2022年中微公司業(yè)務(wù)布局及競爭優(yōu)勢分析

1、2022年中微公司業(yè)務(wù)布局及競爭優(yōu)勢分析一、中微公司：國產(chǎn)刻蝕設(shè)備龍頭，內(nèi)生外延拓展奠定營收增長新動力1.1 國內(nèi)刻蝕設(shè)備龍頭，加速平臺化布局中微公司系國家“02 專項”首批項目承擔(dān)單位，是國內(nèi)老牌刻蝕設(shè)備龍頭。公司于 2004 年在上海張江科技園成立；2007 年首臺 12 英寸甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備 Primo D-RIE 研發(fā)成功并交付客戶，正式進(jìn)入半導(dǎo)體前道裝備領(lǐng)域；2008 年入選國家科技重大 專項（02 專項）首批項目承擔(dān)單位，獲批承擔(dān)國家6545nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化 項目；2010 年首臺深硅刻蝕設(shè)備研發(fā)成功，切入先進(jìn)封裝領(lǐng)域；2013 年公司投資睿勵儀 器，布局檢

2、測設(shè)備領(lǐng)域；2016 年首臺 MOCVD 設(shè)備 Primo D-Blue 研發(fā)成功，成功拓展 LED 領(lǐng)域；2016 年首臺 VOC 設(shè)備的成功研發(fā)代表公司進(jìn)入環(huán)保領(lǐng)域。公司多次承擔(dān)介 質(zhì)刻蝕領(lǐng)域國家重大專項以及上海市重大科技項目，驅(qū)動公司創(chuàng)新能力顯著提升，進(jìn)一步 拓寬國際化競爭視野，相關(guān)系列裝備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化加速落地。近年來，公司通過一系列 外延方式逐漸拓展至薄膜沉積、泛半導(dǎo)體設(shè)備、環(huán)保、健康及生態(tài)互連等領(lǐng)域，加速平臺 化布局。海歸派高管具有豐富的半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)實力及行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗。公司技術(shù)團(tuán)隊皆畢業(yè)于美國 名校并擁有公司創(chuàng)始人及董事長尹志堯博士，畢業(yè)于加州大學(xué)洛杉磯分校，曾分別任職于 英特爾

3、、泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料等公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體刻蝕裝備研發(fā)，曾歷任應(yīng)用材料 等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞 洲總部首席技術(shù)官等職位。核心技術(shù)人員杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x、楊偉、李天 笑都擁有豐富的國外半導(dǎo)體公司如英特爾、索尼、應(yīng)用材料及泛林半導(dǎo)體工作經(jīng)歷，從業(yè) 經(jīng)驗豐富。背靠上海市政府和國家大基金二期，公司無控股股東和實際控制人。公司前身為中微有限， 由中微亞洲出資設(shè)立，為外商獨資企業(yè)，2018 年轉(zhuǎn)為股份制有限公司，后經(jīng)一系列股權(quán) 變更后上海創(chuàng)投和巽鑫投資（大基金一期）分別位列第一大和第二大股東，分別持股 21.42% 和 20.74%。2

4、019 年公司科創(chuàng)版上市，上市后前兩大股東上海創(chuàng)投和巽鑫投資持股比例降 為 18.02%和 17.45%。目前公司前五大股東分別為上海創(chuàng)投、巽鑫投資、嘉興智微企業(yè)管 理合伙企業(yè)(有限合伙) 、中微亞洲、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期，持股比例合計占比 43.76%，公司無控股股東和實際控制人。公司主營業(yè)務(wù)包括三部分：專用設(shè)備、備品備件及設(shè)備維護(hù)（主要為配件銷售及設(shè)備支持 服務(wù)等）。公司以介質(zhì)刻蝕設(shè)備起家，逐步拓展至金屬刻蝕、硅刻蝕、薄膜沉積以及環(huán)保 設(shè)備領(lǐng)域。公司產(chǎn)品包括 CCP 刻蝕設(shè)備、ICP 刻蝕設(shè)備、TSV 深硅刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備以及環(huán)保設(shè)備，可分別用于 8/12 英寸前道邏輯晶

