第六章a-SiHTFT絕緣薄膜的沉積

1、Inst. Of Opto-electronics薄膜晶體管材料和工藝薄膜晶體管材料和工藝 第一卷第一卷 非晶硅薄膜晶體管非晶硅薄膜晶體管第六章第六章 a-Si:H TFT絕緣薄膜的沉積絕緣薄膜的沉積 YUE KUOInst. Of Opto-electronics一、絕緣層材料和沉積方法的選取一、絕緣層材料和沉積方法的選取 二、二、PECVD PECVD SiNxSiNx絕緣層絕緣層 .PECVD .PECVD SiNxSiNx沉積工藝沉積工藝 .SiNxSiNx柵絕緣層?xùn)沤^緣層 .界面效應(yīng)界面效應(yīng) .底柵絕緣層和頂柵絕緣層底柵絕緣層和頂柵絕緣層 .雙層?xùn)沤^緣層雙層?xùn)沤^緣層 .背溝鈍化絕緣層

2、背溝鈍化絕緣層 三、與絕緣層有關(guān)的產(chǎn)效問(wèn)題三、與絕緣層有關(guān)的產(chǎn)效問(wèn)題 四、總結(jié)四、總結(jié)Inst. Of Opto-electronics a-Si:H TFT絕緣薄膜絕緣薄膜 1、柵絕緣層（gate dielectric）2、溝道鈍化層（channel passivation）3、晶體管的保護(hù)層（complete transistor passivation） a-Si:H/絕緣層界面特性會(huì)影響溝道工作區(qū) a-Si:H TFT的性能很大程度上是由結(jié)構(gòu)決定的Inst. Of Opto-electronics PECVD是一種理想的方法，原因有以下幾點(diǎn)：是一種理想的方法，原因有以下幾點(diǎn)： a-Si

3、:H普遍采用PECVD沉積 絕緣層/ a-Si:H層可以在一次真空泵抽真空過(guò)程（onepumpdown）中沉積，這樣就保證了界面的潔凈 絕緣層材料性能很容易調(diào)節(jié)，達(dá)到與某一a-Si:H層匹配使TFT特性最佳 在兩個(gè)沉積步驟間加上一個(gè)等離子體步驟可使界面特性得到優(yōu)化Inst. Of Opto-electronics 采用采用SiNxSiNx做做a-a-Si:HSi:H TFT TFT絕緣層要優(yōu)于其他絕緣層要優(yōu)于其他PECVDPECVD絕緣材料絕緣材料 采用SiNx柵絕緣層的TFT比采用SiOx柵絕緣層的TFT具有較低的S和較小的Vth Inst. Of Opto-electronicsI.I.P

4、ECVD PECVD 沉積工藝沉積工藝 等離子能量（等離子能量（plasma energyplasma energy）是一個(gè)重要因素）是一個(gè)重要因素 沉積能量和沉積速率的一般關(guān)系 每一條曲線都有一個(gè)臨界能量Wcritical，低于臨界能量時(shí)沉積速率隨著能量的增大而增大，高于臨界能量時(shí)沉積速率隨著能量的增大而減小 當(dāng)能量低于Wcritical時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)由前驅(qū)物在襯底表面的吸附作用和化學(xué)反應(yīng)決定。當(dāng)能量高于Wcritical時(shí)，刻蝕機(jī)制就不可以忽略了 Inst. Of Opto-electronics （a）RI，（b）NH和SiH鍵與等離子能量的變化關(guān)系 薄膜的RI隨著能量的增大而下降，達(dá)到

5、最小值后，能量繼續(xù)增大，變化關(guān)系就反轉(zhuǎn)了。RI最小值出現(xiàn)在Wcritical附近 ; SiH峰隨著能量的增大而下降直至能量達(dá)到Wcitical。當(dāng)能量高于Wcritical時(shí)SiH峰就消失了Inst. Of Opto-electronics 等離子體能量與薄膜應(yīng)力的關(guān)系當(dāng)能量增大時(shí)薄膜應(yīng)力從拉應(yīng)力變?yōu)閴簯?yīng)力，最小應(yīng)力出現(xiàn)在Wcritical附近。這與薄膜中N濃度的變化趨勢(shì)是一致的 等離子體能量與一致性的關(guān)系PECVD 薄膜厚度均勻性隨能量增大接近Wcritical而逐漸惡化，超過(guò)Wcritical時(shí)厚度均勻性變得很差 較大的沉積能量使等離子態(tài)粒子成核速率較高通過(guò)控制等離子能量低于Wcritic

