第四章薄膜太陽(yáng)電池

1、第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v4.1概述概述v薄膜太陽(yáng)電池可以使用在價(jià)格低廉的玻璃、塑料、薄膜太陽(yáng)電池可以使用在價(jià)格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金屬片等不同材料當(dāng)基板來制造，陶瓷、石墨，金屬片等不同材料當(dāng)基板來制造，形成可產(chǎn)生電壓的薄膜厚度僅需數(shù)形成可產(chǎn)生電壓的薄膜厚度僅需數(shù)m，因此在同，因此在同一受光面積之下可較硅晶太陽(yáng)能電池大幅減少原一受光面積之下可較硅晶太陽(yáng)能電池大幅減少原料的用量料的用量(厚度可低于硅晶太陽(yáng)能電池厚度可低于硅晶太陽(yáng)能電池90%以上以上)，目前轉(zhuǎn)換效率最高可以達(dá)目前轉(zhuǎn)換效率最高可以達(dá)13%，薄膜電池太陽(yáng)電，薄膜電池太陽(yáng)電池除了平面之外，也因?yàn)榫哂锌蓳闲钥梢灾谱鞒?/p>

2、池除了平面之外，也因?yàn)榫哂锌蓳闲钥梢灾谱鞒煞瞧矫鏄?gòu)造，其應(yīng)用范圍大，可與建筑物結(jié)合或非平面構(gòu)造，其應(yīng)用范圍大，可與建筑物結(jié)合或是變成建筑體的一部份，在薄膜太陽(yáng)電池制造上，是變成建筑體的一部份，在薄膜太陽(yáng)電池制造上，則可使用各式各樣的沉積則可使用各式各樣的沉積(deposition)技術(shù)，技術(shù)，一層又一層地把一層又一層地把p-型或型或n-型材料長(zhǎng)上去。型材料長(zhǎng)上去。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)品應(yīng)用薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)品應(yīng)用v 半透明式的太陽(yáng)能電池模塊：建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用半透明式的太陽(yáng)能電池模塊：建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用(BIPV) v 薄膜太陽(yáng)能之應(yīng)用：隨身折迭式充電電源、軍事

3、、旅行薄膜太陽(yáng)能之應(yīng)用：隨身折迭式充電電源、軍事、旅行 v 薄膜太陽(yáng)能模塊之應(yīng)用：屋頂、建筑整合式、遠(yuǎn)程電力供薄膜太陽(yáng)能模塊之應(yīng)用：屋頂、建筑整合式、遠(yuǎn)程電力供應(yīng)、國(guó)防應(yīng)、國(guó)防 v太陽(yáng)能電池厚度比較太陽(yáng)能電池厚度比較v 晶硅晶硅(200350m)、非晶性薄膜、非晶性薄膜(0.5m) 第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池薄膜太陽(yáng)能電池的特色薄膜太陽(yáng)能電池的特色1.相同遮蔽面積下功率損失較小相同遮蔽面積下功率損失較小(弱光情況下弱光情況下 的發(fā)電性佳的發(fā)電性佳) 2.照度相同下?lián)p失的功率較晶圓太陽(yáng)能電池少照度相同下?lián)p失的功率較晶圓太陽(yáng)能電池少 3.有較佳的功率溫度系數(shù)有較佳的功率溫度系數(shù) 4.較佳

4、的光傳輸較佳的光傳輸 5.較高的累積發(fā)電量較高的累積發(fā)電量 6.只需少量的硅原料只需少量的硅原料 7.沒有內(nèi)部電路短路問題沒有內(nèi)部電路短路問題(聯(lián)機(jī)已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)聯(lián)機(jī)已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)建建) 8.厚度較晶圓太陽(yáng)能電池薄厚度較晶圓太陽(yáng)能電池薄 9.材料供應(yīng)無(wú)慮材料供應(yīng)無(wú)慮 10.可與建材整合性運(yùn)用可與建材整合性運(yùn)用(BIPV)第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池薄膜太陽(yáng)電池的分類圖薄膜太陽(yáng)電池的分類圖薄膜太陽(yáng)電池薄膜太陽(yáng)電池硅系薄膜太陽(yáng)電池硅系薄膜太陽(yáng)電池非晶非晶/微晶太陽(yáng)電池微晶太陽(yáng)電池多晶硅太陽(yáng)電池多晶硅太陽(yáng)電池硅薄膜硅薄膜/單晶硅太陽(yáng)電池單晶硅太陽(yáng)電池三結(jié)（疊層）非三結(jié)（疊層）

