AT93C465655串行EEPROM及單片機(jī)程序

1、AT93C465655串行EEPROMM單片機(jī)程序摘要93465666是公司生產(chǎn)的低功耗、低電壓、電可擦除、可編程只讀存儲(chǔ)器，采用工藝技術(shù)制造并帶有3線串行接口，其容量分別為14,可重復(fù)寫100萬次，數(shù)據(jù)可保存100年以上。文中介紹了該存儲(chǔ)器的引腳功能和指令時(shí)序，給出了93465666和單片機(jī)的接口應(yīng)用電路和軟件程序。關(guān)鍵詞存儲(chǔ)器接口應(yīng)用程序9346566616位單片機(jī)以其適于高速控制場(chǎng)合及功能多等優(yōu)點(diǎn)已在工業(yè)控制領(lǐng)域中占領(lǐng)了一定的市場(chǎng)。由于EEPROM能在不脫離系統(tǒng)的情況下修改其存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容，故在16位單片機(jī)中的應(yīng)用愈來愈廣泛。本文結(jié)合16位機(jī)的特點(diǎn)，詳細(xì)介紹AT93系列EEPROM及其

2、使用方法。AT93c46/56/66是ATMEL公司推出的低功耗、低電壓電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器。它采用CMOS技術(shù)和Fairchi1dSemiconductor公司的Mi-croWire工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3線串行接口，具有1kB/2kB/4kB的容量，并可通過ORG管腳配置成128X8/256X8/512X8或64XI6/128XI6/256XI6等結(jié)構(gòu)。該系列存儲(chǔ)器可靠性高，能夠重復(fù)寫100萬次，數(shù)據(jù)可以保存100年不丟失；采用8腳PDIP/SOIC封裝和14腳SOI封裝SOI封裝為JEDEC和EIAJ標(biāo)準(zhǔn)，與并行的EEPROM相比，AT93c46/56/66可大大節(jié)省印制板空間，且接線簡(jiǎn)單，因而

3、在多功能的精密測(cè)試儀中具有廣闊的前途。范文先生網(wǎng)收集整理1引腳功能AT93c46/56/66存儲(chǔ)器芯片的引腳排列如圖1所示。各引腳的功能如下CS片選信號(hào)。高電平有效，低電平時(shí)進(jìn)入等待模式。在連續(xù)的指令之間，CS信號(hào)必須持續(xù)至少250ns的低電平，才能保證芯片正常工作。CLK串行時(shí)鐘信號(hào)。在CLK的上升沿，操作碼、地址和數(shù)據(jù)位進(jìn)入器件或從器件輸出。在發(fā)送序列時(shí)，CLK最好不停止，以防止讀/寫數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。DI串行數(shù)據(jù)輸入?？稍贑LK的同步下輸入開始位、操作碼、地址位和數(shù)據(jù)位。DO串行數(shù)據(jù)輸出。在CLK同步下讀周期時(shí)，用于輸出數(shù)據(jù)；而在地址擦/寫周期或芯片擦/寫周期時(shí)，該端用于提供忙/閑信息。VSS

4、接地。VCC接十5V電源。ORG存貯器構(gòu)造配置端。該端接VCC或懸空時(shí)，輸出為16位；接GND時(shí)，輸出為8位。NC空腳，不連接。表193465666系統(tǒng)指令指令起始位操作碼地址位數(shù)據(jù)位備注*8*16空110空從指定的單元讀數(shù)1001111空允許寫指令111-1空擦除指定單元101-170150寫入存儲(chǔ)單元1001010空擦除存儲(chǔ)器所有單元100010170150寫入存儲(chǔ)器所有單元1000000空禁止寫指令表中，9346=6;9356=7;9366=82指令及時(shí)序AT93c46/56/66的指令如表1所列，各指令的具體含義如下1擦/寫允許指令EWEN由于在上電復(fù)位后AT93c46/56/66首先

5、將處于擦/寫不允許狀態(tài)。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對(duì)芯片進(jìn)行編程。2地址擦指令ERASE該指令用于強(qiáng)迫指定地址中所有數(shù)據(jù)位都為1。一旦信息在DI端上被譯碼，就需使CS信號(hào)保持至少250ns的低電平，然后將CS置為高電平，這時(shí)，DO端就會(huì)指示忙標(biāo)志?？凇?,表示編程正在進(jìn)行；口。為1,表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。3地址寫指令WRITE寫指令時(shí)，先寫地址，然后將16位的或8位數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。當(dāng)DI端輸出最后一個(gè)數(shù)據(jù)位后，在CLK時(shí)鐘的下一個(gè)上升沿以前，CS必須為低，且需至少保持250ns,然后將CS置為高電平。需要說