5、圓加工、先進(jìn)存儲及先進(jìn)封裝工藝、 化合物和 LED 制造以及環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域，客戶主要為臺積電、中芯國際、華虹集團(tuán)等邏 輯晶圓廠商；三星、SK 海力士、長江存儲、長鑫存儲等先進(jìn)存儲廠商；華天科技、長電 科技、日月光、通富微電等封測廠商以及化合物、功率半導(dǎo)體等特色工藝廠商。公司的各 類等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜設(shè)備已有超過 2300 個反應(yīng)腔在中國大陸、亞洲和歐洲等 70 多條集成電路和微器件生產(chǎn)線實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。公司在介質(zhì)刻蝕設(shè)備領(lǐng)域擁有近 20 年深 厚技術(shù)積累，并積極向薄膜沉積、環(huán)保設(shè)備以及檢測設(shè)備等領(lǐng)域拓展，進(jìn)入更廣闊的半導(dǎo) 體及泛半導(dǎo)體設(shè)備市場?？涛g設(shè)備：中微擁有全系列刻蝕機(jī)，包括高能等離子

6、體（CCP）、低能等離子體（ICP）、 單臺機(jī)（傳統(tǒng)）、雙臺機(jī)（新機(jī)型），可以涵蓋 80%以上的刻蝕工藝。CCP 刻蝕設(shè)備：CCP 刻蝕設(shè)備性能指標(biāo)比肩國際一線廠商，國內(nèi)晶圓產(chǎn)線設(shè)備市占率快 速提升并成功打入國外頭部晶圓廠先進(jìn)制程產(chǎn)線。公司 CCP 等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用 于 8/12 英寸邏輯晶圓前道工藝、3D NAND 及 DRAM 等存儲工藝中氧化硅、氮化硅及低 介電系數(shù)膜層等所有的電介質(zhì)材料刻蝕，工藝制程覆蓋 90nm5nm 邏輯工藝、128 層及以下 3D NAND 存儲工藝。CCP 等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯，已成功進(jìn)入國內(nèi)外 一線客戶的邏輯和存儲芯片制造生產(chǎn)線，包括先進(jìn)的

7、 5nm 芯片生產(chǎn)線和下一代的 3nm 試 生產(chǎn)線，在部分關(guān)鍵客戶市場占有率已進(jìn)入前三位甚至前二位，CCP 刻蝕設(shè)備市占率持 續(xù)提升。ICP 刻蝕設(shè)備：ICP 刻蝕設(shè)備快速崛起，應(yīng)用領(lǐng)域逐漸豐富。公司 ICP 等離子體刻蝕設(shè)備 主要應(yīng)用于 12 英寸 1Xnm 及以下的邏輯和存儲器件刻蝕、各種尺寸和深度的硅結(jié)構(gòu)刻蝕 以及邏輯和存儲芯片的多種導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜刻蝕等領(lǐng)域。ICP 刻蝕設(shè)備已通過諸多客戶的 工藝認(rèn)證并獲得重復(fù)訂單，已經(jīng)在超過 15 家客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行 100 多個 ICP 刻蝕工藝 的驗證，合計付運腔室已超 200 臺。同時公司積極布局 3D 封裝、5nm 以下邏輯、1Xnm 以下

8、DRAM 和 3D NAND 存儲芯片等下一代制程工藝。TSV 深硅刻蝕：公司 ICP 深硅刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于 8 英寸和 12 英寸 CMOS 圖像傳感器、 2.5D、三維芯片和芯片切割等領(lǐng)域以及 3D 封裝、2.5D 封裝和微機(jī)電系中的硅通孔刻蝕工 藝，刻蝕孔徑從低至 1 微米以下到幾百微米、深度可達(dá)幾百微米的孔洞，并具有優(yōu)秀的工 藝協(xié)調(diào)性，可根據(jù)客戶的需求生產(chǎn)不同的刻蝕形狀（例如垂直、圓錐形和錐形等），目前 已成功進(jìn)入日月光、長電先進(jìn)、通富微電等國內(nèi)外先進(jìn)封裝大廠。薄膜沉積設(shè)備：MOCVD 設(shè)備獨占鰲頭，MiniLED 成為長期增長驅(qū)動力，CVD 設(shè)備驗證 順利，EPI（外延生長設(shè)備）設(shè)

9、備取得積極進(jìn)展。MOCVD 設(shè)備：LED 及功率器件外延用 MOCVD 設(shè)備市場成熟，切入 MiniLED/MicroLED 及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，未來 MOCVD 設(shè)備有望突破成長天花板。公司 MOCVD 設(shè)備主要 應(yīng)用于國內(nèi)外主流 LED 生產(chǎn)線大批量 LED/深紫外 LED（主要為氮化鎵基及砷化鎵基）、 功率器件外延片以及高質(zhì)量氮化鋁和高鋁組分材料生長等工藝，憑借優(yōu)異的產(chǎn)品性能，奠 定了國內(nèi)外 MOCVD 領(lǐng)域龍頭地位，目前公司 MOCVD 設(shè)備在全球增量市場市中占比第 一。公司瞄準(zhǔn) MiniLED/MicroLED 以及第三代半導(dǎo)體 GaN/SiC 市場，2021 年 6 月成功推 出

