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1、第一章習(xí)題解答題1.1 電路如題圖1.1所示,試判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止,并求出兩端的電壓。設(shè)二極管是理想的。 解:分析:二極管在外加正偏電壓時(shí)是導(dǎo)通,外加反偏電壓時(shí)截止。正偏時(shí)硅管的導(dǎo)通壓降為0.60.8V。鍺管的導(dǎo)通壓降為0.20.3V。理想情況分析時(shí)正向?qū)▔航禐榱悖喈?dāng)于短路;反偏時(shí)由于反向電流很小,理想情況下認(rèn)為截止電阻無(wú)窮大,相當(dāng)于開(kāi)路。分析二極管在電路中的工作狀態(tài)的基本方法為“開(kāi)路法”,即:先假設(shè)二極管所在支路斷開(kāi),然后計(jì)算二極管的陽(yáng)極(P端)與陰極(N端)的電位差。若該電位差大于二極管的導(dǎo)通壓降,該二極管處于正偏而導(dǎo)通,其二端的電壓為二極管的導(dǎo)通壓降;如果該電位差

2、小于導(dǎo)通壓降,該二極管處于反偏而截止。如果電路中存在兩個(gè)以上的二極管,由于每個(gè)二極管的開(kāi)路時(shí)的電位差不等,以正向電壓較大者優(yōu)先導(dǎo)通,其二端電壓為二極管導(dǎo)通壓降,然后再用上述“開(kāi)路法”法判斷其余二極管的工作狀態(tài)。一般情況下,對(duì)于電路中有多個(gè)二極管的工作狀態(tài)判斷為:對(duì)于陰極(N端)連在一起的電路,只有陽(yáng)極(P端)電位最高的處于導(dǎo)通狀態(tài);對(duì)于陽(yáng)極(P端)連在一起的二極管,只有陰極(N端)電位最低的可能導(dǎo)通。圖(a)中,當(dāng)假設(shè)二極管的VD開(kāi)路時(shí),其陽(yáng)極(P端)電位為-6V,陰極(N端)電位為-12V。VD處于正偏而導(dǎo)通,實(shí)際壓降為二極管的導(dǎo)通壓降。理想情況為零,相當(dāng)于短路。所以;圖(b)中,斷開(kāi)VD時(shí)

3、,陽(yáng)極電位,陰極的電位, VD處于反偏而截止 ;圖(c),斷開(kāi)VD1,VD2時(shí) VD1處于正偏導(dǎo)通,VD2處于反偏而截止;或, VD1,VD2的陰極連在一起 陽(yáng)極電位高的VD1就先導(dǎo)通,則A點(diǎn)的電位,而 VD2處于反偏而截止圖(d),斷開(kāi)VD1、VD2, ; VD1、VD2均處于反偏而截止。  題1.2 試判斷題圖1.2中的二極管是導(dǎo)通還是截止,為什么?解:分析:在本題的分析中應(yīng)注意二個(gè)問(wèn)題:(1) 電位都是對(duì)固定的參考點(diǎn)之間的壓差,參考點(diǎn)就是通常所稱的接地點(diǎn);(2) 求電位時(shí)注意各電壓的方向。圖(a),設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點(diǎn)為C, 則,當(dāng)假設(shè)VD開(kāi)路時(shí), VD處于

4、反偏而截止圖(b),同樣設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點(diǎn)為C,假設(shè)VD斷開(kāi),則: CB VD處于反偏而截止;圖(c),設(shè)圖中25K與5K的連接點(diǎn)為C,假設(shè)VD斷開(kāi),則:CB VD處于正偏導(dǎo)通狀態(tài) 題1.3 己知在題圖1.3中,,,試對(duì)應(yīng)地畫(huà)出二極管的電流、電壓以及輸出電壓的波形,并在波形圖上標(biāo)出幅值。設(shè)二極管的正向壓降和反向電流可以忽略。 解:分析:二極管在外加正偏電壓時(shí)導(dǎo)通,外加反偏電壓時(shí)截止。如果忽略二極管正向?qū)▔航导胺聪蚵╇娏鳎瑒t二極管相當(dāng)于一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。即:正偏時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)“閉合”,截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)“斷開(kāi)”。(1). 在ui正半周,二極管正偏而導(dǎo)通,uD=0uO=

