紅外探測(cè)器知識(shí)

1、31311312dd/nnW/cmcmdncm/Wcm/Wd/d*313*bb*bbK*cm/W*314*b/b/bbb*/W/W*315dIIid316*pp*,p*(,)bb光譜響應(yīng)率*/p31732321322(MCT)等，光伏型本征探MCT。體。在非本征材料中，只有一種載流子提供導(dǎo)電率，nSiX、GeX。鍺、硅323ddlded324Iee3253261.5um。光電倍增管就是一種利用光電發(fā)射效應(yīng)的探測(cè)器，可用327量子阱紅外光子探測(cè)器（QWIP）是由非常薄的與其它光子探測(cè)器相比，QWIP33331332嚴(yán)格地說(shuō)，利用輻射熱效應(yīng)而引起電阻變化的熱探測(cè)器應(yīng)稱(chēng)之為測(cè)熱輻射計(jì)入射輻射功率增量

2、，W;d探測(cè)元溫度增量，K;e探測(cè)元有效熱導(dǎo)，WK探測(cè)元熱容，JKdCe333ddddP/C效應(yīng)。Peltier334CidddiidddeeeeeCeede/eee3434135湊，輕便，功耗也大幅度下降。用于戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用的光導(dǎo)HgCdTe200。英國(guó)也較大，所以并不合適制成大陣列。因此，70年代，HgCdTePbS、PbTe、PtSi342工作溫度（K）1.5601331210165251225832343關(guān)，這樣可對(duì)某特定波長(zhǎng)的響應(yīng)最優(yōu)化。光伏HgCdTe外應(yīng)用，可以在更高的溫度下工作，甚至室溫或室溫以上。光伏HgCdTe1000Hz，而在高增益情況下，1/f2）元長(zhǎng)線列器件。PtSi路做在

3、探測(cè)器/讀出芯片四周的單片結(jié)構(gòu)。售。PtSi光譜區(qū)，PtSi0.1%1%。因此，PtSi2）InSb3）非本征硅探測(cè)器10%50%。非本征硅探測(cè)器主要用于低背景天文應(yīng)用。4）PbS3%10%，量子效率最高可達(dá)35351的噪聲功率(噪聲電壓平方)，也可表示為單位根號(hào)帶寬內(nèi)的噪聲電壓。即n的噪聲功率(噪聲電壓平方)，也可表示為單位根號(hào)帶寬內(nèi)的噪聲電壓。即n352P()/(Pd*d()/dd*.對(duì)于受白噪聲(噪聲大小與頻率無(wú)關(guān))限制的探測(cè)器,*.對(duì)于受其他形式噪聲限制的*ndd也稱(chēng)調(diào)制噪聲或閃爍噪聲,3533531oFoFiN/iiN/ooFFNNFFNNiFNoiNN(NF)iiFNiFNNFNi

4、ii35321，即前放輸出的信噪比盡量接近探測(cè)器輸出的信噪比。這樣即前放在放大過(guò)程中EnInEEEEEInnEEEEEEoptE/Inopt3533型導(dǎo)電溝道。P噪聲電壓、噪聲電流的頻譜?？梢钥闯?，它們的最佳源電阻不同。BJT最低，JFET3534rrieienneeiiii36361e/()()eed如果電子頻帶不夠?qū)?，檢測(cè)到的信號(hào)必定小于峰值,()dde)dd/2/3。代入dddd362d探測(cè)器輸iiniiiiniiW/Wd/Wiidiiiiinini/inPd363N)dd()do()dooNo()doooo/oodNNN*dNNdNdddNWdFo敏度，需要引入最小可分辨溫差（MRTD

5、）的概念。364NJlooood)l()dFdoJoF：系統(tǒng)瞬時(shí)視場(chǎng)立體角,o37371功能很有好處，但是，Z372讀出集成電路（ROIC）是把焦平面的各種功能集成在單一的半導(dǎo)體芯片中的高集成度測(cè)器端依次傳輸?shù)阶钌俚妮敵龆?。ROIC加緩沖放大的自積分電路(SFD)電容反饋跨阻放大器（CTIA）入阻抗增加，導(dǎo)致偏置不穩(wěn)。另外，每一積分周期后DI前，光電流必須按比例減小。CM電路都具有這樣的功能，CM更小的電流。CM電阻反饋跨阻放大器（RTIA）3733731電阻反饋跨阻抗放大器（RTIA）是連續(xù)輸出與輸入（光子）電流成正比的信號(hào)，送至采樣/保持和多路傳輸電路。/iphphpheinen3732電

6、容反饋跨阻抗放大器（CTIA）3733電容上積分，此電容主要由探測(cè)器電容形成，但也包括互連和MOSFET374374137423743NN3753751重復(fù)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)電荷包的轉(zhuǎn)移。在轉(zhuǎn)移過(guò)程中，CCD3752（phcm376電荷。因此，NECdetdetqq積分器地傳遞函數(shù)會(huì)降低噪聲功率帶寬。NECidet/detdd（Arms）qIdRtRtdetdet/det（Arms）det3776080dB。要獲得大的動(dòng)態(tài)范圍，必須增加信號(hào)的飽和值和盡可能減小基準(zhǔn)噪聲。對(duì)給定12133783781器件的主要技術(shù)參數(shù)如下:預(yù)冷時(shí)間(分鐘)表328842）焦平面結(jié)構(gòu)和讀出電路28841Mhz。故采用多路并行輸出的辦法，該器件共有存貯池的深度。PH存貯池之間設(shè)置了隔板，在積分時(shí)間內(nèi)，PH越長(zhǎng)，C2存貯的電荷就越多。因此，PH的原理與此相仿，積分周期結(jié)束時(shí)，PH無(wú)比例分配/無(wú)撇除4）級(jí)注入上一幀的光生電荷后，各自開(kāi)始下一幀的積分。第1累加。因此，最后轉(zhuǎn)移到輸出級(jí)的電荷是延時(shí)9幀的1像元電荷、以及當(dāng)前幀的423782作為熱敏型室溫焦平面面陣的范例。