第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展概述

1、 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展概述 一、 第三代半導(dǎo)體是“十四五”重要發(fā)展方向據(jù)國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員介紹，國(guó)家 2030 計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。從下游應(yīng)用、技術(shù)差距、工藝要求分析，第三代半導(dǎo)體有望成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍先鋒。（1）第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用切中“新基建”中 5G 基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵交主要領(lǐng)域。以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體材料與第一、二代半導(dǎo)體材料Si、GaAs 不同，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，在 5G、新能源汽車、消費(fèi)電子、新一代顯示、航空航天

2、等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。由于成本較高，SiC 的應(yīng)用主要集中在工業(yè)和汽車領(lǐng)域，如高端電源、太陽能逆變器和 UP S，SiC 在高功率領(lǐng)域具備較好的表現(xiàn)，因此在電動(dòng)汽車將是主要發(fā)展領(lǐng)域。GaN 由于其優(yōu)異的高頻性能，未來在射頻領(lǐng)域具備良好的發(fā)展空間。據(jù) Omdia測(cè)算，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體銷售收入預(yù)計(jì)將從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020年底的 8.54 億美元，至 2029 年底或超 50 億美元，未來十年將保持年均兩位數(shù)增速。（2）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品主要使用成熟制程工藝，國(guó)內(nèi)廠商起步與國(guó)外廠商相差不多，有希望實(shí)現(xiàn)技術(shù)上的追趕。在第一代及第二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展上，我國(guó)起步

3、時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于其他國(guó)家，導(dǎo)致在材料上處處受制于人。第三代半導(dǎo)體處于發(fā)展初期，根據(jù)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院以及 Yole 數(shù)據(jù)，2019 年第三代半導(dǎo)體 SiC 以及 GaN 的滲透率合計(jì)約為 1.77%，預(yù)計(jì) 2023 年可以提升至 4.75%左右。在美國(guó)對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)封鎖持續(xù)升級(jí)的大環(huán)境中，第三代半導(dǎo)體有望成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍先鋒，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將充分受益。二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分類及規(guī)模按照產(chǎn)品功能劃分，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包括集成電路 、光電器件、分立器件、傳感器四類。據(jù) WSTS 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2019 年這四種產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模分別為 3334 億美元、416 億美元、239 億美元和 135 億

4、美元，占比分別為 81%、10%、6%和 3%。常說的“芯片”有廣義和狹義之分，廣義芯片包括集成電路、傳感器、分立器件、光電器件產(chǎn)品，狹義芯片單指集成電路。對(duì)四種半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)一步定義。1.分立器件：具有單一功能的電路元器件，如二極管、晶體管、電阻、電容等。2.光電器件：利用半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器等，如光導(dǎo)管、 光電池、光電二極管等。3.半導(dǎo)體傳感器：利用半導(dǎo)體材料特性制成的傳感器，如光傳感器、溫度傳感器、 壓力傳感器等。4.集成電路：把基本電路元器件制作在晶片上然后封裝起來，形成具有一定功能的 單元。按照不同的處理信號(hào)分類，可以分為處理模擬信號(hào)的模擬芯片，及處理數(shù)字信號(hào)的

5、數(shù)字芯片。按照產(chǎn)品種類，集成電路可分為邏輯芯片 、存儲(chǔ)芯片、處理器芯片和模擬芯片四種，其中邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片和處理器芯片為數(shù)字芯片。根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，2019 年這四種集成電路芯片的市場(chǎng)規(guī)模分別為 1065 億美元、1064 億美元、664 億美元和 539 億美元，占比分別為 32%、32%、20%和 16%。我國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求巨大，行業(yè)發(fā)展迅速，但自給率較低，企業(yè)規(guī)模偏小。依托龐大的中國(guó)終端應(yīng)用市場(chǎng)需求，中國(guó)大陸集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2014 年中國(guó)大陸集成電路產(chǎn)業(yè)的銷售規(guī)模為 3015.4 億元，2019 年銷售規(guī)模為7,562.3 億元，同比增長(zhǎng) 15.