10、MiniLED用 MOCVD 設(shè)備并獲得客戶批量重復(fù)訂單超100 臺，GaN 功率器件用 MOCVD 已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶驗證，進(jìn)一步鞏固公司 MOCVD 設(shè)備市場領(lǐng)先地位。CVD 設(shè)備：鎢填充 CVD 設(shè)備客戶產(chǎn)線驗證獲得積極進(jìn)展，設(shè)備性能已能夠滿足客戶工藝 驗證的需求，產(chǎn)品正與關(guān)鍵客戶對接驗證。基于鎢填充 CVD 設(shè)備，公司進(jìn)一步布局 CVD 和 ALD（原子層沉積）設(shè)備，以期實現(xiàn)更高深寬比和更小關(guān)鍵尺寸結(jié)構(gòu)的填充，滿足高端 邏輯器件和先進(jìn)存儲芯片的需求。EPI 設(shè)備：公司 EPI 設(shè)備已進(jìn)入 Demo 機(jī)裝調(diào)階段，可滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長 工藝的電性和可靠性需求。環(huán)保設(shè)備及其他領(lǐng)

11、域：公司聚焦核心業(yè)務(wù)集成電路設(shè)備的同時積極探索布局環(huán)保、健康、 生態(tài)互連等領(lǐng)域在內(nèi)的新業(yè)績增長點，成效顯著。VOC 設(shè)備：公司在國內(nèi)率先開發(fā)制造了工業(yè)用大型 VOC 凈化設(shè)備，并與德國 DAS 環(huán)境 專家有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方在半導(dǎo)體行業(yè)尾氣處理設(shè)備領(lǐng)域展開緊密的合作， 共同推動環(huán)?？萍夹袠I(yè)的發(fā)展。工業(yè)互聯(lián)：子公司中微匯鏈打造的去中心化分布式工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺 We-Linkin，應(yīng)用場景 數(shù)量已超 30 個，可訂閱微服務(wù)超 300 個，高研發(fā)投入助力產(chǎn)品矩陣不斷完善。檢測設(shè)備：公司增資睿勵儀器，全面布局集成電路檢測領(lǐng)域，進(jìn)一步形成產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。公司積極布局產(chǎn)業(yè)鏈上下游，有效形成產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。

12、公司主要零部件如機(jī)械手傳輸系統(tǒng)、 噴嘴 ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采購自國外，近年來公司逐步參股上游產(chǎn) 業(yè)鏈如志橙半導(dǎo)體、靖江先鋒、新美光半導(dǎo)體等企業(yè)，以降低成本并確保零部件的穩(wěn)定供 應(yīng)。同時公司通過入股下游半導(dǎo)體晶圓制造企業(yè)，以期形成產(chǎn)品的協(xié)同開發(fā)及驗證，加速 新產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。1.2 受益技術(shù)突破及行業(yè)高景氣驅(qū)動，公司營收和訂單快速增長2017 年之前，公司設(shè)備處于市場開拓階段，營收體量較小，2017 年以來隨著行業(yè)景氣度 提升疊加國產(chǎn)替代加速，設(shè)備出貨和驗收取得突破性進(jìn)展，營收大幅增長。2017 年之前， 公司主營設(shè)備為 CCP 等離子體刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備，

13、部分設(shè)備處于研發(fā)和市場驗證 階段，整體營收規(guī)模較小。近年來隨著公司技術(shù)突破，工藝指標(biāo)逐漸滿足先進(jìn)制程工藝需 求，公司陸續(xù)獲得臺積電、SK 海力士等國際一線晶圓廠訂單并成功進(jìn)入 7nm/5nm 工藝生 產(chǎn)線及 3nm 工藝試生產(chǎn)線，疊加行業(yè)高景氣度及國內(nèi)晶圓擴(kuò)產(chǎn)高峰和國產(chǎn)替代需求，公 司設(shè)備持續(xù)放量，陸續(xù)獲得中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、長鑫存儲等邏輯、存儲晶圓 廠的重復(fù)訂單，憑借設(shè)備優(yōu)異性能，產(chǎn)線市占率逐步提高。自 2017 年公司凈利潤由負(fù)轉(zhuǎn) 正之后，每年以翻倍速率增長。2021 年公司全年實現(xiàn)營收 31.08 億元，同比增長 36.7%； 歸母凈利潤 10.11 億元，同比大增 105.5