5、(V)iD=(mA)(2). 在ui負(fù)半周,二極管反偏而截止, iD=0 uO =0 uD =(V)      題1.4 電路如題圖1.4所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓=8V,限流電阻=,設(shè),試畫(huà)出的波形。 解: 分析:穩(wěn)壓管的工作是利用二極管在反偏電壓較高使二極管擊穿時(shí),在一定的工作電流限制下,二極管兩端的的電壓幾乎不變。其電壓值即為穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uz。而穩(wěn)壓管如果外加正向偏壓時(shí),仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。設(shè)穩(wěn)壓管具有理想特性,即反偏電壓只有達(dá)到穩(wěn)壓電壓時(shí),穩(wěn)壓管擊穿。正偏時(shí)導(dǎo)通壓降為零,則(V) Uz=8V當(dāng)Uz時(shí),穩(wěn)壓管擊穿而處于穩(wěn)定

6、狀態(tài),uO =Uz;而0<<8V時(shí),穩(wěn)壓管處于反偏而截止,uO =;當(dāng)時(shí),穩(wěn)壓管將處于正偏而導(dǎo)通,uO=0。 題1.5 在題圖1.5中,已知電源電壓,穩(wěn)壓管的,試求 穩(wěn)壓管中的電流? 當(dāng)電源電壓升高到時(shí),將變?yōu)槎嗌伲?當(dāng)仍為,但改為時(shí),將變?yōu)槎嗌伲?#160;解:分析:由穩(wěn)壓管的特性可知,在穩(wěn)壓管處于反向擊穿時(shí),流過(guò)的電流可以有較大的變化,而其兩端電壓幾乎不變。(1). 6mA16=LoRRUIL (2). 當(dāng)U升高至12V時(shí), 不變, (3). 當(dāng)時(shí),  題1.6 測(cè)得工作在放大電路中幾個(gè)半導(dǎo)體三極管三個(gè)電極電位、分別為下列各組數(shù)值,試判斷它們是型還是型?是硅

7、管還是鍺管?并確定e、b、c。 ,; ,; ,; ,解:分析:工作在放大電路中的三極管應(yīng)滿足發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏的條件。且有PN節(jié)正偏特性可知,其正偏結(jié)電壓不會(huì)太大。硅管的,鍺管的。所以首先找出電位差在0.10.3V或0.50.7V的兩個(gè)電極,則其中必定一個(gè)為發(fā)射極,一個(gè)為基極,另一個(gè)電位相差較大的必定為集電極。由PN結(jié)反偏特性可知,若集電極電位最高,則該管必定為NPN型三極管;若集電極電位最低,則該管必定為PNP型三極管。若為NPN型三極管,則發(fā)射極電位必定為最低電位;若為PNP型三極管,則發(fā)射極電位必定為最高電位。由此即可確定發(fā)射極。電位值處于中間的一個(gè)電極必定為基極。由此可知:(1).

8、 , , 結(jié)論:硅NPN型三極管() , , (2). , , 結(jié)論: 鍺NPN型三極管() , , (3). , 結(jié)論:硅PNP型三極管() , , (4). , 結(jié)論:鍺PNP型三極管() , ,  題1.7 測(cè)得某電路中幾個(gè)三極管的各極電位如題圖1.7所示,試判斷各三極管分別工作在放大區(qū)、截止區(qū)還是飽和區(qū)。 解:分析:根據(jù)不同的偏置特征,三機(jī)管將工作在不同的區(qū)域:放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏;飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏 或者零偏;截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏或偏壓小于開(kāi)啟電壓,集電結(jié)反偏。如以NPN型三極管為例,其偏壓方式與工作狀態(tài)的關(guān)系如圖所示:對(duì)圖(a),NPN型三極

9、管 , 工作在放大區(qū);圖(b),NPN管,, , 工作在截止區(qū)圖(c),NPN管, 工作在放大區(qū);圖(d),NPN管, 工作在飽和區(qū);圖(e),PNP管, 工作在截止區(qū)圖(f),PNP管, 工作在飽和區(qū)圖(g),PNP管, 工作在放大區(qū);圖(h),PNP管, 工作在放大區(qū);   題1.8 已知題圖1.8 (a)(f)中各三極管的均為50,試分別估算各電路中三極管的和,判斷它們各自工作在哪個(gè)區(qū)(放大區(qū),截止區(qū)或飽和區(qū)),并將各管子的工作點(diǎn)分別畫(huà)在題圖1.8(g)的輸出特性曲線上。 解:分析:三極管在發(fā)射結(jié)正偏時(shí),管子可能工作在放大區(qū)或者飽和區(qū),取決于其基極