6、78%，2014-2019 年的 CAGR 為 20.19%，發(fā)展迅速。全球十大半導(dǎo)體公司中六家為美國(guó)企業(yè)，兩家為韓國(guó)企業(yè)，一家為中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)，中國(guó)大陸僅華為海思營(yíng)收規(guī)模位列第十名。進(jìn)出口數(shù)據(jù)表明我國(guó)集成電路國(guó)內(nèi)自給率較低，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。據(jù)中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019 年我國(guó)芯片的進(jìn)口金額為 3040 億美元，出口額 1017 億美元，貿(mào)易逆差超過 2000 億美元，自給率較低。據(jù) 2020 年 8 月 4 日國(guó)務(wù)院發(fā)布的新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策，目標(biāo)到 2025 年芯片自給率由目前的 30%提高至 70%，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。三、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈概覽半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游為

7、支撐業(yè)材料和設(shè)備；中游是半導(dǎo)體生產(chǎn)的三道工序設(shè)計(jì)、制造以及封測(cè)；下游是各種終端產(chǎn)品，如通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)等。集成電路制造三大工序中，技術(shù)門檻從高到低依次為制造/設(shè)備設(shè)計(jì)封測(cè)，我國(guó)晶 圓制造和芯片設(shè)計(jì)行業(yè)銷售額增長(zhǎng)較快。2019 年芯片設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入為 3,063.50 億元，同比增長(zhǎng) 21.60%；晶圓制造業(yè)銷售收入為 2,149.10 億元，同比增長(zhǎng) 18.20%；封裝測(cè)試業(yè)銷售收入為 2,349.70 億元，同比增長(zhǎng) 7.10%。隨著近年來中國(guó)一批 12 英寸和 8 英寸晶圓制造生產(chǎn)線投產(chǎn)，且國(guó)內(nèi)外芯片設(shè)計(jì)業(yè)蓬勃發(fā)展，大陸晶圓制造行業(yè)增長(zhǎng)較快。（一）IC 設(shè)計(jì)IC 設(shè)計(jì)即按照功

8、能要求設(shè)計(jì)出所需要的電路圖，最終的輸出結(jié)果是掩膜版圖，是創(chuàng)新密集型的輕資產(chǎn)行業(yè)，由于沒有工廠 Fab，也被稱為 Fabless。除華為海思之外，我國(guó) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)分散較廣，規(guī)模普遍較小。按營(yíng)收規(guī)模排名，海思處于全球第 4-5 名。我國(guó) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)細(xì)分領(lǐng)域具備亮點(diǎn)，核心關(guān)鍵領(lǐng)域設(shè)計(jì)能力不足。從應(yīng)用類別(如手機(jī)、汽車等)到芯片項(xiàng)目(如處理器、FPGA 等)，國(guó)內(nèi)在高端關(guān)鍵芯片自給率幾近為 0，仍高度仰賴美國(guó)企業(yè)。借鑒美國(guó)發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，定位不同賽道的龍頭公司發(fā)展速度各不相同。如定位手機(jī)處理 器芯片和射頻芯片的高通、Skyworks 過去十年分別取得了 1.5 倍和 9.3 倍的增長(zhǎng)；定位通訊芯片的

9、博通取得 19.2 倍增長(zhǎng)；定位存儲(chǔ)芯片的美光取得 3.7 倍增長(zhǎng)；定位 FPGA，模擬芯片的賽靈思獲得 3.6 倍增長(zhǎng)。IC 龍頭公司需要精選賽道，我國(guó)功率半導(dǎo)體、模擬器件以及 Wi-Fi、指紋識(shí)別、音頻等消費(fèi)類芯片領(lǐng)域，更有希望在下游快速發(fā)展的過程中享受國(guó)產(chǎn)替代和市場(chǎng)發(fā)展的雙重紅利。IC 設(shè)計(jì)公司中，關(guān)注 5G 帶來的手機(jī)主芯片及射頻芯片增量、ALOT 中智能音頻市場(chǎng)爆發(fā)，以及華為被迫去 A 化帶來的投資機(jī)會(huì)。各賽道龍頭包括（1）功率半導(dǎo)體：聞泰科技、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能；（2）模擬芯片：圣邦股份、思瑞浦；（3）射頻：卓勝微；（4）WIFI/藍(lán)牙：樂鑫科技、恒玄科技；（5）生物識(shí)別：匯頂科技；

