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文檔簡介
1、部分生產(chǎn)公司集成電路型號的命名1. 美國仙童公司 種類 序號 電器等級 封裝形式 溫度范圍第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分例:u A 741AHM電路種類:uA 線性電路;SH 混合電路封裝形式:D 雙列直插式陶瓷封裝;E 塑料外殼;F 扁平封裝;H 金屬管殼;J金屬功率型封裝(T0-3) ; R陶瓷小型雙列直插式;S陶瓷雙列直插;T 小型雙列直插式;U 功率型封裝(TO-220),塑料封裝(TO-92).溫度范圍:C 0 75 C (CMOS4085 C ), L MOS-5125 C2. 美國無線電公司類型 序號 改進(jìn)標(biāo)志 封裝形式類型:CA-模擬電路,CD-數(shù)字電路,CDP-微處
2、理器,MWS MOS電路改進(jìn)標(biāo)志: A、 B 可以代換原型號的改進(jìn)型,C 不能代換原型號的改進(jìn)型封裝形式:D 陶瓷雙列直插式封裝,E-塑料雙列直插式封裝,F(xiàn)-陶瓷雙列直插式封裝(玻璃 密封),L-梁式引線器件,Q-四列直插式塑料封裝,S雙列直插式(外引線)TO-5型封裝, T-TO-5型封裝,EM-帶散熱片的改進(jìn)型雙列直插式塑料封裝。3. 美國國家半導(dǎo)體公司類型 序號封裝形式第一部分 第二部分 第三部分例: LM 1126 N種類:LM 模擬電路;LF 線性電路;LH 混合電路;LP 低功耗電路;TBA 仿制電 路。封裝形式:D 玻璃、金屬雙列直插式;G TO-8金屬殼;H TO-5型金屬殼;
3、N 塑料雙列直插式。4. 美國摩托羅拉公司種類 序號分類 序號 改進(jìn)型封裝形式第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例: MC 13 06 AP種類:MC 已封裝產(chǎn)品;MCC 未封裝的芯片; MCCF 反裝芯片;MCM 存儲器;LM 仿LM系列芯片電路;NMS 存儲器系統(tǒng)。序號分類:13XX 模擬電路;14XX 仿CD4000系列的CMOS電路;58XX 八位uC系 列電路;60XX 十六位uC系列電路。封裝形式:F 陶瓷扁平封裝;P 塑料雙列直插式封裝;L 陶瓷雙列直插封裝;U 陶瓷封裝; G TO-5 型封裝; K TO-3 型封裝; T TO-220 型封裝。5. 美國史普耐格公司種類
4、 溫度范圍 序號 封裝形式第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例: UL N 3705 A種類:UL 線性電路;UG 霍爾效應(yīng)電路;UD 顯示電路;UCN CMOS電路。溫度范圍:N 25C70C; S 55C150C封裝形式:A 塑料雙列直插封裝;B 帶散熱器塑料雙列直插封裝; C 片狀封裝;D TO-99 型封裝;E 只有1、4、5、8腳雙列塑料封裝; M 塑料雙列直插式(8腳)封裝;R陶 瓷雙列直插式封裝。6美國模擬器件公司AD 電路序號 溫度范圍 封裝形式 模擬器件第二部分 第三部分 第四部分溫度范圍:A、B、C 工業(yè)用;J、K、L 商業(yè)用;S、T、U 軍用。封裝形式:D 陶瓷雙列
5、直插封裝;F陶瓷扁平;H TO-5金屬園殼。UCC 型號 UCC 80 含 說 1 :封裝形式含義 123 義 明 2: 序列號1. 日本松下公司半導(dǎo)體集成電路型號的命名1). 雙極型線性集成電路:第1部分 第2部分 第3 部分 第4 部分2 個字母 2 個數(shù)字 2 個數(shù)字 1 個字母例 AN 12 34 Sa. 第 1 部分:雙極型集成電路有兩個標(biāo)志(包括 AN 及 DN )是按照 電路類型而劃分的,雙極型集成電路、線性集成電路(模擬電路) : AN 、數(shù)字集成電路: DN 、 MOS 電路: MN 、EP 兩個字母表示微型計(jì)算機(jī)或小批量生產(chǎn)b. 第 2 部分:這部分?jǐn)?shù)字與應(yīng)用領(lǐng)域有關(guān)(有一
