太陽能發(fā)電背帶課件

1、太陽能發(fā)電背帶組員:蔡奇璋 陳重瑞 班級:微電四甲 指導(dǎo)教授:張文俊教授目錄一、前言二、太陽能板種類三、發(fā)電原理四、研究動機五、功能介紹六、準(zhǔn)備材料七、製作過程八、Reference前言 1990年以後工業(yè)更加繁榮的全球各國，加重了對太陽能板的需求，使各國更可以節(jié)能減碳，對環(huán)境的負擔(dān)也可以降低。太陽能電池並不是非常新的產(chǎn)業(yè)，但因成本、結(jié)構(gòu)一直未理想，使新技術(shù)的研究目標(biāo)大多放在新結(jié)構(gòu)以及材料的選擇來降低成本。太陽能板種類目前太陽能板可分為以矽為主要材料或以化合物為主要材料兩大類，矽原料太陽能電池可分為單晶矽、多晶矽、非晶矽三種不同的結(jié)晶方式。 a.b.c.a、單晶矽太陽能板b、多晶矽太陽能板c、

2、非晶矽太陽能板發(fā)電原理 單晶矽和多晶矽主要是以PN半導(dǎo)體結(jié)合在一起使接觸面會形成空乏區(qū)，當(dāng)光能進入空乏區(qū)時會形成電子電洞對，但受到PN接面內(nèi)部電場影響，造成電子電洞被拉開，帶負電的電子會往N型半導(dǎo)體移，帶正電的電洞會往P型半導(dǎo)體移動，此時兩型半導(dǎo)體存在電位差而產(chǎn)生電流。 非晶矽主要是在玻璃上製作的透明導(dǎo)電下電極、p型非晶矽層、本質(zhì)非晶矽層、n型非晶矽層，以及一層上電極銀層。使用透明的導(dǎo)電下電極層主要是為了增加光的穿透增加電子電洞對，把載子由內(nèi)建電廠利用電極倒出。發(fā)電原理 太陽能電池是利用光電的發(fā)電原理，吸收波長從 0.3 m的紫外光到數(shù)微米的紅外光(圖三)將光能直接轉(zhuǎn)換為電能。研究動機 許多外

3、拍的攝影師所使用的單眼相機電池容量並不大，連續(xù)拍攝的話大約兩三個小時就沒電，但許多攝影師在外拍時動輒8小時起跳。 在不可能攜帶太多電池在身上以及電池成本的考量下，假若讓電池在戶外可以即時充電的，便可以省去攜帶及環(huán)保的麻煩。功能介紹 我們將太陽能板縫紉在相機背帶上，讓我們可以一邊使用相機一邊充電。準(zhǔn)備材料LP-E8副廠電池.X1顆美工刀.X1支電源導(dǎo)線.X1條電池盒(2顆串聯(lián)).X1個電源接頭(公-母).X1對太陽能板.X4片相機背帶.X1對18650電池.X2顆電烙鐵與焊錫製作過程 先將電池盒切開，用美工刀由邊緣的線痕慢慢割開。製作過程 切開後可以見一塊電路板以及內(nèi)部的鋰電池。製作過程 開始焊

4、接，將輸入電源的正負端接入，並拉出電源線的街頭。製作過程 完成後將電池盒密封，並捨棄內(nèi)部電池，改用外部充電電池來儲存太陽能發(fā)電後的電力。製作過程 採用外部電池的原因是其電量是原廠電池的五倍之多，並可當(dāng)作蓄電池使用。製作過程 大功告成後，接著是背帶的部分。製作過程 首先先準(zhǔn)備相機背帶製作過程 再準(zhǔn)備可饒是太陽能板並選好可匹配電壓製作過程 將其結(jié)合並驅(qū)使相機運作Reference1.Del Alamo, J., S. Swirhun, and R. M. Swanson. Simultaneous measurement of hole lifetime, hole mobility and ba

5、ndgap narrowing in heavily doped n-type silicon.Electron Devices Meeting, 1985 International. Vol. 31. IEEE, 1985.2.Yan, Baojie, et al. High efficiency amorphous and nanocrystalline silicon thin film solar cells on flexible substrates.Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2012 19th

6、International Workshop on. IEEE, 2012.3.Voigt, A., et al. Localization and identification of microscopic defects leading to locally enhanced currents across pn-junctions of solar cells.Photovoltaic Specialists Conference, 1996., Conference Record of the Twenty Fifth IEEE. IEEE, 1996.4.Halpin, Gabrie

7、l, et al. Study of GaN LED ITO Nano-Gratings With Standing Wave Analysis.Photonics Journal, IEEE6.3 (2014): 1-10.5.Kabir, M. Ikbal, Norhayati Mohd Zainee, and Nowshad Amin. Analysis of high efficiency amorphous silicon single and multijunction solar cells.Developments in Renewable Energy Technology (ICDRET), 2009 1st International Conference on the. IEEE, 2009.6.Solar Cell PN Junction:http:/www.liv.ac.uk/rene