3188硬件-福州瑞芯微電子

福州瑞芯微電子時鐘電路部分..........................................................................................................................................................................................................................4USB

電路部分...........................................................................................................................................................................................................................5DDR

電路部分...........................................................................................................................................................................................................................6FLASH

電路部分.......................................................................................................................................................................................................................8SD/T

卡電路部分......................................................................................................................................................................................................................9LORADER

升級電路設(shè)計........................................................................................................................................................................................................10DEBUG

接口電路設(shè)計說明....................................................................................................................................................................................................10電量計電路設(shè)計說明.............................................................................................................................................................................................................11充電及POWER

PATH

部分....................................................................................................................................................................................................1210PMU

電路部分......................................................................................................................................................................................................................1311

AUDIO

部分...........................................................................................................................................................................................................................16顯示電路部分......................................................................................................................................................................................................................18CAMERA

電路設(shè)計說明.......................................................................................................................................................................................................21WIFI，BT，GPS

部分............................................................................................................................................................................................................223G

部分.................................................................................................................................................................................................................................26‐2

‐福州瑞芯微電子陀螺儀，GSENSOR，LIGH

SOR，指南針部分...........................................................................................................................................................

27散熱處理..............................................................................................................................................................................................................................28‐3

‐福州瑞芯微電子1

時鐘電路部分RK3168

有兩個時鐘源，分別為32.768Khz

和24Mhz：SCHNoRuleResultNote132Khz的時鐘必須要接入，串聯(lián)的電阻不應(yīng)大于4.7K，輸入

信號要求（AB5

PIN）：32K

信號高電平高于0.8*PVCC_3V3，低電平小于0.2*PVCC_3V3。2在復(fù)位信號拉高前20mS，要保證32Khz的時鐘信號已經(jīng)提供給主控！TPS659102自帶RTC輸出，沒有這個問題，外置RTC要注意這個時間，如有必要，需把復(fù)位時間加長。3如果XIN24M外加MOS控制，MOS的型號注意結(jié)電容過20pF。在MOS管端的晶體匹配電容值要比另一端小。目前發(fā)現(xiàn)很多客戶出現(xiàn)過類似的問題（可以去掉）。PCBNoRuleResultNote1晶體需靠近主控放置,晶體負(fù)載電容靠近相應(yīng)晶體管腳放置，控制啟振的MOS

管要靠近晶體放置。2晶體走線走在表層，避免打孔，建議加粗到8mil。‐4

‐福州瑞芯微電子3晶體電路及它們的走線的相鄰層鋪地，相應(yīng)管腳可靠接地。24Mhz晶體的工作電源是

PVDD_1.0,本身幅度很低，容易受到干擾，Layout時務(wù)必 處理。2

USB

電路部分SCHNoRuleResultNote1確認(rèn)USB的連接是否正確2RK3168需要兩個中斷：OTG_DET，USB_INT！和RK3188的主要差異3USB

差分信號線上的

ESD

必需使用低結(jié)電容的，結(jié)電容要小于5pF。4OTG

接口需要有USB_ID，上拉電阻需要NC

或上拉1.8V！已上拉至1.8V5如果因為

USB

口不夠，

HUB

IC，HUB

IC

的復(fù)位管腳請用預(yù)留GPIO口控制！如果是5V直接供電的方式，5V電源也需控制。6使用HSIC

接口時，需保證HSIC

接口供電為1.2V，不能使用VDD_10。可以使用LDO供電7USB

參考電阻使用200R，不建議修改‐5

‐福州瑞芯微電子PCBNoRuleResultNote1確認(rèn)USB的封裝連接是否正確。2USB走線需按差分規(guī)則。差分線長度誤差控制在100MIL內(nèi)3USB走線需有完整參考層，同層需包地。4USB

