第5章 測量學(xué)和缺陷檢查

1、 集成電路測量學(xué)是測量制造工藝的性能以確保達到質(zhì)量規(guī)范標準的一種必要的方法。為了完成這種測量，需要樣片樣片、測量設(shè)備測量設(shè)備和分析分析數(shù)據(jù)的方法數(shù)據(jù)的方法。 傳統(tǒng)上，數(shù)據(jù)是在監(jiān)控片(又稱樣片)上收集，樣片是空白（或無圖形）的硅片，包含在工藝流程中，專門為表征工藝的特性。而使用實際生產(chǎn)硅片模擬更接近在工藝流程中發(fā)生的情況，可以提供更好的信息。 Photograph courtesy of KLA-Tencor 監(jiān)控片與有圖形的硅片監(jiān)控片與有圖形的硅片Patterned waferMonitor wafer 用于性能測量的測量設(shè)備有不同的類型，分為與工藝分離的獨立測試設(shè)備和與工藝設(shè)備集成在一起的測

2、量設(shè)備。 獨立的測試設(shè)備進行測量學(xué)測試時，不依附于工藝，但通常對硅片有破壞性或沾污。集成的測量儀器具有傳感器，這些傳感器允許測試工具作為工藝的一部分起作用并發(fā)送實時數(shù)據(jù)。 成品率成品率定義為產(chǎn)出產(chǎn)品的合格數(shù)量與整體數(shù)量的百分比。成品率是一個硅片工廠生產(chǎn)高質(zhì)量管芯能力的重要標志。為了查出不同缺陷怎樣影響硅片的成品率，缺陷分析應(yīng)該能區(qū)分出隨機因素和非隨機因素，并能與電學(xué)和其他測試數(shù)據(jù)相聯(lián)系。 在整個硅片生產(chǎn)工藝中有許多質(zhì)量測量。為使產(chǎn)品在工藝的每一步都符合精確的要求，半導(dǎo)體質(zhì)量測量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。 表5.1展示了每一步工藝后主要的質(zhì)量測量。 表表5.1 5.

3、1 在硅片制造生產(chǎn)區(qū)的質(zhì)量測量在硅片制造生產(chǎn)區(qū)的質(zhì)量測量 WCu 方形的薄層圖形方形的薄層圖形ltwCross-sectional area = w tR = r(l)a(ohms) 四探針法的原理示意圖四探針法的原理示意圖WaferRVoltmeterConstant current sourceVIrs = VIx 2ps (ohms-cm)slRaraw tsRtr t ： 膜厚 ：膜電阻率 RS ：方塊電阻 RS =4.53V/I （/） 常量4.53是在探針間距很小且膜尺寸無限大的假設(shè)下的修正系數(shù)。 橢偏儀橢偏儀 橢偏儀的基本原理橢偏儀的基本原理LaserFilterPolarize

4、rQuarter wave plateFilm being measuredAnalyzerDetectorq 橢偏儀橢偏儀 實物照片實物照片 光聲法膜厚測量光聲法膜厚測量Detection laser beamHigh outputEcho 2Echo 1Change in surface reflectivity(d)Echo 1Detection laser beamNominal output(c)Detection laser beamNominal output(b)HeatSound waveOptical detectorPump laser beamLow output(a)

5、 硅片中的應(yīng)力分布硅片中的應(yīng)力分布薄膜應(yīng)力通常用圓片在淀積前后的彎曲薄膜應(yīng)力通常用圓片在淀積前后的彎曲變化來測量。膜應(yīng)力由下式給出：變化來測量。膜應(yīng)力由下式給出：2213ETtR其中，其中，是泊松比是泊松比，E是楊氏彈性模量，是楊氏彈性模量，是是圓片中心的彎曲量，圓片中心的彎曲量，t是薄膜厚度，是薄膜厚度，R為圓片為圓片半徑，半徑，T是圓片厚度。是圓片厚度。淀積膜淀積膜硅片硅片 例例1 利用激光干涉測量分析硅片鍵合后的表面翹曲利用激光干涉測量分析硅片鍵合后的表面翹曲 例例1 表面翹曲的干涉條文圖樣分布表面翹曲的干涉條文圖樣分布 折射率折射率nIndex of Refraction, n = s

6、in qi / sin qr nExamples of n:air = 1.00SiO2 = 1.46diamond = 2.12Air (n 1.0)SiO2 (n 1.46)Fast mediumSlow mediumAir (n 1.0)Glass (n 1.5)Fast mediumSlow mediumThermal Wave System for Measuring Dopant ConcentrationProbe laser(HeNe )Pump laser(Argon )Thermal wave signal detectorX-Y stageWaferTwo-way mir

