半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題課件

半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題電學(xué)發(fā)明審查部半導(dǎo)體處沈麗半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題電學(xué)發(fā)明審查部半1本文簡(jiǎn)介：本文簡(jiǎn)介：2主要內(nèi)容：.半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹.申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題.審查答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本的常見(jiàn)問(wèn)題.導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析主要內(nèi)容：3一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說(shuō)是與半導(dǎo)體材料有關(guān)的領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料的制備、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制備、半導(dǎo)體器件的應(yīng)用、半導(dǎo)體器件的測(cè)量等等一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說(shuō)是與半4半導(dǎo)體器件的制備包含通過(guò)常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)部件以及半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用將具有特定的電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件例如IC應(yīng)用在電路、計(jì)算機(jī)、通信、商業(yè)等領(lǐng)域中。典型和常用的半導(dǎo)體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導(dǎo)體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件；半導(dǎo)體器件的制備包含通過(guò)常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)5電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半導(dǎo)體器件及其制備，不涉及這些器件的應(yīng)用，從分類(lèi)號(hào)的角度來(lái)說(shuō)，僅涉及H01L下的專(zhuān)利申請(qǐng)。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對(duì)半導(dǎo)體器件及其制備。電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半6H01L領(lǐng)域的特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類(lèi)多、工藝方法多、功能性限定相對(duì)少。H01L領(lǐng)域的特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類(lèi)多、工藝7半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹(shù)脂層等。產(chǎn)品種類(lèi)多：分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽(yáng)能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安8工藝方法多：外延生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動(dòng)焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。工藝方法多：外延生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法9功能性限定相對(duì)少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對(duì)于元器件來(lái)說(shuō)，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結(jié)構(gòu)特征及各個(gè)結(jié)構(gòu)特征之間的位置或連接關(guān)系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對(duì)于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來(lái)限定，而不是功能性描述。功能性限定相對(duì)少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對(duì)于元器件10二、申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題二、申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題11根據(jù)專(zhuān)利法第26條第1款的規(guī)定，申請(qǐng)發(fā)明或者實(shí)用新型專(zhuān)利的，應(yīng)當(dāng)提交請(qǐng)求書(shū)、說(shuō)明書(shū)及其摘要和權(quán)利要求書(shū)等文件。專(zhuān)利申請(qǐng)文件的組成根據(jù)專(zhuān)利法第26條第1款的規(guī)定，申請(qǐng)發(fā)明或者12（一）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)符合專(zhuān)利法第26條第3款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條、19條的規(guī)定。（一）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)符合專(zhuān)利法第26條第3款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則13專(zhuān)利法第26條第3款規(guī)定：說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)對(duì)發(fā)明或者實(shí)用新型作出清楚、完整的說(shuō)明，以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為準(zhǔn)；必要的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)有附圖。1）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定專(zhuān)利法第26條第3款規(guī)定：說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)對(duì)發(fā)明或14i）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚，具體應(yīng)滿(mǎn)足下述要求。主題明確，前后一致用詞準(zhǔn)確，無(wú)歧義i）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚，具體應(yīng)滿(mǎn)足下述要求。15ii）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整一份完整的說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)包含下列各項(xiàng)內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實(shí)用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實(shí)用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術(shù)）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實(shí)用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)）ii）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整16

iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)是指所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)，就能夠再現(xiàn)該發(fā)明的技術(shù)方案，解決其技術(shù)問(wèn)題，并且產(chǎn)生預(yù)期的技術(shù)效果。iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)17提示：如果申請(qǐng)人視為“技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚?，就不可作為技術(shù)秘密保留起來(lái)，應(yīng)當(dāng)記載在說(shuō)明書(shū)中；否則，由于“說(shuō)明書(shū)的修改不得超出原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求的記載范圍”，那些被申請(qǐng)人當(dāng)作技術(shù)秘密保留起來(lái)的必不可少的技術(shù)內(nèi)容在修改時(shí)就不能補(bǔ)充到說(shuō)明書(shū)中去，從而可能導(dǎo)致最后駁回申請(qǐng)。提示：如果申請(qǐng)人視為“技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是18以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無(wú)法實(shí)現(xiàn)：1）說(shuō)明書(shū)中僅給出了任務(wù)和/或設(shè)想，或者只表明一種愿望和/或結(jié)果，而未給出任何使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┑募夹g(shù)手段；2）說(shuō)明書(shū)中給出了解決手段，但對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施；以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無(wú)193）說(shuō)明書(shū)中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員采用該手段并不能解決所述技術(shù)問(wèn)題；4）申請(qǐng)的主題為由多個(gè)技術(shù)措施構(gòu)成的技術(shù)方案，對(duì)于其中一個(gè)技術(shù)措施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容并不能實(shí)現(xiàn)；5）說(shuō)明書(shū)中給出了具體的技術(shù)方案，但未提供實(shí)驗(yàn)證據(jù)，而該方案又必須依賴(lài)實(shí)驗(yàn)結(jié)果加以證實(shí)才能成立。3）說(shuō)明書(shū)中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人20舉例1：發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件三維接觸的形成背景技術(shù)：現(xiàn)有技術(shù)中大多采用等離子體蝕刻技術(shù)進(jìn)行三維蝕刻，但需要價(jià)格昂貴的設(shè)備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問(wèn)題，盡管可以通過(guò)熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過(guò)程會(huì)導(dǎo)致制造成本上升。舉例1：21發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時(shí)通過(guò)表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。采用化學(xué)藥品進(jìn)行腐蝕，晶格損傷為零，可以大量成批處理。只要控制化學(xué)藥品的組成、腐蝕溫度和時(shí)間，就能得到一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電22實(shí)施例：結(jié)晶方向?yàn)?lt;110>單晶棒，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進(jìn)行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40℃的堿性化學(xué)藥品中。實(shí)施例：23附圖1：附圖1：24舉例2：發(fā)明名稱(chēng)：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術(shù)方案：利用分子篩材料的納米孔道特點(diǎn)，在納米孔道中裝入P型和N型半導(dǎo)體材料，并且在P型和N型半導(dǎo)體的結(jié)合處形成P-N結(jié)。分別在孔道的兩端P型和N型半導(dǎo)體上蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎(chǔ)。這樣便在納米孔道中構(gòu)成了一種二極管。以此為出發(fā)點(diǎn)，利用分子篩中的納米孔道可控制生長(zhǎng)特性，可以構(gòu)造晶體管和集成電路。舉例2：25附圖：附圖：26分析：申請(qǐng)人在實(shí)施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型半導(dǎo)體材料”、“在三個(gè)不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導(dǎo)體”、“通過(guò)分子組裝化學(xué)方法，將P型半導(dǎo)體材料18、22和N型半導(dǎo)體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)條件，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員難以理解：分析：申請(qǐng)人在實(shí)施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型27如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請(qǐng)中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過(guò)20納米的晶體管及其集成電路。也就是說(shuō)明中僅給出了解決手段，但對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施，不符合專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定。如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別282）說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)順序應(yīng)當(dāng)符合實(shí)施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為：