14、%，一方面得益于行業(yè)高景氣驅(qū)動，公司產(chǎn)能利用 率滿載，另一方面得益于公司產(chǎn)品線的豐富及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化。公司主要設(shè)備銷量波動較大，設(shè)備單價隨高價值設(shè)備放量逐步走高。分產(chǎn)品看，公司刻蝕 設(shè)備銷量逐年走高，一方面系行業(yè)景氣度提升，國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，另一方面隨著刻蝕 設(shè)備制程工藝的延伸及產(chǎn)品多元化布局，客戶及制程應(yīng)用逐步多元化。公司 MOCVD 設(shè)備 主要受產(chǎn)品類別、客戶擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏、行業(yè)周期及客戶端驗收節(jié)奏等影響，波動較大，隨著 MOCVD 設(shè)備逐步從傳統(tǒng) LED 領(lǐng)域切入 MiniLED 領(lǐng)域，設(shè)備迎來量價齊升。公司在手訂單飽滿，定增擴(kuò)產(chǎn)落地，設(shè)備持續(xù)放量，展望后續(xù)，公司營收有望保持高速增 長。1）存

15、貨和合同負(fù)債高增，在手訂單飽滿。根據(jù)公司公告，2021 年公司存貨和合同負(fù)債均 大幅增長，2020 年公司存貨和合同負(fù)債分別為 10.6 億元、5.9 億元，截至 2021 年末，分 別增至 17.6 億元和 13.7 億元，同比分別+66.0%/+132.0%。2021 全年新簽訂單金額同比 增長 90.5%達(dá) 41.3 億元，創(chuàng)歷史新高。公司在手訂單飽滿，保證業(yè)績持續(xù)高增長。2）定增落地保障產(chǎn)能：公司合同負(fù)債主要由客戶預(yù)付款組成，新簽訂單、合同負(fù)債雙雙 增長，表明公司在手訂單飽滿。根據(jù)公司公告，2021 年產(chǎn)品付運腔體數(shù)由 2020 年的 295 腔增長 66.4%達(dá) 491 腔，公司于

16、2021 年 6 月向特定對象發(fā)行股票，募集資金總額為 82.06 億元，公司在江西省南昌、上海市臨港分別建設(shè) 14 萬平方米和 18 萬平方米研發(fā)生產(chǎn)基地 以及 10 萬平方米總部大樓，積極提升產(chǎn)能，夯實未來發(fā)展基礎(chǔ)。3）刻蝕設(shè)備持續(xù)放量，市場持續(xù)擴(kuò)大：公司 2021 年共付運 CCP 刻蝕設(shè)備 298 腔，同 比增長 40%。在先進(jìn)邏輯電路方面，成功取得 5nm 及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。在 存儲電路方面，公司的刻蝕設(shè)備在 64 層及 128 層 3D NAND 的生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用。 公司 2021 年 ICP 刻蝕機(jī)付運超過 130 腔，同比增長超過 230%。8/12 英寸深硅刻

17、蝕設(shè) 備 Primo TSV200E、Primo TSV300E 成功應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5D 封裝和微機(jī)電系統(tǒng) 并且在 3D 封裝領(lǐng)域驗證進(jìn)展順利。高性能 Mini LED 用 MOCVD 設(shè)備 Prismo UniMax 訂單成功超 100 腔并進(jìn)一步拓展至 MicroLED 領(lǐng)域。公司刻蝕設(shè)備毛利率穩(wěn)定，MOCVD 設(shè)備毛利率波動較大。公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備毛利率長 期穩(wěn)定在 44%左右，MOCVD 設(shè)備毛利率波動較大。20172019 年公司 MOCVD 設(shè)備營 收占比較高，公司整體毛利率從 38.59%降至 34.93%。2020 年受 LED 行業(yè)不景氣影響， MOCVD 設(shè)備毛利

