 漂移運動內(nèi)電場有利于少子運動漂移。5. 擴散與漂移的動態(tài)平衡擴散運動使空間電荷區(qū)增大，擴散電流逐漸減??；隨著內(nèi)電場的增強，漂移運動逐漸增加；當(dāng)擴散電流與漂移電流相等時，PN 結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。即擴散運動與漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡?？臻g電荷區(qū)的寬度約為幾微米 幾十微米；電壓壁壘 UD，硅材料約為(

8、0.6 0.8) V, 鍺材料約為(0.2 0.3) V。三PN 結(jié)的單向?qū)щ娦杂址Q正向偏置，簡稱正偏1. PN 結(jié)外加正向電壓(正偏)空間電荷區(qū)變窄，有利于擴散運動，電路中有較大的正向電流。在 PN 結(jié)加上一個很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過大，可接入電阻 R。2. PN 結(jié)外加反向電壓(反偏)反向接法時，外電場與內(nèi)電場的方向一致，增強了內(nèi)電場的作用；外電場使空間電荷區(qū)變寬；不利于擴散運動，有利于漂移運動，漂移電流大于擴散電流，電路中產(chǎn)生反向電流 I；由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。綜上所述：當(dāng) PN 結(jié)正向偏置時，回路中將產(chǎn)生一個較大的正向電流， PN 結(jié)處

9、于 導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng) PN 結(jié)反向偏置時，回路中反向電流非常小，幾乎等于零， PN 結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)?？梢姡?PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦?。四半?dǎo)體二極管的類型按半導(dǎo)體材料分：有硅二極管、鍺二極管等。按 PN 結(jié)結(jié)構(gòu)分：有點接觸型和面接觸型二極管。點接觸型管子中不允許通過較大的電流，因結(jié)電容小，可在高頻下工作。面接觸型二極管 PN 結(jié)的面積大，允許流過的電流大，但只能在較低頻率下工作。按用途劃分：有整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管等。五二極管的伏安特性在二極管的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，I = f(U)之間的關(guān)系曲線。1. 正向特性當(dāng)正向電壓比較小時，正向電流

10、很小，幾乎為零。相應(yīng)的電壓叫死區(qū)電壓。范圍稱死區(qū)。死區(qū)電壓與材料和溫度有關(guān)，硅管約 0.5 V 左右，鍺管約0.1 V 左右。當(dāng)正向電壓超過死區(qū)電壓后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。2. 反向特性二極管加反向電壓，反向電流很小；當(dāng)電壓超過零點幾伏后，反向電流不隨電壓增加而增大，即飽和；如果反向電壓繼續(xù)升高，大到一定數(shù)值時，反向電流會突然增大；這種現(xiàn)象稱擊穿，對應(yīng)電壓叫反向擊穿電壓擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。3. 伏安特性表達(dá)式(二極管方程)IS ：反向飽和電流UT ：溫度的電壓當(dāng)量在常溫(300 K)下，UT» 26 mV結(jié)論：二極管具有單向?qū)?/p>

11、電性。加正向電壓時導(dǎo)通，呈現(xiàn)很小的正向電阻，如同開關(guān)閉合；加反向電壓時截止，呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管的電壓與電流變化不呈線性關(guān)系，其內(nèi)阻不是常數(shù)，所以二極管屬于非線性器件。六，二極管的主要參數(shù)1最大整流電流IF是指管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。使用時正向平均電流不能超過此值，否則會燒壞二極管。2最大反向工作電壓URM最大反向工作電壓URM 是指二極管正常工作時，所承受的最高反向電壓（峰值）。通常手冊上給出的最高反向工作電壓是擊穿電壓的一半左右。3反向飽和電流IR反向飽和電流IR是指在規(guī)定的反向電壓和室溫下所測得的反向電流值。其值越小，

12、說明管子的單向?qū)щ娦阅茉胶?。七，二極管的電容效應(yīng)當(dāng)二極管上的電壓發(fā)生變化時，PN 結(jié)中儲存的電荷量將隨之發(fā)生變化，使二極管具有電容效應(yīng)。電容效應(yīng)包括兩部分勢壘電容和擴散電容1. 勢壘電容是由 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變化形成的。2. 擴散電容 Cd是由多數(shù)載流子在擴散過程中積累而引起的。穩(wěn)壓管一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。 要點六：三極管半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件三極管的結(jié)構(gòu)如下1.三極管的結(jié)構(gòu)與電路符號三極管的構(gòu)成是在一塊半導(dǎo)體上用摻入不同雜質(zhì)的方法制成兩個緊挨著的PN結(jié)，并引出三個電極。三極管有三個區(qū)：發(fā)射區(qū)它是發(fā)射載流子的區(qū)域；基區(qū)載流子傳輸?shù)膮^(qū)域；集電

