集成電路制造工藝員（三級(jí)）考試真題及答案二

1、集成電路制造工藝員（三級(jí)）考試真題及答案二1、單選（江南博哥）對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A.離子注入B.濺射C.淀積D.擴(kuò)散答案：D2、單選離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過(guò)一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負(fù)C.中性D.以上答案都可以答案：A3、單選在確定擴(kuò)散率的測(cè)結(jié)深實(shí)驗(yàn)中，結(jié)深的測(cè)量是采用HF和（）的混和液對(duì)磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D4、單選在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用（）來(lái)完成淺溝槽隔離STI。A.單晶硅刻蝕B.多晶硅刻蝕C.二氧化硅刻蝕D.氮化硅刻蝕答案：A5、多選電氣測(cè)量?jī)x表若按照電流的種類

2、來(lái)分，有（）。A.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：C,D,E6、多選擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來(lái)制作（）。A.埋層B.外延C.PN結(jié)D.擴(kuò)散電阻E.隔離區(qū)答案：A,C,D7、單選thermalconductivitygauge的意思是（）。A.離子計(jì)B.熱傳導(dǎo)真空計(jì)C.放電型真空計(jì)D.麥克勞式真空計(jì)答案：B8、多選（）專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。A.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D9、單選我們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和（）測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。A.橫向電阻B.

3、平均電阻率C.薄層電阻D.擴(kuò)展電阻答案：C10、單選奉獻(xiàn)社會(huì)的實(shí)質(zhì)是（）。A.獲得社會(huì)的好評(píng)B.盡社會(huì)義務(wù)C.不要回報(bào)的付出D.為人民服務(wù)答案：C11、單選刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C12、單選晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C.柵氧化層D.場(chǎng)氧化層答案：C13、單選dryvacuumpump的意思是（）。A.擴(kuò)散泵

4、B.誰(shuí)循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C14、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為（）。A.硝酸B.硝酸銅C.硫酸D.磺酸答案：A15、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。A.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B16、單選一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和（）。A.恒定總摻雜劑量B.不恒定總摻雜劑量C.恒定雜志濃度D.不恒定雜志濃度答案：A17、單選為了保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作，27.5A的接地電流只能保證斷開(kāi)動(dòng)作電流不超過(guò)多少的繼電保護(hù)裝置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A18、單選買來(lái)的新樹(shù)脂往往是Na型或Cl型，新樹(shù)脂使用前必須分

5、別用酸（陽(yáng)樹(shù)脂），堿（陰樹(shù)脂）浸泡約（）個(gè)小時(shí)，把Na型或Cl型轉(zhuǎn)換成H型或OH型。A.3B.4C.5D.6答案：B19、單選在半導(dǎo)體器件制造中，對(duì)清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過(guò)純化的（）作為清潔用水。A.蒸餾水B.自來(lái)水C.去離子水D.礦泉水答案：C20、單選離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過(guò)的總路程稱作（）。A.離子距離B.靶厚C.射程D.注入深度答案：C21、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B22、單選（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案

6、：C23、單選電氣測(cè)量?jī)x表中，整流式對(duì)電流的種類與頻率的適用范圍是（）。A.直流B.工頻及較高頻率的交流C.直流及工頻交流D.直流及工頻與較高頻率的交流答案：B24、單選離子源產(chǎn)生的離子在（）的加速電場(chǎng)作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉(zhuǎn)器答案：C25、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，下列說(shuō)法正確的是（）。A.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率不會(huì)降低D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低答案：A,C,E2

7、6、單選下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.與氧化方法無(wú)關(guān)答案：A27、多選晶片表面上的粒子是通過(guò)（）到達(dá)晶片的表面。A.粒子擴(kuò)散B.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送C.化學(xué)反應(yīng)D.被表面吸附E.靜電吸引答案：A,B,C,D28、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說(shuō)法正確的是（）。A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300左右D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好答案：B29、單選真空鍍膜室中的鐘罩與底盤(pán)構(gòu)成（）。A.襯底加熱器B.抽氣系統(tǒng)C.真空室D.蒸氣源加熱器答案：C30、多選二氧化硅膜的質(zhì)量要求