7、rorTwo-way mirror 擴展電阻探針（擴展電阻探針（SRP）Probe laser(HeNe )Pump laser(Argon )Thermal wave signal detectorX-Y stageWaferTwo-way mirrorTwo-way mirror光源中間象物鏡試樣聚光鏡目鏡毛玻璃照相底板SEM的功能是通過產(chǎn)生高度聚焦電子束掃描目標，同時用探測器測量最終散射電子。電子槍發(fā)射的電子通過磁聚焦系統(tǒng)，會聚成2-6nm的束斑，打在試樣上，產(chǎn)生二次電子，背散射電子以及其他電子，X射線和光子。 其中最主要的是二次電子，它是被入射電子所激發(fā)出來的樣品原子中的外層電子，產(chǎn)生

8、于樣品表面以下幾nm至幾十nm的區(qū)域，其產(chǎn)生率主要取決于樣品的形貌和成分。通常所說的掃描電鏡像指的就是二次電子像，它是研究樣品表面形貌的最有用的電子信號。 二次電子被收集，產(chǎn)生光電信號，最后在顯示屏上成像。 SEM的工作原理的工作原理局限性：局限性：n 需要高真空；n 成像前需要用導(dǎo)電薄膜覆蓋絕緣的樣本。 例例2 晶體管的晶體管的SEM圖像圖像 臺階覆蓋臺階覆蓋共型臺階覆蓋非共型臺階覆蓋(空洞) 表面形貌儀表面形貌儀CRTProximity sensorStylus motionStylusX-Y StageDirection of scan Wafer surfaceLinear drive

9、 unitControl electronicsAmp+5V-5V+24 VDI 套準精度檢查圖形套準精度檢查圖形MisregistratonX1 X2, Y1 Y2X1X2Y1Y2Ideal overlay registratonX1 = X2, Y1 = Y2X1X2Y1Y2C-V 測試的建立和繪圖測試的建立和繪圖氧化層電容儀電源測量每個偏壓對應(yīng)的電容設(shè)置范圍從 -5V 到 +5V，以1V為間隔N型硅金屬金屬 n型硅的電容與電壓的關(guān)系型硅的電容與電壓的關(guān)系-2-3-5-4-10+1+2+3+4+5Cmax偏壓0電容N型硅的C-V曲線Cmax在在C-V測試中離子電荷的采集測試中離子電荷的采集

10、N-type siliconMetalAl+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +溫度范圍近似200 - 300 C電源氧化層在在n型硅中的電壓漂移型硅中的電壓漂移0-2-3-5-4-10+1+2+3+4+5Cmax偏壓電容N型硅的C-V曲線CminDV 接觸角接觸角接觸角小滴襯底二次離子質(zhì)譜儀由離子源、質(zhì)量分析器和離子探測器組成。它的基本原理是在超真空狀況下用高能量離子或中子束轟擊試樣表面然后分析所產(chǎn)生的二次離子成份和含量。 在電場下聚焦的高能離子束被引導(dǎo)在分析樣品表面微區(qū)上掃描。 在掃描中濺射出來的粒子含量和速率取決于高能離子的能量、質(zhì)量及強度、以

11、及樣品本身的物理化學(xué)性質(zhì)。 濺射出來的粒子中只有小部分被電離而形成二次離子質(zhì)譜分析中的二次離子。 由此產(chǎn)生的二次離子在加速到質(zhì)譜儀的過程中按照它們的質(zhì)量與電荷比率分離出來。 在此過程中所收集的二次離子的密度被轉(zhuǎn)換成濃度曲線。 二次離子質(zhì)譜分析能夠分辨元素周期表中的所有元素、包括他們的同位素。 二次離子質(zhì)譜分析對大多數(shù)元素的靈敏度可達百萬分之一以下、某些元素可達十億分之一以下。 二次離子質(zhì)譜分析的主要特征是： *探測從H到U的所有元素 *微量元素分析達到0.1ppb-0.1ppm的水平 *依據(jù)標樣的定量分析 *深度分辨率 10nm * 小區(qū)域分析(25um) *單層深度信息 *同位素測量 當樣品