13、區(qū)收集載流子的區(qū)域。各區(qū)引出的電極依次為發(fā)射極（極）、基極（極）和集電極（極）。 為使三極管具有電流放大作用，在制造過程中必須滿足實現(xiàn)放大的內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件，即：（1）發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度，以便于有足夠載流子供“發(fā)射”。（2）基區(qū)很薄，摻雜濃度很低，以減少載流子在基區(qū)的復(fù)合機會，這是三極管具有放大作用的關(guān)鍵所在。（3）集電區(qū)比發(fā)射區(qū)體積大且摻雜少，以利于收集載流子。2三極管的分類 三極管的種類很多，主要有下列5種分類形式：（1）按其結(jié)構(gòu)類型分為NPN型管和PNP型管；（2）按其制作材料分為鍺管和硅管；（3）按工作頻率分為高頻管和低頻管；（4）按其工作頻率分為大功率管、中功率管和小功率

14、管；（5）按其工作狀態(tài)分為放大管和開關(guān)管。3.三極管的電流分配關(guān)系要點七：三極管的放大作用1具有放大作用的基本條件 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是：“發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏”。通常給PN結(jié)加正向電壓稱作正向偏置，簡稱正偏；加反向電壓稱做反向偏置，簡稱反偏。三極管放大電路不論采取哪種管型和哪種電路形式都要滿足這個基本條件。2電流放大作用及電流分配關(guān)系 三極管在一定的外界電壓條件下所具有的IC受IB控制且二者呈線性關(guān)系的特性稱為三極管的直流電流放大作用，而IC受IB控制且二者呈線性關(guān)系的特性稱為三極管的交流電流放大作用。三極管三個電流在數(shù)值上的關(guān)系稱為三極管的電流分配關(guān)系。 3三極管放大的概念和三

15、種連接方式 （a） 是共射極放大電路（b） 是共集電極放大電路（c） 是共基極放大電路4 三極管的特性曲線1輸入特性曲線當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE一定時，輸入回路中的基極電流iB與基-射電壓uBE之間的關(guān)系曲線被稱為輸入特性。用函數(shù)式可表示為：三極管的輸入特性曲線是非線性的，輸入電壓小于某一開啟值時，三極管不導(dǎo)通，基極電流為零，這個開啟電壓叫死區(qū)電壓或叫閾值電壓。對于硅管約為0.5V，對于鍺管約為0.10.2V。當(dāng)管子正常工作時，發(fā)射結(jié)壓降變化不大，對于硅管約為0.60.7V，對于鍺管約為0.20.3V。5 三極管的主要參數(shù)及溫度的影響 1主要參數(shù)三極管的參數(shù)描述了三極管的性能，是評價三

16、極管質(zhì)量以及選擇三極管的依據(jù)。常用的主要參數(shù)有：（1）電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)的大小反映了三極管放大能力的強弱。 （2）反向飽和電流ICBOICBO是指發(fā)射極開路時，集電極的反向飽和電流（3）穿透電流ICEOICEO是指基極開路時，流過集電極的反向電流。（4）集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流iC過大時，將明顯下降，ICM為下降到規(guī)定允許值時的集電極電流。（5）集電極最大耗散功率PCMPCM是指三極管正常工作時最大允許消耗的功率。要點八：基本放大電路注意的問題一放大電路遵循以下原則：（1）必須有直流電源，而且電源的設(shè)置應(yīng)使三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，以保證三極管工作在放大狀態(tài)。（