18、率達(dá)處于低位，受益于刻蝕設(shè)備營收占比提高，公司整體毛利率逐步提 升至 37.67%。2021 年受行業(yè)高景氣度及高端設(shè)備逐步放量影響，公司半導(dǎo)體設(shè)備量價齊 升，公司毛利率逐步恢復(fù)至高位 43.36%。期間費用率逐步下降，盈利能力逐年增強(qiáng)。20162019 年間公司期間費用率逐步下降， 隨后保持在 14.0%左右。得益于期間費用率逐步降低和公司高毛利率設(shè)備占比逐步提升， 公司凈利率持續(xù)走高。與國內(nèi)外同行業(yè)可比公司相比，近些年公司毛利率水平處于國際一 線水平，前期毛利率較低，主要系低毛利的 MOCVD 設(shè)備營收占比較大。1.3 高研發(fā)投入保證產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢，自主核心技術(shù)持續(xù)加強(qiáng)公司研發(fā)人員占比較高，

19、學(xué)歷水平符合技術(shù)密集型、人才密集型企業(yè)特點。截至 2021 年 末，公司共有研發(fā)人員 415 人，占公司總?cè)藬?shù)比例 39.6%，涵蓋了等離子體物理、射頻及 微波學(xué)、結(jié)構(gòu)化學(xué)、微觀分子動力學(xué)、光譜及能譜學(xué)、真空機(jī)械傳輸?shù)认嚓P(guān)學(xué)科的專業(yè)人 員。其中本科及以上學(xué)歷人數(shù) 381 人，占研發(fā)總?cè)藬?shù)比例 91.8%，整體學(xué)歷較高。 持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)投入占比保持高水平。公司研發(fā)突入不斷增長，2021 全年研發(fā) 投入 7.28 億元，同比增長 13.8%。與同行業(yè)公司相比，研發(fā)投入占營業(yè)收入比重保持較 高水平，基本保持 20%以上。公司持續(xù)重視核心技術(shù)自主研發(fā)，擁有一系列核心自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)，并能夠快速

20、導(dǎo)入公 司產(chǎn)品實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。憑借突出的研發(fā)實力，承擔(dān)多項國家科技重大專項及其他多項重大科 研項目。1.4 定增募資落地，用于先進(jìn)工藝設(shè)備研發(fā)及高端設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項目2021 年公司成功完成再融資發(fā)行，募集資金 82 億元，擬用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、 中微臨港總部和研發(fā)中心項目以及科技儲備基金。上海臨港新片區(qū)和南昌高新區(qū)均具有明 顯的產(chǎn)業(yè)化集群優(yōu)勢，公司本次投資的實施將有助于公司抓住區(qū)域發(fā)展協(xié)同機(jī)遇，進(jìn)一步 做大做強(qiáng)公司主營業(yè)務(wù)。中微產(chǎn)業(yè)化基地項目建設(shè)：中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地項目地塊總占地面積約 157.5 畝，規(guī)劃總 建筑面積約 18 萬平方米；中微南昌產(chǎn)業(yè)化基地項目占地面積約 130 畝，擬新建生

21、產(chǎn)基地 建筑面積約 14 萬平方米，建成后主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測 設(shè)備以及部分零部件等，將分別與臨港區(qū)晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料及南昌 LED 產(chǎn) 業(yè)形成集群效應(yīng)。中微臨港總部和研發(fā)中心項目：項目地塊總占地面積約 25.05 畝，規(guī)劃總建筑面積約 10.5 萬平方米，項目建成后將成為公司臨港總部和研發(fā)中心，用于除刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備 等優(yōu)勢產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化外，還將開展前瞻性技術(shù)研究，推動集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件 國產(chǎn)化、推進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等?？萍純浠穑簼M足公司日益增長的研發(fā)項目運營資金需要，本次募集資金中的 30.8 億 萬元為科技儲備資金?？?/p>

22、技儲備資金將用于滿足營運資金、研發(fā)以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張等需 求。根據(jù) 2021 年公司公告江西省南昌市高新區(qū)約 14 萬平方米的研發(fā)生產(chǎn)基地已全面封頂， 上海市臨港新片區(qū)約18萬平方米的研發(fā)生產(chǎn)基地和約10萬平方米的總部大樓也在緊鑼密 鼓的建設(shè)。到 2024 年，中微公司將會有十幾倍大的廠房全面建成，為今后的快速發(fā)展發(fā) 展夯實基礎(chǔ)。二、競爭優(yōu)勢：內(nèi)部自研+外延并購，中微公司平臺化布局初見成效2.1 介質(zhì)+導(dǎo)體刻蝕雙布局，進(jìn)一步打開刻蝕設(shè)備成長空間刻蝕機(jī)是晶圓制造三大核心設(shè)備之一，干法刻蝕占比 95%以上市場份額，根據(jù)作用機(jī)理 不同，干法刻蝕又可分為電容性等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備和電感性等離子體