10、（6）CIS:韋爾股份；（7）存儲(chǔ)芯片：兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技。（二）IC 制造IC 制造將設(shè)計(jì)好的電路圖轉(zhuǎn)移到硅片等襯底材料上，輸出結(jié)果為含有芯片的晶圓。制造工藝流程包括單晶硅片制造、前道工藝以及后道工藝，步驟繁雜，少則幾百步，多則上千步，時(shí)長(zhǎng)以月為單位。半導(dǎo)體代工廠通常有三大衡量指標(biāo)：（1）先進(jìn)制程，即芯片內(nèi)部的晶體管的柵長(zhǎng)。工藝制程反應(yīng)半導(dǎo)體制造技術(shù)先進(jìn)性，目前能夠量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是臺(tái)積電的 5nm，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體代工廠最先進(jìn)的是中芯國(guó)際的 14nm。（2）晶圓尺寸，生產(chǎn)功率半導(dǎo)體主要使用 6 英寸和 8 英寸硅片，微控制器使用 8 英寸硅片，邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片則需要 12 英寸硅片，

11、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)需求的變化，目前硅片正向大尺寸趨勢(shì)發(fā)展。（3）產(chǎn)能，通常半導(dǎo)體制造廠商不會(huì)輕易擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能在 1 年左右的短期內(nèi)是穩(wěn)定的，當(dāng)半導(dǎo)體景氣度來臨，產(chǎn)能決定公司的收入。晶圓代工行業(yè)呈明顯的寡頭壟斷特征。由于技術(shù)、資本和人才密集，市場(chǎng)集中度較高。根據(jù) ICInsights 統(tǒng)計(jì)，20Q1 前十大純晶圓代工廠商占全球市場(chǎng) 97%的市場(chǎng)份額，前五大廠商（臺(tái)積電、三星、格羅方德、聯(lián)華電子、中芯國(guó)際）占全球市場(chǎng) 90%的市場(chǎng)份額。（1）技術(shù)方面，掌握先進(jìn)制程才能獲得高市場(chǎng)份額和高毛利。晶圓代工市場(chǎng)共 700億美元市場(chǎng)規(guī)模，其中先進(jìn)制程占據(jù) 30%，客戶產(chǎn)品隨技術(shù)進(jìn)步整體遷移，掌握最先進(jìn)

12、制程者才能掌握最先進(jìn)客戶獲得高毛利。（2）資本投入方面，由于制造產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)高投入，資本開支的 80 %用于購(gòu)買設(shè)備，且每代節(jié)點(diǎn)的資本投入增速為 30%，因而玩家數(shù)量逐步減少。以臺(tái)積電為例，150億美元 Capex 中，約 120 億美元用于采購(gòu)先進(jìn)工藝設(shè)備。聯(lián)華電子、格芯在 14nm 節(jié)點(diǎn)退出后，10nm 以下玩家只剩下臺(tái)積電、英特爾、三星，以及追趕中的中芯國(guó)際。我國(guó) IC 制造的挑戰(zhàn)和不確定性在于先進(jìn)制程，成熟制程以及存儲(chǔ)器企業(yè)的國(guó)產(chǎn)化已取得一 定成績(jī)。（1）邏輯芯片方面 ，先進(jìn)制程中芯國(guó)際的 14nm 新產(chǎn)能正在有序推進(jìn)，與臺(tái)積電代差逐步縮?。怀墒熘瞥讨斜本┭鄸|、上海積塔、廣東粵芯等新產(chǎn)

13、能擴(kuò)張能夠?qū)Ξa(chǎn)業(yè)鏈形成有效拉動(dòng)。目前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境對(duì)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和崛起形成挑戰(zhàn)和阻撓，短期確實(shí)有較大不確定性，但中長(zhǎng)期看本土半導(dǎo)體企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)追趕的步伐依舊堅(jiān)定。（2）存儲(chǔ)器企業(yè)方面，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等為主的存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)能布局已達(dá)到海外大廠水平。合肥長(zhǎng)鑫作為 DRAM 國(guó)產(chǎn)替代龍頭，1xnmDDR4 產(chǎn)品已上市銷售，與國(guó)際領(lǐng)先水平僅相差一代；長(zhǎng)江存儲(chǔ)為 NANDFlash 國(guó)產(chǎn)替代龍頭，64 層產(chǎn)品已出貨，128 層 NANDFlash 有望突破，將達(dá)到國(guó)際水平。（三）IC 封裝測(cè)試封裝測(cè)試即在完成測(cè)試后，將從硅片或其他襯底上切割出來并裝配到最終電路管殼中，引入接線端子，并引入絕緣介質(zhì)固