5、非/納米晶硅納米晶硅雙結(jié)（疊層）非雙結(jié)（疊層）非/微晶硅微晶硅單結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池單結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池化合物薄膜太陽(yáng)電池化合物薄膜太陽(yáng)電池銅銦（鎵）硒太陽(yáng)電池銅銦（鎵）硒太陽(yáng)電池碲化鎘太陽(yáng)電池碲化鎘太陽(yáng)電池硫化鎘太陽(yáng)電池硫化鎘太陽(yáng)電池銅銦（鎵）硒太陽(yáng)電池銅銦（鎵）硒太陽(yáng)電池銅銦硒太陽(yáng)電池銅銦硒太陽(yáng)電池非晶非晶/單晶硅異質(zhì)結(jié)單晶硅異質(zhì)結(jié)納米晶納米晶/單晶硅異質(zhì)結(jié)單晶硅異質(zhì)結(jié)v 自自1974年人們得到可摻雜的非晶硅薄膜后，就意識(shí)到它在太陽(yáng)能電池上年人們得到可摻雜的非晶硅薄膜后，就意識(shí)到它在太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用前景，開始了對(duì)非晶硅太陽(yáng)能電池的研究工作。的應(yīng)用前景，開始了對(duì)非晶硅太陽(yáng)能電池的研究工作。v 1

6、976年：年：RCA公司的公司的Carlson報(bào)道了他所制備的非晶硅太陽(yáng)能電池，采報(bào)道了他所制備的非晶硅太陽(yáng)能電池，采用了金屬用了金屬-半導(dǎo)體和半導(dǎo)體和p-i-n兩種器件結(jié)構(gòu)，當(dāng)時(shí)的轉(zhuǎn)換效率不到兩種器件結(jié)構(gòu)，當(dāng)時(shí)的轉(zhuǎn)換效率不到1%。v 1977年：年：Carlson將非晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率提高到將非晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率提高到5.5%。v 1978年：集成型非晶硅太陽(yáng)能電池在日本問世。年：集成型非晶硅太陽(yáng)能電池在日本問世。v 1980年：年：ECD公司作成了轉(zhuǎn)換效率達(dá)公司作成了轉(zhuǎn)換效率達(dá)6.3%的非晶硅太陽(yáng)能電池，采用的非晶硅太陽(yáng)能電池，采用的是金屬的是金屬-絕緣體絕緣體-半導(dǎo)體（半導(dǎo)體

7、（MIS）結(jié)構(gòu)；同年，日本三洋公司向市場(chǎng)推出）結(jié)構(gòu)；同年，日本三洋公司向市場(chǎng)推出了裝有面積為了裝有面積為5平方厘米非晶硅太陽(yáng)能電池的袖珍計(jì)算器。平方厘米非晶硅太陽(yáng)能電池的袖珍計(jì)算器。v 1981年：開始了非晶硅及其合金組成的疊層太陽(yáng)能電池的研究。年：開始了非晶硅及其合金組成的疊層太陽(yáng)能電池的研究。v 1982年：市場(chǎng)上開始出現(xiàn)裝有非晶硅太陽(yáng)能電池的手表，充電器、收音年：市場(chǎng)上開始出現(xiàn)裝有非晶硅太陽(yáng)能電池的手表，充電器、收音機(jī)等商品。機(jī)等商品。v 1984年：開始有作為獨(dú)立電源用的非晶硅太陽(yáng)能電池組合板。年：開始有作為獨(dú)立電源用的非晶硅太陽(yáng)能電池組合板。非晶硅太陽(yáng)電池的發(fā)展歷史1、低成本、低成本

8、v 硅材料用料少，可充分吸收光，單晶要硅材料用料少，可充分吸收光，單晶要200厚，非晶厚，非晶1厚（非晶硅厚（非晶硅光吸收系數(shù)大）光吸收系數(shù)大）v 主要原材料是生產(chǎn)高純多晶硅過程中使用的硅烷，這種氣體，化學(xué)工主要原材料是生產(chǎn)高純多晶硅過程中使用的硅烷，這種氣體，化學(xué)工業(yè)可大量供應(yīng)，且十分便宜，制造一瓦非晶硅太陽(yáng)能電池的原材料本業(yè)可大量供應(yīng)，且十分便宜，制造一瓦非晶硅太陽(yáng)能電池的原材料本約約RMB3.5-4（效率高于（效率高于6%）v 且晶體硅太陽(yáng)電池的基本厚度為且晶體硅太陽(yáng)電池的基本厚度為240-270um，相差，相差200多倍，大多倍，大規(guī)模生產(chǎn)需極大量的半導(dǎo)體級(jí)，僅硅片的成本就占整個(gè)太陽(yáng)電

