NAND Flash 測(cè)試題及其答案

1、NAND Flash測(cè)試題及其答案本期培訓(xùn)課程已完結(jié)，相信您一定有所收獲，快來(lái)檢驗(yàn)下學(xué)習(xí)效果吧!（本測(cè)試題滿 分100分，考試時(shí)間為30分鐘。全卷包括20小題，0110為判斷題，每題2.5 分；1115為單項(xiàng)選擇題，每題5分；1620為多項(xiàng)選擇題，每題10分。）您的姓名：填空題*1、NAND Flash Memory掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)喪失.判斷題*對(duì)（正確答案）錯(cuò)2、NAND寫操作是以Block為最小單元.判斷題J *對(duì)錯(cuò)（正確答案）3、已寫滿數(shù)據(jù)的NAND Block中如果要繼續(xù)寫入數(shù)據(jù),不需要先進(jìn)行擦除動(dòng)作.判斷題*對(duì)錯(cuò)（正確答案）4、NAND TLC Program有8個(gè)狀態(tài).判斷題*對(duì)（正

2、確答案）錯(cuò)5、目前絕大多數(shù)3DTLCNAND采用one-pass編程方式.判斷題*對(duì)（正確答案）錯(cuò)6、NOR Flash讀速度比NAND Flash更快判斷題*對(duì)（正確答案）錯(cuò)7、東芝是全球第一家實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的廠家.判斷題*對(duì)錯(cuò)（正確答案）8、3D Charge Trap NAND 相比于 3D Floating Gate NAND Data Retention 可靠性更 差.判斷題*對(duì)（正確答案）錯(cuò)9、NAND Flash寫操作是熱電子注入模式.判斷題*對(duì)錯(cuò)（正確答案）10、NAND Flash讀操作時(shí)會(huì)有多個(gè)判決電壓.判斷題*對(duì)（正確答案）錯(cuò)11、NAND Flash Memor

3、y電子存儲(chǔ)在哪個(gè)單元局部？ (B)單項(xiàng)選擇題*A.Control GateFloating Gate(正確答案)SourceDrain12、MLC NAND Flash表征Erase狀態(tài)的數(shù)據(jù)是()單項(xiàng)選擇題*AJOB. 11(正確答案)C.01D. 0013、Erase操作的最小單元是()單項(xiàng)選擇題*A.BitBytePageBlock(正確答案)14、哪種模式P/E壽命最長(zhǎng)()單項(xiàng)選擇題*A.SLC(正確答案)B.MLCC.TLCD. QLC15、NAND Flash編程單元所在的BL施加的電壓是()單項(xiàng)選擇題*A.VPGMOV（正確答案）VCCVPASS16、NAND Flash Memory數(shù)據(jù)可靠性影響因素有哪些？ *A.電壓B.溫度（正確答案）C.頻繁擦寫（正確答案）D.讀干擾（正確答案）17、NAND在日常生活中有哪些應(yīng)用？ *A.UFS（正確答案）B.SD卡（正確答案）C. SSD（正確答案）D.U盤（正確答案）18、SLC相比于TLC有哪些優(yōu)點(diǎn)？ *A.寫入速率快正確答案）B.出錯(cuò)率低（正確答案）C.壽命高（正確答案）D.編程時(shí)間長(zhǎng)19、NAND Flash訪問(wèn)地址包含哪些？ *A.Block Address（正確答案）Page Address（正確答案）Plane Address（正確答案）Column Address E確答案） 20、NAND