14、定保護(hù)，輸出產(chǎn)品可直接裝配到電子設(shè)備上，形成一體化結(jié)構(gòu)，工藝流程為測(cè)試-切割-粘接-焊接-模封。封裝測(cè)試是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)展最成熟的環(huán)節(jié)，最先有望實(shí)現(xiàn)自主可控的領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)技術(shù)已步入第一梯隊(duì)，未來發(fā)展趨勢(shì)是先進(jìn)封測(cè)與制造端相融合。中國(guó)臺(tái)灣的日月光和矽品長(zhǎng)期位于行業(yè)第一和第三，第二名為美國(guó)安靠。中國(guó)大陸的長(zhǎng)電科技于 2015年收購(gòu)新加坡的星科金朋后，排名進(jìn)入行業(yè)第三。國(guó)內(nèi)前三大封裝測(cè)試廠為長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技。短期貿(mào)易摩擦可能帶來業(yè)績(jī)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，長(zhǎng)期封測(cè)龍頭企業(yè)有望在 5G 及國(guó)產(chǎn)替代下受益。（1）長(zhǎng)電科技：通過收購(gòu)星科金朋，獲得 SiP、WL P、FC+Bumping 能力以及扇出型封

15、裝技術(shù)，技術(shù)達(dá)到國(guó)際一流水平，在先進(jìn)制程+先進(jìn)封裝融合的趨勢(shì)下，將與中芯國(guó)際展開協(xié)同，定增加碼封測(cè)技術(shù)投入，20H1 業(yè)績(jī)超預(yù)期。（2）通富微電：AMD 合作封裝測(cè)試廠，擁有 WLP、FlipChip等先進(jìn)封裝技術(shù)，業(yè)績(jī)將充分受益 AMD 的新品放量。（3）華天科技：三大工廠昆山、西安、天水廠覆蓋高中低端封裝，CMOS 圖像傳感器等 CMOS 圖像傳感器封裝短期增量較大。第二梯隊(duì)可關(guān)注晶方科技、太極實(shí)業(yè)。晶方科技是國(guó)內(nèi)最早擁有 WLP 封測(cè)能力廠商，專注 CMOS 圖像傳感器等產(chǎn)品封裝，將充分受益圖像傳感器放量。太極實(shí)業(yè)與 SK 海力士成立合資公司海立半導(dǎo)體，專注于存儲(chǔ)器封測(cè)，子公司太極半導(dǎo)體

16、擁有自主存儲(chǔ)器封測(cè)技術(shù)能力。（四）半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通常可分為硅片制造、前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測(cè)試）三大類。晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體的 70%以上，是制造 IC的關(guān)鍵。七大工藝步驟（氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、清洗與拋光、金屬化），對(duì)應(yīng)專用設(shè)備包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。其中光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備為核心設(shè)備，分別占晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備成本的 24%、10%、18%。另外封裝及組裝設(shè)備約占 10%，測(cè)試設(shè)備約占 8%，其他設(shè)備約占 5-10%。半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)景氣狀

17、況緊密相關(guān)，下游市場(chǎng)需求帶動(dòng)設(shè)備規(guī)模持續(xù)增 長(zhǎng)。據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為 597.5 億美元，其中中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為 134.5 億美元，占比 23%。據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，2020 年全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的出貨金額受到新冠肺炎的影響，同比下滑 4%，預(yù)計(jì) 2021 年同比增長(zhǎng) 24%，增至 677億美元（約人民幣 4,739 億元）。根據(jù) Gartner 預(yù)計(jì)，半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 2024 年將增長(zhǎng)至 602.14 億美元。2020 年-2024 年 CAGR 為 6.27%。未來隨著下游 5G 通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信等行業(yè)需求的穩(wěn)步增長(zhǎng)，以及