走線要跟其他信號線避免隔層平行。5USB

走線差分阻抗控制在90

歐姆。6ESD

器件需靠USB

連接器放置，USB

走線需先經(jīng)過ESD

器件，再連到主控，走線不能形成分支。3

DDR

電路部分SCHNoRuleResultNote1使用DDR3，每組（8

位或者16

位）數(shù)據(jù)線跟顆粒的連接可根據(jù)實際需要任意調(diào)換，但不得調(diào)換地址‐6

‐福州瑞芯微電子及控制信號線。2使用LPDDR2，則數(shù)據(jù)線、地址及控制信號線都不能調(diào)換。3DDR3

跟LPDDR

的供電電壓不

源需按

DDR

具體型號定義。4ZQ

的參考電阻為240R,不要隨意修改這個值。5DDR容量最大支持到2GB。6詳細(xì)說明可以參考RK

發(fā)布的《DDR

布板Check

List》。7要確保DDR

電源上的濾波電容容量足夠。確保每個電源點測量紋波小于80MV。PCBNoRuleResultNote1建議DDR

部分的layout，使用RK

提供的模版。RK提供2片/4片，單面/雙面放置模版。2PCB

需滿足DDR

的阻抗要求。3濾波電容的擺放要合理，大電容均勻分布，小電容緊靠管腳放置。4帶

GPS，3G

等功能，但只能 一面的機(jī)， 單面放置的模版，可以適當(dāng)改變疊層結(jié)構(gòu)，保證在非元件層無DDR走線。DDR

電源鋪銅盡量不要放置在表層。請保證疊層合理，信號層避免臨層平行。5關(guān)于DDR

分組，線長，等成等要求的詳細(xì)說明可以參考RK發(fā)布的DDR

LAYOUT

指導(dǎo)文件‐7

‐福州瑞芯微電子4

FLASH

電路部分SCHNoRuleResultNote1支持

NAND，INAND

等

FLASH

設(shè)備。請在FLASH支持列表中選擇型號。2當(dāng)使用toshiba

和sandisk

的DDR

模式NAND

FLASH，其28，45

腳需接到電源。3DDR

模式

NAND

FLASH，需要注意

FLASH

電源紋波，

紋波不超過電源的3%。在實際項目上請務(wù)必測量。4INAND

電源

紋波不超過電源

2%，跟其他模塊共用電源時需注意消除其他模塊可能引起的電源塌陷。521nm

及以下制程的INAND，請預(yù)留LDO

供電。6INAND

SD

接口上需加上拉電阻，上拉電平需跟IO

電平一致。INAND

IO有1.8V跟3.3V兩種PCBNoRuleResultNote1FLASH

的濾波電容需靠近管腳放置。2INAND

的電源建議鋪銅處理。3數(shù)據(jù)線走線請同組，適當(dāng)控制長度，遠(yuǎn)離強(qiáng)干擾源。‐8

‐福州瑞芯微電子4主控端濾波電容要靠主控端焊盤放置。5CLK

線建議包地處理。5

SD/T

卡電路部分SCHNoRuleResultNote1支持高速卡。2需選擇低電容的ESD

器件。PCBNoRuleResultNote1數(shù)據(jù)線走線請同組，適當(dāng)控制長度，遠(yuǎn)離強(qiáng)干擾源。2CLK

線最好包地處理。3電容，ESD

器件要靠

放置。走線須先從

走到

ESD

器件在走到主控，ESD

敏感信號不要走到 下面的表層

。敏感信號是指主控的RESET，電源，數(shù)據(jù)線等。‐9

‐福州瑞芯微電子6

LORADER

升級電路設(shè)計NoRuleResultNote1NAND

時，使用FLASH_CLE

作為預(yù)留，以進(jìn)入MASKROM

模式。2INAND

時，使用EMMC_CLKO

作為預(yù)留，以進(jìn)MASKROM

模式。3.采用

SARADC

的

AIN1

輸

復(fù)用為

RECOVER

檢測模式，此口務(wù)必留出。7

DEBUG

接口電路設(shè)計說明NoRuleResultNote1RK31XX

專門預(yù)留一個用來作Debug

的Uart

接口（UART2），在實際產(chǎn)品應(yīng)用中，不要使用該功能接口作其它功能使用RK3188可以使用USB口做串口‐10