6、明的是寫周期時(shí)，每寫一個(gè)字節(jié)需耗時(shí)4ms4地址讀指令READ讀指令用于從指定的單元中把數(shù)據(jù)從高位到低位輸出至DO端，但邏輯0位先于數(shù)據(jù)位輸出。讀指令在CLK的上升沿觸發(fā)，且需經(jīng)過一段時(shí)間方可穩(wěn)定。為防止出錯(cuò)，建議在讀指令結(jié)束后，再輸出23個(gè)CLK脈沖。5芯片擦指令ERAL該指令可將整個(gè)存貯器陣列置為1,其它功能與地址擦指令相同。6芯片寫指令WRAL該指令可將命令中指定的數(shù)據(jù)寫入整個(gè)存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。該指令周期所花費(fèi)時(shí)間的最大值為30ms。7擦/寫禁止指令EWDS使用該指令可對(duì)寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，操作步驟與擦/寫允許指令相同。3AT93c56的應(yīng)用3.1AT93c56與80c

7、l96KB的連接串行EEPROM芯片AT93c56同80cl96單片機(jī)接口的硬件電路連接方法如圖2所示。圖中，由于MCS96系列16位單片機(jī)的3P1口為準(zhǔn)雙向口，因此，為了防止數(shù)據(jù)錯(cuò)位，在向其P1口寫數(shù)據(jù)時(shí)，必須先將3P1口置1。3.2軟件編程該讀/寫程序采用PL/M語言編寫，由于PL/M語言介于高級(jí)語言與匯編語言之間，故其對(duì)數(shù)據(jù)、地址位的處理比較繁瑣。其中ADDR為指定的地址單元，DATA為寫入的數(shù)據(jù)，在寫數(shù)據(jù)、地址時(shí)均從高位開始。本程序已在仿真器上調(diào)試通過且已被應(yīng)用于電量測(cè)試儀中如接觸電阻測(cè)試儀。DECLARESETCSLITERALLYCALLBITSET.IO-PORT2,0DECLA

8、RECLRCSLITERALLYCALLBITCLR.IOPORT2,0DECLARESETCLKLITERALLYCALLBITSET.1OPORT2,5I;DECLARECLRCLKLITERALLYCALLBITCLR.IOPORT2,5DECLARESETDILITERALLYCALLBITSET.IO-PORT1,5I；DECLARECLRDILITERALLYCALLBITCLR.IOPORT1,5I；EWENPROCEDUREPUBLIC;DECLAREIBYTE;CLRCS;CLRDI;CLRCLK;SETCS;SETDI;SETCLK;DOI=1TO2;CLRCLK;CLRD

9、I;SETCLK;END;DOI=1TO2;CLRCLK;SETDI;SETCLK;END;DOI=0TO6;CLRCLK;SETDI;SETCLK;END;CLRCLK;CLRCS;SETCS;SETCLK;CLRCLK;ENDEWEN;READPROCEDUREADDRPUBLIC;DECLAREADDR,I,COUNTBYTE;CLRCS;CLRDI;CLRCLK;SETCS;DOI=1TO2;CLRCLK;SETDI;SETCLK;END;DOI=1TO2;CLRCLK;CLRDI;SETCLK;DOCOUNT=1TO7;BITOUTCOUNT=SHRBITOUTCOUNT,1;END

10、;CLRCS;CLRDI;CLRCLK;CALLTIME100;SETCS;CLRC;ENDREAD;WRITEPROCEDUREADDR,DATAPUBLIC;DECLAREADDR,DATABYTE;CLRCS;CLRDI;CLRCLK;SETCS;SETDI;SETCLK;CLRDI;CLRCLK;SETCLK;SETDI;CLRCLK;SETCLK;END;DOI=1TO8;X=ROLADDR,1;ADDR=X;CLRCLK;IFXANDO1H=O1HTHENSETDI;ELSECLRDI;SETCLK;END;DOI=1TO7;CLRCLK;SETCLK;END;DOI=1TO8CALLBITSET.IOPORT1,7;COUNT=COUNT-1;CLRCLK;SETCLK;BITOUTCOUNT=IOPORT1;END;CLRCLK;SETC