（1）發(fā)明名稱(chēng)i）應(yīng)與請(qǐng)求書(shū)中的名稱(chēng)一致，一般不超過(guò)25個(gè)字；舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導(dǎo)體器件的制造方法及絕緣體基半導(dǎo)體器件”；b）“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽(yáng)能電池組件”2）說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)順序應(yīng)當(dāng)符合實(shí)施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為：29ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，最好采用國(guó)際專(zhuān)利分類(lèi)表中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，不得采用非技術(shù)術(shù)語(yǔ)；舉例：“形成半導(dǎo)體器件金屬互連的方法”H01L21/768“形成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法”H01L21/8242“線架及其制造方法”“二極體及其制造方法”ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，最好采30iii）清楚簡(jiǎn)明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案的主題和類(lèi)型（產(chǎn)品或方法）；舉例：“半導(dǎo)體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計(jì)算方法”“熱電半導(dǎo)體材料或元器件及其制造方法與裝置”iii）清楚簡(jiǎn)明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用31iv）應(yīng)該全面地反映一件申請(qǐng)中包含的各種發(fā)明類(lèi)型；舉例：“半導(dǎo)體器件的互連線及其制造方法”“一種散熱片及形成方法和組合件”“引線框架和半導(dǎo)體器件”（申請(qǐng)文件）“引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導(dǎo)體器件”（授權(quán)）iv）應(yīng)該全面地反映一件申請(qǐng)中包含的各種發(fā)明32v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號(hào)或者商品名稱(chēng)，也不得使用商業(yè)性宣傳用語(yǔ)。舉例：“一種高效替換備用存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體器件”“一種新穎整流元件的結(jié)構(gòu)及其制法”v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號(hào)或者商品名33（2）技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位發(fā)明或者實(shí)用新型本身。（2）技術(shù)領(lǐng)域34舉例：發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域：“本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法”點(diǎn)評(píng)：由于半導(dǎo)體器件種類(lèi)很多并且零部件也很多，因此寫(xiě)成了廣義的技術(shù)領(lǐng)域，過(guò)于籠統(tǒng)，簡(jiǎn)單地照抄發(fā)明名稱(chēng)。舉例：35發(fā)明名稱(chēng)：“形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的方法”技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導(dǎo)體器件的STI（淺槽隔離）結(jié)構(gòu)形成場(chǎng)區(qū)的方法。改進(jìn)之處：在形成槽之前先進(jìn)行離子注入。發(fā)明名稱(chēng)：“形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的方法”36技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域），特別涉及先進(jìn)行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域37（3）背景技術(shù)發(fā)明或者實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)的背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫(xiě)明對(duì)發(fā)明或者實(shí)用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術(shù)，并且引證反映這些背景技術(shù)的文件。在說(shuō)明書(shū)涉及背景技術(shù)的部分中，還要客觀地指出背景技術(shù)中存在的問(wèn)題和缺點(diǎn)。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案所解決的問(wèn)題和缺點(diǎn)。在可能的情況下，說(shuō)明存在這種問(wèn)題和缺點(diǎn)的原因以及解決這些問(wèn)題時(shí)曾經(jīng)遇到的困難。（3）背景技術(shù)38一些申請(qǐng)文件中的缺陷：（i）對(duì)背景技術(shù)的描述過(guò)于簡(jiǎn)單，只是籠統(tǒng)地一提而過(guò)，沒(méi)有引證文件；（ii）有的即使引用了相關(guān)文件，也與發(fā)明主題相距甚遠(yuǎn)，有意或無(wú)意地掩蓋了最相關(guān)的背景技術(shù)；（iii）有的故意把背景技術(shù)說(shuō)得一無(wú)是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”；（iv）有的對(duì)于不重要的背景技術(shù)描述很多，對(duì)真正相關(guān)的背景技術(shù)卻避而不談。一些申請(qǐng)文件中的缺陷：39舉例：附圖：舉例：40圖面介紹：圖1是常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導(dǎo)體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個(gè)連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導(dǎo)體芯片1引線接合。圖面介紹：41粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導(dǎo)體芯片1的芯片焊盤(pán)/接合焊盤(pán)（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹(shù)脂4模制包括已導(dǎo)線連接的半導(dǎo)體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預(yù)定區(qū)域，以使引線框架的連接基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預(yù)定深度。粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線242美國(guó)專(zhuān)利5428248中詳細(xì)說(shuō)明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，該專(zhuān)利已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對(duì)它所公開(kāi)的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導(dǎo)體封裝中，當(dāng)芯片焊盤(pán)位于半導(dǎo)體封裝的側(cè)邊時(shí)，可以進(jìn)行引線接合，但當(dāng)芯片焊盤(pán)位于其中心時(shí)，無(wú)法進(jìn)行引線接合。美國(guó)專(zhuān)利5428248中詳細(xì)說(shuō)明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半43（4）發(fā)明或者實(shí)用新型的內(nèi)容要解決的技術(shù)問(wèn)題是指發(fā)明或者實(shí)用新型要解決的現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。發(fā)明或者實(shí)用新型公開(kāi)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)能夠解決這些技術(shù)問(wèn)題。（4）發(fā)明或者實(shí)用新型的內(nèi)容44撰寫(xiě)要求：①針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足；②用正面、盡可能簡(jiǎn)潔的語(yǔ)言客觀而有根據(jù)地反映發(fā)明或者實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，也可以進(jìn)一步說(shuō)明其技術(shù)效果。撰寫(xiě)要求：45舉例：I.由于與基板等進(jìn)行電連的外部引線收a被配置為比芯片焊盤(pán)3的位置往下，故半導(dǎo)體器件難于薄型化。II.由于芯片焊盤(pán)3設(shè)于IC封裝主體（鑄模樹(shù)脂5a）內(nèi)部，故散熱性差。

舉例：46III.由于與基板等進(jìn)行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導(dǎo)體器件的下邊的一個(gè)方向，故半導(dǎo)體器件的多層化是困難的。本發(fā)明就是為了解決這些問(wèn)題而創(chuàng)造出來(lái)的，目的是提供一種可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化，可改善散熱性，可實(shí)現(xiàn)多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。III.由于與基板等進(jìn)行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導(dǎo)47技術(shù)方案：說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的技術(shù)方案是一件發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的核心，技術(shù)方案是申請(qǐng)人對(duì)要解決的技術(shù)問(wèn)題采取的技術(shù)措施的集合。技術(shù)措施通常是由技術(shù)特征來(lái)體現(xiàn)的。發(fā)明為解決其技術(shù)問(wèn)題所不可缺少的技術(shù)特征稱(chēng)為必要的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明的技術(shù)方案，達(dá)到其目的和效果。技術(shù)方案：48與發(fā)明的目的有關(guān)的、用于進(jìn)一步完善或展開(kāi)技術(shù)方案的技術(shù)特征稱(chēng)為附加的技術(shù)特征。如果一件申請(qǐng)中有幾項(xiàng)發(fā)明，應(yīng)當(dāng)用獨(dú)立的自然段說(shuō)明每項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)方案。與發(fā)明的目的有關(guān)的、用于進(jìn)一步完善或展開(kāi)技術(shù)方案的技術(shù)特征稱(chēng)49（5）有益效果有益效果是指由構(gòu)成發(fā)明的特征直接帶來(lái)的，或者是由所述的技術(shù)特征必然產(chǎn)生的技術(shù)效果。通常，有益效果可以由產(chǎn)率、質(zhì)量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的節(jié)省，加工、操作、控制、使用的簡(jiǎn)便，環(huán)境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出來(lái)。（5）有益效果50常見(jiàn)缺陷：i）有的說(shuō)明書(shū)提出的發(fā)明目的過(guò)于籠統(tǒng)。例如，本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

本發(fā)明的發(fā)明目的是提高器件的可靠性。常見(jiàn)缺陷：51ii）有的說(shuō)明書(shū)只講背景技術(shù)的缺點(diǎn)和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，而不明確提出本發(fā)明和所要解決的問(wèn)題，也就是沒(méi)有發(fā)明目的部分。iii）夸大技術(shù)效果。ii）有的說(shuō)明書(shū)只講背景技術(shù)的缺點(diǎn)和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，而52（6）附圖及附圖說(shuō)明說(shuō)明書(shū)有附圖的，應(yīng)當(dāng)寫(xiě)明各幅附圖的圖名，并且對(duì)圖示的內(nèi)容做簡(jiǎn)要說(shuō)明。附圖不止一幅的，應(yīng)當(dāng)對(duì)所有附圖做出圖面說(shuō)明。（6）附圖及附圖說(shuō)明53例如：i）附圖說(shuō)明中的內(nèi)容在相應(yīng)的圖中沒(méi)有；舉例：圖9是沿圖8的B-B線的斷面；