6、些例外) ,對于專用集成電路, 在數(shù)字后面加上 1 2 個字母作為特性的區(qū)分 (常規(guī)的集成 電路不用這些字母。對于穩(wěn)壓電源,根據(jù)其輸出電流值使用L、 M 及N 中的一個字母或根本不用字母,例: AN78L04 。對于三極管陣列, 根據(jù)其電流值或耐壓值使用字母A、 B、 C 等中的一個字母, 例 ANB00 。第 2 部分的數(shù)字與其應(yīng)用領(lǐng)域有關(guān) ,例:第 2 部分?jǐn)?shù)字 應(yīng)用領(lǐng)域1019 運(yùn)算放大器、比較電路20 25 攝像機(jī)26 29 電視唱片30 39 錄像機(jī)40 49 運(yùn)算放大器50 59 電視機(jī)60 64 錄像機(jī)及音響65 運(yùn)算放大器及它66 68 工業(yè)用及家用電器69 比較器及其它70
7、76 音響方面的用途78 80 穩(wěn)壓器8183工業(yè)用及家用電器90 三極管陣列c. 第 3 部分:用二位數(shù)字,其范圍一般為 00 99,例如 AN4321d. 第 4 部分:一般不用這部分,但在集成電路功能幾乎相同而封裝 不同時或者是改進(jìn)型,這種情況下大致用大致字母S、P、N。例AN xxxx S:字母S是指小型扁平封裝;AN xxxx K :使用收縮雙列直插式封裝;AN XXXX P:使用普通塑料封裝;AN XXXX N :字母N表示改進(jìn)型e. 其它: OM200 : (助聽器)是上述線性集成電路標(biāo)志的例外。2)數(shù)字集成電路:DN68XX( 4個數(shù)字):霍爾元件集成電路( 3端)DN84 X
8、X( 4個數(shù)字):邏輯集成電路DN85XX( 4個數(shù)字):預(yù)定標(biāo)電路等DN86XX( 4個數(shù)字):三極管陣列DN74LS XX(X):通用型小功率 TTL電路系列(LSTTL ) 74表示 通用型,該系列 LSTTL 最多可用三位數(shù)字3). MOS 集成電路:第1部分 第2部分第3部分2個字母 4或5個數(shù)字 13個字母例 MN 8037 Sa. 第 1 部分: MN 兩個字母表示松下公司的 MOS 集成電路,EP兩個字母表示微型計(jì)算機(jī)或小批量生產(chǎn) 對于高速標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路,在這部分用標(biāo)志 74HC 作為數(shù)字的前綴,此 時,可用 2 4 個數(shù)字。b第2部分:這部分所用的數(shù)字表明應(yīng)用領(lǐng)域,例: 第 2
9、 部分的數(shù)字 應(yīng)用領(lǐng)域10001999探1微型計(jì)算機(jī)及外圍大規(guī)模集成電路可變只讀存貯器20002999探2掩膜只讀存貯器,電可編程只讀存貯器30003399 漏斗式電荷耦合器件( BBD)3600 3699 電荷耦合器件CCD )線性圖像傳感器37003799 電荷耦合器件CCD )固態(tài)圖像似感器38003899電荷耦合器件(CCD)視頻信號延遲元件40004999 CMOS4000系列存貯器(動態(tài)隨機(jī)存取存貯器,靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器)50005999 計(jì)算器60006999 視頻、時鐘、通訊70007999 特別用途80008999 通訊、控制器、電荷耦合器件90009999 50003門陣列
10、70000 CMOS 標(biāo)準(zhǔn)電池仁關(guān)于微型計(jì)算機(jī),根據(jù)其功能可使用5位數(shù)字,MN512K (圖像傳感器)只有 3 位數(shù)字。2關(guān)于通用存貯器,有時可用 5 位或 6 位數(shù)字(與其它公司共同的數(shù) 字)。例:MN41256256K位動態(tài)隨機(jī)存取存貯器MN2340004兆位掩膜可編程只讀存貯器3關(guān)于門陣列(用 5 位數(shù)字表示 50000)其最后 2位表示門電路數(shù) 目。例: MN510404000個門電路。c.第3部分:這部分一般不用,除了功能相同而包裝不同用來區(qū)分其 封裝型式(通常為 P或S)或是基本功能相同只少許功能不同作為區(qū) 分時(通常用A、B、C等)。封裝的分類:例1: MN XXXX P,字母“
11、 P”表示以前為陶瓷或金屬封裝,現(xiàn)已改 為塑料封裝。例2: MN XXXX S,字母“ S”表示小型扁平封裝。2. 日本索尼公司半導(dǎo)體集成電路型號的命名:1)日本索尼公司集成電路通用命名法:第1部分 第2部分 第3部分 第4 部分2 個字母 2 位數(shù)字 2 3 位數(shù)字 1 個字母 例 CX 20 011 Aa. 第 1 部分:索尼公司集成電路標(biāo)志。b第2部分:用12位數(shù)字表示產(chǎn)品分類, 雙極型集成電路用,0、1、8、 10、 20、 22;MOS 型集成電路用, 5、 7、 23、 79。c. 第3部分:表示單個產(chǎn)品編號。d. 第4部分:特性有部分改進(jìn)時加上A字。2)索尼公司集成電路新命名法。