18、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子、智能手機(jī)、智能穿戴、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)面臨著新型芯片或先進(jìn)工藝的產(chǎn)能擴(kuò)張需求，為半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)帶來廣闊的市場(chǎng)空間。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)集中度較高，主要核心設(shè)備領(lǐng)域由歐、美、日廠商主導(dǎo)。2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商 CR5 達(dá)到 78%，CR10 達(dá)到 92%。光刻設(shè)備、顯影設(shè)備、清洗設(shè)備、異物檢查設(shè)備、缺陷檢查設(shè)備幾乎為“一超多強(qiáng)”的模式；光掩膜檢查設(shè)備、CVD設(shè)備、熱處理設(shè)備、CMP 設(shè)備、單片式清洗設(shè)備為“二超多強(qiáng)”的模式；干蝕設(shè)備幾乎為“三超一強(qiáng)”的模式。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備自給率低，需求缺口較大，當(dāng)前中端設(shè)備領(lǐng)域初步形成產(chǎn)

19、業(yè)鏈成套布局，但高端制程/產(chǎn)品仍需攻克，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存。中國(guó)本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商只占全球份額的 1-2%，在關(guān)鍵領(lǐng)域如沉積、刻蝕、離子注入、檢測(cè)等，仍高度仰賴美國(guó)企業(yè)。中國(guó)雖然在力推半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，但尖端生產(chǎn)設(shè)備的研發(fā)需要相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間。（1）高端光刻機(jī)市場(chǎng)差距較大。荷蘭公司 ASML 壟斷高端光科技市場(chǎng)，占據(jù)全球近 80%的市場(chǎng)份額，日本的尼康、佳能以及美國(guó)的 Ultratech 緊隨其后。中國(guó)企業(yè)上海微電子、中子科技等公司已實(shí)現(xiàn)了光刻機(jī)的量產(chǎn)，但在最先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域仍然與國(guó)際巨頭有較大差距。（2）中國(guó)企業(yè)的刻蝕設(shè)備生產(chǎn)技術(shù)已逐漸達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。刻蝕主要可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，市場(chǎng)上 90

20、%以上的廠家采取干法刻蝕。在干法刻蝕中的等離子刻蝕領(lǐng)域，美國(guó)的泛林集團(tuán)市場(chǎng)份額位列第一，美國(guó)的 AMAT、日本的東京電子也是刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。中國(guó)企業(yè)中微半導(dǎo)體的 7nm 刻蝕機(jī)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，5nm 刻蝕機(jī)已通過驗(yàn)證。（3）薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)廠商市場(chǎng)地位逐步提高。美國(guó)應(yīng)用材料股份有限公司(AMAT)是全球最大的半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備的提供商，在 CVD 和 PVD 設(shè)備領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。中國(guó)企業(yè)包括北方華創(chuàng)和沈陽拓荊等公司，目前仍在對(duì)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行積極突破，技術(shù)水平較歐美先進(jìn)水平有一定差距，但已基本實(shí)現(xiàn) 28nm 制程的生產(chǎn)能力，市場(chǎng)地位逐步提高。半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域關(guān)注兩條主線：（1）重點(diǎn)關(guān)注成熟

21、的一線設(shè)備，包括北方華創(chuàng)、中微公司、盛美股份（擬科創(chuàng)板上 市）、華峰測(cè)控；（2）關(guān)注新進(jìn)設(shè)備企業(yè)，包括檢測(cè)、清洗、鍍膜、長(zhǎng)晶設(shè)備領(lǐng)域，上市企業(yè)包括晶 盛機(jī)電、精測(cè)電子、至純科技等。（五）半導(dǎo)體材料根據(jù)半導(dǎo)體芯片制造過程，一般可以將半導(dǎo)體材料分為基體、制造、封裝三大類：其中基體材料包括硅晶圓、硅基材以及化合物半導(dǎo)體；制造材料包括光刻膠、拋光材料、掩模版、特種氣體等；封裝材料包括鍵合絲、陶瓷封裝材料、芯片粘結(jié)材料等。其中硅晶圓、掩模版、電子氣體占據(jù)市場(chǎng)份額較大。中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)增速最快，為全球第三大市場(chǎng)。據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2019 年全球半導(dǎo)體材料銷售額約為 521.1 億美元，同比下降1