圖11是沿圖10的C-C線的斷面；

圖13是沿圖12的D-D線的斷面；然而，在相應(yīng)的圖8、10以及12中沒(méi)有出現(xiàn)B-B、C-C以及D-D。例如：i）附圖說(shuō)明中的內(nèi)容在相應(yīng)的圖中沒(méi)有；54ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個(gè)附圖，但只介紹了其中4個(gè)。ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個(gè)附圖，55（7）具體實(shí)施方式提示：該部分是說(shuō)明書(shū)的重要組成部分，它對(duì)于充分公開(kāi)、理解和再現(xiàn)發(fā)明或者實(shí)用新型，支持和解釋權(quán)利要求都是十分重要的。（7）具體實(shí)施方式56在描述具體實(shí)施方式時(shí)，并不要求對(duì)已知技術(shù)特征作詳細(xì)展開(kāi)說(shuō)明，但必須詳細(xì)說(shuō)明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的必要技術(shù)特征和各附加技術(shù)特征以及各技術(shù)特征之間的關(guān)系及其功能和作用；具體實(shí)施方式中至少應(yīng)包括一個(gè)獨(dú)立權(quán)利要求的全部必要技術(shù)特征，具體實(shí)施方式中的技術(shù)特征與技術(shù)方案以及獨(dú)立權(quán)利要求中的特征沒(méi)有矛盾。在描述具體實(shí)施方式時(shí)，并不要求對(duì)已知技術(shù)特征作詳細(xì)展開(kāi)說(shuō)明，57舉例：技術(shù)方案對(duì)Cx中的x限定為x400，而實(shí)施例1中的x=400，前后矛盾。舉例：58在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，如果改進(jìn)之處在于產(chǎn)品或材料，那么應(yīng)借助附圖將產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)及組成或者將材料的組成、性能或制備工藝條件描述得清楚完整，如果改進(jìn)之處在于方法步驟，那么實(shí)施例部分應(yīng)當(dāng)借助附圖清楚地描述出工藝的步驟順序、工藝方法、工藝參數(shù)以及各步驟得到的相應(yīng)結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，如果改進(jìn)之處在于產(chǎn)品或材料，那么應(yīng)借助附59當(dāng)權(quán)利要求（尤其是獨(dú)立權(quán)利要求）覆蓋的保護(hù)范圍較寬，其概括的特征不能從一個(gè)實(shí)施例中找到依據(jù)時(shí)，應(yīng)當(dāng)給出一個(gè)以上的不同實(shí)施例，以支持所要求保護(hù)的范圍。當(dāng)權(quán)利要求（尤其是獨(dú)立權(quán)利要求）覆蓋的保護(hù)范圍較寬60舉例：i）僅給出了“碳化硅”作為基底的實(shí)施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”；ii）實(shí)施例中為“絕緣材料膜”，而獨(dú)立權(quán)利要求1要求保護(hù)“薄膜層”。舉例：61

當(dāng)權(quán)利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時(shí)，應(yīng)給出兩端值附近的實(shí)施例和至少一個(gè)中間值的實(shí)施例。當(dāng)權(quán)利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時(shí)，應(yīng)給出兩端值附近的62舉例：i）實(shí)施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實(shí)施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實(shí)施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”，獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%；ii）實(shí)施例中為“MnO2”但獨(dú)立權(quán)利要求1中要求保護(hù)“MxOy（x=1-3、y=2-4）”。舉例：63對(duì)照附圖描述發(fā)明的具體實(shí)施方式時(shí)，使用的附圖標(biāo)記或符號(hào)應(yīng)當(dāng)與附圖中所示的一致，并放在相應(yīng)的技術(shù)名稱(chēng)后面，不加括號(hào)。對(duì)照附圖描述發(fā)明的具體實(shí)施方式時(shí)，使用的附圖標(biāo)記或64舉例：i）同一附圖標(biāo)記表示不同的技術(shù)特征；例如芯片5；內(nèi)引線5；ii）同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)前后采用了不同的附圖標(biāo)記；例如芯片5；芯片8；

iii）附圖中顯示的內(nèi)容與附圖說(shuō)明中的內(nèi)容不符；舉例：65例如：說(shuō)明書(shū)第3頁(yè)對(duì)圖1的說(shuō)明中記載了：絕緣體上有硅基底100包括埋入式氧化層102和硅材層110，然而從圖1中可以看出，埋入式氧化層102和硅材層110位于絕緣體上有硅基底100之上，氧化層102和硅材層110與硅基底100并非包含關(guān)系。例如：說(shuō)明書(shū)第3頁(yè)對(duì)圖1的說(shuō)明中記載了：絕緣體上有硅基底1066附圖：附圖：67（8）不符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條第3款的撰寫(xiě)缺陷：a）同一技術(shù)術(shù)語(yǔ)前后不一致；例如：“馬達(dá)16”；“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)16”；“承載臺(tái)28”；“承載28”；“閘刀33”；“間刀33”；“刀刃33”；“第一和第二導(dǎo)熱層17和19”，“金屬層17和19”，“保護(hù)劑材料61”，“保護(hù)材料61”，“包封材料63”，“包封劑材料63”，“接線夾27”，“電連接夾”。（8）不符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條第3款的撰寫(xiě)缺陷：68b）采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語(yǔ)；例如電漿、非等向性、打線、閘極、片子、汲極區(qū)、信道、通道、矽、磊晶、晶圓、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二極體、燒錄、黃光暨蝕刻制作工藝、連接墊、主動(dòng)區(qū)域、金氧半、側(cè)壁子、側(cè)子、熱載子、電子洞對(duì)、載子移動(dòng)率、淡摻雜、井區(qū)、基材、崩潰電壓等等；c）沒(méi)有采用國(guó)家法定的計(jì)量單位；例如：達(dá)因、密耳、乇、英寸、鎊等。b）采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語(yǔ)；例如電漿、非等向69（9）說(shuō)明書(shū)附圖要符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第19條的規(guī)定。常見(jiàn)問(wèn)題：i）說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在附圖中沒(méi)有出現(xiàn)；附圖中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有介紹；ii）附圖中有英文單詞；iii）提交的附圖數(shù)量不夠或數(shù)量夠內(nèi)容不夠；例如：提交了兩份圖2，但是沒(méi)有圖4。（9）說(shuō)明書(shū)附圖70（10）說(shuō)明書(shū)摘要及摘要附圖的缺陷：a）缺少技術(shù)內(nèi)容，例如只宣傳產(chǎn)品的性能；b）包括過(guò)多的廣告性宣傳用語(yǔ)；c）字?jǐn)?shù)超過(guò)300字；d）沒(méi)有提交摘要附圖。（10）說(shuō)明書(shū)摘要及摘要附圖的缺陷：71（二）權(quán)利要求書(shū)的撰寫(xiě)要符合專(zhuān)利法第26條第4款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條-23條的規(guī)定。（二）權(quán)利要求書(shū)的撰寫(xiě)721.權(quán)利要求的種類(lèi)按照權(quán)利要求的內(nèi)容劃分（1）產(chǎn)品權(quán)利要求，即物的權(quán)利要求；例如：引線框架及使用該引線框架的半導(dǎo)體封裝；動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；鐵電半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；氮化鎵藍(lán)光發(fā)光二極管；彈簧夾及散熱片組件；靜電放電保護(hù)電路；帶有透明窗口的半導(dǎo)體封裝。1.權(quán)利要求的種類(lèi)73（2）方法權(quán)利要求，即活動(dòng)的權(quán)利要求；例如：形成半導(dǎo)體器件通孔的方法；在半導(dǎo)體器件內(nèi)制造互連線的方法；半導(dǎo)體芯片的清洗方法；半導(dǎo)體芯片的貼裝方法。（2）方法權(quán)利要求，即活動(dòng)的權(quán)利要求；742.按權(quán)利要求的形式劃分（1）獨(dú)立權(quán)利要求；保護(hù)范圍最大。獨(dú)立權(quán)利要求1應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足實(shí)施細(xì)則第21條第2款的規(guī)定，應(yīng)當(dāng)整體上反映發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案，記載解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征。2.按權(quán)利要求的形式劃分75