23、（ICP）刻 蝕設(shè)備。CCP 刻蝕設(shè)備：CCP 刻蝕設(shè)備等離子體能量高，濃度適中，不易控制，可調(diào)節(jié) 性較差，主要用于質(zhì)地較硬的電介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域如：邏輯芯片柵側(cè)墻、硬掩?？涛g、中段接 觸孔刻蝕、后端鑲嵌式鋁墊刻蝕、深孔和連線接孔刻蝕、氧化硅/氮化硅等深槽介質(zhì)刻蝕。 ICP 刻蝕設(shè)備：ICP 刻蝕設(shè)備等離子體濃度高，能量低，可單獨進(jìn)行等離子體濃度和能量 的調(diào)節(jié)，可用于質(zhì)地較軟的金屬、硅等導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域如：硅淺槽隔離（STI）、鍺（Ge)、 多 晶硅柵結(jié)構(gòu)、金屬柵結(jié)構(gòu)、應(yīng)變硅、金屬導(dǎo)線、金屬含墊、金屬硬掩模等金屬和硅刻蝕。全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場空間 160 億美元，呈寡頭壟斷格局。根據(jù) SEMI 預(yù)估，

24、2021 年 全球晶圓廠設(shè)備市場規(guī)模 668 億美元，按刻蝕設(shè)備占比 24%左右初步估算，全球半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備市場規(guī)模 160 億美元，CCP 刻蝕設(shè)備市場占比 60%約 96 億美元，ICP 刻蝕設(shè) 備市場占比 40%約 64 億美元。其中中國大陸晶圓設(shè)備市場份額全球占比約 27%達(dá) 80 億 美元。全球刻蝕設(shè)備市場呈寡頭壟斷格局，據(jù) Gartner 統(tǒng)計，2020 年泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用 材料及東京電子三者市場占比達(dá) 90%。CCP 刻蝕設(shè)備市場占比逐步擴(kuò)大，ICP 刻蝕設(shè)備取得突破進(jìn)展。CCP 設(shè)備：公司立足 CCP 等離子體刻蝕設(shè)備，占據(jù)龍頭地位，性能比肩國家一線大廠，公司 Primo R

25、IE 系列產(chǎn)品已 成功批量進(jìn)入包括臺積電、SK 海力士、三星、中芯國際等在內(nèi)的國內(nèi)外一線客戶集成電 路加工制造生產(chǎn)線，市占率逐步提升。邏輯電路：已取得 5nm 及以下邏輯產(chǎn)線重復(fù)訂單； 存儲電路：產(chǎn)品已在 64 層及 128 層 3D NAND 生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用，訂單穩(wěn)步增長，并 積極布局動態(tài)存儲器應(yīng)用，工藝開發(fā)及驗證進(jìn)展順利。此外公司推出兼容 8/12 英寸晶圓 設(shè)備，以滿足國內(nèi)成熟晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。ICP 設(shè)備：自 2019 年公司 ICP 刻蝕設(shè)備進(jìn)入市場，已在 15 家客戶共計 100 道工藝產(chǎn)線 進(jìn)行驗證，累計交付已超 180 腔，ICP 設(shè)備逐漸成熟，市場份額持續(xù)提升。同時公司積極

26、 推出應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5D/3D 封裝和微機(jī)電系統(tǒng)的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設(shè)備 Primo TSV200E、Primo TSV300E，已獲得重復(fù)訂單。針對未來客戶技術(shù)需求，公司積 極布局滿足 5nm 及以下的邏輯芯片、1X nm 的 DRAM 和 128 層以上的 3D NAND 存儲 芯片等產(chǎn)品需求的 ICP 刻蝕設(shè)備研發(fā)。晶圓廠資本開支持續(xù)提升，先進(jìn)制程占主導(dǎo)地位。臺積電：2021 年臺積電資本開支 300 億美元，其中 80%用于 7nm、5nm、3nm 等先進(jìn)制程工藝，10%用于先進(jìn)封裝和光罩制 作，其余用于特種工藝制程。據(jù)臺積電 21Q4 業(yè)績說法會，2022 年