8、有（）。A.薄膜表面無(wú)斑點(diǎn)B.薄膜中的帶電離子含量符合要求C.薄膜表面無(wú)針孔D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密答案：A,B,C,D,E31、單選在磁分析器中常用（）分析磁鐵。A.柱形B.扇形C.方形D.圓形答案：B32、單選銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。A.等離子體刻蝕B.反應(yīng)離子刻蝕C.濕法刻蝕D.濺射刻蝕答案：D33、單選（）是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。A.LPCVDB.PECVDC.CVDD.PVD答案：D34、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)

9、的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B35、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠答案：C36、單選靜電偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是（）電容器。A.片狀B.針尖狀C.圓筒狀D.平行板答案：D37、單選目前，最廣泛使用的退火方式是（）。A.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A38、多選沾污是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學(xué)性能E.外觀答案：B,D

10、39、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。A.增大B.減小C.不變D.變?yōu)?答案：B40、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為（）。A.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C41、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B42、單選在深紫外曝光中，需要使用（）光刻膠。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A43、單選激光退火目前有（）激光退火兩種。A.一般和特殊B.脈沖和連續(xù)C.高溫和低溫D.快速和慢速答案：B44、多選對(duì)于非晶靶，離子注入的射程分布取決

11、于（）。A.入射離子的能量B.入射離子的質(zhì)量C.入射離子的原子序數(shù)D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度E.注入離子的總劑量答案：A,B,C,D,E45、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為（）。A.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D46、單選危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是（）。A.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B47、單選下列哪些因素不會(huì)影響到顯影效果的是（）。A.顯影液的溫度B.顯影液的濃度C.顯影液的溶解度D.顯影液的化學(xué)成分答案：C48、單選擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。A.晶振B.電容C.電感D.PN結(jié)答案：D49、多選凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類，分別是（）。A.

12、一般排氣系統(tǒng)B.特殊排氣系統(tǒng)C.制程排氣系統(tǒng)D.專用排氣系統(tǒng)E.排氣排水系統(tǒng)答案：A,C50、多選在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。A.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E51、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。A.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子注入E.雙注入答案：A,D,E52、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9501100的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C53、單選在熱擴(kuò)散工藝中的

13、預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。A.10501200B.9001050C.11001250D.12001350答案：A54、單選刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。A.選擇性B.均勻性C.輪廓D.刻蝕圖案答案：B55、單選在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。A.氣體B.等離子體C.固體D.液體答案：B56、單選真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動(dòng)擋板，用來(lái)（）。A.隔擋氣體交換B.控制蒸發(fā)的過(guò)程C.輔助熱量交換D.溫度調(diào)節(jié)答案：B57、多選下列擴(kuò)

14、散雜質(zhì)源中，（）不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是鍺常用的施主雜質(zhì)。A.硼B(yǎng).錫C.銻D.磷E.砷答案：C,D58、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的（）。A.11.8倍B.1.31.8倍C.1.32.1倍D.1.52.3倍答案：C59、多選二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。A.比色法B.雙光干涉法C.橢圓偏振光法D.腐蝕法E.電容-電壓法答案：A,B,C,D,E60、多選在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。A.均勻性B.表面平整度C.自由應(yīng)力D.純凈度E.電容答案：A,B,C,D,E61、多選有關(guān)光刻膠的顯影下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小B.正膠受顯影液的

15、影響比較小C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形答案：A,C,D62、單選下面那一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗（）。A.薄膜沉積B.薄膜成長(zhǎng)C.蒸發(fā)D.濺射答案：B63、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。A.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)D.大尺寸E.低缺陷答案：A,B,C,D,E64、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硫C.硼D.磷答案：D65、單選將具有交換能力的陽(yáng)樹(shù)脂和陰樹(shù)脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機(jī)玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來(lái)水（）通過(guò)交換柱就能稱為高純度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左

16、而右D.自右而左答案：A66、單選（）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC.濺射D.蒸發(fā)答案：B67、單選用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。A.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C68、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有（）。A.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E69、單選在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體A.柵氧化層B.溝槽C.勢(shì)壘D.場(chǎng)氧化層答案：D70、單選固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和（）。A.自擴(kuò)散機(jī)制B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制C