12、表面逐漸地被入射離子束侵蝕剝離時、記錄下的二次離子連續(xù)譜線則形成從樣品表面的深度剖面。 二次離子強度可通過由標樣測定獲得的轉(zhuǎn)換系數(shù)進行校準。 樣品刻蝕深度則通過輪廓曲線儀測定。二者所共同產(chǎn)生的結(jié)果便是二次離子質(zhì)譜分析的深度剖面。 n SIMS可以鑒別出劑量和結(jié)深同時指出結(jié)出任何不滿足要求的金屬雜質(zhì)，因此成為驗證離子注入機性能的主要工具。 它的工作原理是將一個對微弱力及敏感的微懸臂（cantilever）一端固定，另一端有一微小的針尖與樣品的表面輕輕接觸。由于針尖尖端原子與樣品表面原子間存在及微弱的排斥力，即原子范德華力（10-8_10-6 N），通過懸臂另一端的壓電驅(qū)動部件，在掃描時控制這種力

13、的恒定，帶有針尖的微懸臂將對應(yīng)于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運動。 。激光束從探針針尖頂上的表面反射，直接照到光敏二極管上。，可以測得微懸臂對應(yīng)于掃描各點的位置變化，產(chǎn)生表面形貌的電子圖形。 原子力顯微鏡（原子力顯微鏡（AFM）是一種表面形貌儀。用一個較小的平衡探針頭掃描硅片表面產(chǎn)生三維的表面圖形。 光學(xué)表面形貌儀光學(xué)表面形貌儀俄歇過程至少有兩個能級和三個電子參與，所以氫原子和氦原子不能產(chǎn)生俄歇電子，也就是說H和He元素不能被探測。nXPS 是用X射線光子激發(fā)原子的內(nèi)層電子發(fā)生電離，產(chǎn)生光電子，這些內(nèi)層能級的結(jié)合能對特定的元素具有特定的值，因此通過測定電子的結(jié)

14、合能和譜峰強度，可鑒定除H和He（因為它們沒有內(nèi)層能級）之外的全部元素以及元素的定量分析。nXPS分析大約2nm的樣本厚度。a a 清潔表面；清潔表面； b 1barOb 1barO2 2、403K403K氧化氧化1 1小時小時金屬態(tài)的鎳金屬態(tài)的鎳Ni較較高高氧氧化化態(tài)態(tài)的的鎳鎳NiNi3+3+ TEM的工作原理與的工作原理與SEM類似，類似，差別是發(fā)射的電子束穿過超薄的差別是發(fā)射的電子束穿過超薄的樣片（樣片（10到到100nm的數(shù)量級），的數(shù)量級），然后被收集形成圖像。然后被收集形成圖像。 例例8：硫化銀硫化銀納米粒納米粒 子的子的TEM和和SEM圖圖像對比像對比 能量彌散譜儀（EDX）是為

15、識別元素使用的最廣的X射線探測方法，并且是對SEM的補充。它在樣本表面穿透性很好，所以不能被看作是表面分析。EDX的工作原理基于高質(zhì)量的摻雜硅做的大二極管，并由薄的鈹窗（約25um）與SEM真空隔離。X射線通過窗口產(chǎn)生一系列電子空穴對，能根據(jù)X射線的能及探測到并識別。 波長彌散譜儀（WDX）是根據(jù)衍射晶格和光計數(shù)器的原理工作。晶體根據(jù)波長分離并分散入射的X射線，這些射線之后在光計數(shù)器中被收集。WDX測量緩慢，但是準確率極高。 能量彌散譜儀（能量彌散譜儀（EDX）薄鈹窗光電子路徑SiSiKaSi(Li) 晶體H.V. 偏壓至放大器X射線電子空穴對Si(Li) 探測器r放大器窗口能量SiP 聚焦離

16、子束（聚焦離子束（FIB）銑）銑FIB 束環(huán)氧粘貼在柵格上的樣本柵格由FIB束銑的樣本TEM束 掃描隧道顯微鏡掃描隧道顯微鏡(Scanning Tunneling Microscope)的工的工作原理是基于量子力學(xué)中的作原理是基于量子力學(xué)中的隧道效應(yīng)。隧道效應(yīng)。 對于經(jīng)典物理學(xué)來說，當對于經(jīng)典物理學(xué)來說，當一個粒子的動能一個粒子的動能E低于前方勢低于前方勢壘的高度壘的高度V0時，它不可能越時，它不可能越過此勢壘，即透射系數(shù)等于過此勢壘，即透射系數(shù)等于零，粒子將完全被彈回。而零，粒子將完全被彈回。而按照量子力學(xué)的計算，在一按照量子力學(xué)的計算，在一般情況下，其透射系數(shù)不等般情況下，其透射系數(shù)不等于零，也就是說，粒子可以于零，也就是說，粒子可以穿過比它能量更高的勢壘，穿過比它能量更高的勢壘，這個現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。這個現(xiàn)象稱為隧道