6、al可以減小沉積過(guò)程中粒子衍生（particle generation） Inst. Of Opto-electronics輸入氣流中氫含量對(duì)（輸入氣流中氫含量對(duì)（a a）薄膜中氫濃度和）薄膜中氫濃度和SiSi-H-H鍵，鍵，（b b）沉積速率的影響）沉積速率的影響 Inst. Of Opto-electronicsII.II.SiNxSiNx柵絕緣層?xùn)沤^緣層PECVD SiNx薄膜應(yīng)該稍微多含氮（薄膜應(yīng)該稍微多含氮（slightly nitrogen-rich），并且要含有大量的氫（例如），并且要含有大量的氫（例如20，甚至更高），甚至更高）閾值電壓和場(chǎng)效應(yīng)遷移率與柵SiNx層中氮含量的關(guān)系

7、 為了獲得較低的Vth和較高的eff，需要一個(gè)適中的x，即在1.0和1.1之間 Inst. Of Opto-electronics 輸入氣流中H2/N2H2比率對(duì)倒置交錯(cuò)三層TFT的eff和Vth的影響 最高的eff和最低的Vth出現(xiàn)在比率為70時(shí)。在這一比率時(shí)，薄膜應(yīng)力最小，低于該比率時(shí)具有拉應(yīng)力，高于該比率時(shí)具有壓應(yīng)力 Inst. Of Opto-electronics 柵SiNx薄膜的RI和倒置交錯(cuò)三層TFT的Vth的一般關(guān)系 在一個(gè)很窄的RI范圍（即1.85和1.90之間）可以獲得最低的 Vth,有可能當(dāng)薄膜RI介于1.85和1.90之間時(shí)SiH和NH原子團(tuán)存在最佳的匹配，使缺陷態(tài)密度

8、最小，從而使a-Si:H/SiNx界面態(tài)密度最小 Inst. Of Opto-electronics 薄膜的Egopt可以用作TFT的可靠性（reliability）的參照 Vth隨柵SiNx的Egopt的減小而降低直至達(dá)到5.4eV左右。因此TFT的特性和可靠性最好時(shí)，柵SiNx應(yīng)是含氮稍多的，具有較低的壓應(yīng)力，并且具有較高的Egopt Inst. Of Opto-electronicsIII.界面效應(yīng)界面效應(yīng)界面的粗糙度是由兩種薄膜的沉積條件決定的粗糙薄膜界面的粗糙度是由兩種薄膜的沉積條件決定的粗糙薄膜在高能量下沉積，而光滑薄膜在低能量下沉積在高能量下沉積，而光滑薄膜在低能量下沉積Inst

9、. Of Opto-electronics 光滑的界面是保證TFT性能和可靠性的關(guān)鍵具有光滑SiNx表面的TFT比具有粗糙SiNx表面的TFT有更高的eff ；具有光滑a-Si:H表面的TFT比具有粗糙a-Si:H表面的TFT有較低的Vth和較高的effInst. Of Opto-electronics 界面態(tài)和應(yīng)力效應(yīng)PECVD 薄膜既可以有拉應(yīng)力也可以有壓應(yīng)力，這取決于氮含量或RI。當(dāng)SiNx薄膜含氮或含硅量明顯的高時(shí)兩種薄膜之間的應(yīng)力失配會(huì)變大。較高的應(yīng)力失配是與低eff及高Vth相對(duì)應(yīng)的 Inst. Of Opto-electronics 柵絕緣層界面的改善1、將暴露在、或等離子體中或

10、等離子自由氫粒子（plasma-free hydrogen radical）中 2、在柵絕緣層和a-Si:H薄膜之間加入薄界面層 Inst. Of Opto-electronicsIV.IV.底柵絕緣層和頂柵絕緣層底柵絕緣層和頂柵絕緣層 底柵（倒置，交錯(cuò)）TFT的性能比頂柵（常規(guī)或交錯(cuò)）TFT的性能要好，倒置交錯(cuò)TFT有較高的eff 、較低的Vth、較高的Ion和較低的Vth，因?yàn)椋航缑婕捌涓浇腶-Si:H的帶寬隨沉積順序的變化而改變 與倒置交錯(cuò)界面相比，交錯(cuò)界面具有較高的氫含量，較大的帶尾態(tài)寬度和更嚴(yán)重的應(yīng)力失配，這會(huì)導(dǎo)致TFT性能變差 交錯(cuò)界面通常比底氮化物結(jié)構(gòu)具有更大的界面態(tài)密度 倒置