17、.空位機(jī)制D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制答案：C71、多選濺射的方法非常多其中包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C.反應(yīng)濺射D.二級(jí)濺射E.三級(jí)濺射答案：A,B,C,D,E72、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。A.能量淀積B.動(dòng)量淀積C.能量振蕩D.動(dòng)量振蕩答案：A73、單選（）是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C74、單選通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步驟，其中第一個(gè)步驟是（）。A.再分布B.等表面濃度擴(kuò)散C.預(yù)淀積D.等總摻雜劑量擴(kuò)散答案：C75、多選光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過(guò)（）來(lái)完成的。A.紅外線輻射B.X射線照射C.加熱D.紫外光輻

18、射E.電子束掃描答案：C,D76、單選請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：C77、多選離子注入的主要?dú)怏w源中，劇毒的有（）。A.砷化氫B.二硼化氫C.四氟化硅D.三氟化磷E.五氟化磷答案：A,B,C,D78、單選在實(shí)際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按（）的分布情況。A.長(zhǎng)度B.深度C.寬度D.表面平整度答案：B79、單選下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：（）。A.NaB.BC.PD.As答案：A80、單選有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝（）。A.離子注入B.刻蝕C.擴(kuò)散D.光刻答案：D81、單選由靜電釋

19、放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達(dá)（）。A.幾伏B.幾十伏C.幾百伏D.幾萬(wàn)伏答案：D82、多選通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。A.光刻膠B.襯底C.表面硅層D.擴(kuò)散區(qū)E.源漏區(qū)答案：A,B83、單選（）的氣體源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等離子。A.Cl2B.BCl3C.CO2D.H2答案：B84、單選擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C85、單選當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和的注入劑量稱為（）。A.臨界劑量B.飽和劑量C.無(wú)損傷劑量D.零點(diǎn)劑量答案：A86、多選去正膠常用的溶劑有（）A

20、.丙酮B.氫氧化鈉溶液C.丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳?xì)浠衔锎鸢福篈,B,C,D87、單選靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為（）。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C88、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。A.150200B.200左右C.250左右D.300左右答案：A89、單選分析器是一種（）分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C90、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有（）。A.電子振蕩放電B.離子自動(dòng)放電C.低電壓弧光放電D.雙等離子電弧放電答案：A91、單選pointdefect的意思是（）。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點(diǎn)答案：A92、單選檢驗(yàn)

21、水中是否有鹽酸，可用（）溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C93、單選為了避免（）在經(jīng)過(guò)氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來(lái)除去這些表面殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C94、單選（）是指每個(gè)入射離子濺射出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D.濺射比答案：A95、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個(gè)穩(wěn)定的核團(tuán)，以便于進(jìn)行凝結(jié)的主要因素主宰于所形成的核團(tuán)是否（）而定。A.動(dòng)能最低B.穩(wěn)定C.運(yùn)動(dòng)D.靜止答案：B96、單選菲克一維擴(kuò)散定律公式中的J是代表單位面積溶

22、質(zhì)（）。A.傳輸率B.載流子濃度C.擴(kuò)散梯度D.擴(kuò)散系數(shù)答案：A97、單選（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動(dòng)擋板和底盤(pán)構(gòu)成。A.真空鍍膜機(jī)B.真空鍍膜室C.真空鍍膜器D.真空鍍膜儀答案：B98、單選（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C.核心D.核團(tuán)答案：A99、多選靜電釋放帶來(lái)的問(wèn)題有哪些（）。A.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過(guò)1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面答案：C,D,E100、單選化合物半導(dǎo)體砷化鎵常用的施主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硼C.磷D.錳答案：A集成電路制造工藝員（三級(jí)）1、單選銅與

23、氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。A.等離子體刻蝕B.反應(yīng)離子刻蝕C.濕法刻蝕D.濺射刻蝕答案：D2、單選如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為（）。A.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D3、多選以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。A.單晶硅B.多晶硅C.硅化金屬D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C4、多選清潔處理主要使用的是（）。A.水B.有機(jī)溶劑C.堿D.酸E.鹽酸答案：A,B,C,D,E5、單選離子注入裝置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。A.中子源B.離子源C.電子源D.質(zhì)子源答案：B6、單選離子束垂

24、直進(jìn)入均勻的正交磁場(chǎng)后，將同時(shí)受到電場(chǎng)力和（）的作用。A.洛侖茲力B.反向的電場(chǎng)力C.庫(kù)侖力D.重力答案：A7、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為（）。A.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C8、單選沾污引起的電學(xué)缺陷引起（），硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制造成本。A.不會(huì)影響成品率B.晶圓缺陷C.成品率損失D.晶圓損失答案：C9、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠答案：C10、多選下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅

25、的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3答案：B,C11、多選一般來(lái)說(shuō)，濺射鍍膜的過(guò)程包括（）這幾步。A.產(chǎn)生一個(gè)離子并導(dǎo)向靶B.被轟擊的原子向硅晶片運(yùn)動(dòng)C.離子把靶上的原子轟出來(lái)D.經(jīng)過(guò)加速電場(chǎng)加速E.原子在硅晶片表面凝結(jié)答案：A,B,C,E12、多選去正膠常用的溶劑有（）A.丙酮B.氫氧化鈉溶液C.丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳?xì)浠衔锎鸢福篈,B,C,D13、多選半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)（）。A.氧化B.改變導(dǎo)電類型C.涂層D.改變材料性質(zhì)E.鍍膜答案：B,D14、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來(lái)源于（）。A.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.

26、去離子水答案：A,B,C,D,E15、單選請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：D16、多選擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B.表面的雜質(zhì)分布C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.表面的導(dǎo)電類型答案：A,E17、多選從電極的結(jié)構(gòu)看，濺射的方法包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C.二級(jí)濺射D.三級(jí)濺射E.四級(jí)濺射答案：C,D,E18、單選（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動(dòng)擋板和底盤(pán)構(gòu)成。A.真空鍍膜機(jī)B.真空鍍膜室C.真空鍍膜

27、器D.真空鍍膜儀答案：B19、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有（）。A.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E20、單選（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C.核心D.核團(tuán)答案：A21、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硫C.硼D.磷答案：C22、單選涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。A.后烘B.去水烘烤C.軟烤D.烘烤答案：C23、單選在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體A.柵氧化層B.溝槽C.勢(shì)壘D.場(chǎng)氧化層答案：D24、單選危害半導(dǎo)

28、體工藝的典型金屬雜質(zhì)是（）。A.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B25、單選奉獻(xiàn)社會(huì)的實(shí)質(zhì)是（）。A.獲得社會(huì)的好評(píng)B.盡社會(huì)義務(wù)C.不要回報(bào)的付出D.為人民服務(wù)答案：C26、多選按曝光的光源分類，曝光可以分為（）。A.光學(xué)曝光B.離子束曝光C.接近式曝光D.電子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D27、單選大硅片上生長(zhǎng)的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。A.薄膜厚度B.圖形寬度C.圖形長(zhǎng)度D.圖形間隔答案：A28、多選光刻膠主要由（）等不同材料混合而成的。A.樹(shù)脂B.感光劑C.HMDSD.溶劑E.PMMA答案：A,B,D29、單選局域網(wǎng)中使用

29、中繼器的作用是（）。A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形答案：D30、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。A.使薄膜的介電常數(shù)變大B.可能引入雜質(zhì)C.可能使薄膜層間短路D.使薄膜介電常數(shù)變小E.可能使薄膜厚度增加答案：B,C31、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。A.加強(qiáng)工藝操作B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備D.采用HCl氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無(wú)水跡答案：A,B,C,D,E32、多選（）專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片

30、或底材的材質(zhì)。A.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D33、單選下面那一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗（）。A.薄膜沉積B.薄膜成長(zhǎng)C.蒸發(fā)D.濺射答案：B34、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的（）。A.11.8倍B.1.31.8倍C.1.32.1倍D.1.52.3倍答案：C35、單選離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過(guò)一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負(fù)C.中性D.以上答案都可以答案：A36、單選靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為（）。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C37、單選早期，研究離子注入技術(shù)是用（）來(lái)進(jìn)行的。A.重離子加速器B.熱擴(kuò)

31、散爐C.質(zhì)子分析儀D.輕離子分析器答案：A38、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。A.150200B.200左右C.250左右D.300左右答案：A39、單選晶體中，每個(gè)原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時(shí)其勢(shì)能為（）。A.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動(dòng)能答案：B40、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。A.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B41、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，下列說(shuō)法正確的是（）。A.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率不會(huì)降低D.正