‐福州瑞芯微電子8

電量計電路設(shè)計說明SCHNoRuleResultNote1選用CW2013

作為電量計，I2C

讀電池電量。CW2013

帶有中斷腳（ALRT_N），可以在電池電壓低時輸出中斷。PCBNoRuleResultNote1CW2013需盡量靠近電池接口放置。2CW2013

需遠(yuǎn)離熱源放置。3CW2013

的電源濾波電容靠近電源管腳放置，同時電源走線需避開干擾信號，包含電源干擾信號。‐11

‐福州瑞芯微電子9

充電及POWER

PATH

部分SCHNoRuleResultNote1單電池跟雙電池有不同的方案。2使用帶POWER

PATH

的充電管理方案。3需根據(jù)實際需要確定充電電流，輸入電流等參數(shù)。4需確保輸入，輸出線上的電容容量足夠，也要注意耐壓及材質(zhì)的選擇。X7R及以上規(guī)格。5需確保充電或者降壓電

的電感容量，額定電流足夠，最好能降額

75%‐50%使用。6充電時，系統(tǒng)供電跟電池供電切斷的方案，不

用于只有USB

接口的項目。這種電路在 USB

后，電池切斷，會導(dǎo)致系統(tǒng)供電不足。7需根據(jù)方案特性，選擇合適的輸入過壓/過流保護(hù)電路。8不帶POWER

PATH

的方案，只能用于8

寸及以下尺寸項目，需根據(jù)電源及系統(tǒng)要求合理設(shè)置充電電流及充電過程。9不帶POWER

PATH

的方案，需確保選用的二級管，MOS

等器件在大電流時的壓降足夠小，導(dǎo)通/關(guān)閉實際滿足DC/電池切換的設(shè)計要求。10邊充邊放的方案，在使用前需謹(jǐn)慎評估,需考慮電池

，低電管理等相關(guān)問題。‐12

‐福州瑞芯微電子PCBNoRuleResultNote1充電電路 靠電池端放置，如果電池接口過于處于邊角處，應(yīng)將充電電路放置在DC跟電池間，VSYS走線較合理處。2發(fā)熱器件不要靠主控及熱敏感元件太近。3DC/USB

端口處要注意ESD

處理，要盡量靠近DC/USB

端口處放置輸入電容。4大電流回路走線盡量短，粗，過孔要足夠。輸入，充電，SYS

回路

0402

過孔5個以上。5濾波電容擺放位置要合適，接口處電容靠近接口放置，端電容靠近 管腳放置，主濾波電容要就近接地。6充電電路中的電感，續(xù)流二級管等元件按回路最短原則放置。7有散熱焊盤的方案，散熱焊盤上的過孔要足夠，

選擇孔徑較大的過孔。建議使用0805過孔。8要求分地的方案，需選擇合適的接地點。9帶USB

及其他差分信號的方案，需按差分要求處理。如USB線，電流檢測等。10PMU

電路部分SCH‐13

‐福州瑞芯微電子NoRuleResultNote1選擇的PMU方案要滿足系統(tǒng)的電流及電壓等級要求。2PMU

需根據(jù)方案要求設(shè)定上電時序。3需確保輸入，輸出線上的電容容量足夠，也要注意耐壓及材質(zhì)的選擇。4需確保電

的電感容量，額定電流足夠，最好能降額75%‐50%使用。。5需根據(jù)PMU

規(guī)格及系統(tǒng)要求設(shè)置每一組電源的輸入輸出電壓，在滿足系統(tǒng)要求的同時注意提高PMU

的效率。6用I2C

調(diào)壓的PMU，請注意I2C的帶寬及器件的生命周期，確保I2C

不被其他設(shè)備拉掉或者占掉帶寬，導(dǎo)致調(diào)整不及時。PMU能單獨使用一組I2C是最好的選擇。7帶DVFS

或者設(shè)計關(guān)掉核電壓的情況，請注意默認(rèn)配置及邏輯關(guān)系需正確。8VDD_ARM,VDD_LOG

建議使用

PMU

的輸出，不

一個使用PMU，一個用分離元件或者兩個都用分離元件。AXP的方案會用到兩個分離元件，使用到3168時需謹(jǐn)慎評估。9使用跟RK

參考圖一樣的PMU

時，PMU

的各路輸出電壓及用途請盡量按RK

的參考圖配置一致。10一組電源上帶多個設(shè)備時，需考慮各個設(shè)備帶來的沖擊電流，必要時需在設(shè)備電源輸入處加防沖擊措施。重點考慮屏，WIFI模組等。PCB‐14