11、交錯(cuò)TFT的柵絕緣界面比常規(guī)交錯(cuò)TFT的具有更低的氫含量 Inst. Of Opto-electronics相同薄膜沉積條件條件下沉積的底柵和頂柵a-Si:H TFT的轉(zhuǎn)移特性 Inst. Of Opto-electronics（a）常規(guī)（交錯(cuò)）結(jié)構(gòu)和（b）倒置交錯(cuò)結(jié)構(gòu)中/a-Si:H界面及其附近區(qū)域的帶寬（倒置交錯(cuò)結(jié)構(gòu)中體a-Si:H的帶寬比常規(guī)交錯(cuò)結(jié)構(gòu)中的要低0.21eV ）Inst. Of Opto-electronicsV.雙層?xùn)沤^緣層雙層?xùn)沤^緣層產(chǎn)效（yield）更高晶體管特性更好 雙層SiNx/TaOx柵絕緣層比單層SiNx柵絕緣層較高的eff 、較低的Ioff、較高的Ion和較低

12、的Vth Inst. Of Opto-electronics雙層SiNx柵絕緣層TFT的eff與界面SiNx沉積能量的函數(shù)關(guān)系 Inst. Of Opto-electronics 在雙層?xùn)沤^緣TFT中應(yīng)力失配是很重要的問(wèn)題。很明顯，TFT中不同薄膜間的應(yīng)力失配較低時(shí)就能得到很好的性能 在多層TFT結(jié)構(gòu)中總應(yīng)力應(yīng)該最低以便獲得較好的器件性能。Inst. Of Opto-electronicsVI.背溝鈍化絕緣層背溝鈍化絕緣層 背溝絕緣層材料，成分和沉積條件都會(huì)影響TFT性能 倒置交錯(cuò)雙層a-Si:H TFT的轉(zhuǎn)移特性：曲線A是沒(méi)有背溝覆蓋層的；曲線B有SiOx背溝覆蓋層；曲線C既有SiOx整個(gè)T

13、FT鈍化層還有SiOx背溝覆蓋層 Inst. Of Opto-electronics一般用SiNx作背溝鈍化層比SiOx要好。然而，下圖顯示加上背溝鈍化層后，TFT性能會(huì)下降。隨著頂SiNx沉積條件的變化，Ioff會(huì)增大，Vth會(huì)減小，這是因?yàn)榻缑嫘再|(zhì)（如電荷密度），受等離子體參數(shù)的影響 背溝絕緣層對(duì)TFT的影響主要?dú)w因于絕緣層/a-Si:H界面的電子積聚。由于a-Si:H層通常很薄，界面電荷能夠滲透穿過(guò)整個(gè)a-Si:H層到達(dá)a-Si:H/柵絕緣層界面并導(dǎo)致能帶彎曲現(xiàn)象 Inst. Of Opto-electronics 與絕緣層有關(guān)的產(chǎn)效問(wèn)題與絕緣層有關(guān)的產(chǎn)效問(wèn)題 與絕緣層相關(guān)的產(chǎn)效損失可以

14、分為三部分：結(jié)構(gòu)，沉積工藝和沉積設(shè)備 較厚的和雙層的柵絕緣層可以避免兩個(gè)傳導(dǎo)層間的短路 粒子產(chǎn)生是PECVD產(chǎn)效的最大殺手 ,當(dāng)沉積能量低于Wcritical時(shí)粒子數(shù)目會(huì)大大減少,Wcritical是影響大面積SiNx薄膜一致性和TFT特性的一個(gè)重要因素 多腔系統(tǒng)分兩種，即直線式（in-line）或分布式（distributed） Inst. Of Opto-electronics制備a-Si:H TFT的PECVD系統(tǒng)的比較 Inst. Of Opto-electronics 總結(jié)總結(jié) PECVD SiNx被廣泛認(rèn)為是最好的柵絕緣層和背溝絕緣層。PECVD 沉積工藝有大量的可調(diào)整的參數(shù)。薄膜的結(jié)構(gòu)和組成會(huì)隨工藝參數(shù)的微小變化而急劇改變。大多數(shù)參數(shù)，如RI、應(yīng)力、FTIR SiH/NH比率或大面積一致性都與Wcritical有關(guān)。等離子態(tài)的氫會(huì)影響沉積工藝和薄膜性質(zhì)。 為了優(yōu)化a-Si:H TFT特性，SiNx柵絕緣層含氮量應(yīng)稍微多些、應(yīng)具有很大的氫含量和較低的應(yīng)力。SiNx薄膜的Egopt會(huì)影響TFT的可靠性。In