32、膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低答案：A,C,E42、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。A.10501200B.9001050C.11001250D.12001350答案：A43、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽(yáng)樹(shù)脂和陰樹(shù)脂分別裝在兩個(gè)（）內(nèi)串接起來(lái)。A.交換柱B.混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A44、單選不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。A.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D45、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。A.600750B.9

33、001050C.11001250D.9501100答案：B46、多選真空鍍膜室是由（）幾部分組成。A.鐘罩B.蒸氣源加熱器C.襯底加熱器D.活動(dòng)擋板E.底盤(pán)答案：A,B,C,D,E47、單選硅烷的分子式是（）。A.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B48、多選濺射的方法非常多其中包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C.反應(yīng)濺射D.二級(jí)濺射E.三級(jí)濺射答案：A,B,C,D,E49、單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。A.粒子的擴(kuò)散B.化學(xué)反應(yīng)C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送D.被表面吸附答案：A50、多選下列組

34、合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕后者（）。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金屬C.單晶硅多晶硅D.鋁銅E.鋁硅答案：A,E51、單選用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。A.ARCB.HMDSC.正膠D.負(fù)膠答案：C52、多選沾污是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學(xué)性能E.外觀答案：B,D53、單選（）是通過(guò)把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。A.蒸鍍B.濺射C.離子注入D.CVD答案：A54、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。

35、A.鈉B.鉀C.氫D.硼答案：A55、單選擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C56、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說(shuō)法正確的是（）。A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300左右D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好答案：B57、單選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是（）。A.化學(xué)增強(qiáng)B.化學(xué)減弱C.厚度增加D.厚度減少答案：A58、多選靜電釋放帶來(lái)的問(wèn)題有哪些（）。A.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過(guò)1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面答案：C,D,E59、單選在

36、半導(dǎo)體器件制造中，對(duì)清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過(guò)純化的（）作為清潔用水。A.蒸餾水B.自來(lái)水C.去離子水D.礦泉水答案：C60、單選pointdefect的意思是（）。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點(diǎn)答案：A61、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。A.增大B.減小C.不變D.變?yōu)?答案：B62、單選干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個(gè)大氣壓。A.稍高于B.大大于C.等于D.沒(méi)有要求答案：A63、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。A.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)D.大尺寸E.低缺陷答案：A,B,C,D,E64、單選（）

37、主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC.濺射D.蒸發(fā)答案：B65、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為（）。A.510nmB.2030nmC.5080nmD.100200nm答案：B66、單選刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C67、單選TCP/IP協(xié)議中的TCP相當(dāng)于OSI中的（）。A.應(yīng)用層B.網(wǎng)絡(luò)層C.物理層D.傳輸層答案：D68、多選光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過(guò)（）來(lái)完成的。A.紅外線輻射B.X

38、射線照射C.加熱D.紫外光輻射E.電子束掃描答案：C,D69、多選有關(guān)光刻膠的顯影下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小B.正膠受顯影液的影響比較小C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形答案：A,C,D70、單選陽(yáng)樹(shù)脂用鹽酸做再生液，濃度為（）溶液可用原水配制。A.5B.10%C.15%D.20%答案：B71、單選二氧化硅生長(zhǎng)過(guò)程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。A.降低B.增加C.不變D.先降低后增加答案：A72、單選離子源產(chǎn)生的離子在（）的加速電場(chǎng)作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D

39、.偏轉(zhuǎn)器答案：C73、單選我們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和（）測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。A.橫向電阻B.平均電阻率C.薄層電阻D.擴(kuò)展電阻答案：C74、單選當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)C.氧的擴(kuò)散速率D.壓力答案：B75、多選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點(diǎn)在于（）。A.CA光刻膠對(duì)深紫外光吸收小B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學(xué)轉(zhuǎn)化C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強(qiáng)D.有較高的光敏度E.有較高的對(duì)比度答案：A,B,C,D,E76、單選下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。A.干氧氧化B.

