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2.1 雙極型雙極型IC的寄生效應的寄生效應 2.1.1 集成集成npn的結構與寄生效應的結構與寄生效應pnp截止pnp截止 SBD與與pn結二極管的比較結二極管的比較M-S整流接觸與歐姆接觸的區(qū)別整流接觸與歐姆接觸的區(qū)別對半導體進行重摻雜,勢壘寬度很薄,載流子可以通過對半導體進行重摻雜,勢壘寬度很薄,載流子可以通過隧穿效應貫穿勢壘形成隧道電流,當其超過熱電子發(fā)射電流隧穿效應貫穿勢壘形成隧道電流,當其超過熱電子發(fā)射電流成為主導時,電流很大,接觸電阻很小成為主導時,電流很大,接觸電阻很小 歐姆接觸。歐姆接觸。 SBD的金屬化系統(tǒng)的金屬化系統(tǒng)2、STTL電路電路3、LSTTL電路電路LSTTL T2電流T5驅動電流 導通延遲。既加速了T4管的截止,又加速了T5的導通。4、AS/ALSTTL電路電路 2.3 ECL電路電路mARVVVIEEEBEBBE47792 . 58 . 03 . 122? VC2=VCC-IC2RC2=-0.98V 而 VC1=VCC-IC1RC1=0VmARVVVIEEEBEOHE4 . 47792 . 58 . 09 . 011VC1=VCC-IC1RC1=-0.97V而 VC2=VCC-IC2RC2=

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