9、池成本規(guī)模生產(chǎn)需極大量的半導(dǎo)體級(jí)，僅硅片的成本就占整個(gè)太陽(yáng)電池成本的的65-70%，在中國(guó)，在中國(guó)1瓦晶體硅太陽(yáng)電池的硅材料成本已上升到瓦晶體硅太陽(yáng)電池的硅材料成本已上升到RMB22以上。以上。v 從原材料供應(yīng)角度分析，人類大規(guī)模使用陽(yáng)光發(fā)電，最終的選擇只能從原材料供應(yīng)角度分析，人類大規(guī)模使用陽(yáng)光發(fā)電，最終的選擇只能是非晶硅太陽(yáng)電池及其它薄膜太陽(yáng)電池，別無(wú)它法！是非晶硅太陽(yáng)電池及其它薄膜太陽(yáng)電池，別無(wú)它法！2、能量返回期短、能量返回期短v 轉(zhuǎn)換效率為轉(zhuǎn)換效率為6%的非晶硅太陽(yáng)電池，其生產(chǎn)用電約的非晶硅太陽(yáng)電池，其生產(chǎn)用電約1.9度電度電/瓦，由它瓦，由它發(fā)電后返回的時(shí)間約為發(fā)電后返回的時(shí)間約為

10、1.5-2年，這是晶硅太陽(yáng)電池?zé)o法比擬的。年，這是晶硅太陽(yáng)電池?zé)o法比擬的。非晶硅薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)點(diǎn)非晶硅薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)點(diǎn)v 3、大面積自動(dòng)化生產(chǎn)、大面積自動(dòng)化生產(chǎn)v 目前，世界上最大的非晶硅太陽(yáng)電池是目前，世界上最大的非晶硅太陽(yáng)電池是Switzland Unaxis的的KAI-1200 PECVD 設(shè)備生產(chǎn)的設(shè)備生產(chǎn)的1100mm*1250mm單結(jié)晶非晶硅太單結(jié)晶非晶硅太陽(yáng)電池，起初是效率高于陽(yáng)電池，起初是效率高于9%。其穩(wěn)定輸出功率接近。其穩(wěn)定輸出功率接近80W/片。片。v 商品晶體硅太陽(yáng)電池還是以商品晶體硅太陽(yáng)電池還是以156mm*156mm和和125mm*125mm為主。為主。v 4、

11、高溫性好、高溫性好v 5、弱光響應(yīng)好、弱光響應(yīng)好(充電效率高充電效率高)v 6、材料用料少、材料用料少 約約1厚，不需切片，材料浪費(fèi)少。厚，不需切片，材料浪費(fèi)少。v 7、工藝簡(jiǎn)單、工藝簡(jiǎn)單 CVD法制造，高頻輝光放電分解硅烷，摻雜，法制造，高頻輝光放電分解硅烷，摻雜，N型，型，PH3，P型，型，B2H6v 8、基板種類多、基板種類多 玻璃玻璃 、不銹鋼、不銹鋼 、高分子薄板、陶瓷。、高分子薄板、陶瓷。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v4.2.1非晶硅薄膜非晶硅薄膜v4.2.2非晶硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)非晶硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v 非晶硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是非晶硅

12、太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是p-i-np-i-n結(jié)構(gòu)，而不是單晶硅太陽(yáng)結(jié)構(gòu)，而不是單晶硅太陽(yáng)能電池的能電池的p-np-n結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)椋狠p摻雜的非晶硅的費(fèi)米能級(jí)移動(dòng)較小，結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)椋狠p摻雜的非晶硅的費(fèi)米能級(jí)移動(dòng)較小，如果用兩邊都是輕摻雜的或一邊是輕摻雜的另一邊用重?fù)诫s的材料，如果用兩邊都是輕摻雜的或一邊是輕摻雜的另一邊用重?fù)诫s的材料，則能帶彎曲較小，電池的開路電壓受到限制；如果直接用重?fù)诫s的則能帶彎曲較小，電池的開路電壓受到限制；如果直接用重?fù)诫s的p+p+和和n+n+材料形成材料形成p+-n+p+-n+結(jié)，那么，由于重?fù)诫s非晶硅材料中缺陷態(tài)密度較結(jié)，那么，由于重?fù)诫s非晶硅材料中缺陷態(tài)密度較