27、臺積電資本開支預(yù)計 將增加 40%以上達(dá)到 400440 億美金。三星：2021 年三星資本支出約 360 億美元，主 要用于先進(jìn)邏輯芯片制程工藝以及 128 層 6VNAND Flash 存儲芯片和 DDR5 等內(nèi)存芯片。 中芯國際：2021 年資本開支達(dá) 45 億美元，主要用于 40nm65nm 成熟制程擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計 2022 年資本開支將會達(dá)到 50 億美元。隨著未來國內(nèi)外先進(jìn)制程工藝占比、3D NAND 堆 疊層數(shù)逐步提升、國內(nèi)成熟制程產(chǎn)線加大擴(kuò)產(chǎn)，刻蝕設(shè)備市場空間逐步擴(kuò)容疊加產(chǎn)品市占 率逐步提升，預(yù)期公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備未來大有可為。2.2 內(nèi)生外延拓展薄膜沉積設(shè)備，開拓新增長曲線隨著晶

28、圓工藝復(fù)雜化以及堆疊層數(shù)增加，薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)?？焖偬嵘Ｋ拇笠蛩赝苿?薄膜市場擴(kuò)容：1）晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)帶來設(shè)備需求；2）先進(jìn)邏輯制程芯片的沉積工序增多，多 重曝光技術(shù)拉動薄膜設(shè)備需求,目前基于 EUV 的 7nm/5nm 已成臺積電營收主力，預(yù)計 22 年將投產(chǎn) 3nm 工藝；DRAM 方面，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，目前三星、SK 海力士以及美光處于從 1Y 制程向 1Z 制程轉(zhuǎn)換階段，未來基于 EUV 的導(dǎo)入，制程將進(jìn)一步延伸至 10nm；3）FLASH 存儲芯片級 3D NAND 成為主流，堆疊層數(shù)增加導(dǎo)致薄膜沉積工序增加； 4）芯片結(jié)構(gòu)復(fù) 雜化，由此導(dǎo)致設(shè)備使用量增加及各設(shè)備份額不斷變化。未來，隨

29、著晶圓制程工藝的推進(jìn)， 等離子體沉積（PECVD）和原子層沉積（ALD）將貢獻(xiàn)主要增長點，預(yù)計到 2024 年， 等離子體 CVD 和 ALD 將分別占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場份額 51%和 19%。CVD 設(shè)備全球市場規(guī)模 100 億美元，國外廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù) Gartner 統(tǒng)計，2020 年 CVD 設(shè)備市場份額約 85 億美元，約占薄膜沉積設(shè)備市場 64%市 場份額，其中 LPCVD 市場規(guī)模約 15 億美元，ALD（原子層沉積）市場規(guī)模約 17 億美元。 參考 2020 年各薄膜設(shè)備占比來，初步測算 2021 年 LPCVD 設(shè)備以及 ALD 設(shè)備市場份額 分別為

30、11.2 億美元、20 億美元。據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，受益于先進(jìn)制程 GAA 應(yīng)用和存儲器 超深寬比薄膜技術(shù)需求，單 ALD 設(shè)備市場規(guī)模將從 2021 年 20 億美元增長至 2025 年 34 億美元左右。其中單先進(jìn)制程 FinFET 向 GAA 工藝轉(zhuǎn)換即可推動 ALD 設(shè)備和 EPI 設(shè)備 市場增加 12 億美元。根據(jù) Maximize Market Research 預(yù)測，2025 年全球半導(dǎo)體薄膜 沉積設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到 340 美元，年均復(fù)合增長率 13%以上。屆時 LPCVD 和 ALD 設(shè) 備市場規(guī)模合計將達(dá)到 85 億美元左右。公司積極布局薄膜沉積設(shè)備，打開百億增量空間

31、。內(nèi)生：基于 MOCVD 設(shè)備研發(fā)經(jīng)驗及優(yōu)秀的研發(fā)團(tuán)隊，公司積極布局前端金屬化工藝，成 立團(tuán)隊進(jìn)行 EPI 設(shè)備和鎢填充 LPCVD 設(shè)備研發(fā)，已能夠滿足客戶工藝需求?；诮饘冁u CVD 設(shè)備，公司正進(jìn)一步開發(fā)先進(jìn)邏輯工藝節(jié)點及更高堆疊層數(shù) 3D NAND 工藝用 CVD 和 ALD 設(shè)備，實現(xiàn)更高深寬比（60：1）和更小的關(guān)鍵尺寸(14nm)結(jié)構(gòu)的填充，以滿 足高端邏輯器件和先進(jìn)存儲芯片的需求。外延：公司通過入股國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備龍頭沈陽拓荊，差異化布局，與內(nèi)部刻蝕、薄膜沉積等業(yè)務(wù)形成協(xié)同效應(yīng)，加快薄膜沉積全產(chǎn)業(yè)連布局。通過內(nèi)生外延聯(lián)合布局方式加速拓 展新領(lǐng)域，公司第二增長曲線雛形初現(xiàn)。2.3