‐福州瑞芯微電子NoRuleResultNote1PMU部分電路要擺放在離主控不太遠(yuǎn)，但又不向主控傳遞熱量的合適位置。2在布局時要考慮到核電壓，DDR

電壓網(wǎng)絡(luò)的出線是否方便，是否能保證做到合理的鋪銅有效面積。3大電流回路走線盡量短，粗，過孔要足夠，必要時鋪銅處理。核電壓網(wǎng)絡(luò)，DDR網(wǎng)絡(luò)，SYS網(wǎng)絡(luò)0402過孔5個以上。4濾波電容擺放位置要合適，電容靠近

管腳放置，主濾波電容要就近接地。5電路中的電感，續(xù)流/鉗位二級管等元件按回路最短原則放置。6有散熱焊盤的方案，散熱焊盤上的過孔要足夠，

選擇孔徑較大的過孔。建議使用0805過孔。7VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

網(wǎng)絡(luò)請鋪銅處理，要保證合適的寬度及有效面積。VCC_DDR

的鋪銅要覆蓋整個DDR

顆粒及主控的DDR

部分。鋪銅有效寬度建議最小160MIL以上。8VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

網(wǎng)絡(luò)的電容要合理分布。PMU的輸出電容要靠近電感，其他濾波電容要靠近主控，大容量的均勻分布，小容量的靠管腳放置。9VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

網(wǎng)絡(luò)的反饋線走線要避免干擾，如果從遠(yuǎn)端引回，

反饋線緊跟鋪銅返回。如果反饋網(wǎng)絡(luò)帶分壓電阻，電阻的接地端要可靠接地，最好能跟該組電源的輸入輸出電容，IC

地腳共接地點。在FB

腳不要放置電容。‐15

‐福州瑞芯微電子10PMU

電路的電容，IC

地管腳需可靠接地。帶模擬檢測信號等電路的敏感信號線需避免干擾。11VCCIO

網(wǎng)絡(luò)不建議鋪銅，如果實在需鋪銅，請保證

電源鋪到模擬，RF

的敏感元件下面。CODEC,GPS等。12I2C

走線需避免同層及隔層的干擾。11

AUDIO

部分SCHNoRuleResultNote1耳機(jī)座的接法需根據(jù)耳機(jī)座

PIN

腳定義進(jìn)行，需注意檢測腳的選取及

/拔出耳機(jī)時檢測腳的狀態(tài)，耳機(jī)檢測腳跟左右聲道連接的耳機(jī)座，檢測PIN接左聲道。接左聲道可以有效減少插拔噪聲。2I2S,PCM

接口電平，需跟主控/模塊電平相匹配。很多WIFI+BT模塊，IO電平為2.8V，使用3G通話功能時，CODEC

PCM跟BT模塊相連，要考慮電平匹配。3模擬信號輸入/輸出時，信號格式要跟其他接口匹配。需考慮是單端還是差分，是否需要帶電容輸出。是否滿足信號幅度要求。盡量選擇不帶電容方式以節(jié)約成本。4帶通話功能項目，需選擇帶消回音功能的CODEC。改善通話質(zhì)量。5MIC

回路的參數(shù)設(shè)置需按MIC

的規(guī)格書設(shè)置，重點關(guān)注MIC等效電阻。‐16

‐福州瑞芯微電子6在耳機(jī)，喇叭線接口處，最好預(yù)留磁珠/電容位，以便于應(yīng)對ESD,EMI。7外置功放的電路，需保證功放IN+/IN‐的參數(shù)合理，IN+端的電阻值應(yīng)等于IN‐端左右聲道輸入電阻的并聯(lián)值，IN+端電容值應(yīng)為IN‐端電容值之和。8合理選擇功放IC，功放電源，磁珠。選電流盡量小的IC，按IC要求看是否需要磁珠。PCBNoRuleResultNote1左右聲道間要拉開距離且用地