必要技術(shù)特征是指，發(fā)明或者實(shí)用新型為解決其技術(shù)問(wèn)題所必不可缺少的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案，使之區(qū)別于背景技術(shù)中所述的其他技術(shù)方案。必要技術(shù)特征是指，發(fā)明或者實(shí)用新型為解決其技76要解決的技術(shù)問(wèn)題：消除半導(dǎo)體薄膜中存在的大量晶界，從而消除因晶界而產(chǎn)生的能級(jí)勢(shì)壘對(duì)相鄰晶粒之間的電子移動(dòng)的妨礙作用。解決此技術(shù)問(wèn)題的關(guān)鍵就是形成基本上無(wú)晶界的單疇區(qū)。但獨(dú)立權(quán)利要求1中卻缺少特征：所述單疇區(qū)基本上不包括晶界”。要解決的技術(shù)問(wèn)題：消除半導(dǎo)體薄膜中存在的大量77（2）從屬權(quán)利要求：如果一項(xiàng)權(quán)利要求包含了另一項(xiàng)同類(lèi)權(quán)利要求中的所有技術(shù)特征，且對(duì)該另一項(xiàng)權(quán)利要求的技術(shù)方案作了進(jìn)一步的限制，則該權(quán)利要求為從屬權(quán)利要求。（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條第3款）（2）從屬權(quán)利要求：如果一項(xiàng)權(quán)利要求包含了另78舉例：a）獨(dú)立權(quán)利要求1、9、10、11、12和13分別是對(duì)獨(dú)立權(quán)利要求1中底座厚度和焊料厚度關(guān)系的具體限定，因此申請(qǐng)人應(yīng)將權(quán)利要求9-13修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。舉例：79b）獨(dú)立權(quán)利要求2與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了“與第二互連相鄰的第二焊接區(qū)”，而權(quán)利要求6與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了位于半導(dǎo)體器件相對(duì)側(cè)上的第一和第二刻劃線以及鈍化層還覆蓋導(dǎo)電區(qū)的第三和第四部分，因此申請(qǐng)人應(yīng)將權(quán)利要求2和6修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。b）獨(dú)立權(quán)利要求2與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加803.權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足的實(shí)質(zhì)性要求

1）權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，是指權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)?shù)玫秸f(shuō)明書(shū)的支持。說(shuō)明書(shū)不僅應(yīng)當(dāng)在表述形式上得到說(shuō)明書(shū)的支持，而且應(yīng)當(dāng)在實(shí)質(zhì)上得到說(shuō)明書(shū)的支持。也就是說(shuō)，權(quán)利要求書(shū)中的每一項(xiàng)權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)?shù)乃鶎偌夹g(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠從說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的內(nèi)容直接得到或者概括得出的技術(shù)方案，并且權(quán)利要求的范圍不得超出說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容。3.權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足的實(shí)質(zhì)性要求81（1）如果說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中的技術(shù)特征是下位概念，而發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案是利用該下位概念的個(gè)性，則不允許權(quán)利要求將此技術(shù)特征概括成此下位概念的上位概念。反之，若發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案是利用了此上位概念技術(shù)特征的所有下位概念的共性，則允許權(quán)利要求書(shū)將此技術(shù)概念概括成上位概念；（1）如果說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中的技術(shù)特征是下位概念82例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實(shí)施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”；將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實(shí)施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要83（2）說(shuō)明書(shū)中的實(shí)施例或具體實(shí)施方式越多，那么可以允許權(quán)利要求書(shū)的概括程度越大；但是也可以只有一種具體實(shí)施方式，只要這種概括對(duì)該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的；（2）說(shuō)明書(shū)中的實(shí)施例或具體實(shí)施方式越多，那84舉例：實(shí)施例中指出使用鎳作為催化劑元素可以得到最顯著的效果，其它可利用的催化劑的種類(lèi)，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（鐵）作為催化劑元素時(shí)，鐵的化合物可以使用溴化亞鐵、溴化鐵；用Co（鈷）作為催化劑元素時(shí)，鈷的化合物可以使用下列的鈷鹽；舉例：85用Ru（釕）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；用Rh（銠）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；用Pd（鈀）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；由此可見(jiàn)，獨(dú)立權(quán)利要求中的特征“含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的化合物”的概括是允許的。用Ru（釕）作為催化劑元素時(shí)，其化合物可以使用例如；86

a）每一項(xiàng)權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案在說(shuō)明書(shū)中都應(yīng)清楚地記載。舉例：i）權(quán)利要求書(shū)中的特征“氮化鈦熱退火的時(shí)間30~60分鐘”的特征在說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有記載；ii）權(quán)利要求書(shū)中記載的特征“氮化鈦在300~450℃下熱分解”，與說(shuō)明書(shū)中“氮化鈦在300~500℃下熱分解”不一致；a）每一項(xiàng)權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案在說(shuō)明87

iii）特征反應(yīng)室內(nèi)電極溫度“從約-60C到25C”與說(shuō)明書(shū)中記載的反應(yīng)室內(nèi)電極溫度保持在“-60C到0C”不一致。iv）特征“位于第二介質(zhì)層上的第二列鍵合銷(xiāo)”與說(shuō)明書(shū)中記載的“第二列鍵合銷(xiāo)48放置在第三介質(zhì)層20的頂面”不一致。iii）特征反應(yīng)室內(nèi)電極溫度“從約-60C到88

b）為了獲得盡可能寬的保護(hù)范圍，權(quán)利要求，尤其是獨(dú)立權(quán)利要求一般都要對(duì)說(shuō)明書(shū)中記載的一個(gè)或多個(gè)具體技術(shù)方案進(jìn)行概括，權(quán)利要求的概括應(yīng)當(dāng)適當(dāng)，使其保護(hù)范圍正好適應(yīng)說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的內(nèi)容。b）為了獲得盡可能寬的保護(hù)范圍，權(quán)利要求，89舉例：i）獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%，實(shí)施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實(shí)施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實(shí)施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”。舉例：90

ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤(pán)的間距的整數(shù)倍”，而說(shuō)明書(shū)中記載的是芯片載體電極的間距為芯片焊盤(pán)的間距的2倍或更大。

分析：整數(shù)倍包括1及大于1的整數(shù)倍兩種情況，不能由2倍或更大概括出。ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤(pán)的91iii）權(quán)利要求中的特征“導(dǎo)電組件”包含了很寬的范圍，僅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域就包括導(dǎo)體、布線、焊盤(pán)、突點(diǎn)、引線、焊料球等，而本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中僅給出了“焊盤(pán)及其上導(dǎo)電突點(diǎn)”的實(shí)施例。iii）權(quán)利要求中的特征“導(dǎo)電組件”包含了很寬的范圍，僅在半92

c）權(quán)利要求中應(yīng)當(dāng)用技術(shù)特征來(lái)表達(dá)完整的技術(shù)方案，所采用的技術(shù)特征應(yīng)當(dāng)是有技術(shù)含義的具體特征（例如，結(jié)構(gòu)特征或方法步驟）。c）權(quán)利要求中應(yīng)當(dāng)用技術(shù)特征來(lái)表達(dá)完整的93

2）權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)清楚（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款）（1）每項(xiàng)權(quán)利要求的類(lèi)型應(yīng)當(dāng)清楚，并且應(yīng)當(dāng)與發(fā)明要求保護(hù)的主題一致。產(chǎn)品權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)用產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)關(guān)系來(lái)描述。方法權(quán)利要求可以用工藝條件、操作條件、步驟或者流程等特征來(lái)描述。2）權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)清楚（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款）94舉例：a）一種電光探頭，由可微調(diào)位置的透明基板和附著在基板上的有機(jī)電光材料層組成，由電光探測(cè)光學(xué)單元產(chǎn)生的探測(cè)光束經(jīng)顯微物鏡頭聚焦后，穿過(guò)透明基板、基板與電光材料的界面和電光材料層，聚焦光斑落在電光材料層的外表面上，并被該表面上的高反射介質(zhì)膜反射，當(dāng)聚焦光斑挨近帶測(cè)的電信號(hào)傳輸線時(shí)，信號(hào)電場(chǎng)進(jìn)入有機(jī)電光材料層。（產(chǎn)品用方法特征限定）舉例：95

b）一種熱電半導(dǎo)體材料或元器件，包括。c）特征“將其支承在其周邊部”中的兩個(gè)其指代不清楚。b）一種熱電半導(dǎo)體材料或元器件，包括。96（2）每項(xiàng)權(quán)利要求所確定的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚。對(duì)于產(chǎn)品權(quán)利要求而言，應(yīng)當(dāng)盡量避免使用功能或者效果特征來(lái)限定發(fā)明。舉例：a）如權(quán)利要求4所述的球點(diǎn)陣列集成電路封裝的方法，其特征在于：所述散熱板的散熱效果是將該芯片于通電運(yùn)作時(shí)的熱量導(dǎo)至該封裝后的球點(diǎn)陣列（BGA）集成電路之外的效果。（2）每項(xiàng)權(quán)利要求所確定的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚。對(duì)于產(chǎn)品97

b）權(quán)利要求中使用了含義不確定的詞語(yǔ)，例如：基本上；大約；尤其是；例如；如；類(lèi)；優(yōu)選；等等；c）從屬權(quán)利要求中引用了在前權(quán)利要求中的特征，但在前權(quán)利要求中根本沒(méi)有出現(xiàn)該特征。例如：根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器，其中鈍化層為氮化硅。b）權(quán)利要求中使用了含義不確定的詞語(yǔ)，例如98