12、第 1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第 5部分2 個字母 1 個字母 4 位數(shù)字 1 個字母 1 個字母例 CX A 1001 A Pa. 第 1 部分:索尼公司集成電路標(biāo)志。b. 第 2 部分:產(chǎn)品分類標(biāo)志, A 為雙極型集成電路、 B 為雙極型 數(shù)字集成電路、 D 為 MOS 邏輯集成電路、 K 為存貯器、 P、Q 為微型 計(jì)算機(jī)、 L 為 CCD 電荷耦合器件信號處理電路。c. 第 3 部分:表示單個產(chǎn)品編號。d. 第 4 部分:特性有改進(jìn)時標(biāo) A 。e. 第 5 部分:封裝標(biāo)志, P 為塑料封裝雙列直插式、 D 為陶瓷封裝 雙列直插式、 M 為小型扁平封裝、 L 為單列直插式封裝
13、、 Q 為四列扁 平封裝、 S 為收縮型雙列直插式封裝、 K 為無引線芯片載體。3)索尼公司混合集成電路通用命名法:第 1 部分 第 2 部分第 3 部分2 個字母4 位數(shù)字 1 個字母例 BX XXXX X第1 部分為索尼公司混合集成電路標(biāo)志, 第2部分表示單個產(chǎn)品的編 號,第 3 部分為改進(jìn)標(biāo)志。4)索尼公司混合集成電路新命名法:第 1 部分 第 2 部分 第 3 部分3 個字母 4 位數(shù)字 2 個字母第 1 部分為索尼公司混合集成電路標(biāo)志, (在 1987 年 1 月以前混合集 成電路前綴用 SBX 或 BX)。例BX 1452,在上述日期以后研制的則都用SBX即SBX1435、SBX1
14、475。3. 日本三菱公司半導(dǎo)體集成電路型號的命名1. 第 1 部分 第 2部分第 3 部分 第 4 部分 第 5 部分 第 6 部分1 個字母1 位數(shù)字 1 位數(shù)字 2 位數(shù)字1 個字母 1 個字母例 M 5 1 94 A P第1部分:表示日本三菱電氣公司集成電路產(chǎn)品。第 2 部分: 數(shù)字“5”表示工業(yè)用消費(fèi)類產(chǎn)品,其工作環(huán)境溫度范圍 為(2075C標(biāo)準(zhǔn)),數(shù)字“ 9”表示高可靠(軍用)型。第 3 部分:其數(shù)字分別表示為0: CMOS電路.12:線性電路3: TTL電路1019:線性電路3233: TTL電路(與TISN74系列相同).4147 : TTL電路及其它48 49:I2L 集成注
15、入邏輯電路 . 84:CMOS 電路85: P溝道硅柵MOS電路.86 : P溝道鋁柵MOS電路87: N溝道硅柵MOS電路88: P溝道鋁柵EDMOS電路89: CMOS電路 S0S2:肖特基 TTL電路(與 TISN74S系列相同)第 4 部分:此部分由位數(shù)組成, 表示系列中電路類型。第 5 部分:由單個字母組成,表示外型不同及下列某些器件特性:a. 對于線性電路是字母表中的一個字母,按字母順序選用但不包括字母I及O,這些字母用作標(biāo)志器件,有些規(guī)格是不相同的。b. 器件的技術(shù)規(guī)格完全相同, 僅有引腳彎曲方向不同,指定用字母“ R”表示。c. 當(dāng)不需要此組標(biāo)志時, 下一組立即向左移到 4組后
16、面。第 6 部分:表示封裝型式,其字母意義如下:K :低熔點(diǎn)玻璃封口陶瓷封裝;L :注塑單列直插式封裝;P:注塑雙列直插式封裝; S:金屬陶瓷封裝;SP:注塑縮型雙列直插式封裝; FP:注塑扁平型封裝( 2)第 1 部分 第 2 部分 第 3 部分 第 4 部分 第 5 部分 第 6 部分1 個字母 1 位數(shù)字 1 2 個字母 4 位數(shù)字 1 個字母 1 2 位數(shù)字例 M 5 K 4116 S 2第1部分:表示日本三菱公司集成電路。 第2部分:溫度范圍: “5”表示標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)商業(yè)用其工作溫度范圍為070/ 75C或2085C, “9 ”表示高可靠。第 3 部分:原產(chǎn)品的系列標(biāo)志 (仿制品) 用