22、.1%，中國(guó)大陸銷售額 113.4 億美元，占全球 21.8%，同比逆勢(shì)上漲 1.9%。各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代能力從高到低大致排序?yàn)椋焊呒兓瘜W(xué)品，靶材，特種氣體，拋光液，研磨墊，大硅片，光刻膠。細(xì)分領(lǐng)域中，我國(guó)靶材領(lǐng)域已經(jīng)比肩國(guó)際水平，但在光刻膠等高端領(lǐng)域仍需較長(zhǎng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。在晶圓產(chǎn)線向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)下，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商有望享受市場(chǎng)規(guī)模增加疊加市場(chǎng)份額提升的雙重紅利。中短期主要關(guān)注國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程較快的領(lǐng)域如電子特氣、濕電子化學(xué)品、靶材、CM P 拋光液等，中長(zhǎng)期關(guān)注高端光刻膠、晶圓材料、CMP 拋光墊等 領(lǐng)域。四、粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及投資方向（一）粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備良好的發(fā)展機(jī)遇粵港

23、澳大灣區(qū)具備全面的芯片市場(chǎng)需求。中國(guó)芯片需求占全球 60%，其中 60%來自于粵港澳大灣區(qū)，芯片需求覆蓋了從消費(fèi)電子到工業(yè)控制、家電和裝備制造、汽車電子等各個(gè)產(chǎn)業(yè)。廣東是我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)第一大省，終端需求龐大。2019 年全國(guó)集成電路產(chǎn)量為 2018.21 億塊，同比增長(zhǎng) 7.2%，廣東省集成電路產(chǎn)量 363.24 億塊，同比增長(zhǎng) 20.76%，占全國(guó)集成電路產(chǎn)量的 18%。2019 年廣東的集成電路產(chǎn)業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入超過 1200 億元，其中集成電路設(shè)計(jì)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超過 1000 億元，設(shè)計(jì)業(yè)營(yíng)業(yè)收入全國(guó)第一，擁有廣州和深圳兩個(gè)國(guó)家級(jí)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地，基本形成以廣州、深圳、珠海為核心，帶動(dòng)佛山

24、、東莞、中山、惠州等地協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)格局?；浉郯拇鬄硡^(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的政策支持力度不斷加大，產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境不斷完善。近 幾年粵港澳大灣區(qū)陸續(xù)出臺(tái)集成電路相關(guān)支持政策。據(jù)深圳深圳市進(jìn)一步推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2019-2023 年），目標(biāo)到 2023 年，集成電路產(chǎn)業(yè)整體銷售收入突破 2000 億元，設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入突破 1600 億元，制造業(yè)及相關(guān)環(huán)節(jié)銷售收入達(dá)到 400億元。引進(jìn)和培育 10 家銷售收入 20 億元以上的骨干企業(yè)。2019 年初，廣州市引發(fā)廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的若干措施，10 月 9 日，廣東省印發(fā)廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2021-202

25、5 年），目標(biāo)到 2025 年，半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)的年主營(yíng)業(yè)務(wù)收入突破 4000 億元，年均增長(zhǎng)超過 2 0%。（二）粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局廣深珠港澳已初步形成了各自在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢(shì)。廣州的優(yōu)勢(shì)在應(yīng)用和制造；深圳、珠海強(qiáng)在產(chǎn)品和設(shè)計(jì)；澳門的科研水平世界領(lǐng)先；香港在知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)上擁有國(guó)際經(jīng)驗(yàn)。深圳的 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)較強(qiáng)，IC 制造和 IC 封測(cè)行業(yè)則相對(duì)薄弱。2018 年中國(guó)十大 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)（海思半導(dǎo)體、紫光展銳、豪威科技、北京智芯微、華大半導(dǎo)體、中興微電子、匯頂科技、士蘭微、北京矽成、格科微）中深圳企業(yè)就有 4 家（海思、華 大、中興、匯頂）。東莞在集成電路領(lǐng)域擁有龐大的需求市場(chǎng)

26、。松山湖作為東莞市 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)的集聚地，目前已經(jīng)入駐多家 IC 產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，已形成在細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)帶動(dòng)下，一批有潛力的初創(chuàng)企業(yè)共同推動(dòng)園區(qū)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)格局，產(chǎn)業(yè)氛圍日漸濃厚。廣州及周邊地區(qū)已成為國(guó)內(nèi)集成電路最大的集散地和消耗地，擁有興森快捷、安捷利、風(fēng)華芯電、新星微電子、豐江微電子等一批封裝測(cè)試企業(yè)，其中廣州開發(fā)區(qū)擁有政策大力扶持的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園區(qū)和中新知識(shí)城，所在的黃埔區(qū)擁有廣州 60 家集成電路企業(yè)中的 35 家（2018 年廣州市工信局企業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)）以及廣州國(guó)芯芯片項(xiàng)目。隨著2019 年粵芯半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)首座 IDM12 吋芯片廠量產(chǎn)，大灣區(qū)半導(dǎo)體“一日集成電路產(chǎn)業(yè)圈”已初