，建議左右聲道走線寬度為

10MIL

或以上。2左右聲道輸出的串接電阻，端接的整形網(wǎng)絡(luò)，輸出電容等元件需靠耳機(jī)座放置。3應(yīng)對安規(guī)/EMI

的器件，需盡量靠近連接座放置。4差分輸入的MIC

走線按差分規(guī)則，需避免同層及臨層干擾，盡量遠(yuǎn)離干擾信號及元件，差分對需包地處理，走線寬度建議

10mil

以上，

電容靠

CODEC

PIN

腳放置。5SPEAKER

的走線，需要避開敏感信號，不要跟信號線，電源線隔層或同層平行，建議走線包地處理，寬度15MIL

以上。D

類輸出的喇叭線按差分線處理。6I2S/PCM

走線盡量走在一組，不要求等長處理但要注意避免‐17

‐福州瑞芯微電子信號線走線長度差太多。I2S

信號不屬于敏感信號，但仍需注意干擾，特別是強(qiáng)干擾源， 源晶體，功率電感等。7CODEC

的濾波電容，補(bǔ)償電容等要靠管腳放置，

地管腳及電容要可靠接地。不建議將CODEC

的地跟主地分開，如果分地需選擇合理接地點。11

顯示電路部分顯示部分包含屏顯示及 輸出顯示，RK31XX

只有

RGB

輸出，/LVDS/MIPI接口需外加轉(zhuǎn)換

。RK31XX

有兩個LCDC，可以支持雙屏顯示功能；兩個LCDC

的性能完全一樣，在實際的應(yīng)用中，可根據(jù)實際情況選擇LCDC

的使用。兩個LCDC

跟外部器件的連接可以互換，比如原來接屏的LCDC

改接到

，原來接

的改接到屏，但一般情況下建議按RK參考圖處理，以減少出錯。RK610/616/618可以只用一路輸出，但豎屏一定要接兩組LCDC。兩個LCDC

都支持RGB888、RGB666、RGB565接口，需根據(jù)屏的接口選擇合適的接法，電源控制電路也要根據(jù)LCD

的SPEC

要求進(jìn)行設(shè)計。屏顯示部分SCHNoRuleResultNote1需按屏的接口類型選擇對應(yīng)的屏電路。LVDS接口的屏，RGB要按屏的

MAP

接到

LVDS

轉(zhuǎn)換

。‐18

‐福州瑞芯微電子2MIPI

屏RESET

腳跟轉(zhuǎn)換IC

的CS,RESET

等控制口，需使用單獨IO，不能共用。3如果需要改變LCDC1

的供電電平，需注意在該電壓域的IO口的電平匹配?？梢圆挥迷撾妷河騼?nèi)的IO口。4屏電源供電開關(guān)，必須加防沖擊電流電路。如VCC_LCD，VSYS等。5TCON

控制電路在板上的電路，不能使用VSYS

或者BATT

做升壓電源。避免顯示閃爍抖動等問題。6需根據(jù)屏背光功耗選擇合適的背光驅(qū)動IC，確保最大電流在IC

規(guī)格內(nèi)及效率不小于80%。需在調(diào)試時確定屏最大亮度。7需要根據(jù)背光，液晶的供電的電壓選擇合理耐壓的電容。PCBNoRuleResultNote1LVDS/MIPI

原則上建議靠屏座擺放，RGB

走線盡量走內(nèi)層。2RGB走線不要求嚴(yán)格等長，但建議盡量注意控制等長，分辨率越高的屏，越要控制等長，720P

的屏建議各走線之間長度相差不超過1000MIL，1080P

的屏建議各條走線之間長度相差不超過500MIL。適用于各種接口的屏。3LVDS/MIPI走線要求按差分規(guī)則，需做100

歐姆差分阻抗匹配，走線寬度根據(jù)各個PCB

廠商的不同工藝而有所不同，按RK3188

的疊層及

RK

的

PCB

供應(yīng)商工藝， 走線寬度為7MIL。差分對之間要

，拉開間距，間距至少

3W。差分信號最好有完整參考層。不能有干擾信號，如屏背光電源，‐19

‐福州瑞芯微電子晶體等走線與LVDS

線臨層平行。4背光LAYOUT

時需注意按電流流向排放器件。IC的輸入濾波電容要靠IC

管腳放置，IC

輸入電容及IC

地腳要就近可靠接地。調(diào)節(jié)電流的電阻建議靠屏座放置。VSYS

走線要加粗，推薦40mil

以上。LED+/‐走線建議30mil

以上。調(diào)光的信號走線注意避開敏感信號，如MIC等。5MIPI

屏的SPI

信號需避免VSYS，D

類功放的喇叭線等強(qiáng)干擾。6相關(guān)電路的濾波電容靠輸入管腳擺放，可靠接地；相關(guān)地管腳可靠接地。部分部分的設(shè)計要求可以參考屏部分，下面只列出較屏不同的部分。SCHNoRuleResultNote1為了消除