40、濕氧氧化C.水汽氧化D.與氧化方法無(wú)關(guān)答案：A77、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B78、多選在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。A.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E79、單選下列材料中電阻率最低的是（）。A.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：D80、單選Torr是指（）的單位。A.真空度B.磁場(chǎng)強(qiáng)度C.體積D.溫度答案：A81、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄

41、的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A82、多選在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。A.MOS柵極B.保護(hù)性元件C.電容器極板D.制造只讀存儲(chǔ)器PROME.晶圓背面電鍍答案：B,D83、單選在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測(cè)量可以用（）測(cè)量。A.SIMS技術(shù)B.擴(kuò)展電阻技術(shù)C.微分電導(dǎo)率技術(shù)D.四探針技術(shù)答案：D84、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B85、單選單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介

42、物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻膠D.多晶硅答案：B86、單選當(dāng)二氧化硅膜很薄時(shí)，膜厚與時(shí)間（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C87、單選下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：（）。A.NaB.BC.PD.As答案：A88、單選在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于（）。A.推擠擴(kuò)散B.雜質(zhì)擴(kuò)散C.填隙擴(kuò)散D.自擴(kuò)散答案：D89、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為（）。A.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D90、單選買來(lái)的新樹(shù)脂往往是Na型或Cl型，新樹(shù)脂使用前必須分別用酸（陽(yáng)樹(shù)脂），堿（陰樹(shù)脂）浸泡約（）個(gè)小時(shí)，把Na型或Cl型轉(zhuǎn)換成H型或OH型。A

43、.3B.4C.5D.6答案：B91、多選在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。A.均勻性B.表面平整度C.自由應(yīng)力D.純凈度E.電容答案：A,B,C,D,E92、單選離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè)離子密度較（）的等離子體。A.低B.高C.均勻D.不均勻答案：A93、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9001050的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C94、單選刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。A.選

44、擇性B.均勻性C.輪廓D.刻蝕圖案答案：B95、多選（）的方法有利于減少熱預(yù)算。A.高壓氧化B.濕氧氧化C.摻氯氧化D.氫氧合成氧化E.等離子增強(qiáng)氧化答案：A,E96、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C97、單選分析器是一種（）分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C98、多選樹(shù)脂使用過(guò)程中需保持一定溫度，陽(yáng)樹(shù)脂和陰樹(shù)脂分別不能高于（）度，使用溫度不能過(guò)低，低于0度會(huì)使樹(shù)脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C99、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。A.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子

45、注入E.雙注入答案：A,D,E100、單選金相學(xué)的研磨之所以會(huì)在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制程中（）。A.氧化鉻磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨墊C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法D.無(wú)法必免的機(jī)械損耗答案：B集成電路制造工藝員（三級(jí)）測(cè)試題1、單選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是（）。A.化學(xué)增強(qiáng)B.化學(xué)減弱C.厚度增加D.厚度減少答案：A2、單選干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子B.氧化的速度慢C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差答案：B3、單選晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的（

46、）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C.柵氧化層D.場(chǎng)氧化層答案：C4、多選下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大?。海ǎ?。A.注入離子的質(zhì)量B.靶的種類C.注入溫度D.注入速度E.注入劑量答案：A,B,C,D5、單選為了保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作，27.5A的接地電流只能保證斷開(kāi)動(dòng)作電流不超過(guò)多少的繼電保護(hù)裝置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A6、單選用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。A.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C7、多選在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在

47、（）。A.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E8、單選局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是（）。A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形答案：D9、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。A.600750B.9001050C.11001250D.9501100答案：B10、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C11、單選（）是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。A.LPCVD

48、B.PECVDC.CVDD.PVD答案：D12、多選半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)（）。A.氧化B.改變導(dǎo)電類型C.涂層D.改變材料性質(zhì)E.鍍膜答案：B,D13、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。A.150200B.200左右C.250左右D.300左右答案：A14、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。A.鈉B.鉀C.氫D.硼答案：A15、單選射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度稱之為（）。A.投影射程B.射程縱向分量C.射程橫向分量D.有效射程答案：C16、單選thermalconductivitygauge的意思是（）。A.離子計(jì)B.熱傳導(dǎo)真

49、空計(jì)C.放電型真空計(jì)D.麥克勞式真空計(jì)答案：B17、多選下列擴(kuò)散雜質(zhì)源中，（）不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是鍺常用的施主雜質(zhì)。A.硼B(yǎng).錫C.銻D.磷E.砷答案：C,D18、單選（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C19、單選當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)C.氧的擴(kuò)散速率D.壓力答案：B20、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B21、多選（）專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。A.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D22、單選擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C23、單選離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè)離子密度較（）的等離子體。A.低B.高C.均勻D.不均勻答案：A24、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9501100的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C25、