17、1 或 2 位字母C :莫托羅拉公司 MC系列;G :通用儀器公司系列; L :英特爾公 司系列;T:德克薩斯公司系列; W:西方數(shù)字公司系列; K : MK 系列第 4 部分:原產(chǎn)品型號名稱的電路功能識別碼。第 5 部分:封裝型式,用 1 2 位字母表示。K :玻璃封口陶瓷封裝;P:注塑封裝;S:金屬封口陶瓷封裝;SP:注塑縮形封裝; FP:注塑扁平封裝;B:樹脂雙列直插式;L:塑料單列直插式;T:T0-5封裝;Y: T0-3封裝(3) 封裝標(biāo)志,封裝型式可用下列簡單的數(shù)字字母編碼來規(guī)定:第 1 部分 第 2 部分 第 3 部分 第 4 部分 例 24 P 4 B第 1 部分:表示引腳數(shù)。第
18、2部分:表示封裝結(jié)構(gòu),字母“ K”表示玻璃封口陶瓷封裝,字母 “P”表示注塑封裝,字母“S”表示金屬封口陶瓷封裝。第 3 部分:表示封裝外型,數(shù)字“ 2”表示無散熱片扁平型,數(shù)字“ 4” 表示無散熱片雙列直插式(改進(jìn)型) ,數(shù)字“ 5”表示無散熱片單列直 插式封裝,數(shù)字“ 10”表示無散熱片雙列直插式(石英封裝) 。第4部分:表示其它封裝型式,字母“ Z”表示單列Z形分布直插式, 字母“ B”表示收縮型雙列直插式封裝。4.日本富士通公司組件序號性能封裝形式第一部分第二部分第三部分第四部分例: MB 3741 L C組件: MB- 微型, MBM 改進(jìn)型電路性能:Y ,E ,H ,L( 低功耗)
19、封裝形式:C-陶瓷,P-塑料,Z 陶瓷浸責(zé)5.日本日立公司種類 用途 序號 改進(jìn)型標(biāo)志封裝形式第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分例: HA 12401 AP電路種類:HA- 模擬電路; HD- 數(shù)字電路; HM- 存儲器電路;HN-R0M 電路用途: 11、12高頻; 13、 14低頻; 17工業(yè)改進(jìn)標(biāo)志: A 、 B 、C.封裝形式:P-塑料封裝; M-金屬封裝;C-陶瓷封裝;R-引腳反接6.日本三洋公司種類 功能 序號第一部分 第二部分 第三部分例: LA 41 00電路種類: LA- 雙極線性電路; LB- 雙極數(shù)字電路; LD-CMOS 電路;LM-PNMOS 電路、LE
20、-SMNCMOS 電路;STK-厚膜電路。功能: 12高頻放大電路; 32前置放大電路; 33調(diào)頻解碼器; 41、 44功放電路; 55直流電機(jī)調(diào)速電路。7.日本東芝公司種類 功能 序號 改進(jìn)標(biāo)志封裝形式第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例:TA 7 268 AP電路種類:TA-雙極型電路;TC-CMOS電路;TD-雙極型數(shù)字電路;TM-MOS 電路;序號分類: 4CMOS4000 系列電路; 7模擬電路封裝形式:P-塑料封裝; C-陶瓷封裝;F 扁平封裝8.日本電氣公司uP 功能 序號 封裝形式改進(jìn)標(biāo)志第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分例: uP3176 A Q
21、電路種類:A 分立器件; B 雙極型數(shù)字電路;C 線性電路;D CMOS 電路封裝形式:C 塑料雙列直插封裝; D 陶瓷雙列直插封裝; G 扁平 封裝;H-塑料單列直插封裝;V-單列直插偶腳彎折封裝。1.歐洲電子聯(lián)盟種類 溫度范圍 序號 封裝形式第一部分 第二部分 第三部分第四部分 例: TD A 2527 Q種類:TD 模擬電路;UD 模擬/數(shù)字混合電路;SD 非系列電路。2.德國西門子公司溫度范圍:A 無明確規(guī)定范圍;B 0C70C; C 55C125C;D 25 C70 C; E 25 C85C ;F -40 C85 C ;G -55 C 85C。封裝形式:后綴為一個字母,C園片形封裝;D 陶瓷雙列封裝;F扁平封裝;P 塑料封裝;Q 四列引線封裝;U 芯片封裝;后綴為 兩個字母,第一個字母C、D含義不變;E 帶散熱片功率型雙列引線封裝;F 二排引線扁平封裝;G 四排引線扁平封裝;K 菱形T0-3;M 多層引線封裝(雙列、三列、四列除外)Q四列引線封裝;R 帶散熱片功率型四列引線封裝;S單列引線(TO-127、TO-220系列);T 三列引線封裝。后綴為兩個字母的后一個字母,C-金屬/陶瓷封裝;G玻璃/陶瓷封裝;M 金屬封裝;P塑料封裝。種類 溫度范圍
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