24V 3000W電源

1、24V3000WDC-DC電源設(shè)計(jì)方案1、設(shè)計(jì)需求根據(jù)要求，所設(shè)計(jì)的電源指標(biāo)如下輸入電壓450V650VDC輸出電壓24VDC輸出電流125A輸出功率3000W2、總體方案根據(jù)設(shè)計(jì)需求，電源為大功率電源，功率為3000W。首先需要選擇電源拓?fù)洹Ｈ珮蚴阶儞Q器開關(guān)電源輸出功率很大，工作效率很高。并且開關(guān)管的耐壓選擇就是母線電壓，并且母線電壓最高為650V，耐壓更高的MOS管價(jià)格高且導(dǎo)通電阻大，不3、全橋驅(qū)動(dòng)MOS管選擇對(duì)于全橋而言，驅(qū)動(dòng)MOS管的最高耐壓為650V,選取MOS管的耐壓為800V即可。英飛凌公司的SPW55N80C3可滿足要求，參數(shù)如下。ParameterValueUnitVDS5T

2、jmax850VRDS(on),max0.085QQgtyp288nCIDpulse150AEoss400V21.5pjBodydiodedi/dt100A/ps若電源效率95%，輸入最大電流為7.01A電流，控制最大占空比98%而言，單個(gè)MOS管的損耗為4.17W，但是每個(gè)MOS管只承載1/2的功率，四個(gè)MOS管的導(dǎo)通損耗為8.34W。4、輸出整流管的選擇輸出功率3000V24V，電流為125A，如果輸出采用普通二極管整流，那么流過(guò)二極管的電流為125A，假如二極管的電壓降為1V,那么就有125W的功率損耗，所以在輸出級(jí)需采用同步整流方案。英飛凌公司的IRFP4468PbF參數(shù)如下：DSS1

3、00VRos(on)typ-max.2.0mQ2.6mQd(SiliconLimited)290A怙(PackageLimited)195A125A的電流通過(guò)MOS管產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗為31.25W，每個(gè)MOS管的導(dǎo)通損耗為16.625W，相對(duì)于二極管整流優(yōu)勢(shì)很大。5、變壓器磁芯的選擇變壓器磁芯需計(jì)算銅損，及磁芯損耗，需要設(shè)計(jì)變壓器而確定。一般來(lái)說(shuō)，變壓器磁芯越大，磁芯損耗越大，漆包線線徑越粗，銅損越小，磁芯越小，漆包線徑越細(xì)，銅損越大，需要選擇合適的磁芯。6、最終方案最終框圖如下：反饋回路用TL431控制，MOS管驅(qū)動(dòng)均采用變壓器驅(qū)動(dòng)，如考慮散熱問(wèn)題，還需加風(fēng)扇散熱。7、技術(shù)難點(diǎn)（1）磁芯發(fā)熱量大，散熱是較大問(wèn)題。（2）次級(jí)電流大，電路板布線及變壓器繞組要求較高。（3）整體效率問(wèn)題，因?yàn)楣β蚀?，達(dá)到3000W，效率下降一個(gè)百分點(diǎn)，將是300