13、高，少子壽命低，電池的性能會(huì)很差。因此，通常在兩個(gè)重?fù)诫s層當(dāng)高，少子壽命低，電池的性能會(huì)很差。因此，通常在兩個(gè)重?fù)诫s層當(dāng)中淀積一層未摻雜的非晶硅層。中淀積一層未摻雜的非晶硅層。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v 非晶硅疊層電池對(duì)于單結(jié)太陽(yáng)能電池，即便是用晶體材料制備的，其非晶硅疊層電池對(duì)于單結(jié)太陽(yáng)能電池，即便是用晶體材料制備的，其轉(zhuǎn)換效率的理論極限一般在轉(zhuǎn)換效率的理論極限一般在AM1.5AM1.5的光照條件下也只有的光照條件下也只有25%25%左右。這是左右。這是因?yàn)?，太?yáng)光譜的能量分布較寬，而任何一種半導(dǎo)體只能吸收其中能因?yàn)?，太?yáng)光譜的能量分布較寬，而任何一種半導(dǎo)體只能吸收其中能量比自己

14、帶隙值高的光子。其余的光子不是穿過電池被背面金屬吸收量比自己帶隙值高的光子。其余的光子不是穿過電池被背面金屬吸收轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?，就是將能量傳遞給電池材料本身的原子，使材料發(fā)熱。轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮?，就是將能量傳遞給電池材料本身的原子，使材料發(fā)熱。這些能量都不能通過產(chǎn)生光生載流子變成電能。不僅如此，這些光子這些能量都不能通過產(chǎn)生光生載流子變成電能。不僅如此，這些光子產(chǎn)生的熱效應(yīng)還會(huì)升高電池工作溫度而使電池性能下降。產(chǎn)生的熱效應(yīng)還會(huì)升高電池工作溫度而使電池性能下降。v 為了最大程度的有效利用更寬廣波長(zhǎng)范圍內(nèi)的太陽(yáng)光能量。人們把太為了最大程度的有效利用更寬廣波長(zhǎng)范圍內(nèi)的太陽(yáng)光能量。人們把太陽(yáng)光譜分成幾個(gè)區(qū)域，陽(yáng)光

15、譜分成幾個(gè)區(qū)域， 用能隙分別與這些區(qū)域有最好匹配的材料做成用能隙分別與這些區(qū)域有最好匹配的材料做成電池，電池， 使整個(gè)電池的光譜響應(yīng)接近與太陽(yáng)光光譜，如圖所示，使整個(gè)電池的光譜響應(yīng)接近與太陽(yáng)光光譜，如圖所示， 具有具有這樣結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池稱為疊層電池。這樣結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池稱為疊層電池。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池 疊層電池的轉(zhuǎn)換效率主要受光生電流的限制，疊層電池的轉(zhuǎn)換效率主要受光生電流的限制，因此，疊層電池設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵問題是合理選因此，疊層電池設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵問題是合理選擇各子電池?fù)窀髯与姵豬層的能隙寬度和厚度，以獲得最佳電層的能隙寬度和厚度，以

16、獲得最佳電流匹配，使轉(zhuǎn)換效率最大。同時(shí)也要控制各個(gè)摻流匹配，使轉(zhuǎn)換效率最大。同時(shí)也要控制各個(gè)摻雜層的厚度，以減少其對(duì)入射光子的吸收，也減雜層的厚度，以減少其對(duì)入射光子的吸收，也減少光生載流子在這些缺陷密度較高的薄層中的復(fù)少光生載流子在這些缺陷密度較高的薄層中的復(fù)合損失。合損失。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v3.3其他薄膜太陽(yáng)電池其他薄膜太陽(yáng)電池v4.3.1納米硅及多晶硅薄膜太陽(yáng)電池納米硅及多晶硅薄膜太陽(yáng)電池v1.納米硅薄膜太陽(yáng)電池納米硅薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v4.3.2化合物薄膜太陽(yáng)電池化合物薄膜太陽(yáng)電池v所謂化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素的化合物構(gòu)所謂化合物半

17、導(dǎo)體是由兩種以上元素的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，根據(jù)它們?cè)谥芷诒砩系奈恢么笾驴沙傻陌雽?dǎo)體，根據(jù)它們?cè)谥芷诒砩系奈恢么笾驴煞譃榉譃镮II-V族、族、II-VI族、多元系等。族、多元系等。v1、III-V族太陽(yáng)能電池 在化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池中，研究的最多的在化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池中，研究的最多的是是III-V族的族的GaAs太陽(yáng)能電池。由于太陽(yáng)能電池。由于GaAs的帶的帶隙比隙比Si大，具有與太陽(yáng)光光譜相當(dāng)一致的光譜特大，具有與太陽(yáng)光光譜相當(dāng)一致的光譜特性，因而從光譜響應(yīng)角度來說，它更適合于做太性，因而從光譜響應(yīng)角度來說，它更適合于做太陽(yáng)能電池，工作溫度也比陽(yáng)能電池，工作溫度也比Si高。目前，在所有太

