第3章集成電路基本工藝_第1頁(yè)
第3章集成電路基本工藝_第2頁(yè)
第3章集成電路基本工藝_第3頁(yè)
第3章集成電路基本工藝_第4頁(yè)
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陳江華 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。英國(guó)VG Semicom公司型號(hào)為V80S-Si的MBE設(shè)備關(guān)鍵部分照片 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。IC、Mask & Wafer圖3.2Wafer圖 3.3圖 3.4圖 3.5 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。圖 3.6圖 3.7圖 3.8舉例:,y+2d=10m, 則有(y+2d)tg=0.5m圖 3.9圖 3.10圖 3.11 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。圖3.12 場(chǎng)氧 除了作為柵的絕緣材料外,二氧化硅在很多制造工序中可以作為保護(hù)層。在器件之間的區(qū)域,也可以生成一層稱為“場(chǎng)氧”(FOX)的厚SiO2層,使后面的工序可以在其上制作互連線。 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。圖 3.12 反應(yīng)離子刻蝕RIE 關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK, 挖掘工藝潛力。圖 3.14

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