10、電流是否超過(guò)基極臨界飽和電流,若,則三極管工作在飽和區(qū);若,則三極管工作在放大區(qū),且。若三極管發(fā)射結(jié)反偏或者零偏,則該三極管一定工作在截止區(qū)。對(duì)圖(a),發(fā)射結(jié)正偏,且AmAKUICESBSmb1001.025010210=´»´-= 三極管工作在放大區(qū)且 圖(b), 三極管工作在放大區(qū)且: 圖(c), 三極管工作在飽和區(qū)圖(d),發(fā)射結(jié)反偏,三極管處于截止?fàn)顟B(tài)圖(e),三極管發(fā)射結(jié)零偏, 三極管處于截止?fàn)顟B(tài)圖(f),, 三極管工作在放大區(qū)且 題1.9 一個(gè)的轉(zhuǎn)移特性曲線如題圖1.9所示,試問(wèn) 它是溝道還是溝道的? 它的夾斷電壓和飽和漏極電流各是多少? 

11、解 分析:JFET是一種耗盡型器件,在柵源之間沒(méi)有外加電壓時(shí),其溝道已經(jīng)存在,且此時(shí)加上一特定的外加漏源電源時(shí),所形成的電流即為IDSS,飽和漏極電流。當(dāng)柵源加反偏電壓時(shí),溝道變窄,使同樣的漏源電壓而漏極電流變小。而當(dāng)柵源反偏電壓大到一特定值UGS(off)時(shí),溝道夾斷,漏源電流為零。(1) 有圖可以看出,轉(zhuǎn)移特性曲線在UGS<0區(qū)域,而uGS又處于反偏,所以柵極一定為P型材料,即該特性曲線描述的是N溝道JFET。(2) UGS(off)=-4V,IDSS=3mA 題1.10 已知一個(gè)溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線如題圖1.10所示,試作出時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線,并由特性曲線求出該

12、場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓和值,以及當(dāng)時(shí)的跨導(dǎo)。 解 分析:轉(zhuǎn)移特性曲線是指在一定的UDS下,uGS與iD的關(guān)系,只要在輸出特性曲線上以UDS=15V作一條垂線,與各條不同的uGS值下的iD曲線相交,對(duì)應(yīng)的畫(huà)在uGS與iD的坐標(biāo)中。由轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出,其開(kāi)啟電壓UGS(th)約為2V,而IDO表示UGS=2 UGS(off)時(shí)的ID值,即當(dāng)UGS=4V時(shí)的。所以IDO=2.5mA。 由MOS特性曲線 跨導(dǎo) 不同的uGS對(duì)應(yīng)不同的gm值。 題1.11 試根據(jù)題圖1.11所示的轉(zhuǎn)移特性曲線,分別判斷各相應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型結(jié)型或絕緣柵型,溝道或道溝,增強(qiáng)型或耗盡型。如為耗盡型,在特性

13、上標(biāo)注出其夾斷電壓和飽和漏極電流;如為增強(qiáng)型,標(biāo)注出其開(kāi)啟電壓。 解 分析:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可總結(jié)出一些相關(guān)的特性 uGSuDSiD開(kāi)啟夾斷N-JFET<0>0>0 P-JFET>0<0<0 N-MOS增強(qiáng)型>0>0>0 N-MOS耗盡型任意>0>0 P-MOS增強(qiáng)型<0<0<0 P-MOS耗盡型任意<0<0  (a)、因?yàn)閡GS>0,iD>0,所以N-MOS增強(qiáng)型存在開(kāi)啟電壓UGS(th),IDO為UGS2 UGS(th)時(shí)的iD值 (b)、因?yàn)閡GS>0,iD<0,uGS=0時(shí)有iD,一定為耗盡型器件P-JFET存在夾斷電壓UGS(off),IDSS為UGS=0時(shí)的iD。 (c)、uGS可正可負(fù),且iD>0,所以該器件為N-MOS耗盡型存在夾斷電壓UGS(off),且在UGS=0時(shí)的iD即為IDSS (d)、uGS<0,iD<0,且UGS=0時(shí)iD0無(wú)溝道,所以該器件為P-MOS增強(qiáng)型存在開(kāi)啟電壓UGS(th),當(dāng)UGS=2UGS(th)時(shí)的iD即為IDO。 題1.12

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