18、高。目前，在所有太陽(yáng)能電池中，陽(yáng)能電池中， GaAs太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率最高。太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率最高。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池 GaAs太陽(yáng)能電池更多的是采用多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能電池更多的是采用多層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，并利用不同帶隙的材料形成疊層電池。并利用不同帶隙的材料形成疊層電池。v2、II-VI族太陽(yáng)能電池族太陽(yáng)能電池 II-VI族半導(dǎo)體化合物太陽(yáng)能電池中，目前轉(zhuǎn)族半導(dǎo)體化合物太陽(yáng)能電池中，目前轉(zhuǎn)換效率最高的是換效率最高的是n型硫化鎘型硫化鎘(CdS)和和p型碲化鎘型碲化鎘（CdTe)組成的太陽(yáng)能電池。這種電池的優(yōu)點(diǎn)是組成的太陽(yáng)能電池。這種電池的優(yōu)點(diǎn)是從從pn結(jié)到電極全部可以用絲

19、網(wǎng)印刷和燒結(jié)制成，結(jié)到電極全部可以用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)制成，制造方法簡(jiǎn)單，制造成本控制的很低，轉(zhuǎn)換效率制造方法簡(jiǎn)單，制造成本控制的很低，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)可達(dá)13.9%，但同其它許多化合物太陽(yáng)能電池一，但同其它許多化合物太陽(yáng)能電池一樣，有鎘（樣，有鎘（cd）引起的公害問題，所以至今不能）引起的公害問題，所以至今不能廣泛普及。廣泛普及。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v相對(duì)于單晶體，利用多晶半導(dǎo)體材料可以得到低相對(duì)于單晶體，利用多晶半導(dǎo)體材料可以得到低成本太陽(yáng)能電池。但是如前所示，成本太陽(yáng)能電池。但是如前所示，III-V族化合物族化合物即使晶粒大小在即使晶粒大小在10微米時(shí)，其轉(zhuǎn)換效率也只有微米時(shí)，其

20、轉(zhuǎn)換效率也只有10%左右。而左右。而II-VI族材料在相同的晶粒大小下，族材料在相同的晶粒大小下，轉(zhuǎn)換效率可以很高，并且其比較容易得到大面積轉(zhuǎn)換效率可以很高，并且其比較容易得到大面積薄膜材料。所以在低成本太陽(yáng)能電池研究方面得薄膜材料。所以在低成本太陽(yáng)能電池研究方面得到關(guān)注。到關(guān)注。第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)電池v 3.銅銦硒（銅銦硒（CIS）和銅銦鎵硒（）和銅銦鎵硒（CIGS）太陽(yáng)電池）太陽(yáng)電池v CIS(CopperIndiumDiselenide)或是或是CIGS(CopperIndiumGalliumDiselenide)都都屬于屬于化合物半化合物半導(dǎo)體導(dǎo)體。這。這兩種兩種材料的吸

21、光材料的吸光(光光譜譜)范圍很廣范圍很廣，而且，而且穩(wěn)穩(wěn)定性也定性也相當(dāng)好相當(dāng)好。轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換效率方面，若是利用聚光效率方面，若是利用聚光裝裝置的置的輔輔助助，目前，目前轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可效率已經(jīng)可達(dá)達(dá)30%，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下最高也已下最高也已經(jīng)經(jīng)可可達(dá)達(dá)到到19.5%，足以媲美，足以媲美單晶硅太陽(yáng)電池的最佳轉(zhuǎn)換單晶硅太陽(yáng)電池的最佳轉(zhuǎn)換效率。在大面效率。在大面積制備積制備上，上，采用柔性塑料采用柔性塑料基板的最佳基板的最佳轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換效效率也率也已經(jīng)達(dá)已經(jīng)達(dá)到到14.1%。由。由于穩(wěn)于穩(wěn)定性和定性和轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換效率都已效率都已經(jīng)經(jīng)相相當(dāng)優(yōu)異當(dāng)優(yōu)異，因此被，因此被視為視為是是未來最有發(fā)展?jié)摿ξ磥碜钣邪l(fā)展?jié)摿Φ谋∧さ谋∧ぬ?yáng)能電太陽(yáng)能電池種類池種類之一。之一。 第四章薄膜太陽(yáng)電池第四章薄膜太陽(yáng)