17、2）元件的安排要保證信號的傳輸，即信號能夠從放大電路的輸入端加到三極管的發(fā)射結(jié)上，經(jīng)過放大后又能從輸出端輸出。簡單的說就是應(yīng)使交流信號進(jìn)得去出得來。 二放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)一、放大倍數(shù)原理電路的缺點：1. 雙電源供電； 2. uI、uO不共地。一、單管共射放大電路C1 、C2：為隔直電容或耦合電容； RL：為負(fù)載電阻。該電路也稱阻容耦合單管共射放大電路。要點九放大電路的非線性失真所謂失真，是指輸出信號的波形與輸入信號的波形不一致。這種由于三極管特性的非線性造成的失真稱為非線性失真。1.飽和失真由于三極管進(jìn)入飽和區(qū)所引起的，故稱為飽和失真。將輸入回路中的基極偏置電阻Rb增大，以降低IBQ、IC

18、Q，從而使靜態(tài)工作點Q下降，進(jìn)入三極管放大區(qū)的中間位置，便可解決飽和失真問題。另外，還可以通過調(diào)節(jié)Rc的大小來改善飽和失真，2. 截止失真由于三極管進(jìn)入截止區(qū)所引起的，故稱為截止失真。將輸入回路中的基極偏置電阻Rb減小，以增大IBQ、ICQ，從而使靜態(tài)工作點Q上移，保證在輸入信號的整個周期內(nèi)，三極管工作在輸入特性的線性部分，便可解決截止失真問題。要點十：放大電路的基本分析方法一放大電路的工作情況1靜態(tài)（ui=0）工作情況靜態(tài)分析的目的是通過直流通路分析放大電路中三極管的工作狀態(tài)。為了使放大電路能夠正常工作，三極管必須處于放大狀態(tài)。因此要求三極管各極的直流電壓、直流電流必須具有合適的靜態(tài)工作參數(shù)

19、IB、IC、UBE、UCE。 2動態(tài)工作情況當(dāng)放大電路加入交流信號ui時，電路中各極的電壓、電流都是由直流量和交流量疊加而成的。 二基本分析方法兩種1圖解法2微變等效電路法三放大電路的兩條通路直流通路交流通路例子：圖 1圖 2圖 3四兩種偏置電路1固定偏置式電路 靜態(tài)工作點的近似計算IBQ=(UCC-UBEQ）/Rb硅管 UBEQ = (0.6 0.8) V鍺管UBEQ = (0.1 0.2) VICQ=bIBQUCEQ=UCC-ICQRC2分壓式偏置電路靜態(tài)工作點的近似計算UBQ»IEQICQ=UCEQUCC-ICQ(Rc+Re)【例如】圖示單管共射放大電路中，VCC = 12 V

20、，Rc = 3 kW，Rb = 280 kW，NPN 硅管的 b= 50，試估算靜態(tài)工作點。解：設(shè) UBEQ = 0.7 VICQ»bIBQ =(50´0.04)mA=2mAUCEQ=VCCICQRc=(122´3)V=6V五、圖解法的應(yīng)用(一)用圖解法分析非線性失真1. 靜態(tài)工作點過低，引起iB、iC、uCE 的波形失真 截止失真結(jié)論：iB 波形失真2. Q 點過高，引起iC、uCE的波形失真飽和失真要點十一.單管共射放大電路的等效電路一電路圖三極管的簡化 h 參數(shù)等效電路注意：這里忽略了 uCE對 iC與輸出特性的影響，在大多數(shù)情況下，簡化的微變等效電路對于工

21、程計算來說誤差很小。電壓放大倍數(shù) Au；輸入電阻 Ri、輸出電阻 RO二單管共射放大電路的等效電路單管共射放大電路的等效電路Ri = rbe / Rb ，Ro = Rc三等效電路法的步驟(歸納)1. 首先利用圖解法或近似估算法確定放大電路的靜態(tài)工作點 Q。2. 求出靜態(tài)工作點處的微變等效電路參數(shù) b和 rbe。3. 畫出放大電路的微變等效電路?？上犬嫵鋈龢O管的等效電路，然后畫出放大電路其余部分的交流通路。4. 列出電路方程并求解。要點十二.微變等效電路法的應(yīng)用例：接有發(fā)射極電阻的單管放大電路，計算電壓放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻。接有發(fā)射極電阻的放大電路根據(jù)微變等效電路列方程引入發(fā)射極電阻后，Au

