本科課件大三光電子chp

1、第五章 光輻射的探測5-1物質中光吸收00ghEh一、本征吸收電子吸收光子，由價帶躍遷到導帶的過程本征吸收（這里的電子是半導體材料的電子不是雜質的電子，雜質電子的吸收稱為雜質吸收） 為能夠引起本征吸收的最低頻率0001.24()gghcmEE長波限 產生本征吸收的條件：或能量守恒電子躍遷要滿足選擇定則動量守恒由于能級結構不同，直接躍遷 本征吸收間接躍遷1kkkkkk 、直接躍遷由動量守恒碰后動量 光子動能 碰前動量 光子動能0 電子的波矢基本不變。電子在吸收一個光子后，動量基本不變，這種現(xiàn)象稱為準動量守恒。若電子躍遷前后，在能量與動量曲線上為一垂線，稱為直接躍遷，這種半導體稱為直接帶隙材料(C

2、aAs)。0.350kGaAl AsxSiGekkqkkqq 1-xx2、間接躍遷當導帶的最低能量狀態(tài)與價帶最高能量狀態(tài)的 值不相等時，導帶與價帶之間的躍遷稱為間接躍遷。間接躍遷還要有聲子參與。，當時，以及，均為間接帶隙半導體。光子動量為聲子的波矢。3SiGeGaAs6二、晶格振動吸收晶體中的原子總是圍繞著平衡位置不斷振動，原子的振動以波的形式在晶格中傳播，稱為格波。若原胞中只包含一個原子，則有 個格波；若原胞中包含兩個原子，如、或等，則有 個格波。頻率高的格波：光學波 頻率低的3個格波：聲學波1()0.1.2.21aaaaaEnhnEnhnEh （2）能量量子化 ，能量變化量：，（3）光波與

3、晶格振動的相互作用引起的光吸收光子與聲子的相互作用三、 自由載流子的光吸收當外來入射光能量較低時，導帶中的電子或價帶中的空穴吸收光子后，引起載流子在能帶內的躍遷，這個過程稱為自由載流子的吸收。1.52.53.55fABCD動量守恒躍遷過程必須滿足能量守恒自由載流子吸收系數(shù)聲學聲子 光學聲子 電離雜質ghE本質四、激子吸收 激子電子空穴對當外來入射光的能量略小于禁帶寬度時，即時，價帶中的電子躍出價帶，但無法到達導帶，但又受到庫侖場作用，將電子和空穴束縛成一個新的系統(tǒng)，二者既沒有完全分離，也沒有完全復合，這種狀態(tài)稱激子。自由激子的消失1） 吸收更多的能量，電子和空穴分離2） 釋放能量，電子和空穴復

4、合4222208nrexrre mEh nm 激子吸收，是由激子引起的，而激子則是由于光子能量偏小，沒能使電子躍遷到導帶而形成了電子空穴對的一種中間狀態(tài)。這種狀態(tài)可以吸收一定能量的光子躍遷到導帶，這就是激子的吸收。激子能級與氫原子類似，：電子與空穴的折合質量。10,123exexnnEEnnn 是激子的基態(tài)能級，當時，相當于電子與空穴完全分離。激子的能級完全處于禁帶中。相當于導帶底能級。與能級的吸收譜線容易分辯，以后能級的吸收譜線很難觀測。0ghE五、 雜質吸收a和c: 施主能級導帶遠紅外區(qū)域b和d：受主能級價帶長波限以外e: 施主能級價帶 略小于f：受主能級導帶總結：本征吸收：半導體材料自身電子吸收光子，由價帶躍遷到導帶的吸收。晶格振動吸收：光子被晶格散射，產生非彈性碰撞，光子與聲子相互作用，光子轉變?yōu)橐粋€或多個聲子。自由載流子吸收：價帶中的空穴和導帶中的電子吸收能量較小的光子，產生能帶內的