32、 MiniLED成長期成長驅(qū)動力，第三代半導(dǎo)體助力成長加速MiniLED 商業(yè)化落地，市場空間迎來快速增長。2021 年是 MiniLED 商業(yè)化元年，各種搭 載 MiniLED 的平板、電視、筆記本以及顯示屏等產(chǎn)品扎堆上市，MiniLED 產(chǎn)業(yè)迎來春天。 據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，蘋果將于 2022 年上半年推出搭載 MiniLED 顯示屏的 iMac pro，產(chǎn)業(yè)預(yù)計 miniLED 將有望在 21 年基礎(chǔ)上翻倍增長。據(jù) LED 整合大廠富采公告，2021 年全球筆記 本電腦和平板電腦總計銷量約 2 億臺，如按照 30%轉(zhuǎn)換為 MiniLED 屏幕，全年將有 6000 萬臺 MiniLED 背光需求量

33、。2021 年出貨規(guī)模為 600700 萬臺，單電腦市場尚有十倍潛在 增幅空間。CMMA 認(rèn)為到 2025 年 Mini LED 的整體市場滲透率會超過 20%，當(dāng)前 Mini LED 產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)能擴(kuò)張周期。預(yù)期 Mini LED 勢必將取代 OLED 成為未來數(shù)十年中主流的顯 示技術(shù)。為確保產(chǎn)能，搶占先機(jī)，各大廠商加緊采購 MiniLED 設(shè)備擴(kuò)張產(chǎn)線，設(shè)備廠商迎 來產(chǎn)能釋放周期。中國大陸 MiniLED 市場迎來快速擴(kuò)容階段。大陸的 Mini LED 封裝企業(yè)包括國星光電、聚 飛光電、瑞豐光電和兆馳股份等。當(dāng)前大多數(shù)廠商均處于研發(fā)和小批量出貨階段，同時積 極擴(kuò)張產(chǎn)能，以應(yīng)對未來可能激增的

34、下游需求。市場端：據(jù) GGII 數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2019 年中國 MiniLED 市場規(guī)模在 16 億元左右，預(yù)計 20 年 MiniLED 市場規(guī)模達(dá)到 37.8 億元，同比增 長 140.0%。前瞻預(yù)測，2026 年中國 MiniLED 行業(yè)市場規(guī)模有望突破 400 億元。產(chǎn)業(yè)鏈 端：從 LED 產(chǎn)業(yè)鏈價值分布上看，封裝端市場規(guī)模約為芯片端 5 倍左右，預(yù)計 2021 年 Mini/Micro LED 封裝市場規(guī)模將達(dá)到 1.9 億美元，到 2024 年將達(dá) 40 億美元。公司拓展 MiniLED 公司拓展 MiniLED 和 MicroLED 領(lǐng)域，MOCVD 設(shè)備迎來第二春。當(dāng) 前公司 MO

35、CVD 設(shè)備主要應(yīng)用于藍(lán)綠光 LED 照明及功率器件領(lǐng)域，隨著新應(yīng)用崛起，公 司逐步拓展至深紫 LED 和高端 MiniLED。自 2021 年 6 月公司推出 MiniLED 用 PrismoUniMax MOCVD 設(shè)備，半年時間已拿到超 100 腔訂單，看好 MOCVD 設(shè)備市場前 景。隨著當(dāng)前 miniLED 技術(shù)逐步成熟，在中高端液晶顯示屏背光、LED 顯示屏得到大規(guī) 模應(yīng)用，公司 MOCVD 設(shè)備將迎來新一輪量價齊升窗口期。第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方興未艾，市場空間快速增長。MOCVD 設(shè)備是化合物半導(dǎo)體外延材料 研究和生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，特別適合化合物半導(dǎo)體功能結(jié)構(gòu)材料的規(guī)?；I(yè)生產(chǎn)。得益于 傳統(tǒng)消費電子應(yīng)用滲透率提升以及光伏儲能、工業(yè)和新能源汽車等新興應(yīng)用快速增長，以 氮化鎵和碳化硅為主的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，驅(qū)動 MOCVD 設(shè)備需求不斷增加。碳化硅器件未來可期，器件廠商增加供給迎需求。據(jù) HIS Markit 數(shù)據(jù)，2019 年 SiC 功率 器件市場規(guī)模約 6.1 億美