22、降低了。若滿足(1 + b) Re >> rbeAu與三極管的參數(shù) b、rbe無關(guān)。2. 放大電路的輸入電阻引入 Re 后，輸入電阻增大了。3. 放大電路的輸出電阻將放大電路的輸入端短路，負(fù)載電阻 RL開路 ，忽略 c 、e 之間的內(nèi)電阻 rce。要點十三：放大電路性能指標(biāo)的估算放大電路的性能指標(biāo)放大電路的性能指標(biāo)是為了衡量它的性能優(yōu)劣而引入的。放大電路放大的對象是變化量，研究放大電路除了要保證放大電路具有合適的靜態(tài)工作點外，更重要的是還要研究其放大性能。對于放大電路放大性能有以下幾個方面的要求：(1)應(yīng)有較強的放大能力，即放大倍數(shù)要高。(2)輸出信號與輸入信號變化規(guī)律應(yīng)一致，即失

23、真要小。(3)在一定的頻率范圍內(nèi)要有盡可能相同的放大能力，即有一定的頻帶寬度。(4)工作穩(wěn)定可靠，噪聲小。1放大倍數(shù)是指輸出信號與相應(yīng)的輸入信號之比，有時也稱為增益。常用的有電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)。 Au=uo / uiAi=io/ ii2輸入電阻riri=ui / iiri是衡量放大電路對信號源影響程度的重要參數(shù)。其值越大，放大電路從信號源索取的電流越少，信號源對放大電路的影響越小。 3輸出電阻roro=可以看出，輸出電阻越大，表明接入負(fù)載后輸出電壓的幅值下降越多，因此希望ro小一些。ro的大小反映了放大器帶負(fù)載能力的強弱。2 放大電路的交流通路及微變等效電路1放大電路的交流通路有輸入信

24、號作用時，放大電路中的電流、電壓的大小隨輸入信號發(fā)生相應(yīng)變化，稱放大器處于交流工作狀態(tài)或動態(tài)。放大器交流信號的流經(jīng)途徑叫放大器的交流通路，它的畫法是將容量較大的電容視為短路，將直流電源（內(nèi)阻較小可忽略不計）視作短路，其余元件按原連接關(guān)系畫出。 2放大電路的微變等效電路三極管的輸入回路可用一個等效電阻rbe來等效，rbe稱做三極管的等效輸入電阻，三極管的輸出回路可用一個大小為ib的理想受控的電流源來等效。1. 當(dāng) IEQ一定時， b愈大則 rbe也愈大，選用 b值較大的三極管其 Au并不能按比例地提高；2. 當(dāng) b值一定時，IEQ 愈大則 rbe愈小，可以得到較大的 Au ，這種方法比較有效。

25、要點十四.放大電路性能指標(biāo)的估算(再次講解)1共發(fā)射極放大電路性能指標(biāo)的估算 （1）電壓放大倍數(shù)（不考慮信號源內(nèi)阻）（a）有載電壓放大倍數(shù)AuAu=uo /ui=ibRL'/ibrbe=RL'/rbe（b）空載電壓放大倍數(shù)Au'（即RL） RL'=RC /RL=RCAu'=RC/rbe（2）輸入電阻riri=ui/ii=Rb /rbe（Rb = Rb1 / Rb2） 當(dāng)Rb rbe時， ri= Rb / rberbe（3）輸出電阻roro= Rc2共集電極放大電路性能指標(biāo)的估算 一靜態(tài)分析則二動態(tài)分析1.電壓放大倍數(shù)結(jié)論：電壓放大倍數(shù)恒小于 1，而接近

26、1，且輸出電壓與輸入電壓同相，又稱射極跟隨器。2.輸入電阻輸入電阻較大。3.輸出電阻求射極輸出器 Ro的等效電路輸出電阻低，故帶載能力比較強。具體公式（1）電壓放大倍數(shù)Au2）輸入電阻riri= Rb / ri'則 ri= Rb / rbe+（1+）RL' （3）輸出電阻ro3共基極放大電路的動態(tài)性能根據(jù)微變等效電路，可分析的共基極放大電路的動態(tài)參數(shù)：Au=uo / ui= = RL' / rbero Rc要點十五.三種基本組態(tài)的比較要點十六.多級放大電路(點擊)1阻容耦合級與級之間通過電容連接的方式稱為阻容耦合方式。（1）優(yōu)點：因電容具有“隔直”的作用，所以各級電路的靜態(tài)工作點互相獨立，互不影響。這給放大電路的分析、設(shè)計和調(diào)試帶來很大的方便。而且只要電容選得足夠大，就可使得前級輸出信號在一定頻率范圍內(nèi)，幾乎不衰減地