27、現(xiàn)雛形。珠海在上世紀(jì) 90 年代是廣東集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境最好的城市，近些年隨著珠海產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境不斷弱化，產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)逐漸減弱。2018 年珠海集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 60 億元，產(chǎn)業(yè)規(guī)模居珠三角第二位，居全國(guó)第八位。當(dāng)前，珠海正積極攜手澳門，促進(jìn)澳門產(chǎn)業(yè)多元發(fā)展，努力集聚形成集成電路、生物醫(yī)藥、新材料、新能源、高端打印設(shè)備等5 個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群，加快打造澳珠發(fā)展極。香港集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程其主要經(jīng)歷了 IC 封裝制造、分銷增值服務(wù)和 IC 設(shè)計(jì)三個(gè)階段。由于其知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的監(jiān)管力度較強(qiáng)，在物流、資金、信息交流方面具備優(yōu)勢(shì)，且大學(xué)的科研水平名列前茅，未來發(fā)展將以分銷渠道為主，設(shè)計(jì)業(yè)也將迎來巨大發(fā)

28、展勢(shì)頭。根據(jù)廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2021-2025 年），目前大灣區(qū)存在的問題主要在設(shè)計(jì)和制造兩方面，設(shè)計(jì)企業(yè)規(guī)模偏小，高水平設(shè)計(jì)能力不足；制造環(huán)節(jié)短板明顯，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的 12 英寸晶圓線僅粵芯半導(dǎo)體 1 條。另外，人才供求矛盾突出，產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)外依存度高。因此在發(fā)展思路上，在當(dāng)前國(guó)際技術(shù)封鎖及國(guó)內(nèi)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，廣東應(yīng)充分利用終端需求市場(chǎng)規(guī)模大的優(yōu)勢(shì)，做大做強(qiáng)設(shè)計(jì)業(yè)，鞏固設(shè)計(jì)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并爭(zhēng)取在 EDA 軟件上實(shí)現(xiàn)突破，重點(diǎn)發(fā)展模擬芯片、功率器件和第三代半導(dǎo)體器件等，大力引進(jìn)和培育封測(cè)、設(shè)備、材料等領(lǐng)域龍頭企業(yè)，加快補(bǔ)齊制造業(yè)短板。鑒于長(zhǎng)三角等地在先

29、進(jìn)制程和存儲(chǔ)芯片制造、封裝測(cè)試等已形成優(yōu)勢(shì)，廣東應(yīng)重點(diǎn)在特色工藝制程和已有一定基礎(chǔ)的功率器件、第三代半導(dǎo)體方面發(fā)力。（三）“十四五”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要的投資方向1、功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈功率半導(dǎo)體器件處于現(xiàn)代電力電子變換器的核心地位，受益于下游需求、國(guó)產(chǎn)替代，以及細(xì)分市場(chǎng)的高增速，國(guó)內(nèi)功率產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先公司盈利有望快速提升。（1）功率半導(dǎo)體下游需求快速增長(zhǎng)，全球市場(chǎng)規(guī)模增速約 5 %。功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電網(wǎng)的發(fā)電端、傳輸端和用電端。發(fā)電端方面，新能源發(fā)電的興起對(duì)電能轉(zhuǎn)換需求更大，功率半導(dǎo)體可用作 AC/DC、DC/AC 轉(zhuǎn)換器，輸出穩(wěn)定高質(zhì)電能到電網(wǎng)；用電端方面，新能源電動(dòng)車帶來巨大增量市場(chǎng)；另外物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、工業(yè)自動(dòng)化、用電設(shè)備的升級(jí)、快充興起等也為市場(chǎng)整體貢獻(xiàn)了顯著增量。根據(jù) Omida 預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望從 2020 年的 430 億美元增長(zhǎng)至 2024 年的 520 億美元以上，CAGR 約為5%。（2）功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代空間大、難度相對(duì)較低，頭部廠商充分受益。根據(jù) IHS，2019 年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為 144 億美元，占全球市