3）權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明每一項(xiàng)權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明并且所有權(quán)利要求作為一個(gè)整體應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明；權(quán)利要求的數(shù)量應(yīng)當(dāng)合理；權(quán)利要求的用詞應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明；權(quán)利要求之間應(yīng)當(dāng)避免不必要的重復(fù)。3）權(quán)利要求書(shū)應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)明99舉例：1.一種光檢測(cè)器，包括：設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體襯底反面的導(dǎo)體，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體；12.根據(jù)權(quán)利要求1的光檢測(cè)器，其特征在于：所述n型半導(dǎo)體襯底的反面設(shè)置在所述導(dǎo)體上，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體。舉例：1004.權(quán)利要求存在的形式缺陷1）從屬權(quán)利要求沒(méi)有緊跟在所引用的獨(dú)立權(quán)利要求之后；2）權(quán)利要求不僅結(jié)尾處存在句號(hào)，中間處也存在句號(hào)；3）權(quán)利要求中使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)與說(shuō)明書(shū)中使用的不一致；4）權(quán)利要求中存在括號(hào)，但括號(hào)中的內(nèi)容不是附圖標(biāo)記；5）權(quán)利要求中存在公司名稱(chēng)或商品名稱(chēng)。4.權(quán)利要求存在的形式缺陷1015.獨(dú)立權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求1）獨(dú)立權(quán)利要求的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚，以符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款的規(guī)定。2）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)反映出與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別，使其描述的發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案具有新穎性和創(chuàng)造性，以符合專(zhuān)利法第22條的規(guī)定。5.獨(dú)立權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求1023）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案，記載為達(dá)到發(fā)明或?qū)嵱眯滦湍康牡谋匾夹g(shù)特征，以符合專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條的規(guī)定。4）獨(dú)立權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案應(yīng)該以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，以符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定。3）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱?036.從屬權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求1）從屬權(quán)利要求只能引用其前面的權(quán)利要求，不得引用在其后的權(quán)利要求或者其本身；例如：5.根據(jù)權(quán)利要求5的制造方法，其中。6.從屬權(quán)利要求的撰寫(xiě)要求1042）多項(xiàng)從屬權(quán)利要求不得作為另一項(xiàng)從屬權(quán)利要求的引用基礎(chǔ)；例如：5.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4的半導(dǎo)體器件，其中。6.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5的半導(dǎo)體器件，其中。2）多項(xiàng)從屬權(quán)利要求不得作為另一項(xiàng)從屬權(quán)利要105

3）多項(xiàng)從屬權(quán)利要求只能擇一地引用在前的權(quán)利要求；例如：6.根據(jù)權(quán)利要求2、3、4以及5的半導(dǎo)體器件，其中。4）一項(xiàng)從屬權(quán)利要求不得同時(shí)引用在前的兩項(xiàng)或兩項(xiàng)以上的獨(dú)立權(quán)利要求。3）多項(xiàng)從屬權(quán)利要求只能擇一地引用在前的權(quán)利106

5）從屬權(quán)利要求的主題名稱(chēng)應(yīng)與所引用的主題名稱(chēng)一致；例如：24.根據(jù)權(quán)利要求17的電子互連器件，其特征在于：。25.根據(jù)權(quán)利要求24的電子封裝外殼，其特征在于：。5）從屬權(quán)利要求的主題名稱(chēng)應(yīng)與所引用的主題名107三.答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本中的常見(jiàn)問(wèn)題

（一）說(shuō)明書(shū)中的問(wèn)題1.發(fā)明名稱(chēng)1）權(quán)利要求書(shū)中產(chǎn)品或方法的獨(dú)立權(quán)利要求及從屬權(quán)利要求刪除之后，發(fā)明名稱(chēng)沒(méi)有進(jìn)行相應(yīng)的變更，仍然是產(chǎn)品和方法；三.答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本中的常見(jiàn)問(wèn)題1082）審查員在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出修改發(fā)明名稱(chēng)，但仍然沒(méi)有修改；3）審查員在通知書(shū)中沒(méi)有指出修改發(fā)明名稱(chēng)，但申請(qǐng)人主動(dòng)變更了發(fā)明名稱(chēng)。2）審查員在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出修改發(fā)1092.技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明名稱(chēng)已變更但技術(shù)領(lǐng)域沒(méi)有變更。例如：發(fā)明名稱(chēng)已由“芯片尺寸封裝及其制造方法”修改為“芯片尺寸封裝的制造方法”，但是技術(shù)領(lǐng)域仍然為“本發(fā)明涉及芯片尺寸封裝及其制造方法。2.技術(shù)領(lǐng)域1103.要解決的技術(shù)問(wèn)題為了相對(duì)于審查員提出的對(duì)比文件具有新穎性和創(chuàng)造性，修改了獨(dú)立權(quán)利要求，增加了技術(shù)特征，但修改后的獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)方案要解決的技術(shù)問(wèn)題明顯與說(shuō)明書(shū)中原有的要解決的技術(shù)問(wèn)題不同，此時(shí)應(yīng)該修改說(shuō)明書(shū)中的該部分。3.要解決的技術(shù)問(wèn)題1114.技術(shù)方案申請(qǐng)人修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但沒(méi)有相應(yīng)地修改技術(shù)方案部分。4.技術(shù)方案1125.有益效果1）為區(qū)別于審查員提出的對(duì)比文件，申請(qǐng)人在意見(jiàn)陳述書(shū)中強(qiáng)調(diào)的有益效果在原申請(qǐng)文件中沒(méi)有記載，也不能明顯推導(dǎo)出。2）申請(qǐng)人修改權(quán)利要求的同時(shí)，在該部分中添加有益效果，但該效果不能從原申請(qǐng)文件中明顯推導(dǎo)出。3）補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。5.有益效果1136.附圖說(shuō)明由于原說(shuō)明書(shū)中的一些技術(shù)特征在附圖中沒(méi)有出現(xiàn)，審查員指出后添加附圖及圖面說(shuō)明，但這些內(nèi)容不能從原申請(qǐng)文件中唯一地推導(dǎo)出，導(dǎo)致修改超范圍。6.附圖說(shuō)明1147.具體實(shí)施方式1）修改技術(shù)內(nèi)容中的連接關(guān)系使修改后的技術(shù)內(nèi)容與原說(shuō)明書(shū)中的技術(shù)內(nèi)容完全不同，導(dǎo)致修改超范圍。

