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文檔簡介

1、ESD基本知識介紹1提綱ESD評價方式介紹ESD保護的基本概念常用的ESD器件介紹ESD保護網(wǎng)絡(luò)介紹ESD challengeCase study2ESD 評估HBMMM3ESD 評價方式-TLP( transmission line pulse)4TLP 示意觸發(fā)電壓Trigger voltage:Vt1維持電壓holding voltage: Vh二次擊穿電壓Second breakdown voltage: Vt25ESD windowESD Vt1 device Vt1ESD VhESD Vt1However this is not always right6ESD 和snapback

2、Snapback：Ib 變化Ib：雪崩擊穿（電場）Ib：雪崩擊穿（電流）阻斷態(tài)：高電壓，低電流雪崩擊穿，導(dǎo)致大量空穴注入到基區(qū)，也就是Ib雪崩擊穿不斷注入空穴到基區(qū)，為了保持電中性，發(fā)射區(qū)發(fā)射電子，BJT開啟7ESD？EOS？Latchup？Latchup！8ESD 器件介紹Non-snapback 型DiodeSnapback 型MOSFET(BJT)SCRESD 增強設(shè)計參數(shù)9ESD基本器件介紹- DiodeRonBV10Diode 周長主導(dǎo)面積主導(dǎo)11ESD基本器件介紹- MOSFET(BJT)-GGNMOS12MOS13MOS in silicide technology在silicide工藝中，無論DCG怎樣拉大，所引入的電阻都不會很大SAB在silicide工藝中，要引入SAB層次增強ESD能力14MOS的觸發(fā)結(jié)構(gòu)CRMOS內(nèi)部沒有pickup15ESD基本器件介紹- SCR16調(diào)整SCR的觸發(fā)電壓17ESD網(wǎng)絡(luò)18ESD challengeVoltage overshootHolding voltage越高voltage shoot越高低壓月高壓最大的區(qū)別：低壓對voltage overshoot耐受能力要強于高壓柵氧的擊穿需要 時間19Case1-寄生

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