線對

EMI

的影響,

線上需加共模電感，共模電感應(yīng)該加在轉(zhuǎn)換

IC

跟

ESD器件之間，ESD

器件后面接座。2對時鐘源要求高，有 的項目需控制時鐘頻偏。某些電視機(jī)

不顯示的情況，大多跟頻偏大有關(guān)。3某些IC

的I2S

信號上的電壓會反串到屏電壓上，建議的供電加開關(guān)。IT66121會PCB‐20

‐福州瑞芯微電子RuleResultNote1跟CODEC

共用一組I2S

接口，在走I2S

線時，需處理好I2S

走線分支問題，建議分支走線越短越好，如果能做到菊花鏈?zhǔn)亲詈眠x擇。2座子端的電容，ESD

器件等需靠 座放置，走線需先從座子到

ESD

器件再到轉(zhuǎn)換

。3共模電感靠轉(zhuǎn)換IC

放置。12

CAMERA

電路設(shè)計說明SCHNoRuleResultNote1RK31XX

只有一組

CAMERA

接口，使 頭時需使用CAMERA

的PDN

功能互切，支持1.8V

和2.8V

兩種IO

電壓。對頭部分SI要求高的，可以考慮一個接CAMERA接口，一個走USB/HSIC接口。2頭的I2C

上拉電平也要和模組的IO

電平一致。3為預(yù)防在實際產(chǎn)品中因CAMERA

走線過長，而造成時序問題，引起

異常，需要在

CLK

線上增加

RC

延遲電路。‐21

‐福州瑞芯微電子PCBNoRuleResultNote1數(shù)據(jù)走線建議走在一組，數(shù)據(jù)線間的長度差建議盡量小，建議不超過500mil。2MCLK

跟PCLK

走線盡量不臨層或同層相鄰，最好能分別用地。。3500M

像素

頭需遠(yuǎn)離熱源，預(yù)留散熱措施。13

WIFI，BT，GPS

部分本文檔只對該部分做一般性說明，詳細(xì)說明請參看RK

對于涉及到RF

模塊部分的專門的說明文檔，模塊相關(guān)部分請咨詢供應(yīng)商。SCHNoRuleResultNote1通常WIFI

通過SDIO/USB

接口跟主控通信，BT/GPS

通過串口/SDIO

跟主控通信。2WIFI,BT,GPS

為RF

模塊，其天線部分需按RF

要求設(shè)計，在RF

連接器跟IC/模塊引腳間需加阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，LNA，聲表面。‐22

‐福州瑞芯微電子濾波器等

RF

器件，以上器件建議按

RK

型號選擇，更改建議咨詢

或者相關(guān)模塊供應(yīng)商。3WIFI,BT,GPS

模塊，外置晶體的要保證晶體頻偏滿足要求，調(diào)試時需進(jìn)行頻率校準(zhǔn)。4需注意選擇低噪聲的電源。5RF

信號易受干擾，要盡量避免主板上其他器件的工作頻率或者倍頻處于RF

信號的頻帶內(nèi)。6需根據(jù)具體環(huán)境設(shè)計天線。7須在具體PCB

板上調(diào)整匹配網(wǎng)絡(luò)，以確保天線，走線及匹配網(wǎng)路滿足50

歐姆阻抗。PCBNoRuleResultNote1布局時要考慮遠(yuǎn)離干擾源，特別是DDR，RGB

等走線。2要在主板及模塊部分考慮 措施。3帶

GPS的機(jī)，

框一定要全封閉，要全漏銅，要保證后無縫隙。底層盡量不走線，只可以走少量模擬，電源線。4帶GPS

功能的機(jī)，在