2）修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍。7.具體實(shí)施方式115例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。在本領(lǐng)域中半導(dǎo)體材料有很多種，有元素半導(dǎo)體、二元化合物半導(dǎo)體、固溶體半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體，常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、碳化硅、砷化鎵等，半導(dǎo)體材料還分為單晶、多晶、非晶等，因此非晶硅僅是含硅的半導(dǎo)體膜中的一種。例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。在本領(lǐng)域中半導(dǎo)1168.說(shuō)明書(shū)附圖9.說(shuō)明書(shū)摘要對(duì)獨(dú)立權(quán)利要求進(jìn)行修改后，沒(méi)有對(duì)摘要中的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行相應(yīng)的修改。8.說(shuō)明書(shū)附圖11710.權(quán)利要求書(shū)a）意見(jiàn)陳述書(shū)中指出已修改，但提交的權(quán)利要求書(shū)中仍存在同樣的缺陷；b）僅提交修改底稿，或者刪除部分權(quán)利要求之后，權(quán)利要求的編號(hào)沒(méi)有改變；10.權(quán)利要求書(shū)118例如：i）1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：2.（刪除）3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，其中。

ii）6.根據(jù)權(quán)利要求7的引線框架，其中。例如：i）1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：119c）采用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)與原申請(qǐng)文件中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)不同；例如將“金屬化孔”修改為“通過(guò)口”；d）意見(jiàn)陳述與修改的內(nèi)容不一致；c）采用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)與原申請(qǐng)文件中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)不120例如：申請(qǐng)人的意見(jiàn)陳述書(shū)中記載“相對(duì)低能量的雜質(zhì)離子不能穿過(guò)氧化層的中央部分”，但是權(quán)利要求中記載了特征“采用比第一能量低的第二注入能量所述第二注入能量足以使雜質(zhì)的所述離子通過(guò)所述場(chǎng)氧化層的所述中央?yún)^(qū)域”，例如：申請(qǐng)人的意見(jiàn)陳述書(shū)中記載“相對(duì)低能量的雜質(zhì)離子不能穿過(guò)121而說(shuō)明書(shū)記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能穿過(guò)厚的場(chǎng)氧化薄膜102的中心區(qū)域，而僅能穿過(guò)場(chǎng)氧化薄膜的周?chē)鷧^(qū)域即鳥(niǎo)嘴”，因此所述特征既沒(méi)有記載在原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，也不能由原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)所記載的內(nèi)容導(dǎo)出，因此超出了原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍，不符合專(zhuān)利法第33條的規(guī)定。而說(shuō)明書(shū)記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能穿過(guò)厚的場(chǎng)氧化122e）修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將獨(dú)立權(quán)利要求1將組合物的淀積厚度由“2.5-11微英寸”修改為“小于11微英寸”。e）修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將獨(dú)123f）修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將“磷硅玻璃”修改成“玻璃”。特征“玻璃”概括了很寬的范圍，廣義的玻璃包括單質(zhì)玻璃、有機(jī)玻璃和無(wú)機(jī)玻璃，除工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的硅酸鹽玻璃之外，還有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金屬玻璃等。因此僅由說(shuō)明書(shū)中記載的“PSG”是無(wú)法推導(dǎo)出特征“玻璃”。f）修改技術(shù)術(shù)語(yǔ)，導(dǎo)致修改超范圍；124

g）相對(duì)于審查員提出的對(duì)比文件修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但修改后的權(quán)利要求的保護(hù)范圍沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的變化。g）相對(duì)于審查員提出的對(duì)比文件修改了獨(dú)立權(quán)利125四、導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析1.駁回的條件1）屬于專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第五十三條規(guī)定的駁回情形；2）給申請(qǐng)人至少一次陳述意見(jiàn)和/或進(jìn)行修改申請(qǐng)文件的機(jī)會(huì)；四、導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析1263）申請(qǐng)人在指定的期限內(nèi)未提出有說(shuō)服力的意見(jiàn)和/或證據(jù)，也未對(duì)申請(qǐng)文件進(jìn)行符合專(zhuān)利法及實(shí)施細(xì)則規(guī)定的修改；4）或者修改后的申請(qǐng)文件中仍然存在足以用已通知過(guò)申請(qǐng)人的理由和證據(jù)予以駁回的缺陷。3）申請(qǐng)人在指定的期限內(nèi)未提出有說(shuō)服力的意見(jiàn)和/或證據(jù)，也未1272.駁回的種類(lèi)1）發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的主題違反國(guó)家法律、社會(huì)公德或者妨礙公共利益，或者申請(qǐng)的主題屬于專(zhuān)利法第25條規(guī)定的不授予發(fā)明專(zhuān)利權(quán)的客體；（專(zhuān)利法第5條和25條）2）申請(qǐng)的發(fā)明不具備新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性；（專(zhuān)利法22條）2.駁回的種類(lèi)1283）發(fā)明專(zhuān)利法申請(qǐng)沒(méi)有充分公開(kāi)請(qǐng)求保護(hù)的主題（專(zhuān)利法第26條第3款），或者權(quán)利要求未以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)；（專(zhuān)利法第26條第4款）4）申請(qǐng)不符合專(zhuān)利法關(guān)于發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)單一性的規(guī)定（專(zhuān)利法第31條第1款）；5）申請(qǐng)的發(fā)明根據(jù)“先申請(qǐng)?jiān)瓌t”不能取得專(zhuān)利權(quán)（專(zhuān)利法第9條），或者申請(qǐng)不符合“一發(fā)明創(chuàng)造、一專(zhuān)利”的規(guī)定；（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第13條第1款）；3）發(fā)明專(zhuān)利法申請(qǐng)沒(méi)有充分公開(kāi)請(qǐng)求保護(hù)的主題1296）發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)不是對(duì)產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案（細(xì)則第2條第1款）；7）權(quán)利要求書(shū)不清楚、簡(jiǎn)要（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第20條第1款），獨(dú)立權(quán)利要求缺少解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征（專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第21條第2款）；8）申請(qǐng)的修改或者分案的申請(qǐng)超出原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍（專(zhuān)利法第33條）。6）發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)不是對(duì)產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提1303.案例發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制造方法申請(qǐng)簡(jiǎn)介：薄膜半導(dǎo)體形成的薄膜晶體管（TFT）通常使用無(wú)定形硅膜作為半導(dǎo)體層，通常使用催化元素使其晶化，利用等離子體處理或蒸鍍會(huì)大量引入上述元素產(chǎn)生不利影響。3.案例131發(fā)明目的：控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量也就是，僅僅在表面引入極微量催化元素發(fā)明目的：控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量132申請(qǐng)文件中的部分權(quán)利要求：1）獨(dú)立權(quán)利要求1中包含特征“使含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的溶液與暴露的無(wú)定形硅膜連接的工序”；（不支持）2）從屬權(quán)利要求4的附加技術(shù)特征為催化劑元素使用選自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一種或幾種元素。申請(qǐng)文件中的部分權(quán)利要求：133審查過(guò)程：在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中的其中一條意見(jiàn)中指出：特征“使溶液與硅膜連接的工序”概括了很寬的范圍，連接包括很多種，僅機(jī)械連接就有很多種，而說(shuō)明書(shū)中僅給出了旋轉(zhuǎn)涂敷的實(shí)施例1-4，因此權(quán)利要求1沒(méi)有以說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，不符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定，請(qǐng)申請(qǐng)人根據(jù)說(shuō)明書(shū)具體限定。此外，在第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中沒(méi)有提及從屬權(quán)利要求4的缺陷。審查過(guò)程：134但申請(qǐng)人在答復(fù)審查員的第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)提交的權(quán)利要求書(shū)中，1）將“無(wú)定形硅膜”替換為“含有無(wú)定形硅的膜”；（超范圍）2）沒(méi)有對(duì)特征“連接”進(jìn)行修改（不支持）3）將權(quán)利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改為“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”。（超范圍）但申請(qǐng)人在答復(fù)審查員的第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)提交的權(quán)利要求書(shū)中135針對(duì)上述缺陷審查員在第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出：1）‘含有無(wú)定形硅的膜’的含義為該膜除了含有無(wú)定形硅之外還含有其它成分，已超出了‘無(wú)定形硅膜’的含義，并且該特征既沒(méi)有明確地記載在原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，也不能由原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)所記載的‘無(wú)定形硅膜’的內(nèi)容直接導(dǎo)出，因此超出了原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍，不符合專(zhuān)利法第33條的規(guī)定，是不允許的。針對(duì)上述缺陷審查員在第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出：1362）申請(qǐng)人將權(quán)利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改為“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”，然而修改后的“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”既沒(méi)有明確地記載在原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，也不能由原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)所記載的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的內(nèi)容直接導(dǎo)出，因此超出了原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍，不符合專(zhuān)利法第33條的規(guī)定，是不允許的。2）申請(qǐng)人將權(quán)利要求4中的“VIII族、II1373）獨(dú)立權(quán)利要求1中出現(xiàn)特征“連接”概括了很寬的范圍，使一種物質(zhì)與另一種物質(zhì)相連接有很多種方式，機(jī)械方式的連接就有很多種，即使在本領(lǐng)域中使兩種膜相接觸的方式也有很多種，例如濺射、蒸鍍、CVD、等離子體處理、涂敷等等，但并非這些方法都能達(dá)到本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)第3頁(yè)第四段中‘控制引入催化劑元素的量’的要求，3）獨(dú)立權(quán)利要求1中出現(xiàn)特征“連接”概括了很138從說(shuō)明書(shū)第2頁(yè)最后一段中申請(qǐng)人指出等離子體處理不能有效地控制引入起作用的催化元素的量，說(shuō)明書(shū)第3頁(yè)第2段中申請(qǐng)人指出蒸鍍法也不能?chē)?yán)格地控制催化劑元素的加入量，并且申請(qǐng)人在四個(gè)實(shí)施例中均采用了涂敷法將含催化劑元素的溶液涂敷在無(wú)定形硅膜的表面上。因此獨(dú)立權(quán)利要求1不符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定，請(qǐng)申請(qǐng)人根據(jù)說(shuō)明書(shū)中記載的內(nèi)容將‘使連接’修改為‘通過(guò)涂敷使接觸’。從說(shuō)明書(shū)第2頁(yè)最后一段中申請(qǐng)人指出等離子體處理不能有效地控制139在針對(duì)第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)提交的權(quán)利要求書(shū)中，僅將權(quán)利要求4中的“8、9、10族、IIIb13族、14族、15族”中的“IIIb”刪除，變?yōu)椤?、9、10族、13族、14族、15族”，依然沒(méi)有對(duì)特征“連接”進(jìn)行修改。申請(qǐng)人在意見(jiàn)陳述書(shū)中指出“8、9、10族、13族、14族、15族”為“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的現(xiàn)形表述方式，并且指出‘本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)中并未指定涂敷為唯一的連接方法’。在針對(duì)第二次審查意見(jiàn)通知書(shū)提交的權(quán)利要求書(shū)中140基于此，審查員做出駁回決定，在駁回決定正文中指出：1）認(rèn)為特征“8、9、10族、13族、14族、15族”依然沒(méi)有明確地記載在原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，也不能由原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)所記載的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的內(nèi)容直接導(dǎo)出，并且“現(xiàn)形表述方式”的解釋也含義不清楚，因此仍然沒(méi)有克服超出了原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)記載的范圍的缺陷，不符合專(zhuān)利法第33條的規(guī)定，是不允許的。基于此，審查員做出駁回決定，在駁回決定正文中1412）權(quán)利要求1中仍然采用了特征“連接”，申請(qǐng)人在意見(jiàn)陳述書(shū)中指出‘本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)中并未指定涂敷為唯一的連接方法’，但是本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)中同樣沒(méi)有給出采取其它連接方法的實(shí)施例，也沒(méi)有明確指出可以采取其它的連接方法。因此審查員依然認(rèn)為該特征概括了很寬的范圍，應(yīng)該將‘使保持’具體限定為‘通過(guò)涂敷使接觸’。因此權(quán)利要求1仍然不符合專(zhuān)利法第26條第4款的規(guī)定。2）權(quán)利要求1中仍然采用了特征“連接”，申請(qǐng)142半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題課件143謝謝！謝謝！144半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題電學(xué)發(fā)明審查部半導(dǎo)體處沈麗半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫(xiě)及常見(jiàn)問(wèn)題電學(xué)發(fā)明審查部半145本文簡(jiǎn)介：本文簡(jiǎn)介：146主要內(nèi)容：.半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹.申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題.審查答復(fù)通知書(shū)時(shí)提交文本的常見(jiàn)問(wèn)題.導(dǎo)致駁回的幾種常見(jiàn)情況及案例分析主要內(nèi)容：147一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說(shuō)是與半導(dǎo)體材料有關(guān)的領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料的制備、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制備、半導(dǎo)體器件的應(yīng)用、半導(dǎo)體器件的測(cè)量等等一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說(shuō)是與半148半導(dǎo)體器件的制備包含通過(guò)常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)部件以及半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用將具有特定的電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件例如IC應(yīng)用在電路、計(jì)算機(jī)、通信、商業(yè)等領(lǐng)域中。典型和常用的半導(dǎo)體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導(dǎo)體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件；半導(dǎo)體器件的制備包含通過(guò)常見(jiàn)的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)149電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半導(dǎo)體器件及其制備，不涉及這些器件的應(yīng)用，從分類(lèi)號(hào)的角度來(lái)說(shuō)，僅涉及H01L下的專(zhuān)利申請(qǐng)。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對(duì)半導(dǎo)體器件及其制備。電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半150H01L領(lǐng)域的特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類(lèi)多、工藝方法多、功能性限定相對(duì)少。H01L領(lǐng)域的特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類(lèi)多、工藝151半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹(shù)脂層等。產(chǎn)品種類(lèi)多：分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽(yáng)能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安152工藝方法多：外延生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動(dòng)焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。工藝方法多：外延生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法153功能性限定相對(duì)少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對(duì)于元器件來(lái)說(shuō)，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結(jié)構(gòu)特征及各個(gè)結(jié)構(gòu)特征之間的位置或連接關(guān)系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對(duì)于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來(lái)限定，而不是功能性描述。功能性限定相對(duì)少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對(duì)于元器件154二、申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題二、申請(qǐng)文件的撰寫(xiě)要求及相應(yīng)的常見(jiàn)問(wèn)題155根據(jù)專(zhuān)利法第26條第1款的規(guī)定，申請(qǐng)發(fā)明或者實(shí)用新型專(zhuān)利的，應(yīng)當(dāng)提交請(qǐng)求書(shū)、說(shuō)明書(shū)及其摘要和權(quán)利要求書(shū)等文件。專(zhuān)利申請(qǐng)文件的組成根據(jù)專(zhuān)利法第26條第1款的規(guī)定，申請(qǐng)發(fā)明或者156（一）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)符合專(zhuān)利法第26條第3款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則第18條、19條的規(guī)定。（一）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)符合專(zhuān)利法第26條第3款、專(zhuān)利法實(shí)施細(xì)則157專(zhuān)利法第26條第3款規(guī)定：說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)對(duì)發(fā)明或者實(shí)用新型作出清楚、完整的說(shuō)明，以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為準(zhǔn)；必要的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)有附圖。1）說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定專(zhuān)利法第26條第3款規(guī)定：說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)對(duì)發(fā)明或158i）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚，具體應(yīng)滿(mǎn)足下述要求。主題明確，前后一致用詞準(zhǔn)確，無(wú)歧義i）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚，具體應(yīng)滿(mǎn)足下述要求。159ii）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整一份完整的說(shuō)明書(shū)應(yīng)當(dāng)包含下列各項(xiàng)內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實(shí)用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實(shí)用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術(shù)）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實(shí)用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)）ii）說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整160

iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)是指所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)，就能夠再現(xiàn)該發(fā)明的技術(shù)方案，解決其技術(shù)問(wèn)題，并且產(chǎn)生預(yù)期的技術(shù)效果。iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)161提示：如果申請(qǐng)人視為“技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚?，就不可作為技術(shù)秘密保留起來(lái)，應(yīng)當(dāng)記載在說(shuō)明書(shū)中；否則，由于“說(shuō)明書(shū)的修改不得超出原說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求的記載范圍”，那些被申請(qǐng)人當(dāng)作技術(shù)秘密保留起來(lái)的必不可少的技術(shù)內(nèi)容在修改時(shí)就不能補(bǔ)充到說(shuō)明書(shū)中去，從而可能導(dǎo)致最后駁回申請(qǐng)。提示：如果申請(qǐng)人視為“技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是162以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無(wú)法實(shí)現(xiàn)：1）說(shuō)明書(shū)中僅給出了任務(wù)和/或設(shè)想，或者只表明一種愿望和/或結(jié)果，而未給出任何使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┑募夹g(shù)手段；2）說(shuō)明書(shū)中給出了解決手段，但對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施；以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無(wú)1633）說(shuō)明書(shū)中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員采用該手段并不能解決所述技術(shù)問(wèn)題；4）申請(qǐng)的主題為由多個(gè)技術(shù)措施構(gòu)成的技術(shù)方案，對(duì)于其中一個(gè)技術(shù)措施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容并不能實(shí)現(xiàn)；5）說(shuō)明書(shū)中給出了具體的技術(shù)方案，但未提供實(shí)驗(yàn)證據(jù)，而該方案又必須依賴(lài)實(shí)驗(yàn)結(jié)果加以證實(shí)才能成立。3）說(shuō)明書(shū)中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人164舉例1：發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件三維接觸的形成背景技術(shù)：現(xiàn)有技術(shù)中大多采用等離子體蝕刻技術(shù)進(jìn)行三維蝕刻，但需要價(jià)格昂貴的設(shè)備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問(wèn)題，盡管可以通過(guò)熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過(guò)程會(huì)導(dǎo)致制造成本上升。舉例1：165發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時(shí)通過(guò)表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。采用化學(xué)藥品進(jìn)行腐蝕，晶格損傷為零，可以大量成批處理。只要控制化學(xué)藥品的組成、腐蝕溫度和時(shí)間，就能得到一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電166實(shí)施例：結(jié)晶方向?yàn)?lt;110>單晶棒，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進(jìn)行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40℃的堿性化學(xué)藥品中。實(shí)施例：167附圖1：附圖1：168舉例2：發(fā)明名稱(chēng)：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術(shù)方案：利用分子篩材料的納米孔道特點(diǎn)，在納米孔道中裝入P型和N型半導(dǎo)體材料，并且在P型和N型半導(dǎo)體的結(jié)合處形成P-N結(jié)。分別在孔道的兩端P型和N型半導(dǎo)體上蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎(chǔ)。這樣便在納米孔道中構(gòu)成了一種二極管。以此為出發(fā)點(diǎn)，利用分子篩中的納米孔道可控制生長(zhǎng)特性，可以構(gòu)造晶體管和集成電路。舉例2：169附圖：附圖：170分析：申請(qǐng)人在實(shí)施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型半導(dǎo)體材料”、“在三個(gè)不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導(dǎo)體”、“通過(guò)分子組裝化學(xué)方法，將P型半導(dǎo)體材料18、22和N型半導(dǎo)體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)條件，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員難以理解：分析：申請(qǐng)人在實(shí)施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型171如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請(qǐng)中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過(guò)20納米的晶體管及其集成電路。也就是說(shuō)明中僅給出了解決手段，但對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，該手段是含糊不清的，根據(jù)說(shuō)明書(shū)記載的內(nèi)容無(wú)法具體實(shí)施，不符合專(zhuān)利法第26條第3款的規(guī)定。如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別1722）說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)順序應(yīng)當(dāng)符合實(shí)施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為：

（1）發(fā)明名稱(chēng)i）應(yīng)與請(qǐng)求書(shū)中的名稱(chēng)一致，一般不超過(guò)25個(gè)字；舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導(dǎo)體器件的制造方法及絕緣體基半導(dǎo)體器件”；b）“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽(yáng)能電池組件”2）說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)順序應(yīng)當(dāng)符合實(shí)施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為：173ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，最好采用國(guó)際專(zhuān)利分類(lèi)表中的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，不得采用非技術(shù)術(shù)語(yǔ)；舉例：“形成半導(dǎo)體器件金屬互連的方法”H01L21/768“形成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法”H01L21/8242“線架及其制造方法”“二極體及其制造方法”ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)，最好采174iii）清楚簡(jiǎn)明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案的主題和類(lèi)型（產(chǎn)品或方法）；舉例：“半導(dǎo)體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計(jì)算方法”“熱電半導(dǎo)體材料或元器件及其制造方法與裝置”iii）清楚簡(jiǎn)明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用175iv）應(yīng)該全面地反映一件申請(qǐng)中包含的各種發(fā)明類(lèi)型；舉例：“半導(dǎo)體器件的互連線及其制造方法”“一種散熱片及形成方法和組合件”“引線框架和半導(dǎo)體器件”（申請(qǐng)文件）“引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導(dǎo)體器件”（授權(quán)）iv）應(yīng)該全面地反映一件申請(qǐng)中包含的各種發(fā)明176v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號(hào)或者商品名稱(chēng)，也不得使用商業(yè)性宣傳用語(yǔ)。舉例：“一種高效替換備用存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體器件”“一種新穎整流元件的結(jié)構(gòu)及其制法”v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號(hào)或者商品名177（2）技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是保護(hù)的發(fā)明或者實(shí)用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位發(fā)明或者實(shí)用新型本身。（2）技術(shù)領(lǐng)域178舉例：發(fā)明名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域：“本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法”點(diǎn)評(píng)：由于半導(dǎo)體器件種類(lèi)很多并且零部件也很多，因此寫(xiě)成了廣義的技術(shù)領(lǐng)域，過(guò)于籠統(tǒng)，簡(jiǎn)單地照抄發(fā)明名稱(chēng)。舉例：179發(fā)明名稱(chēng)：“形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的方法”技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導(dǎo)體器件的STI（淺槽隔離）結(jié)構(gòu)形成場(chǎng)區(qū)的方法。改進(jìn)之處：在形成槽之前先進(jìn)行離子注入。發(fā)明名稱(chēng)：“形成半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的方法”180技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域），特別涉及先進(jìn)行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導(dǎo)體器件的場(chǎng)區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域181（3）背景技術(shù)發(fā)明或者實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)的背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫(xiě)明對(duì)發(fā)明或者實(shí)用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術(shù)，并且引證反映這些背景技術(shù)的文件。在說(shuō)明書(shū)涉及背景技術(shù)的部分中，還要客觀地指出背景技術(shù)中存在的問(wèn)題和缺點(diǎn)。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實(shí)用新型的技術(shù)方案所解決的問(wèn)題和缺點(diǎn)。在可能的情況下，說(shuō)明存在這種問(wèn)題和缺點(diǎn)的原因以及解決這些問(wèn)題時(shí)曾經(jīng)遇到的困難。（3）背景技術(shù)182一些申請(qǐng)文件中的缺陷：（i）對(duì)背景技術(shù)的描述過(guò)于簡(jiǎn)單，只是籠統(tǒng)地一提而過(guò)，沒(méi)有引證文件；（ii）有的即使引用了相關(guān)文件，也與發(fā)明主題相距甚遠(yuǎn)，有意或無(wú)意地掩蓋了最相關(guān)的背景技術(shù)；（iii）有的故意把背景技術(shù)說(shuō)得一無(wú)是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”；（iv）有的對(duì)于不重要的背景技術(shù)描述很多，對(duì)真正相關(guān)的背景技術(shù)卻避而不談。一些申請(qǐng)文件中的缺陷：183舉例：附圖：舉例：184圖面介紹：圖1是常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導(dǎo)體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個(gè)連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導(dǎo)體芯片1引線接合。圖面介紹：185粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導(dǎo)體芯片1的芯片焊盤(pán)/接合焊盤(pán)（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹(shù)脂4模制包括已導(dǎo)線連接的半導(dǎo)體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預(yù)定區(qū)域，以使引線框架的連接基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預(yù)定深度。粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2186美國(guó)專(zhuān)利5428248中詳細(xì)說(shuō)明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，該專(zhuān)利已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對(duì)它所公開(kāi)的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導(dǎo)體封裝中，當(dāng)芯片焊盤(pán)位于半導(dǎo)體封裝的側(cè)邊時(shí)，可以進(jìn)行引線接合，但當(dāng)芯片焊盤(pán)位于其中心時(shí)，無(wú)法進(jìn)行引線接合。美國(guó)專(zhuān)利5428248中詳細(xì)說(shuō)明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半187（4）發(fā)明或者實(shí)用新型的內(nèi)容要解決的技術(shù)問(wèn)題是指發(fā)明或者實(shí)用新型要解決的現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。發(fā)明或者實(shí)用新型公開(kāi)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)能夠解決這些技術(shù)問(wèn)題。（4）發(fā)明